1.- Fue inventado en 1948 en los laboratorios de la Bell Telephone en E.U.A.

por un grupo de
cientficos liderados por John Bardeen, William Shockley y Walter Brattainn.
a). Transistor
b). SCR
c). Zener
d). Tiristor
e). Diodo
2.- Materiales que pueden comportarse indistintamente como conductores o aislantes de acuerdo
a los estmulos externos que se les aplique.
a). Conductores
b). Semiconductores
c). Intrnsecos
d). Cristal
e). Aislantes
3.- Se caracterizan porque en stos solo cuatro de los electrones del tomo dopante forma enlaces
con los tomos del cristal puro; el electrn sobrante tiene la libertad de moverse a travs del
cristal convirtindose en un portador de corriente.
a). Semiconductores tipo P
b). Semiconductores intrnsecos
c). Semiconductor puro
d). Semiconductores tipo N
e). Cristal
4.- Es el mximo voltaje que se puede aplicar entre colector y emisor con la base abierta
(desconectada), antes de que el dispositivo se avere.
a). Voltaje colector-base
b). Corriente de colector
c). Voltaje colector-emisor
d). Ganancia de corriente
e). Potencia Disipada
5.- Se caracterizan por tener muy pocos electrones en la banda de valencia, siendo los mejores,
aquellos que tienen solo uno, estos son atrados muy dbilmente por el ncleo.
a). Conductores
b). Semiconductores
c). De valencia
d). Covalentes
e). Aislantes
6.- Son diodos especialmente diseados para trabajar en la zona de ruptura, comportndose en
polaridad directa como diodos rectificadores y en polarizacin inversa como referencias de voltaje.
a). Diodos Zener (Zener diodes)
b). Fotodiodos
c). Diodos Schottky
d). Diodos varicap
e). Diodos tnel
7.- Es la forma, material y tamao del empaque fsico exterior.
a). J
b). G
c). 1N
d). Encapsulado
e). MT1
8.- En una unin PN o diodo de silicio el potencial de la barrera es de aproximadamente:
a). 0.5V
b). 0.3V
c). 0.6V
d). 1.6V
e). 0.7V
9.- Son aquellos materiales que permiten el paso de la corriente elctrica con facilidad:
a). Aislantes
b). Semiconductores
c). Intrnsecos
d). Extrnsecos
e). Conductores
10.- Son dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada
entre dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P.
a). IGBT
b). JFET
c). MOSFET
d). SCR
e). Transistor Bipolar
11.- Conservando la nomenclatura de los antiguos diodos de vacio, el material P recibe el nombre
de:
a). Ctodo
b). nodo
c). Electrn libre
d). Hueco
e). Juntura PN
12.- Es un diodo rectificador conformado por cuatro capas de material semiconductor y tres
uniones PN.
a). Zener
b). Triac
c). SCR
d). IGBT
e). JFET
13.- Deja pasar a travs de l la corriente elctrica o flujo de electrones en un solo sentido; s se
aplica la corriente en el sentido contrario no conduce.
a). Diodo
b). Tiristor
c). Triac
d). SCR
e). Transistor
14.- Dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada entre
dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P. La capa
central se denomina:
a). C
b). E
c). P
d). N
e). B
15.- Son raramente empleados en electrnica debido a que, en su estado natural, poseen muy
pocos electrones libres y necesitan de muy altas cantidades de energa para transportar corrientes
significativas.
a). Dopados
b). Semiconductores extrnsecos
c). Electrn de valencia
d). Electrn libre
e). Semiconductores intrnsecos


1.- Se caracterizan porque mantienen siempre la misma polaridad:
a). Voltajes Continuos.
b). Corrientes Continuas.
c). Voltajes Alternos.
d). Seales.
e). Corrientes Alternas.
2.- Se caracterizan porque circulan siempre en la misma direccin.
a). Corrientes Alternas.
b). Voltajes Alternos.
c). Voltajes Continuos.
d). Seales.
e). Corrientes Continuas.
