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Diseo y Construccin de un Generador de Pulsos de Alta

Tensin y Alta Frecuencia
F. de J. Gonzlez M, D. A. Aragn V, B. Varela, V. M. Jimnez M, J. L. Hernndez vila, J. C. Olivares G y
Roberto A. Alcntara Ramrez
Universidad Autnoma Metropolitana
Unidad Azcapotzalco.
Av. San Pablo No. 180. C.P. 02200, Mxico. D.F
E-mail: felipe8.85x10-12@hotmail.com
ResumenEn este trabajo se presenta el diseo y
construccin de un generador de alta tensin de hasta 3 kV
pulsados que se emplea para degradar colorantes en medios
acuosos El generador est constituido por cuatro partes
principales: Fuente, oscilador, MOSFET y rectificador de media
onda. Se realizan mediciones y pruebas para caracterizar el
generador. La seal de salida del generador es rectificada a
travs de un puente de diodos para tener descargas elctricas con
una sola polarizacin que se emplea en un arreglo punta hueca-
plano, utilizado para la generacin de ozono. Se mencionan
algunas de las dificultades que se dieron en el diseo del
generador, en especial en la parte de la construccin del
transformador de alta frecuencia.

Temas clavesAlta tensin, alta frecuencia, puente de diodos,
trasformador de ferrita.

I. INTRODUCCIN
na de las aplicaciones ms comunes de los convertidores
de energa es la construccin de generadores de tensin
pulsada o en corriente directa, para aplicaciones diversas a
nivel industrial y en equipos de laboratorio de pruebas.
El diseo de los equipos de conversin de potencia precisa de
numerosas disciplinas de la ingeniera elctrica: Electrnica de
potencia, teora de circuitos, de control, electromagnetismo,
microprocesadores y transferencia de calor [1].

El diseo y fabricacin del generador de pulsos de alta tensin
utilizando dispositivos de estado slido y un transformador de
ferrita, este generador se fabrica para aplicaciones
experimentales donde se necesitan pulsos a diferentes
frecuencias y magnitudes de voltaje.
El diseo parti de las caractersticas que se necesitan para
producir una descarga elctrica tipo streamer con un arreglo
de reactor punta hueco -plano.
El generador est constituido de una fuente de 12 V que
alimenta a un circuito integrado TL494, dispositivo que se
conecta de tal forma que opere como un oscilador donde
podemos variar el ancho de pulso y la frecuencia.








La seal del oscilador es utilizada para encender el MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). El
transistor controla la seal que alimenta al transformador de
alta frecuencia. El transformador es diseado para trabajar en
alta frecuencia (30-40 kHz) y utiliza un ncleo de ferrita de
dimensiones pequeas [2], y as tener un generador de pulsos
de alta tensin compacto y ligero. El generador de pulsos es
probado en vacio y colocando una carga resistiva y se
obtienen las seales de voltaje en la salida. Los ncleos de
hierro al silicio no son adecuados para estas altas frecuencias.
II. DISEO Y CONSTRUCCIN
El generador de pulsos de alta tensin est constituido por
cuatro partes importantes:
Oscilador (A), MOSFET (B), transformador de alta
frecuencia (C) y rectificador de media onda (D).
Los cuales son interconectados para obtener una seal de
tensin a la salida, de 3 kV y frecuencia de entre 30-40 kHz.
La salida del generador se conecta al reactor de descargas
elctricas que se emplea para degradar contaminantes en fase
acuosa o generacin de ozono. A continuacin se describe de
manera sucinta las cuatro partes del sistema.
A. Oscilador
El oscilador est formado por un circuito integrado TL494
alimentado por una fuente de 12 V CD como se muestra en el
circuito elctrico de la Fig. 1. Las conexiones estn diseadas
para obtener una seal de pulsos que permite variar el ciclo de
trabajo y la frecuencia de salida.

