TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

INTRODUCCIN
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y
que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo (FET).

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unin p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta
(g-gate) en el collar.
Drenaje Fuente
Puerta
Material N
Material P

Figura 1. El croquis de un FET con canal N.
Gate
Drain
Source
D
G
S
Canal N

Figura 2. Smbolos grficos para un FET de canal N.





1
PRINCIPIO DE OPERACION DEL FET
A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un FET. Al
igual que sucede con los transistores BJT el FET tiene tres regiones de operacin:

Regin de corte
Regin lineal
Regin de saturacin

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno
completamente distinto al de los transistores BJT.

Regin de corte
Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a
la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se
forma una unin PN aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccin en la que
no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin
aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin
aplicada. Aplicando una tensin V
GS
negativa aumentamos la anchura de la zona de
depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.

Si el valor de V
GS
se hace lo suficientemente negativo, la regin de
agotamiento se extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del
mismo se har infinita y se impedir el paso de I
D
(Figura 3). El potencial al que sucede
este fenmeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, V
P
).
N N
G D
S
P
V
DS
I
D
= 0
V
GS
= -V
P
+
+
+
+
+
+
+++++++++++++

Figura 3. Esquema del FET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo.

Por lo tanto, para valores ms negativos que V
P
el FET se encuentra
polarizado en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.

2
Regin lineal

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin V
DS
mayor que cero,
aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que
llamaremos I
D
. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de
conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea V
DS
grande o
pequea en comparacin con V
GS
.

Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente
La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la
unin GS con una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.
+
+
+
+
+
+
+++++++++++++
N N
G D
S
P
V
GS
< 0
V
DS
I
D


Figura 4. Esquema FET de canal N polarizado con V
GS
< 0.

Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del
diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente
I
D
presenta una doble dependencia:
La corriente I
D
es directamente proporcional al valor de V
DS

La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre V
GS
y V
P
. Como
I
D
est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea V
GS
- V
P
, mayor ser la
anchura del canal, y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:
DS P GS D
V V V I ) (
Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente
proporcional a V
GS
y a V
DS
.


Valores altos del voltaje drenaje-fuente
Para valores de V
DS
comparables y superiores a V
GS
la situacin cambia
con respecto al caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el FET
pierde su comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.


3
Cuando se aplica un voltaje V
DS
al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se
distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser
de 5 V, pero a medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad
(2,5 V), y en el terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si V
GS
es negativa (- 2 V,
por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir
ninguna corriente (Figura 5). (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas
por debajo de los contactos).
N N
G D
S
P
V
GS
= -2V
V
DS
= 5V I
D
-2V -2V -2V
0V 2.5V 5V


Figura 5. Esquema del FET de canal N polarizado con V
GS
= -2 V y V
DS
= 5 V.

Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa
aplicada es de 2 V, que se corresponde con la V
GS
= -2 V. Sin embargo, conforme nos
acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V.
La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona
de depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando V
DS
es pequea, esta diferencia de
anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la
seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de V
DS
, y
que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.
+
+
+
+
+
+
+++++++++++++
N N
G D
S
P
V
GS
< 0
V
DS
I
D

Figura 6. Esquema del FET de canal N en la regin de conduccin no lineal.

4


Regin de saturacin
Si V
DS
se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal
en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se
mantiene independiente de V
DS
, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor
estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).
+
+
+
+
+
+
+++++++++++++
N N
G D
S
P
V
GS
< 0
V
DS
I
D


Figura 7. Esquema del FET de canal N en la regin de corriente constante.

La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje,
lo que sucede cuando la tensin puerta-drenaje es ms negativa que V
P
, es decir:

V
GD
< V
P
=> V
GS
- V
DS
< V
P
=> V
DS
> V
GS
- V
P

Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. En
el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es
constante porque la tensin V
GS
se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio,
en la regin de corriente constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado
por V
DS
, que vara a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacin de la corriente.

5
CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA.

Derivacin
Para el transistor BJT la corriente de salida I
C
y la comente controladora de
entrada I
B
estaban relacionadas por medio del factor beta, el cual se consideraba constante
para el anlisis a realizarse. En forma de ecuacin,

B B C
I I f I = = ) (

En la ecuacin anterior existe una relacin lineal entre I
C
e I
B
. Duplquese
el nivel de I
B
e I
C
, tambin se incrementar por un factor de 2.