3.- Es posible convertir corriente continua en corriente alterna mediante un proceso llamado:
a). Inversin.
b). Pulsante.
c). Senoidal.
d). Rectificacin.
e). Constante.
4.- Medio ciclo corresponde a ____ radianes.
a).
b). 4
c). -
d). /2
e). 2
5.- Son componentes activos que convierten seales elctricas en otras formas de energa o
viceversa y permiten que los sistemas electrnicos puedan interactuar con el mundo externo.
a). Los Transductores.
b). Componentes Electromecnicos.
c). Componentes Activos.
d).Dispositivos De Estado Slido.
e). Componentes Pasivos Lineales.
6.- Si el valor mximo de un voltaje senoidal es 170 V, su valor instantneo para una ngulo de 30
grados es:
a). 170V
b). 85V
c). - 85V
d). 108.29V
e). - 170V
7.- Acta como un convertidor CA/CA.
a). Rectificador.
b). Transformador.
c). Filtro.
d). Regulador.
e). Pulsante.
8.- El patrn de una forma de una onda que se repite peridicamente se denomina:
a). Frecuencia.
b). Ciclo.
c). Senoidal.
d). Forma de Onda.
e). Pulsante.
9.- Componente Electromecnico:
a). Conductor.
b). Parlante.
c). Lmpara.
d). Motor.
e). Micrfono.
10.- Para impulsar una ___________________, a travs de un circuito, se necesita una fuente de
voltaje cuya polaridad no cambie con el tiempo.
a). Corriente Alterna.
b). Corriente Continua.
c). Voltaje Continuo.
d). Rectificacin.
e). Voltaje Alterno.
11.- Un ciclo completo corresponde a ____ radianes.
a). 4
b).
c). /2
d). -
e). 2
12.- Un cuarto de ciclo = ____ radianes
a). /4
b). /2
c). 2
d).
e). 4
13.- Componente Activo:
a). Resistencia.
b). Conector.
c). Interruptor.
d). Conductor.
e). Circuito integrado.
14.- Componente Pasivo:
a). Conector.
b). Transistor.
c). Tiristor.
d). Circuito Integrado.
e). Diodo.
15.- ___ = 1/T
a). f
b). Rad
c). Grado.
d). Perodo.
e). t
1.- Materiales que pueden comportarse indistintamente como conductores o aislantes de acuerdo
a los estmulos externos que se les aplique.
a). Conductores
b). Aislantes
c). Intrnsecos
d). Cristal
e). Semiconductores
2.- Es la mxima frecuencia de la seal con la cual puede trabajar el transistor como amplificador.
a). Voltaje colector-emisor
b). Voltaje colector-base
c). Corriente de colector
d). Ganancia de corriente
e). Frecuencia de trabajo o de corte
3.- Desde el punto de vista elctrico solo nos interesan aquellos electrones que se encuentran en
la capa ms externa del tomo, denominados:
a). Intrnsecos
b). De valencia
c). Ion
d). Covalentes
e). Extrnsecos
4.- Portadores Mayoritarios en un material tipo N:
a). Cristales
b). Iones
c). Electrones
d). Impurezas
e). Huecos
5.- Se caracterizan por tener cuatro electrones de valencia.
a). Conductores
b). Aislantes
c). Semiconductores
d). Covalentes
e). Ion
6.- Expresa el tiempo que tarda la unin PN en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se
encuentra polarizado inversamente.
a). Corriente mxima
b). Voltaje de conduccin directa
c). Corriente inversa de fuga
d). Voltaje de ruptura o de avalancha
e). Tiempo de recuperacin inverso
7.- Se comporta como aislante a temperaturas cercanas al cero absoluto.
a). Semiconductor puro
b). Ion
c). Aislante
d). Conductor
e). Ion Covalente
8.- Los principales materiales usados como dopantes son: el aluminio, el boro, el indio y el galio; en
este tipo de semiconductor.