Figura 1.- Circuito oscilador a) Fuente de 12 V, b) Detalles del circuito
integrado TL494 y c) Conexin del TL494.
U
2
El montaje se transfiere a un circuito impreso para facilitar las
conexiones y optimizar el espacio del circuito. El circuito
impreso se muestra en el Apndice A, con las dimensiones
originales para su construccin y una vista en tres dimensiones
para observar la colocacin de los elementos.
B. MOSFET
Para poder trasmitir la seal del oscilador al primario del
transformador se utiliz un MOSFET I RF-150, ver Fig. 2.
Este dispositivo es controlado por tensin. Una tensin
puerta-fuente, lo suficientemente grande, activar el
dispositivo, dando lugar a una pequea tensin de drenado-
fuente. Por tanto, el MOSFET en estado de conduccin puede
modelarse como una resistencia de conduccin denominada
RDS(on).


Figura2.- MOSFET. a) Representacin fsica del MOSFET, y b)
Representacin elctrica del MOSFET.

Las ventajas inherentes por las que se utiliz un MOSFET
son:
Impedancia de entrada esttica.
Manejo por el voltaje de entrada.
Baja potencia de entrada.
Pocos componentes para el control del dispositivo.
Tiempos muy rpidos de conmutacin.
Corto tiempo de retraso.
Ganancia del dispositivo en banda ancha.
Alta inmunidad en el cambio
dt
dv
.
C. Transformador de alta frecuencia
El material que se utiliza para la fabricacin de
transformadores de alta frecuencia es la ferrita (material
cermico ferromagntico, compuesto por hierro, boro y bario,
estroncio o molibdeno).
La ferrita tiene una alta permeabilidad magntica, lo cual le
permite almacenar campos magnticos con mayor fuerza que
el hierro. Las ferritas se producen a menudo en forma de
polvo, con el cual se pueden producir piezas de gran
resistencia y dureza, previamente moldeadas por presin y
luego calentadas hasta llegar a la temperatura de fusin, dentro
de un proceso conocido como sinterizacin [3]. Mediante este
procedimiento se fabrican ncleos para transformadores,
bobinas y otros elementos elctricos o electrnicos.
El ncleo magntico de ferrita que se utiliz en la fabricacin
del transformador fue un ncleo 3C85 ver Fig. 3, de la marca
Philips y el cual mediante su hoja de datos se conocen sus
caractersticas y dimensiones [4].
El diseo se inicia por seleccionar la densidad de flujo
magntico mxima B
mx
de trabajo. La hoja de datos del
ncleo nos indica que se satura a una densidad de flujo de
3300 Gauss como se muestra en la Fig. 4 [5].
Para nuestro diseo seleccionamos una B
mx
de 1400 Gauss,
esto garantiza que el ncleo del transformador no se saturar.


Figura 3.- Ncleo 3C85, a) Representacin fsica del ncleo y b) Detalles del
ncleo, las letras A, B, C, D, E y F indican las medidas de la hoja de datos [4].

Figura 4.-Curva B-H para el ncleo 3C85 [4]

Las especificaciones tcnicas de salida de nuestro
transformador para generar una descarga en la configuracin
de electrodos son 3 kV para una corriente de 50 mA, como
mximo [6].
La potencia mxima de salida del reactor es de 150 VA.
Utilizando la ecuacin (1) podemos encontrar el nmero de
vueltas del devanado secundario [1].
e
A
mx
B f K
s
V
s
N
8
10 ) (
=
(1)
Donde:


s
V
= voltaje del secundario [V].

s
N
= nmero de vueltas del devanado secundario.

K
= 4 (para una onda cuadrada).

f
= frecuencia de trabajo [Hz].

mx
B
= densidad de flujo magntico [G].

e
A
= Seccin trasversal efectiva [cm
2
].

Para una frecuencia de 35 kHz y una seccin trasversal del
ncleo de 213 mm
2
el nmero de vueltas del devanado
secundario es:
3
8
3000 10
718.6 720 vueltas
3
4 (35 10 ) 1400 2.13
N
s

= =


Con el nmero de vueltas del secundario podemos calcular el
nmero de vueltas del primario utilizando la relacin de
trasformacin (2) [7].
s
N
V
V
p
N =
2
1
(2)
Donde el voltaje del primario es de 12 V.
12
720 2.88 3 vueltas
3000
N
s
= =

Con el nmero de vueltas real del primario volvemos a
recalcular el nmero de vueltas real del devanado secundario.
3000
3 750 vueltas
12
p
N = =

