Practica No.

6
Preamplificadores

Tarea de casa

1. Investigue la accin y funcionamiento de los transistores bipolares de
juntura.

El Transistor de Juntura Bipolar (BJT) es un dispositivo activo de tres
terminales, Base, Colector y Emisor, cuya corriente se debe a la combinacion
de portadores. El dispositivo es basicamente una fuente de corriente controlada
por corriente. Para su funcionamiento requiere un circuito de polarizacin
externo. Tiene tres zonas de trabajo, activa, corte y saturacin.



Sea el BJT npn de la Fig. 1a, ste considera una regin n de volumen intermedio
de alto dopa miento (gran cantidad de

), una regin p muy delgada de pequeo

volumen de bajo dopa miento (poca cantidad

), y una regin n de gran volumen

de dopa miento intermedio.
Para establecer su funcionamiento primero se polariza solo la juntura BE, dejando
el colector abierto. La juntura esta polarizada directa, luego se produce un flujo de

desde el emisor a la base, pero tambin fluirn

en menor cantidad desde la

base al emisor.

La corriente IE se produce por la suma de los e mayoritarios y

mayoritarios
inyectados por el emisor y la base respectivamente. La corriente entre la base y el
emisor ser IE. Dado que la base es muy delgada, no soporta grandes corrientes.
Polarizando solamente la juntura CB, dejando el emisor abierto, la juntura pn esta
polarizada inversa, luego solo existe movimiento de portadores

minoritarios del
colector y los

minoritarios de la base, produciendo una corriente inversa de

saturacin llamada ICBO, entre C y B.
Al polarizar de acuerdo a la Fig. 3a, los e mayoritarios inyectados por el emisor
atraviesan la base llegando al colector, un pequeo porcentaje se recombina en la
base con los

mayoritarios aportados por sta. As, la corriente por el emisor

debido a los

mayoritarios ser InE, pero la corriente en el colector debido a

estos portadores ser InE, donde es un nmero menor que 1, dado que parte
de los

se recombinan en la base.
As, la corriente del emisor IE, ser funcin de la corriente producida por los
portadores mayoritarios e y la corriente debida a los portadores mayoritarios

inyectados por la base.

La corriente que se desva a la base ser (1 )InE = InR, luego la corriente en
la base ser la corriente de los portadores mayoritarios

de la base ms la
corriente InR menos la corriente ICBO como se muestra en la Fig. 3b.






Finalmente, la corriente por el colector IC ser la proveniente del emisor ms la
corriente de saturacin inversa ICBO.


Considerando despreciable el efecto de ICBO, se tiene





2. Investigue la accin y funcionamiento de los transistores de efecto de
campo.

Los transistores de efecto de campo se denominan as porque durante su
funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el
paso de la corriente a travs del dispositivo. Estos transistores tambin se
denominan unipolares para distinguirlos de los transistores bipolares de unin y
para destacar el hecho de que solo un tipo de portadores interviene en su
funcionamiento.
En comparacin con los transistores bipolares, los FET presentan una
impedancia de entrada muy elevada y adems consumen muy poca potencia,
por lo que su uso se ha extendido sobre todo en los circuitos integrados.
Tambin se encuentran en circuitos de alta frecuencia (microondas),
especialmente los MESFET de arseniuro de galio, los cuales tienen un tiempo
de respuesta muy rpido debido a la alta movilidad de los electrones en este
material.





Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos
grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares y b) Transistores
unipolares. Los transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor), reciben la
denominacin bipolar debido a que basan su funcionamiento en dos tipos de
portadores de carga: electrones (-) y huecos (o lagunas) cuya carga es (+),
mientras que los transistores unipolares (Unipolar Junction Transistor) se
denominan as porque para su funcionamiento utilizan un slo tipo de
portadores de carga: electrones o huecos (o lagunas). Un tipo de transistor
perteneciente al grupo de los unipolares, es el denominado transistor de efecto
de campo (Field Efecto Transistor). Dicho transistor, es particularmente
adecuado para ser utilizado en circuitos integrados debido a su reducido
tamao. El trmino efecto de campo se debe, a que el control de la corriente
a travs de dicho transistor, se ejerce (como veremos al analizar su
funcionamiento) mediante un campo elctrico exterior, por lo que el control de
los mismos es por tensin y no por corriente como ocurre en los transistores
bipolares.