a). Semiconductores tipo N
b). Semiconductores tipo P
c). Semiconductor puro
d). Dopados
e). Semiconductores intrnsecos
9.- Es la mxima potencia en vatios que puede manejar el transistor.
a). Voltaje colector-emisor
b). Voltaje colector-base
c). Corriente de colector
d). Potencia Disipada
e). Frecuencia de trabajo o de corte
10.- Es un diodo rectificador conformado por cuatro capas de material semiconductor y tres
uniones PN.
a). SCR
b). Triac
c). JFET
d). IGBT
e). Zener
11.- Son dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada
entre dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P.
a). IGBT
b). JFET
c). Transistor Bipolar
d). SCR
e). MOSFET
12.- El ctodo, es representado con la letra:
a). N
b). C
c). A
d). MT1
e). P
13.- Conservando la nomenclatura de los antiguos diodos de vaco, el material N recibe el nombre
de:
a). nodo
b). Juntura PN
c). Electrn libre
d). Ctodo
e). Hueco
14.- Es una terminal del SCR:
a). D
b). B
c). A
d). MT1
e). S
15.- Transistor de efecto de campo (Field Effect Transistors):
a). NPN
b). PN
c). SCR
d). JFET
e). Triac

Se caracterizan porque mantienen siempre la misma polaridad:
a). Voltajes Continuos.
Se caracterizan porque circulan siempre en la misma direccin.
e). Corrientes Continuas.
Es posible convertir corriente continua en corriente alterna mediante un proceso llamado:
a). Inversin.
Medio ciclo corresponde a ____ radianes.
--
Si el valor mximo de un voltaje senoidal es 170 V, su valor instantneo para una ngulo de 30
grados es:
-- 170V
El patrn de una forma de una onda que se repite peridicamente se denomina:
-- Ciclo.
Un ciclo completo corresponde a ____ radianes.
-- 2
Un cuarto de ciclo = ____ radianes
-- /2
___ = 1/T
-- f
Desde el punto de vista electrico, la ultima orbita de cada atomo se llama
--de valencia
4 electrones de valencia
--Semiconductores
Mas de 4 electrones de valencia
--Aislantes
menos de 4 de valencia
--conductores
enlace covalente
cuando los atomos comparten sus electrones de valencia
enlace ionico
-cuando un atomo cede electrones a otro atomo vecino
95% de la energia electrica mundial se suministra mediante
--generadores de corriente alterna
producen voltaje de corriente continua cuando son iluminadas mediante luz solar
--celdas solares
el efecto fotovoltaico consiste en la generacionde una diferencia de potencial cuando se aplica una
radiacion a la zona de union de dos materiales semiconductores, uno P (deficit
e-) y uno N (exceso e-)
No necesitan ser recargadas porque se alimentan de una inyeccion continua de combustible,
generalmente hidrogeno, metano o aire
--celdas de combustible
producen voltaje de corriente continua cuando se calientan
--generadores termoelectricos
Establece que si se calienta la union de dos metales diferentes y homogeneos, aparece entonces
una fuerza electromotriz entre sus terminales
-- efecto Seebeck (tomas seebeck 1822)
Este principio se basan las termocuplas
--efecto seebeck
Acta como un convertidor CA/CA.
--- Transformador.
El voltaje de CA de entrada, proveniente de la red publica se aplica a un
-- transformador
El voltaje de salida del filtro puede aplicarse a la carga en forma directa o a travez de un regulador
un diodo polarizado (el anodo es positivo con respecto al catodo) directamente se comporta como
-- interruptor cerrado
Componente Electromecnico:
-- Conductor, interruptor, conector y circuito impreso
Componente Activo:
-- Circuito integrado, diodos, transistores, tiristores
Son componentes activos que convierten seales elctricas en otras formas de energa o viceversa
y permiten que los sistemas electrnicos puedan interactuar con el mundo externo.
-- Los Transductores
Fue inventado en 1948 en los laboratorios de la bell telephone en EUA por un grupo de cientificos
liderados por jhon bardeen,William Shockley y Walter Brattainn.