Utilizando (3) Verificamos la densidad de campo magntico
B
mx
real con la que trabajar el trasformador.
G
e
A
p
fN
p
V
mx
B 1755
814 . 0 6 )
3
10 35 ( 4
8
10 12
4
8
10 ) (
=


= =
(3)
Con este valor comprobamos que el ncleo del transformador
no va a operar en zona de saturacin, ver Fig. 4.
Los calibres de los devanados del transformador se
seleccionan por corriente; para el devanado secundario
tenemos una corriente de 50 mA, s utilizamos un factor de
seguridad del 50% el calibre debe ser seleccionado para una
corriente mayor igual a 75 mA, por lo tanto corresponde un
calibre 36 AWG que conduce como mximo 83mA; para el
devanado primario tomamos la corriente con la que se
seleccion el devanado secundario de 75mA y utilizando la
relacin de transformacin obtenemos una corriente de 18.75
A, por lo tanto corresponde a un calibre 13 AWG que conduce
como mximo 20 A.
Con las dimensiones de los conductores y del transformador se
puede determinar fcilmente el nmero de capas y de vueltas
por capa, para cada devanado. Y en caso se utiliz una capa
en el primario de 3 vueltas y 4 capas en el secundario, de las
cuales 3 poseen 200 vueltas y una con 150 vueltas. Esto se
muestra en la Fig. 5. Los devanados son colocados en un
carrete de plstico.

Figura 5.- Carrete de plstico con los devanados del transformador.

El aislamiento entre las capas de los devanados es una parte
muy importante en el diseo del trasformador ya que existen
grandes voltajes entre capas, para este caso el voltaje entre
capas calculado es de 800 V, por lo cual se tiene que utilizar
un aislamiento confiable para no tener fallas entre capas, como
se puede apreciar en la figura Fig. 6. Las fallas por aislamiento
entre capas son muy comunes debido a la rigidez dielctrica
del aislamiento y al amontonamiento de vueltas en una misma
zona. Por lo cual se recomienda tener una extrema precaucin
a la hora de realizar el embobinado. El tipo de aislamiento que
se utiliz en este trabajo fue barniz comn y un cinta aislante
Nomex-Mylar-Nomex que soporta 9 kV .


Figura 6.- Ejemplo de una falla del transformador por aislamiento.
D. Rectificador
La rectificacin de la onda de salida del transformador se
realiza mediante una tcnica que se utiliza en aplicaciones de
electrnica industrial llamada Sintonizacin de diodos.
El uso de esta tcnica es comn encontrarla en etapas donde se
requiere rectificacin de altos voltajes aplicados en los
extremos del diodo. Su uso es justificado debido a que en el
mercado no es muy comn encontrar diodos rectificadores
comerciales de alta potencia que soporten voltajes de bloqueo
inverso (entre nodo y ctodo) de ms de 15 kV que requieren
algunas aplicaciones muy especificas con frecuencias de
conmutacin arriba de 3 microsegundos.
Los usos ms comunes de estos diodos de potencia son:
fuentes conmutadas, inversores, rectificadores de alta
frecuencia para circuitos de transmisin, plantas de soldar, etc.
Se determina el tipo de conexin de acuerdo a dos casos. En
altas corrientes se propone una conexin en paralelo, y para el
caso de altos voltajes se propone una conexin serie.
Con el propsito de tener una forma de onda rectificada de 3
kV de voltaje pico y el manejo de una corriente de carga
mxima de 50 mA, se implement para este caso una conexin
serie de diodos y se conectaron resistores para equilibrar los
voltajes en cada diodo, asegurando as el buen funcionamiento
de la rectificacin.

Mtodo de Clculo para sintonizacin de diodos.
Para el clculo seleccionamos un diodo Philips BY228 [8] (2.5
A /1000 V) debido a que es econmico y cumple con las
caractersticas de alto voltaje y alta frecuencia, se requieren
los siguientes datos del diodo:
4
V
i
: mxima tensin inversa de trabajo.
M R 1
000150 . 0 * 10
1500

V
rwm
: Mxima tensin inversa de pico que soporta cada uno
de los diodos.
Por lo tanto seleccionamos R=1M.
El clculo de la potencia disipada en los resistores, para
circuitos monofsicos de media onda y de onda completa se
utiliza la ecuacin (7) [10]:
: Coeficiente de distribucin, sus valores vara de acuerdo al
siguiente intervalo 2<<10, Para una alta confiabilidad y
aplicaciones de alta potencia la consideraremos igual a 10
[9].

