Universidad Politcnica Salesiana Sede Cuenca. Paul Vintimilla.

Prctica 5 1




Abstract--- This report its about Darlington transistor
amplifiers and cascading amplifiers, we are going to
review the different stages that are used in the cascaded
amplifier. The first stage uses a common source amplifier
with FET transistor, a BJT transistor for the second stage
as common emitter amplifier and for the third stage we
use a common collector amplifier. The amplifiers in these
calculations were performed due polarization maximum
dynamic calculation of input and output impedances, and
calculation of the capacitors and the respective
measurements are performed and simulated to determine
proper operation in the required application and then
make the appropriate conclusions and analysis of all the
results obtained practical and theoretical.


ndice de trminosTransistor Darlington, Conexin
Cascada.


I. INTRODUCCIN

El transistor de efecto campo es en realidad una familia de
transistores que se basan en el campo elctrico para controlar
la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por
voltaje.
Un amplificador es cualquier dispositivo el cual mediante
la utilizacin de energa, magnifica la amplitud de un
fenmeno. Amplificar es agrandar la intensidad de algo, por lo
general sonido. Tambin podra ser luz o magnetismo, etc. En
trminos generales amplificador, es un aparato al que se le
conecta un dispositivo de sonido y aumenta la magnitud del
volumen.
En los transistores bipolares, una pequea corriente de
entrada (corriente de base) controla la corriente de salida
(corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo
voltaje de entrada que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente
despreciable (menos de un pico amperio). Esto es una gran
ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como
un micrfono de condensador o un transductor piezo elctrico,
los cuales proporcionan corrientes insignificantes.
En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo
semiconductor que combina dos transistores bipolares en un
tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico
dispositivo.
La configuracin (originalmente realizada con dos
transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los
Laboratorios Bell Sidney Darlington.
La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue
patentada por l, pero no la idea de poner un nmero arbitrario
de transistores que originara la idea moderna de circuito
integrado.
Esta conexin es una conexin muy popular de dos
transistores de unin bipolar para funcionar como un solo
transistor superbeta. La principal caracterstica de la
conexin Darlington es que el transistor compuesto acta
como una sola unidad con una ganancia de corriente que es el
producto de las ganancias de corriente de dos transistores por
separado.
Un amplificador en cascada es un amplificador construido
a partir de una serie de amplificadores, donde cada
amplificador enva su salida a la entrada del amplificador a
lado de una cadena. Una conexin entre etapas de
amplificador es la conexin en cascada. Bsicamente una
conexin en cascada es aquella en la cual la salida de una
etapa se conecta a la entrada de la segunda etapa. La conexin
en cascada proporciona una multiplicacin de la ganancia en
cada una de las etapas para tener una mayor ganancia en total.


II. OBJETIVOS

II-A. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento del
Amplificador con transistor Darlington. (Av=150) (fc=500
Hz).
II-B. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento del
Amplificador en conexin Cascada de 3 etapas:
II-B1. Primera Etapa: Amplificador con transistor FET en
source comn (AV=8).
II-B2. Segunda Etapa: Amplificador con transistor BJT en
emisor comn (AV=80).
II-B3. Tercera Etapa: Amplificador con transistor BJT en
colector comn (AV=1).
La frecuencia de corte de cada uno de estos amplificadores
es de fc=500 Hz.

III. MARCO TERICO
III-A. Transistor BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
Amplificador Darlington y Cascada

Paul Esteban Vintimilla Tapia.
e-mail: pvintimillat@est.ups.edu.ec
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electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de
bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja.

Como el transistor es considerado una fuente de corriente
dependiente de la corriente de base, podemos deducir que la
malla de base es la que polariza al transistor para obtener
ciertas caractersticas de corriente y voltaje en la malla de
salida, que es donde se obtiene la amplificacin.


Figura 1. Transistor BJT

Los transistores bipolares son los transistores ms
conocidos y se usan generalmente en electrnica
analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
deelectrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor
del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la
deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin
base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-
colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte,
estado de saturacin y estado de actividad.

a. Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la
base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N,
tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.