Constructivamente, el JFET, slo tiene una unin P-N en vez de dos, como ocurre
con el BJT. Al comparar al JFET con el BJT se aprecia que el drenado o drenaje
(D) es anlogo al colector, en tanto que la fuente o surtidor (S) es anloga al
emisor, por ltimo la puerta o compuerta (G), es anloga a la base. La fuente y el
drenaje de un JFET se pueden intercambiar sin afectar el funcionamiento del
mismo. El anlisis del funcionamiento de este tipo de transistores, lo haremos a
partir un JFET de canal N, sin embargo el funcionamiento de un JFET de canal P
puede hacerse siguiendo la misma metodologa. Su principio de funcionamiento
se basa fundamentalmente en los efectos producidos por la regin agotada que se
crea en las proximidades de toda unin P -N cuando esta se polariza
inversamente.

Supongamos en primera instancia que aplicamos una diferencia de potencial V GS
entre G y Haciendo VDS.= 0; como se observa en la figura 3a. La unin P-N
queda polarizada en forma inversa, originndose una circulacin de una corriente
de fuga (IG) despreciable. Mientras la diferencia de potencial aplicada VG Sea
pequea, las regiones agotadas sern de pequeo espesor, luego y a medida que
esta tensin aumenta, tambin aumenta el espesor de dichas regiones. Este
proceso contina as hasta que se produce la unin de ambas regiones; se dice





entonces que el canal se ha cortado o estrangulado. Esto ocurre para un valor de
VGS determinado que se denomina tensin de estrangulamiento, en ingls
tensin pinch off, y que la simbolizaremos V (P)GS. A continuacin, hacemos
VGS= 0 y aplicamos una VDS. entre D y S como se ve en la figura 3b. Se produce
entonces la circulacin de una corriente I Da travs del canal, que depende de la
VDS. aplicada, de la resistencia intrnseca del canal y de su geometra. La unin
P-N tambin se polariza en forma inversa, pero ahora las regiones agotadas
presentan la forma de cua debido a que en su parte superior la unin est ms
inversamente polarizada que en la parte inferior, debido a que all el gradiente del
potencial es mayor, es decir la tensin va cayendo a lo largo del canal en forma
progresiva (debido a la resistencia propia del canal). A medida que VDS.
aumenta, las regiones agotadas se hacen cada vez ms grandes, haciendo que
las junturas tiendan a tocarse cerca del D. Esto hace que el canal se vaya
estrechando, restringiendo as el paso de portadores (en este caso electrones
pues se trata de un JFET de canal N).









3. Investigue la configuracin y operacin de algunos circuitos integrados, por
ejemplo LM741, LM324, LM311
Configuraciones y operacin lm741:
Comparador





Artculo principal: Comparador.

Esta es una aplicacin sin la retroalimentacin. Compara entre las dos
entradas y saca una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede
usar para adaptar niveles lgicos.

Seguidor
Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la
entrada.

Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar
impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja
impedancia y viceversa)
Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: V
out
= V
in

Z
in
=
Presenta la ventaja de que la impedancia de entrada es elevadsima, la de salida
prcticamente nula, y puede ser til, por ejemplo, para poder leer la tensin de un
sensor con una intensidad muy pequea que no afecte apenas a la medicin. De
hecho, es un circuito muy recomendado para realizar medidas de tensin lo ms
exactas posibles, pues al medir la tensin del sensor, la corriente pasa tanto por el
sensor como por el voltmetro y la tensin a la entrada del voltmetro depender de
la relacin entre la resistencia del voltmetro y la resistencia del resto del conjunto
formado por sensor, cableado y conexiones.
Por ejemplo, si la resistencia interna del voltmetro es R
e
(entrada del
amplificador), la resistencia de la lnea de cableado es R
l
y la resistencia interna
del sensor es R
g
, entonces la relacin entre la tensin medida por el voltmetro





(V
e
) y la tensin generada por el sensor (V
g
) ser la correspondiente a este divisor
de tensin:

Por ello, si la resistencia de entrada del amplificador es mucho mayor que la del
resto del conjunto, la tensin a la entrada del amplificador ser prcticamente la
misma que la generada por el sensor y se podr despreciar la cada de tensin en
el sensor y el cableado.
Adems, cuanto mayor sea la intensidad que circula por el sensor, mayor ser el
calentamiento del sensor y del resto del circuito por efecto Joule, lo cual puede
afectar a la relacin entre la tensin generada por el sensor y la magnitud medida.
No inversor

Como observamos, la tensin de entrada, se aplica al pin positivo, pero como
conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje
en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo y positivo, conociendo el
voltaje en el pin negativo podemos calcular la relacin que existe entre el voltaje
de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin.

Z
in
= , lo cual nos supone una ventaja frente al amplificador inversor.









Sumador inversor

La salida est invertida
Para resistencias independientes R
1
, R
2
,... R
n

o
La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor
Impedancias de entrada: Z
n
= R
n

Restador Inversor

Para resistencias independientes R
1
,R
2
,R
3
,R
4
:
o
Igual que antes esta expresin puede simplificarse con resistencias iguales
La impedancia diferencial entre dos entradas es Z
in
= R
1
+ R
2
+ R
in
, donde
R
in
representa la resistencia de entrada diferencial del amplificador,
ignorando las resistencias de entrada del amplificador de modo comn.
Cabe destacar que este tipo de configuracin tiene una resistencia de
entrada baja en comparacin con otro tipo de restadores como por ejemplo
el amplificador de instrumentacin.
Integrador ideal






Integra e invierte la seal (V
in
y V
out
son funciones dependientes del tiempo)

o V
inicial
es la tensin de salida en el origen de tiempos
Nota: El integrador no se usa en la prctica de forma discreta ya que cualquier
seal pequea de DC en la entrada puede ser acumulada en el condensador
hasta saturarlo por completo; sin mencionar la caracterstica de offset del mismo
operacional, que tambin es acumulada. Este circuito se usa de forma combinada
en sistemas retroalimentados que son modelos basados en variables de estado
(valores que definen el estado actual del sistema) donde el integrador conserva
una variable de estado en el voltaje de su condensador.
Derivador ideal

Deriva e invierte la seal respecto al tiempo

Este circuito tambin se usa como filtro
NOTA: Es un circuito que no se utiliza en la prctica porque no es estable. Esto se
debe a que al amplificar ms las seales de alta frecuencia se termina
amplificando mucho el ruido.







Conversor de corriente a voltaje

El conversor de corriente a voltaje, se conoce tambin como Amplificador de
transimpedancia, llegada a este una corriente (Iin), la transforma en un voltaje
proporcional a esta, con una impedancia de entrada muy baja, ya que est
diseado para trabajar con una fuente de corriente.
Con el resistor R como factor de proporcionalidad, la relacin resultante entre la
corriente de entrada y el voltaje de salida es:

Su aplicacin es en sensores, los cuales no pueden ser activados, con la poca
corriente que sale de algn sensor, por lo que se acopla un A. O. que usa es poca
corriente entregada, para dar salida a un voltaje (Vout)
Funcin exponencial y logartmica
El logaritmo y su funcin inversa, la funcin exponencial, son ejemplos tambin de
configuraciones no lineales, las cuales aprovechan el funcionamiento exponencial
del diodo, logrando una seal de salida proporcional al logaritmo o a la funcin
exponencial a la seal de entrada.