Desafortunadamente, esta relacin lineal no existe entre las cantidades de
salida y entrada de un FET. La relacin entre I
D
y V
GS
se define por la ecuacin de
Shockley:
2
1

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
El trmino cuadrado de la ecuacin dar como resultado una relacin no
lineal entre I
D
y V
GS
, produciendo una curva que crece exponencialmente con el incremento
de los valores de V
GS
.

Las caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley
se mantienen sin afectarse por la red en la que se emplea el dispositivo.

La curva de transferencia puede obtenerse utilizando la ecuacin de
Shockley. En la figura 8 se suministran dos grficas con la escala vertical en miliamperios
para cada grfica. Una es la grfica de I
D
contra V
DS
, mientras que la otra es de I
D
contra
V
GS
. Haciendo uso de las caractersticas del drenaje a la derecha del eje de las "y", se puede
trazar una lnea horizontal desde la regin de saturacin denotada por V
GS
= 0 V hasta el eje
de I
D
. El nivel de corriente resultante para ambas grficas es I
DSS
. El punto de interseccin
sobre la curva de I
D
contra V
GS
se encontrar como se ilustra, ya que el eje vertical se define
como V
GS
= 0 V. En resumen: Cuando V
GS
= 0 V, I
D
= I
DSS
.

6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
(mA) I
D
(mA)
5 10 15 20 25 -1 -2 -3 -4
V
GS
= -3V
V
GS
= -4V
V
GS
= -2V
V
GS
= -1V
V
GS
= 0V
V
GS
V
DS
I
DSS
I
DSS
I
D
= 0mA, V
GS
= V
P

Figura 8. Obtencin de la curva de transferencia a partir
de las caractersticas de drenaje.

Cuando V
GS
= Vp = -4 V, la corriente de drenaje es de 0 miliamperios, y
define otro punto sobre la curva de transferencia. Es decir: Cuando V
GS
= Vp, I
D
= 0 mA.

Antes de proseguir, es importante enfatizar que las caractersticas de
drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a una cantidad de entrada (o
compuerta). Ambos ejes se definen por variables en la misma regin de las caractersticas
del dispositivo. Las caractersticas de transferencia son la grfica de una corriente de salida
(o drenaje) contra una cantidad controlada de entrada. Existe, por lo tanto, una
"transferencia" directa de variables de entrada a variables de salida, cuando se emplea la
curva a la izquierda de la figura 8. Si la relacin fuera lineal, la grfica de I
D
contra V
GS

resultara en una lnea recta entre V
DSS
y Vp. Sin embargo, se obtendr una curva parablica
debido a que el espaciado vertical entre los pasos de V
GS
sobre las caractersticas de drenaje
de la figura 8 decrece notablemente a medida que V
GS
se hace cada vez ms negativo.
Comprese el espaciado entre V
GS
= 0 V y V
GS
= -1 V con el que se da entra V
GS
= -3 V y el
estrechamiento. El cambio en V
GS
es el mismo, pero el cambio resultante en I
D
es muy
diferente.

Aplicacin de la ecuacin de Shockley
La curva de transferencia de la figura 8 puede obtenerse en forma directa
mediante la ecuacin de Shockley, dando simplemente los valores de I
DSS
y Vp. Los niveles
de I
dss
y Vp definen los lmites de la curva sobre ambos ejes y dejan solamente la necesidad
de encontrar unos cuantos puntos intermedios de graficacin. La validez de la ecuacin
Shockley como una fuente para la curva de transferencia de la figura 8 se demuestra mejor
al examinar unos cuantos niveles especficos de una variable y hallando el nivel resultante
de la otra, en la forma siguiente: Sustituyendo V
GS
= 0 V se obtiene