Figura 2. Corte transversal simplificado de un transistor
de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la
unin base-colector es mucho ms amplia que la base-
emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el
colector y est compuesta de material semiconductor
ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones
inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo
que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia
la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros
transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto
significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a
funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est
usualmente optimizada para funcionar en modo activo,
intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que
se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de
en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y
el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el
colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser
aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base
antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn
por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar
la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de
portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos
inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales
muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que
son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los
terminales base-emisor genera que la corriente que circula
entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este
efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o
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corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como
fuentes de corriente controladas por tensin, pero son
caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente
controladas por corriente, o por amplificadores de corriente,
debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio,
pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos
de silicio.

b. Funcionamiento

En una configuracin normal, la unin emisor-base se
polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido
a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que
llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe
entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos
con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica,
la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin
base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en
la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la
regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de
alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida
til del portador minoritario del semiconductor, para
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unin base-colector.

Figura 3. Caracterstica idealizada de un transistor
bipolar.







c. Tipos de Transistor Bipolar

NPN

Figura 4. El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en
los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de
carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy
en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la
terminal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo..
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las
letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro
de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

Figura 5. El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando
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desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del
emisor y apunta en la direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
d. Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:
Regin activa:
corriente del emisor = ( + 1)I
b
; corriente del colector= I
b

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin
ni en la regin de corte entonces est en una regin
intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector
y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del
funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones
del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la
mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia
de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo
inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I
c
= I
e
= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no
hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE
se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que
lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente
maxima, (I
c
I
e
= I
max
)
En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de
Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral
V
CE,sat
. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin
lineal de amplificacin I
c
=I
b
(y por ende, la relacin
I
e
=(+1)I
b
) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se
comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial
entre C y E es muy prxima a cero.
III-B. Amplificadores con transistor BJT
En el circuito se muestra un circuito tpico de un
amplificador de tensin con un transistor BJT polarizado en la
zona activa.
Con l se trata de amplificar una tensin cualquiera vi y
aplicarla, una vez amplificada, a una carga que simbolizamos
por la resistencia RL. La zona sombreada resalta el
amplificador, que en este caso, lo constituye un transistor BJT
en la configuracin emisor comn. El cual, convenientemente
polarizado en la zona activa, es capaz de comportarse como un
amplificador de tensin como ya se mencion en el captulo
anterior.


Figura 6. Amplificador con BJT

Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan
condensadores de acoplo y sirven para bloquear la
componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la
tensin que queremos amplificar al amplificador propiamente
dicho, eliminando la posible componente continua que esta
tensin pudiera tener. Si no bloquesemos esta continua se
sumara a las corrientes de polarizacin del transistor
modificando el punto de funcionamiento del mismo. Por otra
parte, el condensador C2 nos permite acoplar la seal
amplificada a la carga, eliminando la componente continua (la
correspondiente al punto de polarizacin del transistor) de
forma que a la carga llegue nicamente la componente alterna.
El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su
misin es la de proporcionar un camino a tierra a la
componente alterna. En el captulo anterior se analiz el efecto
de la resistencia RE desde el punto de vista de su efecto en la
estabilizacin del punto de polarizacin. Sin embargo, en este
captulo veremos cmo desde el punto de vista de la
amplificacin, esta resistencia hace disminuir la ganancia del
amplificador. Al aadir el condensador de desacoplo
conseguimos que la continua pase por RE mientras que la
alterna pasara por el condensador C3 consiguiendo que no
afecte a la amplificacin.

a) El cuadripolo y el modelo hbrido

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Un cuadripolo es un circuito, sistema o red en general con
dos terminales de entrada, tambin denominado puerto de
entrada, y dos terminales de salida o puerto de salida, por ello
a veces, a los cuadripolos se les denomina redes de doble
puerto.

