UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
Universidad del Per, DECANA, de Amrica
Facultad de Ingeniera Elctrica, Electrnica y
Telecomunicaciones
E.A.P. Ingeniera de Telecomunicaciones


INFORME FINAL N07
2014-I
INFORME FINAL N07
I.- TEMA:
EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERSTICAS BSICAS
II.- OBJETIVOS:
Apellidos y Nombres: Matricula:

CHUQUISPUMA MAGALLANES, Jheyson Daniel

LAZARTE OYAGUE, Christian Almaquio


ZARATE NEYRA, Javier Emilio

HUAMANI ROMERO, Juan Carlos


13190068

13190255


13190170

12190140
Curso: Tema:
Dispositivos Electrnicos Transistor Bipolar
NPN
Informe: Fechas: Nota:
Final Realizado:
20/06/14
Entregado:
27/06/14

Numero:

1

Grupo: Profesor:
5 Ing. Luis Paretto Quispe
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar NPN.
III.- INTRODUCCION TEORICA:
El transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica
digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los
transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.


El smbolo de un transistor NPN.
Regiones operativas de un transistor:
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
Corriente del emisor = ( + 1)*I
b
; corriente del colector= I
b

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de
corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib),
de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que
se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de
los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente
en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I
c
= I
e
= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (I
c
I
e
= I
max
)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral V
CE,sat
. Cuando el
transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin I
c
=I
b
(y por
ende, la relacin I
e
= (+1)*I
b
) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica
(especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin,
para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.
IV.-MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:
1.-Un multmetro

2.- Un miliampermetro

3.- Un microampermetro 4.- Un voltmetro de c.c.





5.- Un transistor 2N2646
6.- Un osciloscopio


V.- PROCEDIMIENTO:
1. Verificamos el estado operativo del transistor; usando el ohmmetro. Llenar la
Tabla 1.
Para ello, usamos el voltmetro, colocamos el selector en el smbolo de diodo para la
medicin directa de base-emisor, y de base-colector, y luego colocamos el selector en
el smbolo de ohmios, para la medicin de la resistencia directa de colector-emisor y
para la resistencia indirecta de base-emisor, base-colector, y colector-emisor. Todos
los datos se registraron en la Tabla 1.
TABLA 1
RESISTENCIA DIRECTA () INVERSA()
BASE-EMISOR 1112 >40M
BASE-COLECTOR 1116 4,88M
COLECTOR-EMISOR >40M 4,68M
2. Armamos el siguiente circuito:

a) Medimos las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el
(P1 = 0 ).
b) Medimos los voltajes entre colector emisor (Vce), entre base emisor (Vbe), y
entre emisor tierra (Ve).
c) Colocamos los datos obtenidos en la Tabla 2.
Tabla 2 (Q1)
Valores(R1=56K) Ic (mA.) Ib (A.) Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Medidos 7.15 37 193.24 2.439 0.327 2.413

d) Cambiamos R1 a 68K , repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos obtenidos en
la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Tabla 3 (Q2)
Valores(R1=68 K) Ic (mA.) Ib (A.) Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Medidos 6.4 22.5 284.49 3.37 0.328 2.157
e) Aumentamos la resistencia de P1 a 100K , 250K , 500K y 1M . Observar lo
que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce. Llenar la Tabla 5.
Tabla 5
P1 100K 250K 500K 1M
Ic (mA.) 3.45 1.4 0.6 0.1
Ib (A.) 9.8 4 0.2 0
Vce (v.) 7.43 10.21 11.24 11.83

3. Ajustamos el generador de seales a 50 mv.pp, 1 KHz., onda senoidal.
Observamos la salida V
o
con el osciloscopio. Anotamos los valores obtenidos en
la Tabla 4.
Observacin: Para realizar la Tabla 4, hemos tomado los datos de la Tabla 5 (Q3)
Tabla 4
TABLA Vi(mV.pp) V
o
(V.pp) Av V
o
(sin Ce) Av(sin Ce)
5(Q3) 1.5 2 1.33 2 1.33





VI.- CUESTIONARIO FINAL:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa
con el ohmmetro.
El transistor se comportara como una resistencia variable que depende de una seal
elctrica de control, entonces al cambiar el valor de la seal de control cambia la
cantidad de corriente que pasa por el transistor.

Como en el transistor no acumula carga, toda la corriente que entra en el transistor
debe salir entonces:
I
E
= I
C
+ I
B
= ( +1) I
B

Si >> 1; I
E
I
C
2.- Adjuntaremos una imagen
3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos a las Tablas 2 y 3?
Los puntos de las tablas 2 y 3, de acuerdo a la medicin experimental realizada se
encuentran en la regin activa, debido a que el voltaje de base-emisor (Vbe) se
aproxima a 0.6V, valor que le corresponde a dicha regin para transistores NPN de
silicio, sin embargo al momento de analizar la Tabla 5, se observa que a medida que
se aument el valor de P1 este gener que la corriente en base Ib cambiara de
sentido, por lo que se induce a que se haya variado la regin de trabajo en esos
puntos, de la regin activa, hacia la regin de corte.
4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120k?
Explicar

Al aumentar la resistencia R1 a 120 k tanto I
c
como I
b
disminuiran su valor lo que
tambin ocasionara variacin en V
ce
, V
be
y V
e
. Todas estas variaciones de las
corrientes y los voltajes van a hacer que, al efectuar nuevamente los clculos
correspondientes, el punto de operacin vare su posicin en la recta de carga.
6.- Exponer sus conclusiones y observaciones acerca del experimento.

Verificar los instrumentos a usar, as como los elementos y dispositivos que
sern usados para fines del experimento.
Ubicar la base, emisor y colector del transistor a usar.
Tener presente que es necesario conocer el y el material del transistor a usar,
para as poder resolver el circuito tericamente.
El transistor bipolar opera como amplificador solo en la zona activa.
La corriente del emisor es aproximadamente igual a la base del colector.







VII.- BIBLIOGRAFIA:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

http://transistores--pnp-npn.wikispaces.com/

http://recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnologia/quincen
a4/4q2_contenidos_5a.htm

www.areaelectronica.com

www.unicrom.com