7
DSS
P
DSS
P
GS
DSS D
I
V
I
V
V
I I =

=
2 2
0
1 1

Al sustituir V
GS
= Vp resulta que

mA
V
V
I I
P
P
DSS D
0 1
2
=

=

Para las caractersticas de drenaje de la figura 8, si sustituimos V
GS
= -1 V,

mA mA
V
V
mA
V
V
I I
P
GS
DSS D
5 . 4 ) 75 . 0 ( 8
4
1
1 8 1
2
2
2
= =

=

Como se muestra en la figura 8. Advirtase la precaucin con la que se
manejan los signos negativos para V
GS
y Vp en los clculos anteriores. La prdida de un
signo dara un resultado totalmente errneo.
Debera ser obvio de lo anterior que dadas I
DSS
y Vp (como se proporciona
una regla general en las hojas de especificaciones), el nivel de I
D
puede hallarse para
cualquier nivel de V
GS
. A la inversa, por medio del uso de lgebra bsica podemos obtener
una ecuacin para el nivel resultante de V
GS
para un nivel dado de I
D
. La derivacin es
bastante directa y dar como resultado

DSS
D
GS
I
I
V 1


PARAMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores
FET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:
I
DSS
: Es la corriente de drenaje cuando el transistor FET se encuentra en
configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (V
GS
=0). En la
prctica marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en
cuenta que los transistores FET presentan amplias dispersiones en este valor.
V
P
(Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al
igual que I
DSS
, presenta fuertes dispersiones en su valor.
R
DS(ON)
: Es el inverso de la pendiente de la curva I
D
/V
DS
en la zona lineal.
Este valor se mantiene constante hasta valores de V
GD
cercanos a la tensin de
estrangulamiento.
B
VDS
(Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre
fuente y drenaje. Tensiones ms altas que B
VDS
provocan un fuerte incremento de I
D
.
B
VGS
(Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la
unin entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores
de B
VGS
provocan una conduccin por avalancha de la unin.

8
POLARIZACION
Para todas las configuraciones recordemos que:

S D
G
I I
A I
=
0


2
1

=
P
GS
DSS D
V
V
I I

Configuracin de polarizacin fija.
El ms simple de los arreglos de polarizacin para el FET de canal n
aparece en la figura 9, Conocida como configuracin de polarizacin fija, es una de las
pocas configuraciones FET que pueden resolverse en forma directa utilizando tanto el
enfoque grfico como el matemtico.
+
I
D
R
D
V
GS
V
DD
R
G
G
S
D
V
GG
V
DS

-
+
-
Figura 9. Configuracin de polarizacin fija.

Para el anlisis de cd,
I
G
= 0 A
V
RG
= I
G
R
G
= (0A)R
G
= 0 V


La cada de cero voltios a travs de R
G
permite reemplazar a R
G
por un
corto circuito equivalente.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas del
reloj a la malla, se tiene que
V
GS
= -V
GG


9
Puesto que V
GG
es una fuente constante de cd, el voltaje V
GS
es de
magnitud fija, dando como resultado la denominacin "configuracin de polarizacin fija".
El nivel resultante de corriente de drenaje I
D
se controla ahora por la
ecuacin de Shockley:
Ya que V
GS
es una cantidad fija para esta configuracin, su signo y su
magnitud simplemente pueden sustituirse en la ecuacin de Shockley y calcularse el nivel
resultante de I
D
. Este es uno de los pocos ejemplos en el cual la solucin matemtica para
una configuracin FET es bastante directa.

Un anlisis grfico requerira una grfica de la ecuacin de Shockley como
se muestra en la figura 10. Recurdese que la eleccin de V
GS
= Vp/2 dar como resultado
una corriente de drenaje de I
DSS
/4 cuando se grafique la ecuacin. Para el anlisis, los tres
puntos definidos por I
DSS
, Vp y la interseccin que se acaba de describir sern suficientes
para trazar la curva.
I
D
(mA)
V
P
V
P
/ 2

I
DSS
I
DSS
/ 4
V
GS

Figura 10. Graficacin de la ecuacin de Shockley.

En la figura 11 el nivel fijado de V
GS
se ha sobre impuesto en forma de una
lnea vertical en V
GS
= -V
GG
. En cualquier punto de la lnea vertical el nivel de V
GS
es -V
GG

(el nivel I
D
debe determinarse sobre esta lnea vertical). El punto donde las dos curvas se
intersecan es la solucin comn a la configuracin (conocida generalmente como el punto
esttico o de operacin}. El subndice Q se aplicar a la corriente de drenaje y al voltaje de
compuerta-fuente para identificar sus niveles en el punto Q. Obsrvese en la figura 11 que
el nivel esttico de I
D
se determina al trazar una lnea horizontal desde el punto Q hasta el
eje vertical I
D
, como se ilustra en la figura 11.