Figura 7. Cuadripolo
ANLISIS DE UN CIRCUITO AMPLIFICADOR CON
PARMETROS HBRIDOS.
Podemos amplificar una seal sin ms que acoplarla a un
transistor debidamente polarizado y la seal resultante
aplicarla a una carga (en este caso modelizada por una
resistencia ZL. Aqu analizamos un caso genrico sin importar
la configuracin del transistor. As que sustituiremos el
transistor por su modelo en parmetros hbridos.
Supondremos que la seal de entrada es sinusoidal, con lo
cual podremos trabajar con los valores mximos o con los
eficaces.

Figura 8. Parmetros hbridos del transistor

NOTA: Se ha llamado a la corriente por la carga iL (con
el subndice en maysculas) en contra de lo mencionado
anteriormente respecto a la nomenclatura, esto es as para no
confundir la letra l (ele) minscula con el nmero 1 (uno).
Quede claro, por tanto, que aunque denotemos con subndice
en maysculas nos estamos refiriendo al valor incremental o
de alterna de la mencionada corriente.

b) Comparacin de las distintas configuraciones

A continuacin procederemos analizar distintos circuitos
amplificadores con el fin de comparar los valores obtenidos en
cada uno de ellos. La resolucin la realizaremos utilizando el
modelo simplificado que acabamos de plantear. En cada caso
calcularemos la ganancia de tensin (AV), la ganancia de
corriente (AI) y las impedancias de entrada (Zi) y de salida
(Zo), dado que los nicos componentes que tenemos en el
circuito sern resistencias, ya que no analizamos el
comportamiento en frecuencia de los circuitos, las
impedancias de entrada y salida tendrn nicamente una
componente real, es decir, sern resistencias, por lo que
podremos hablar igualmente de resistencias de entrada (Ri) y
de salida (Ro)

c) Amplificadores

Amplifican la tensin, corriente o potencia a partir de
seales ms dbiles.
La seal a amplificar puede venir de Micrfono para
seales de audio o antena para seales de radio frecuencia o
Transductores trmicos, velocimetritos, luminosos o de otras
etapas amplificadoras.

d) Clasificacin

1. Segn el elemento activo.
Transistores unipolares: Emisor comn (EC),
Colector comn (CC), Base comn (BC)
Transistores bipolares: FET o MOS(potencia)
Transistores especiales.
Circuitos integrados: Operacionales y especficos de
audio, video, instrumentacin.
2. Segn el tipo de seal.
De CC: En fuentes de alimentacin o para activacin
de actuadores(vlvulas, motores, lmparas, rels..)
De Seal:
Baja frecuencia: amplificacin de transductores
para medida
Media frecuencia: Amplificacin de voz o
msica(20Hz-20KHz)
Alta frecuencia: Amplificacin de video (15Hz-
15MHz).
Seal de radiofrecuencia>20KHz.
3. Segn la potencia.
De pequea seal: Etapas previas de amplificacin o
para corrientes dbiles.
De potencia: ltimas etapas de amplificacin o para
corrientes grandes.
Clase A: No se recorta la seal.
Clase B: La seal se recorta durante medio semiciclo.
Clase C: La seal se recorta durante ms de un
semiciclo.
Clase AB: La seal se recorta durante menos de un
semiciclo
4. Segn las etapas de amplificacin
Monoetapa: Simple, diferencial, realimentacin.
Multietapa
Acoplamiento: Directo, RC, LC, con transformador.