-- Transistor
Materiales que pueden comportarse indistintamente como conductores o aislantes de acuerdo a
los estimulos externos que se les aplique.
-- Semiconductores
se caracterizan porque en estos solo cuatro de los electrones del atomo dopante forma enlaces
con los atomos del cristal puro; el electron sobrante tiene la libertad de moverse a travez del
cristal convirtiendose en portador de corriente
-- Semiconductores tipo N
es el maximo voltaje que se puede aplicar entre colector y emisor con la base abierta
(desconectada), antes de un el dispositivo se averie
-- voltaje colector-emisor
se caracterizan por tener muy pocos electrones en la banda de valencia, siendo los mejores,
aquellos que tienen solo uno, estos son atrados muy dbilmente por el nucleo.
-- Conductores
Son diodos especialmente diseados para trabajar en la zona de ruptura, comportndose en
polaridad directa como diodos rectificadores y en polarizacin inversa como referencias de voltaje.
--Diodos Zener(Zener diodes)
Es la forma, material y tamao del empaque fsico exterior.
--Encapsulado.
En una unin PN o diodo de silicio el potencial de la barrera es de aproximadamente:
--o.6v
En una unin PN o diodo de germanio el potencial de la barrera es de aproximadamente:
--o.3v
Son aquellos materiales que permiten el paso de la corriente elctrica con facilidad:
--Conductores.
Son dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada entre
dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P:
--Transistor Bipolar
Conservando la nomenclatura de los antiguos diodos de vaco, el material P recibe el nombre de:
--nodo
Es un diodo rectificador conformado por cuatro capas de material semiconductor y tres uniones
PN:
--SCR
Deja pasar a travs de l la corriente elctrica o flujo de electrones en un solo sentido; si se aplica
la corriente en el sentido contrario no conduce.
--Diodo
Dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada entre dos
capas de material tipo N, o una de material tipo P. La capa central se denomina
-- B
Son raramente usados en electronica debido a que, en estado natural poseen muy pocos
electrones libres y necesitan de muy altas cantidades de energia para transportar corrientes
significativas
-- Semiconductores intrinsecos
Portadores minoritarios en un material tipo N
-- Huecos
El catodo es representado por
-- K
El material recibe el nombre de
-- catodo
Se comportan linealmente con la corriente, si aumenta o disminuye, la corriente tambien aumenta
en la misma proporcion y viseversa
-- Componentes pasivos lineales
Proceso por el que se adquiere carga el material contiguo se llama
Induccin electrosttica







Parcial 2
1.- Fue inventado en 1948 en los laboratorios de la Bell Telephone en E.U.A. por un grupo de
cientficos liderados por John Bardeen, William Shockley y Walter Brattainn.
a). Transistor
2.- Materiales que pueden comportarse indistintamente como conductores o aislantes de acuerdo
a los estmulos externos que se les aplique.
b). Semiconductores
4.- Es el mximo voltaje que se puede aplicar entre colector y emisor con la base abierta
(desconectada), antes de que el dispositivo se avere.
c). Voltaje colector-emisor
5.- Se caracterizan por tener muy pocos electrones en la banda de valencia, siendo los mejores,
aquellos que tienen solo uno, estos son atrados muy dbilmente por el ncleo.
a). Conductores
6.- Son diodos especialmente diseados para trabajar en la zona de ruptura, comportndose en
polaridad directa como diodos rectificadores y en polarizacin inversa como referencias de voltaje.
a). Diodos Zener (Zener diodes)
7.- Es la forma, material y tamao del empaque fsico exterior.
d). Encapsulado
8.- En una unin PN o diodo de silicio el potencial de la barrera es de aproximadamente:
c). 0.6V
9.- Son aquellos materiales que permiten el paso de la corriente elctrica con facilidad:
e). Conductores
10.- Son dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada
entre dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P.
e). Transistor Bipolar
11.- Conservando la nomenclatura de los antiguos diodos de vacio, el material P recibe el nombre
de:
b). nodo
12.- Es un diodo rectificador conformado por cuatro capas de material semiconductor y tres
uniones PN.