10
I
D
(mA)
V
P
I
DSS
V
GS
I
DQ
V
GSQ
= -V
GG
Punto Q

Figura 11. Encontrando la solucin para la configuracin de polarizacin fija.

El voltaje de drenaje-fuente de la seccin de salida puede determinarse
mediante la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff como sigue:

V
DS
+ I
D
R
D
- V
DD
= 0

V
DS
= V
DD
I
D
R
D

Recurdese que los voltajes con subndice sencillo se refieren al voltaje de
un punto con respecto a tierra. Si

V
S
= 0 V

Utilizando notacin de subndice doble:

V
DS
= V
D
V
S


V
D
= V
DS


V
GS
= V
G
V
S


V
G
= V
GS

11
Configuracin de autopolarizacin.
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de tener dos
fuentes de cd. El voltaje controlador de compuerta-fuente se determina ahora por el voltaje
a travs de un resistor RS introducido en la terminal de la fuente de la configuracin, como
se muestra en la figura 12.

+
I
D
R
D
V
GS
V
DD
G
S
D
V
DS
R
G
R
S

-
+
-
Figura 12. Configuracin FET de autopolarizacin.

El resistor R
G
, se puede reemplazar por un equivalente de corto circuito ya
que IG = 0 A. El resultado es que la corriente a travs de R
S
es la corriente de fuente, pero
I
S
= I
D
y
V
RS
= I
D
R
S

Para la malla, encontramos que

-V
GS
- V
RS
= 0

V
GS
= -V
R

V
GS
= -I
D
R
S


Advierta en este caso que V
GS
es una funcin de la corriente de salida I
D
y
no un valor de magnitud constante como ocurre para la configuracin de polarizacin fija.



12
La ecuacin anterior se define por la configuracin de la red y la ecuacin
de Shockley relaciona las cantidades de entrada y salida del dispositivo. Ambas ecuaciones
relacionan las mismas dos variables, permitiendo una solucin ya sea matemtica o grfica.

Una solucin matemtica podra obtenerse simplemente al sustituir la
ecuacin V
GS
= -I
D
R
S
, en la ecuacin de Shockley como se muestra a continuacin:

2 2
1 1

=
P
S D
DSS
P
GS
DSS D
V
R I
I
V
V
I I

+ =
2
2 2
2 1
P
S D
P
S D
DSS D
V
R I
V
R I
I I

0
2
2
2 2
= + +
DSS D
P
DSS S D
P
S D
I I
V
I R I
V
R I


0 1
2
2
2 2
= +

+
DSS
P
DSS S
D
P
S D
I
V
I R
I
V
R I


Rs, I
DSS
y Vp son constantes, la incgnita es I
D


P
DSS S
P
S D
P
DSS S
P
DSS S
D
V
I R
V
R I
V
I R
V
I R
I
2
4
1
2 2
1
2
2 2

=

Este es el mtodo matemtico. El mtodo grfico se desarrolla de similar
forma que en la polarizacin fija.

Desarrolle el anlisis grfico como ejercicio de prctica.

13
Polarizacin mediante divisor de tensin.
Debido a que I
G
= 0 A, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que I
R1
=
I
R2
y que el circuito equivalente en serie pueda utilizarse para encontrar el nivel de V
G
. El
voltaje a travs de R
2
es igual a V
G
.
+
I
D
R
D
V
GS
S
D
V
DS
R
S
V
DD
R
1
R
2
G
V
G

-
+
-
+
-
Figura 13. Polarizacin mediante divisor de tensin.


2 1
2
R R
V R
V
DD
G
+
=

Ahora apliquemos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las
manecillas del reloj entre R
2
, el FET y R
S


S D G GS
R I V V =

El resultado es una ecuacin que todava incluye las mismas dos variables
que incluye la ecuacin Shockley. Hay que dibujar la recta de la ecuacin. Primero est el
hecho de que cualquier en punto a lo largo del eje horizontal de la figura 14 .
Entonces se est estableciendo un punto en el eje horizontal. Entonces:
mA I
D
0 =

mA I
G GS
S G GS
S D G GS
D
V V
R V V
R I V V
0
0
=
=
=
=



14
Siempre que se grafique la ecuacin V
S D G GS
R I V = , en caso de haber
seleccionado , el valor de V mA I
D
0 =
GS
para el dibujo ser de V
G
volts.
I
D
(mA)
V
P
I
DSS
V
GS
Punto Q
V
GS
= 0V
V
GS
= V
G
- I
D
R
S
I
D
= 0mA; V
GS
= V
G
+V
G

Figura 14. Trazo de la ecuacin.