e) Caractersticas De Los Amplificadores

1. Ganancias
En tensin: Av=Vs/Ve; Av(dB)=20log(Av)
En Corriente: AI=Is/Ie; GI(dB)=20log(AI)
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En Potencia: Ap=Ps/Pe; Ap(dB)=10log(Ap)
Ganancias a frecuencias medias:
Son las ganancias en la zona lineal de
amplificacin, para la que dichas ganancias son
mximas (amplificacin mxima).
Se encuentran dentro del ancho de banda del
amplificador.
2. Frecuencias de corte y ancho de banda.
Las frecuencias de corte las determinan los
elementos capacitivos (condensadores y
capacidades parsitas) y resistivos del circuito.
Las frecuencias de corte delimitan la zona lineal (de
amplificacin).
El ancho de banda es la diferencia entre la
frecuencia de corte superior e inferior
A las frecuencias de corte la ganancia en tensin
cae 3dB con respecto a la ganancia a frecuencias
medias. Tambin se puede expresar como el 70%
de la ganancia a frecuencias medias.
A las frecuencias de corte la potencia cae 3dB con
respecto a la ganancia a frecuencias medias.
Tambin se puede expresar como el 50% de la
ganancia a frecuencias medias.
3. Desfase.
Es la diferencia de fase entre la seal de entrada y
de salida.
En la zona lineal el desfase es de 0 o 180.
4. Distorsin.
En la zona lineal (dentro del ancho de banda):
En amplitud: La amplitud de la salida queda
recortada o deformada.
En frecuencia: La frecuencia de la salida es
diferente de la de entrada.
En fase: Se produce desfase entre la entrada y la
salida<>de 180.
5. Impedancia de salida.
Es la impedancia vista desde los terminales de salida del
amplificador, que est en serie con la tensin amplificada. que
genera, el amplificador, y que debe ser lo ms pequea
posible.
6. Impedancia de entrada:
Es la impedancia vista desde los terminales de entrada del
amplificador, y que debe ser lo ms grande posible.
7. Tensin mxima y mnima de salida
Que es capaz de generar en la zona lineal sin distorsin.
8. Tensin mxima y mnima de entrada
Que es capaz de amplificar en la zona lineal sin distorsin.
9. Temperaturas de trabajo
Lmites de funcionamiento para temperaturas extremas.
10. Factor de ruido:
Es el ruido que aporta el amplificador debido a sus
componentes internos, y que de depender de la temperatura y
la frecuencia.
11. Relacin seal ruido: S/N
Es el cociente entre el nivel de seal y de ruido en la zona
lineal de trabajo, y que debe ser lo mayor posible.

f) Estudio de un amplificador
EN CORRIENTE CONTINUA.
Se desconecta la seal de entrada.
Se miden las corrientes y tensiones de polarizacin
(punto de trabajo) y la recta de carga esttica.
EN CORRIENTE ALTERNA.
Frecuencia medias:
Se parte de una tensin y frecuencia muy baja. Se aumenta
la frecuencia hasta que la salida es estable y mxima sin
recortarse.

Impedancia de entrada:
Metodo1: Se mide la corriente de entrada y la tensin de
entrada:
Metodo2: Se conecta una resistencia variable en serie con
la entrada y se vara dicha resistencia hasta que la tensin a
la entrada del amplificador sea la mitad que la de entrada y
se mide la resistencia variable.

Impedancia de salida:
Metodo1: Se mide la corriente de la carga y la tensin de la
carga:
Metodo2: Se sustituye la carga por una resistencia variable
y se vara dicha resistencia hasta que la tensin a la salida
del amplificador sea la mitad que sin la carga y se mide la
resistencia variable.
Frecuencia de corte inferior:
Se baja la frecuencia hasta que
Frecuencia de corte superior:
Se aumenta la frecuencia hasta que

III-C. El transistor FET
Los transistores FET ms conocidos son los JFET
(Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-
Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (Gate),
drenador (Drain) y fuente (Source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo
se comporta como un interruptor controlado por tensin,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o
no corriente entre drenador y fuente.
En un transistor BJT la salida de corriente del colector es
proporcional a la entrada de corriente que fluye hacia el
terminal de la base del dispositivo, con lo que el transistor BJT
se convierte en un transistor operado por corriente. En
cambio un transistor de efecto de campo, FET, utiliza el
voltaje que se aplica a su terminal de entrada, llamado Gate o
puerta, para controlar la corriente que fluye a travs del
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dispositivo, donde la salida de corriente es proporcional a la
tensin de entrada aplicada. Su operacin se basa en un campo
elctrico (de ah el nombre de efecto de campo) generado por
el voltaje en el ingreso de Gate, entonces esto hace que el
transistor de efecto de campo sea un dispositivo de
accionamiento por voltaje.
Podemos decir que el funcionamiento del transistor de
efecto de campo es distinto al del BJT debido a que en los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a
los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser
pequea en comparacin con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy
acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo
de circuitos.
El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su
funcionamiento solo intervienen los portadores mayoritarios.
Los transistores FET al igual que los BJT son de dos tipos:
canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una
tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente.
La estructura fsica de un JFET consiste en un canal
semiconductor tipo n o p, con contactos hmicos (no
rectificadores) en cada extremo fuente (S) y drenador (D). A
los lados del canal existen dos regiones de material
semiconductor de diferente tipo de canal, conectados entre s,
formando el terminal de puerta Gate (G).
En el caso del JFET de canal n, la unin puerta-canal, se
encuentra polarizada en inversa, por lo que prcticamente no
entra ninguna corriente a travs del terminal de puerta. El
JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la del canal n,
siendo por lo tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin
inversa respecto a la del canal n.
Los JFET son usados preferiblemente ante los MOSFET
en circuitos discretos. En el smbolo del dispositivo, la flecha
indica el sentido de polarizacin directa de la unin p-n.