La seal de entrada, desarrollar una corriente proporcional al logaritmo de su
valor en el diodo en aproximacin. Ello, en conjunto con la resistencia de salida R,





la dependencia de la tensin de salida (Vout) como producto de la tensin de
entrada (Vin) es:

Los factores n y m, son factores de correccin, que se determinan por la
temperatura y de los parmetros de la ecuacin del diodo.
Para lograr la potenciacin, simplemente se necesita cambiar la posicin del diodo
y de la resistencia, para dar lugar a una nueva ecuacin, esta ecuacin tambin
acompaada por los factores de correccin n y m, muestra la siguiente
dependencia de la tensin de salida con relacin a la de entrada:


En la prctica, la realizacin de estas funciones en un circuito son ms
complicadas de construir, y en vez de usarse un diodo se usan transistores
bipolares, para minimizar cualquier efecto no deseado, como es, sobre todo, la
temperatura donde se trabaja. No obstante queda claro que el principio de
funcionamiento de la configuracin queda inalterado.
En la realizacin de estos circuitos tambin podran hacerse conexiones mltiples,
por ejemplo, en el amplificador anti logartmico las multiplicaciones son adiciones,
mientras que en el logartmico, las adiciones son multiplicaciones. A partir de ello,
por ejemplo, se podran realizar la combinacin de dos amplificadores
logartmicos, seguidos de un sumador, y a la salida, un anti logartmico, con lo cual
se habra logrado un multiplicador analgico, en el cual la salida es el producto de
las dos tensiones de entrada.










Convertidor Digital-Analgico (R-2R)






















Cualquiera de las entradas ve una
Si entonces

Si entonces

Otros
Osciladores, como el puente de Wien
Convertidores carga-tensin
Filtros activos
Girador permite construir convertidores de inmitancias (simular un inductor
empleando un condensador, por ejemplo).



Amplificador operacional cudruple de baja potencia LM324:
El LM324 est compuesto por cuatro amplificadores operacionales de alta
ganancia, diseados para trabajar con fuente de alimentacin simple. Sin
embargo, tambin son capaces de funcionar con una fuente de alimentacin
doble.





Se puede utilizar para aplicaciones tales como: Bloques de ganancia DC,
amplificadores y en cualquier circuito tpico con amplificadores operacionales. Los
cuales ahora son ms sencillos de implementar utilizando alimentacin simple. Por
ejemplo, el LM324 puede funcionar directamente a la tensin de 5V, tensin
utilizada habitualmente en electrnica digital, sin necesidad de implementar otra
fuente de alimentacin doble de +/- 15Vdc.
Caractersticas especiales
Trabajando en la zona lineal, el rango de tensin de entrada en modo
comn incluye masa. Y la tensin de salida tambin puede aproximarse a
masa, incluso cuando se trabaja con alimentacin simple.
La ganancia de frecuencia unitaria est compensada con la temperatura.
La intensidad de polarizacin de entrada (Input bias current) est tambin
compensada con la temperatura
Ventajas
Se elimina la necesidad de fuentes de alimentacin dobles.
Cuatro amplificadores operacionales en un solo componente.
Permite entradas cercanas a GND (masa) y la tensin de salida tambin
llega GND.
Bajo consumo de energa, apropiado para funcionar a bateras.
Caractersticas
Internamente compensado en frecuencia para ganancia unidad
Alta ganancia en DC (100 dB)
Gran ancho de banda (ganancia unidad) 1MHz (compensada con la
temperatura)
Alto rango de alimentacin:
o Alimentacin simple: entre 3V y 32V
o Alimentacin doble: entre +/- 1,5V y +/- 16V
Consumo de corriente muy bajo (700 A) independiente de la alimentacin
Muy baja corriente de polarizacin de entrada (45 nA) (compensado con la
temperatura)
Bajo offset de voltaje de entrada (2mV) y offset de corriente (5 nA)
El rango de voltaje de entrada en modo comn incluye masa.
El rango de voltaje diferencial en la entrada es igual al voltaje de
alimentacin.
Excursin mxima del voltaje de salida: desde 0V hasta V+ - 1,5V