Definamos el otro punto:

V V
S
G
D
S D G
S D G
GS
R
V
I
R I V V
R I V
0
GS
0
V
=
=
=
=


El punto anterior est graficado en la figura 14.

Cuando Aumentan los valores de R
S
dan por resultado valores menores
estables de I
D
, as como valores ms negativos de V
GS
Una vez que se han calculado los valores estables de I
DQ
y de V
GSQ
, el
anlisis restante de la red puede desarrollarse de manera usual.
( )
S D D DD DS
R R I V V + =

D D DD D
R I V V =

S D S
R I V =

2 1
2 1
R R
V
I I
DD
R R
+
= =

15
EJEMPLOS.
1. Calcule lo siguiente para la figura 15.
V
GSQ

I
DQ

V
DS


V
CE
V
GS
2V
1M
2k
16V
I
DSS
= 10mA
V
P
= - 8V

+
-
+
-
Figura 15. Configuracin de polarizacin fija.

Solucin:

V V V
GG GS
2 = =

mA
V
V
mA
V
V
I I
P
GS
DSS D
625 . 5
8
2
1 10 1
2
2
=

=

( )( ) V k mA V R I V V
D D DD DS
75 . 4 2 625 . 5 16 = = =

Resuelva por mtodo grafico usted mismo.

16

2. Calcule lo siguiente para la figura 16.
V
GSQ

I
DQ

V
DS


V
GS
V
DS
I
DSS
= 8 mA
V
P
= - 6V 3.3 k
20V
1 1k

+
-
+
-
Figura 16. Configuracin FET de autopolarizacin.


S D GS
R I - V =

Para I
D
= 4 mA e I
D
= 8 mA, V
GS
= -4V y V
GS
= -8V, respectivamente.

Con esto obtenemos una recta de la ecuacin.

Graficamos la curva de transconductancia y superponemos la recta, como
aparece en la figura 17; la interseccin nos da el resultado.

V V
mA I
GSQ
DQ
6 . 2
6 . 2
=
=


17
I
D
(mA)
-4 -3 -2 -1 0
3
4
5
6
7
8
9
10
I
DSS
I
DSQ
2
I
DSS
/ 4
V
GSQ
V
P
/ 2

V
P
V
GS
(V)
-8 -7 -6 -5
1

Figura 17. Solucin ejemplo 2.

( ) ( )( ) V k k mA V R R I V V
D S D DD DS
82 . 8 3 . 3 1 6 . 2 20 = + = + =

18

3. Calcule lo siguiente para la figura 18.
V
GSQ

I
DQ

V
GS
V
DS
I
DSS
= 8mA
V
P
= - 4V
2.1M 2.4k
1.5k 270k
16V

+
-
+
-
Figura 18. Polarizacin mediante divisor de tensin.


Para las caractersticas de transferencia, si ID = IDSS/4 = 8mA /4 = 2mA,
entonces VGS = VP/2 = -2V. La curva resultante que representa la ecuacin de Shockley
aparece en la figura 19. la ecuacin de la red est definida por
( )( )
( )
V V
I
k I V V
R I V V
y
V V
M M
V k
V
R R
V R
V
GS
D
D GS
S D G GS
G
G
DD
G
82 . 1
: 0
5 . 1 82 . 1
82 . 1
27 . 0 1 . 2
16 270
2 1
2
=
=
=
=
=
+

=
+
=



19
I
D
(mA)
V
GS
(V)
V
P
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
V
GSQ
= -1.8V
V
G
= 1.82V
(I
D
= 0mA)
2
3
4
5
6
7
8
I
DSQ
= 2.4 mA
1
I
D
= 1.21 mA

Figura 19. Clculo de punto Q para la figura18.

mA
k
V
I
D
21 . 1
5 . 1
82 . 1
=

=

La recta de polarizacin que se obtuvo aparece en la figura19 con los
valores del punto de operacin

V V
mA I
GSQ
DQ
8 . 1
4 . 2
=
=


20