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Instituto Tecnolgico de Chetumal

Nombre del alumno: Jorge Alfredo Garca Rosales



Trabajo: Dielectricos
Unidad 5

Carrera: Ing. Electrica

Materia: Tecnologia de los materiales

Grupo: 2 semestre


PERMITIVIDAD
La permitividad (o impropiamente constante dielctrica) es una constante fsica que describe
cmo un campo elctrico afecta y es afectado por un medio. La permitividad del vaco es
8,8541878176x10
-12
F/m.
La permitividad est determinada por la tendencia de un material a polarizarse ante la
aplicacin de un campo elctrico y de esa forma anular parcialmente el campo interno del
material. Est directamente relacionada con la susceptibilidad elctrica. Por ejemplo, en
un condensador una alta permitividad hace que la misma cantidad de carga elctrica se
almacene con un campo elctrico menor y, por ende, a un potencial menor, llevando a una
mayor capacitancia del mismo.

En electromagnetismo se define el campo de desplazamiento elctrico D, como el campo
elctrico E multiplicado por la permitividad elctrica del medio. De este modo el campo de
desplazamiento elctrico D slo es inducido por las cargas libres y no por la cargas dipolares.
La relacin de ambos campos (para medios lineales) con la permitividad es

donde es un escalar si el medio es istropo o un tensor de segundo orden en otros
casos.
La permitividad, tomada en funcin de la frecuencia, puede tomar valores reales o complejos.
Generalmente no es una constante ya que puede variar con la posicin en el medio, la
frecuencia del campo aplicado, la humedad o la temperatura, entre otros parmetros. En
un medio no lineal, la permitividad puede depender de la magnitud del campo elctrico.
La unidad de medida en el Sistema Internacional es el faradio por metro (F/m). El campo de
desplazamiento D se mide en culombios por metro cuadrado (C/m
2
), mientras que el campo
elctrico E se mide en voltios por metro (V/m).
D y E representan el mismo fenmeno, la interaccin entre objetos cargados. D est
relacionado con las densidades de carga asociada a esta interaccin. E se relaciona con
lasfuerzas y diferencias de potencial involucradas. La permitividad del vaco , es el factor de
escala que relaciona los valores de D y E en ese medio. es igual a 8.8541878176...10
-
12
F/m.






BOMBAS DE ENERGIA
Una bomba atmica es un dispositivo que obtiene una gran cantidad de energa explosiva
con reacciones nucleares. Su funcionamiento se basa en provocar una reaccin nuclear en
cadena descontrolada. Se encuentra entre las denominadas armas de destruccin masiva y
su explosin produce una distintiva nube con forma de hongo. La bomba atmica fue
desarrollada por Estados Unidos durante laSegunda Guerra Mundial gracias al Proyecto
Manhattan, y es el nico pas que ha hecho uso de ella en combate (en 1945, contra las
ciudades japonesas de Hiroshima y Nagasaki).
Su procedimiento se basa en la fisin de un ncleo pesado en elementos ms ligeros
mediante el bombardeo de neutrones que, al impactar en dicho material, provocan
una reaccin nuclear en cadena. Para que esto suceda hace falta usar ncleos fisibles o
fisionables como el uranio-235 o el plutonio-239. Segn el mecanismo y el material usado se
conocen dos mtodos distintos para generar una explosin nuclear: el de la bomba de uranio y
el de la de plutonio.
En este caso, a una masa de uranio llamada subcrtica se le aade una cantidad del mismo
elemento qumico para conseguir una masa crtica que comienza a fisionar por s misma. Al
mismo tiempo se le aaden otros elementos que potencian (le dan ms fuerza) la creacin de
neutrones libres que aceleran la reaccin en cadena, provocando la destruccin de un rea
determinada por la onda de choquedesencadenada por la liberacin de neutrones.







El arma de plutonio es ms moderna y tiene un diseo ms complicado. La masa fisionable se
rodea de explosivos convencionales como el RDX, especialmente diseados para comprimir el
plutonio, de forma que una bola de plutonio del tamao de una pelota de tenis se reduce casi
al instante al tamao de una canica, aumentando increblemente la densidad del material, que
entra instantneamente en una reaccin en cadena de fisin nuclear descontrolada,
provocando la explosin y la destruccin total dentro de un permetro limitado, adems de que
el entorno circundante se vuelva altamente radiactivo, dejando secuelas graves en el
organismo de cualquier ser vivo.


TERCERA LEY DE COULOMB
La ley de Coulomb puede expresarse como:
La magnitud de cada una de las fuerzas elctricas con que interactan dos
cargas puntuales en reposo es directamente proporcional al producto de la
magnitud de ambas cargas e inversamente proporcional al cuadrado de la
distancia que las separa y tiene la direccin de la lnea que las une. La fuerza es
de repulsin si las cargas son de igual signo, y de atraccin si son de signo
contrario.
La constante de proporcionalidad depende de la constante dielctrica del medio en el que se
encuentran las cargas.
Se nombra en reconocimiento del fsico francs Charles-Augustin de Coulomb (1736-1806),
que la enunci en 1785 y forma la base de la electroesttica.


La ley de Coulomb es vlida slo en condiciones estacionarias, es decir, cuando no hay
movimiento de las cargas o, como aproximacin cuando el movimiento se realiza a
velocidades bajas y en trayectorias rectilneas uniformes. Es por ello que es llamada fuerza
electrosttica.
En trminos matemticos, la magnitud de la fuerza que cada una de las dos cargas
puntuales y ejerce sobre la otra separadas por una distancia se expresa como:





CLASIFICACION DE LOS DIELECTRICOS


Estos materiales se comportan como aislantes a bajas temperaturas pero a temperaturas ms
altas se comportan como conductores. La razn de esto es que los electrones de valencia
estn ligeramente ligados a sus respectivos ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al
aadir energa elevando la temperatura son capaces de abandonar el tomo para circular por
la red atmica del material.En cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja un
hueco que puede ser ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red.
Los materiales semiconductores mas conocidos son: Silicio (Si) y Germano (Ge), los cuales
poseen cuatro electrones de valencia en su ultimo nivel. Por otra parte, hay que decir que
tales materiales forman tambin estructura cristalina.
Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems de calor,
tambin se puede emplear luz Como su nombre lo indica son materiales que pueden conducir
electricidad, pero, digamos que les cuesta ms trabajo.

Los materiales semiconductores estn localizados en el grupo IV de la tabla peridica.

Estos se caracterizan por tener 4 electrones en su banda de valencia. Cuando estos
materiales se "dopan" o se les aade otro elemento, se rompen los enlaces y se puede tener
un exceso de electrones (material tipo N) o un exceso de huecos dnde se depositen estos
electrones (material tipo P)

Estos materiales son muy importantes, ya que es a travs de ellos que fue posible la
elaboracin de los primeros transistores (los que hoy ocupan las computadoras, celulares,
etc).

Si tu aplicas un voltaje pequeo a estos materiales, no conducen electricidad, sin embargo, si
les proporcionas el voltaje adecuado, los electrones de estos elementos pueden circular
libremente a travs del material, generando un material conductor.