Diagrama de conexin

Circuito integrado LM311:
Es un comparador estndar muy verstil que pueden manejar bombillas elctricas
o relevos, voltajes de conmutacin hasta 50 V.
Descripcin
Los comparadores de voltaje que tienen entrada las corrientes cronometradas casi
mil baje que los dispositivos el rango de voltajes de aprovisionamiento el voltaje de
operacin aproximado es de 15 V, pueden funcionar hasta los sencillos 5V, por
su salida puede ser sustituido por los de los tipos RTL, DTL y lgica transistor-
transistor as como circuitos de semiconductor de xido metlico, pueden manejar
bombillas elctricas o relevos, voltajes de conmutacin hasta 50V.
Ambas entradas y las salidas de los LM111, LM211 o el LM311 puede aislarse de
tierra de sistema, el aprovisionamiento positivo o el aprovisionamiento Equilibrio
de compensacin y capacidad de estroboscopio son suministrados y salidas
pueden ser alambre OR'ed. Aunque ms lento que los LM106 y LM710 (200
tiempo de respuesta de ns el 40 ns en forma de v) los dispositivos son tambin
mucho menos inclinados a oscilaciones.
El LM211 tiene las mismas caractersticas de configuracin que el EL 111
exceptuando que el rango de temperatura del primero es de -25C + 85C y el
segundo es de -25 C + 125C.





El LM111 tiene las mismas caractersticas de configuracin que los LM106 y
LM710, oscilando en un rango de temperatura de 0C a +70C.

Caractersticas elctricas
Tiene un rango de temperatura de 0C a +70C.
Opera con 5V.
Corriente de entrada: 150 nA max. sobre temperatura.
Corriente de compensacin: 20 nA max. sobre temperatura.
Rango de tensin de entrada diferencial: 30V.
Consumo de poder: 135 MW a 15V
Imx= 50mA pueden excitar directamente un rel.
Requiere resistencia de pull-up.
Salida en colector abierto para poder ajustar la tensin de salida.
Puede atacar cargas conectadas a GND, VCC+ o VCC .
4. En los preamplificadores de las siguientes figuras investigue como ser el
voltaje de salida al aplicar un voltaje de entrada senoidal de amplitud
unitaria, en forma y amplitud si es posible.
















AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO LNA, DETECTOR DE ANTENA
PARABOLICA











R1
2.2M
R2
15k
R3
20M
R4
33k
R5
1.2M
Q1
2N718A Q3
2N2608
C1
33F
C2
100F
V1
12 V
U1
DC 10MOhm -0.076 V
+
-
U2
DC 10MOhm -0.015m V
+
-
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
V3
1 Vpk
1kHz
0







FORMA DE ONDA DEL VOLTAJE DE SALIDA
Amplificador para fonocaptor
















AMPLIFICADOR PARA FONOCAPTOR
FORMA DE ONDA DEL VOLTAJE DE SALIDA






5. Arme los circuitos.







6. Arme los circuitos.






R1
82
R2
56k
R3
47
R4
10k
R5
1k
C1
100F
C2
10F
C3
33F
V1
12 V
Q1
2N3391A
Q2
2N3392
R6
330k
R8
100
V2
1 Vpk
1kHz
0
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_













5. Arme los circuitos

AMPLIFICADOR PARA FONOCAPTOR

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO LNA, DETECTOR DE ANTENA
PARABLICA






R1
2.2M
R2
15k
R3
20M
R4
33k
R5
1.2M
Q1
2N718A Q3
2N2608
C1
33F
C2
100F
V1
12 V
U1
DC 10MOhm -1.271u V
+
-
U2
DC 10MOhm 0.120m V
+
-