=
R
rms
i
V
PR
2
* 25 . 0
(7)
V
pi
: Mxima tensin inversa de trabajo que soportara cada
diodo [8].
Sustituyendo los valores en la ecuacin (7).
V
i (RMS):
Valor eficaz inverso que soportan los diodos [8].
W
R
rms i V
PR 5625 . 0
6
10 * 1
1500 * 25 . 0
2
* 25 . 0
= = =

Ir: mxima corriente inversa de cada diodo [8].
La cantidad de diodos necesarios a conectar esta dado por la
expresin (4) [9].
5 . 0 5 . 1

rwm
i
V
V
n
(4)
Tomaremos el valor comercial ms cercano que es de 1 Watt.
El arreglo es el mostrado en la Fig. 7.
Donde:
V
i
= 7 kV considerando un factor de seguridad de 2.3 veces el
voltaje nominal de trabajo del transformador [10].
V
rwm
= 1650 Volts [8] [9].
Substituyendo valores en (4):
7000
1.5 0.5 5.86 6 diodos
3000
n

=



Por lo tanto n = 6.
Para el clculo de las resistencias se tiene la siguiente
expresin (5) [9]:

r
I
Vpi
R
*
(5)
Donde V
pi
se calcula con la ecuacin (6) [9]:

n
Vi
Vpi =
(6)

Ir =150 A de acuerdo a la hoja de datos.

Figura 7.- Sintonizacin de diodos, a) Representacin fsica, b)Representacin
elctrica.
volts Vpi 1160
6
7000
= =



Sustituyendo en (5) y considerando un =10 [9].



III Elementos interconectados
La conexin de los elementos del generador de pulsos de alta tensin se observa en el siguiente diagrama.










Diagrama 1 de interconexin
Fuente 12 V

Oscilador

Transformador

Carga
(Reactor de
ctodo hueco)
MOSFET
Rectificador
Fuente
120 VCA


IV PRUEBAS Y RESULTADOS
El generador de pulsos de alta tensin fue probado en vacio
sin rectificador, con carga resistiva de 1 k sin rectificador y
con carga resistiva con rectificador. En la Fig. 8 se muestra la
forma de onda de entrada (onda cuadrada 50% ciclo de
trabajo) y salida del transformador para la prueba en vacio. En
la Fig. 9 se muestran la forma de onda de entrada y salida para
la prueba con carga resistiva sin rectificador. En la Fig. 10 se
muestran la forma de onda de entrada y salida para la prueba
con carga resistiva con rectificador.


Figura 8.- Prueba en vacio.


Figura 9.- Prueba con carga resistiva sin rectificador.


Figura 10.- Prueba con carga resistiva con rectificador.
V CONCLUSIONES
Los generadores de alta tensin tienen muchas aplicaciones
industriales y son indispensables en la investigacin de
tcnicas de purificacin y degradacin de material orgnico en
medios acuosos. Los precios de dichos generadores son
elevados por lo que en este trabajo se present una opcin para
construir un generador de pulsos de alta tensin de forma
sencilla, econmica y compacta.
Este generador puede ser utilizado en diferentes reactores para
diferentes aplicaciones o se puede utilizar para generadores
ozono, que tambin pueden ser empleados para la
desinfeccin del agua potable.
Todava hay mucho trabajo que realizar, sobre todo para
comprobar que la degradacin realizada sea la ms adecuada
de tal manera, que no se generen otros tipos de agentes
contaminantes.

