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CONCEPTION DUNE RESISTANCE PINCEE EN SILICIUM P

On considre la temprature T de 300 K, une plaquette de silicium homogne de type N
dope uniquement au phosphore avec une concentration uniforme de 10
15
at cm
- 3
.
A la surface de cette plaquette, on a effectu localement, la diffusion datomes de bore pour
obtenir une couche de silicium non homogne de type P (figure 1). La diffusion latrale des
impurets ne sera pas prise en compte.
Si N homogne
Si P non homogne
R
0
x
x
j
Si P
L
W
R
Figure 1 : Barreau de S
i
P non homogne construit sur substrat S
i
N homogne.
Le barreau P, possde les proprits gomtriques suivantes : longueur L de 120 m, largeur W de
10 m et paisseur x
j
de 3 m. Le profil de concentration des atomes accepteurs, suivant laxe Ox,
au droit du barreau P, est donn en figure 2.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
1 10
14
1 10
15
1 10
16
1 10
17
1 10
18
1 10
19
Profil du silicium P
Concentration en at. cm-3
distance x en microns xj
Qs
Figure 2
La concentration Q
s
en surface des atomes de bore est gale 3.10
18
atomes cm
- 3
La conductivit moyenne du barreau :
m
j
x
x
x dx
j
=

1
0
( ) est de 15 ( cm)
-1
.
1. Dterminer la valeur de la rsistance R du barreau de silicium P entre les extrmits spares
par la longueur L.
2. Ltape de redistribution des atomes de bore a t ralise dans un four de diffusion rgl la
temprature T
1
= 1150 C. Dterminer la dure t
1
en minutes du processus de redistribution des
impurets. A cet effet, on donne en figure 3 lvolution de la constante de diffusion de diffusion
D du bore en fonction de la temprature rduite : 1000 / T(K).

1
Ph. ROUX 2006
2
2
10
-14
10
-13
10
-12
10
-11
10
-10
10
-9
0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8 0,85 0,9
Constante de diffusion D, cm
2
/s
bore, phosphore
Figure 3 : Constante de diffusion du bore D = f (1000/T(K).
3) En dduire la concentration surfacique Q
prd
datomes de bore dpose la surface du silicium la
fin de ltape de prdpt.
On dsire maintenant, augmenter la valeur de la rsistance du barreau de silicium P sans modifier
ses dimensions. On diffuse donc localement (figure 4) du phosphore sur le barreau de silicium P.
Les proprits gomtriques de cette diffusion sont les suivantes :
Longueur L
1
< L
Largeur W
1
> W
Epaisseur x = 1,5 m soit : x
j
/2.
De cette de manire, on diminue localement, lpaisseur du barreau de silicium P qui est pris en
sandwich entre deux diffusions de type N. On dit alors que la zone P est pince.
L
1
0
x = 1,5 m
Si N
Si N
Si P
Vue en coupe AB
A B
W
1
Si N
SiP
Vue de dessus
L = 120 m
W = 10 m
x
j
= 3 m
Figure 4 : Structure de la rsistance SiP pince par une zone SiN.
On se propose de dterminer la nouvelle conductivit moyenne
mp
du barreau pinc par le
silicium N.
3
3
Cette nouvelle conductivit moyenne pourrait tre calcule selon :
mp
j x
x
x x
x dx
j
=

1
( ) .
Cependant, cette conductivit peut-tre value simplement laide de labaque dIrvin donn en
figure 5.
Figure 5 Abaque dIRVIN
Cet abaque indique, pour une concentration en surface donne Q
s
(nomme N
s
sur le graphe),
lvolution de la conductivit moyenne paramtre en x/xj, sachant que (x
j
-x) reprsente la
nouvelle paisseur de la zone P. Par exemple, avec Q
s
= 3 10
18
at.cm
- 3

et x = 0 (pas de
pincement), soit x/x
j
= 0, on retrouve bien en se dplaant horizontalement
m
= 15 (. cm)
-1
(voir
le dbut du problme).
4 ) En exploitant labaque dIrvin, dterminer la conductivit moyenne
mp
de la zone pince.
Commenter votre mthode de mesure.
5) Calculer en micron, la valeur de la longueur L
1
(voir figure 4) pour obtenir une rsistance totale
de 10 K.
4
4
CORRECTION
1. Rsistance R du barreau de silicium P entre les extrmits spares par la longueur L.
R
L
W x
m j
= =
1
2667
.

2. Dtermination de la constante de diffusion D du bore dans le silicium.
A la temprature T
1
de redistribution des atomes de bore (1150 C) correspond la temprature
rduite :
1000
0 703
1
T K ( )
, = .
Le graphe de la figure 3 donne alors la constante de diffusion : D = 10
-12
cm
2
s
-1
.
La fonction qui gre la redistribution des atomes dopants est telle que :
N x t Q
x
Dt
s
( , ) exp( ) =
2
4
O Q
s
reprsente la concentration surfacique des atomes de bore, soit 3.10
18
.
A bout du temps t
1
, la jonction PN est forme. La zone P possde une paisseur x
j
= 3 m de
telle manire que : N (x
j
, t
1
) = 10
15
atomes/cm
3
concentration du substrat homogne de type
N.
N x t Q
x
Dt
j s
j
( , ) exp( )
1
2
1
4
= -> t
x
D
Q
N x t
s
j
s
j
1
2
1
4
2810 =

=
ln
( , )
soit 46,8 minutes.
3.
On exploite la relation suivante : Q
Q
Dt
s
prd
=
. .
1
Q
prd
= 2,82.10
14
atomes cm
-2
.
4. Utilisation de labaque dIrvin.
Nous avons x/x
j
= 0,5. On obtient donc :
mp
= 2 ;5
-1
cm
-1
5
5
5. On dsire obtenir une rsistance totale R
tot
de 10 k.
R
tot
est constitue par deux rsistances en sries de caractristiques suivantes :
Longueur Epaisseur Conductivit
Zone pince L
1
x
j
x = 1,5 m
mp
= 2,5 (.cm
)-1
Zone non pince L - L
1
x
j
= 3 m
m
= 15 (.cm
)-1
R
L
W x x
L L
W x
tot
mp j m j
=

+
1 1
1 1
( ) ( )
Solution : L
W R
L
x
x x x
m
tot
m j
mp j m j
1
1 1
30 =

=
.
.
( ) .