c). SCR
13.- Deja pasar a travs de l la corriente elctrica o flujo de electrones en un solo sentido; s se
aplica la corriente en el sentido contrario no conduce.
a). Diodo
14.- Dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada entre
dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P. La capa
central se denomina:
e). B
15.- Son raramente empleados en electrnica debido a que, en su estado natural, poseen muy
pocos electrones libres y necesitan de muy altas cantidades de energa para transportar corrientes
significativas.
e). Semiconductores intrnsecos
2.- Es la mxima frecuencia de la seal con la cual puede trabajar el transistor como amplificador.
e). Frecuencia de trabajo o de corte
3.- Desde el punto de vista elctrico solo nos interesan aquellos electrones que se encuentran en
la capa ms externa del tomo, denominados:
b). De valencia
4.- Portadores Mayoritarios en un material tipo N:
c). Electrones
5.- Se caracterizan por tener cuatro electrones de valencia.
c). Semiconductores
6.- Expresa el tiempo que tarda la unin PN en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se
encuentra polarizado inversamente.
e). Tiempo de recuperacin inverso
7.- Se comporta como aislante a temperaturas cercanas al cero absoluto.
a). Semiconductor puro
8.- Los principales materiales usados como dopantes son: el aluminio, el boro, el indio y el galio; en
este tipo de semiconductor.
b). Semiconductores tipo P
9.- Es la mxima potencia en vatios que puede manejar el transistor.
d). Potencia Disipada
10.- Es un diodo rectificador conformado por cuatro capas de material semiconductor y tres
uniones PN.
a). SCR
11.- Son dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada
entre dos capas de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P.
c). Transistor Bipolar
12.- El ctodo, es representado con la letra:
b). C
13.- Conservando la nomenclatura de los antiguos diodos de vaco, el material N recibe el nombre
de:
d). Ctodo
14.- Es una terminal del SCR:
c). A
15.- Transistor de efecto de campo (Field Effect Transistors):
d). JFET
1.- Portadores Minoritarios en un material tipo N:
d). Huecos
2.- Designa, en forma genrica, a un componente electrnico de tres terminales cuya resistencia
entre dos de ellos (colector y emisor) depende del nivel de corriente o voltaje aplicado al otro
(base).
b). Transistor
3.- En una unin PN o diodo de germanio el potencial de la barrera es de aproximadamente:
b). 0.3V
4.- Debido a la forma como se alternan las capas P y N, en un transistor bipolar existen ____
uniones PN.
d).2
5.- El ctodo, es representado con la letra:
a). K
6.- Es las veces que se amplifica la corriente de base.
d). Ganancia de corriente
7.- En un enlace ____________ se comparten electrones.
b). Covalente
8.- A esta familia pertenecen todos los diodos que han sido diseados especialmente para realizar
el proceso de rectificacin.
a). Diodos rectificadores (rectifier diodes)
9.- Terminal de un Transistor bipolar (bipolar transistors):
a). C
10.- Indica el nivel de voltaje, que aplicado a un diodo polarizado inversamente, puede hacerlo
conducir llegando incluso a destruir el dispositivo, ya que en el momento de la conduccin la
corriente inversa de fuga crece bruscamente.
c). Voltaje de ruptura o de avalancha
11.- Desde el punto de vista elctrico solo nos interesan aquellos electrones que se encuentran en
la capa ms externa del tomo, denominados:
b). De valencia
12.- Son FET en los cuales la compuerta est elctricamente aislada del canal mediante una fina
capa de dixido de silicio (SiO2), la cual le confiere unas caractersticas muy especiales; por
ejemplo, una impedancia de entrada muy alta.
e). MOSFET
13.- El silicio y el germanio, se caracterizan por tener __________ electrones de valencia.
d). 4
14.- Conservando la nomenclatura de los antiguos diodos de vaco, el material N recibe el nombre
de:
a). Ctodo
15.- El silicio es:
b). Semiconductor