VI REFERENCIAS
[1] Daniel W. Hart. "Electrnica de potencia". Prentice Hall,
2001.
[2] Glenn R. Skutt. "High frequency dimensional effects in
ferrite-core magnetic devices". Doctor of philosophy in
electrical engineering, 1996.
[3] Keyser, Carl A. Ciencia de Materiales para Ingeniera.
Editorial Limusa-Wiley, Mxico 1972.
[4] http://www.tdk.co.jp/tefe02/e120_1.pdf
[5] http://www.alg.myzen.co.uk/radio/136/3C85.pdf
[6] R. Mohan Sankaran and Konstantinos P. Giapis. "Hollow
cathode sustained plasma microjets: Characterization and
application to diamond deposition," journal of applied
physics, volume 92, number 5, 1 September 2002.
[7] Fitzgerald, A. E.; Kinsgley, C.; Humans, S. D.;
Mquinas Elctricas. Mc Graw Hill, 2004.
[8] http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/BY228
_2.pdf
[9] Ing. Domingo. Guarnaschelli.Apunte de ctedra
electrnica II, UTN REG. SANTA FE, (1995, Agosto
10).
[10] Ing. Roberto. Alcntara. Ramrez.Apunte de ctedra
electrnica V, Universidad Autnoma Metropolitana
(Azcapotzalco), (2000, Noviembre 15).
BIOGRAFA
Felipe de Jess Gonzlez Montaez (Mxico, D.F., 1985). En proceso de
terminacin de la carrera de Ingeniera Elctrica en la Universidad Autnoma
Metropolitana unidad Azcapotzalco. Est interesado en el diseo, modelado y
anlisis de mquinas elctricas y transformadores. Actualmente se desempea
como auxiliar de investigacin en el Laboratorio de Energtica aplicada de la
UAM- Azcapotzalco.

David A. Aragn Verduzco (Mxico D.F. 1986). Ingeniero Electricista de la
Universidad Autnoma Metropolitana unidad Azcapotzalco. Est interesado
en el diseo de motores de mediana tensin. Actualmente se desempea como
Ingeniero de diseo en la compaa WEG.

Benjamn Varela Garca (Mxico D.F., 1981). Actualmente estudia la
licenciatura en Ingeniera Elctrica y se desempea como ayudante en el rea
de energa de la en la Universidad Autnoma Metropolitana.



Jimnez Mondragn Vctor Manuel (San Bartolo Morelos, Estado de
Mxico, 1986). Actualmente estudia la licenciatura en Ingeniera Elctrica y
se desempea como ayudante en el rea de energa de la Universidad
Autnoma Metropolitana. Actualmente se desempea como auxiliar de
investigacin en el Laboratorio de Energtica aplicada de la UAM-
Azcapotzalco.Est interesado en el diseo y control de Mquinas Elctricas y
estudio de fuentes alternativas en la generacin de energa elctrica,
principalmetnte sistemas de aerogeneracin.
Jos Luis Hernndez vila (Mxico D.F., 1965). Ingeniero Electricista de la
Universidad Autnoma Metropolitana Doctor en Fsica por la Universit
Joseph Fourier - Grenoble I, Francia. Profesor-Investigador, Titular "C" de
tiempo completo en la Universidad Autnoma Metropolitana Azcapotzalco.
El Dr. Hernndez es miembro de la IEEE desde 1998 e Investigador Nacional
nivel I.
Juan Carlos Olivares Galvn (Zamora, Mich., 1969). En 1993 obtuvo el
grado de Ingeniero Electricista del Instituto Tecnolgico de Morelia. En 1997
y 2004 obtuvo el grado de maestro en ciencias y el de doctor en el Instituto
Tecnolgico de Morelia y CINVESTAV, unidad Guadalajara
respectivamente. Trabaj durante ocho aos en la industria como diseador de
transformadores de distribucin. En 2004 ingres como profesor en el
Instituto Tecnolgico de Zapopan y a partir de septiembre del 2007 es
profesor de tiempo completo de la Universidad Autnoma Metropolitana. Es
miembro del Sistema Nacional de Investigadores (Nivel I) y miembro del
IEEE.
Roberto A. Alcntara Ramrez. Ingeniero en Electrnica, egresado de la
UAM, unidad Azcapotzalco. Desde 1987 se desempea como Profesor
Investigador de tiempo completo en el departamento de Electrnica de la
misma institucin, donde desarrolla trabajos de Investigacin en las reas de
Electrnica de Potencia y Control de Procesos.

APNDICE A. CIRCUITO IMPRESO DEL OSCILADOR