Figura 9. FET de canal N y de canal P

Si comparamos el JFET, con un transistor BJT, podemos
representar ciertas similitudes entre estos dos dispositivos, por
ejemplo, se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector,
en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor y un tercer
contacto, la compuerta (G), es anloga a la base del transistor
BJT.

III-C1. Principios de Funcionamiento

En la unin p-n al polarizar en inversa la puerta y el canal,
una capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no
conductor. A esta capa se le llama zona de deplexin. Cuanto
mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona
de deplexin, cuando la zona conductora ocupa todo el ancho
del canal, se llega al corte del canal. A la tensin necesaria
para que la zona de deplexin ocupe todo el canal se le llama
tensin puerta fuente de corte (

). Esta tensin es
negativa en los JFET de canal n.
En el funcionamiento normal del JFET de canal n, D es
positivo respecto a S. La corriente de D a S a travs del canal.
Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la
corriente del drenador se controla por dicha tensin.

III-C2. Zonas de Funcionamiento

La tensin

aplicada a la puerta controla la corriente

que fluye entre el drenaje y los terminales de la fuente,
mientras que

se refiere a la tensin aplicada entre el

drenaje y la fuente. En un transistor JFET no fluye corriente
en la puerta, en tanto que la corriente de fuente (

) es igual a
la corriente que fluye por el drenaje, por lo tanto

.

Figura 10. Zonas de funcionamiento del JFET

III-C2.1 Regin hmica: Cuando

la capa de
agotamiento del canal es muy pequea y el JFET acta como
una resistencia de tensin controlada.
III-C2.2 Regin activa: El JFET se convierte en un buen
conductor y es controlado por el voltaje de puerta-fuente,
(

), mientras que la tensin de drenaje-fuente, (

) tiene
poco o ningn efecto.
III-C2.3 Regin de ruptura: La tensin entre el drenaje y la
fuente, (

) es lo suficientemente alta para canal provoca

resistencia del JFET para descomponer y pasar mxima sin
control actual.

III-C3. Curva de Transferencia.

La curva de transferencia se puede obtener de forma
directa con la ecuacin de Shockley, dados simplemente los
valores de IDSS y Vp que se encuentran en las hojas de datos
o Datasheet. Los niveles de IDSS y Vp definen los lmites de
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la curva en ambos ejes y slo se requiere localizar algunos
puntos intermedios en la grfica.

Figura 11. Curvas de transferencia de los transistores
JFET y MOSFET

III-D. Amplificador con transistor Darlington

El transistor Darlington es un tipo especial de
transistor que tiene una alta ganancia de corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores
bipolares que se conectan es cascada.
El transistor Q1 entrega la corriente que sale por su
emisor a la base del transistor Q2.


Figura 12. Amplificador con transistor Darlington

a) Funcionamiento

La configuracin de este tipo de transistor, se trata
nicamente de dos transistores acoplados, tal como se mostr
en la figura anterior. A este transistor se le polariza como se a
realizado al igual que los anteriores con un punto Q cerca de la
mitad de la lnea de carga de cc, se puede acoplar una pequea
seal de ca en la base. Esto produce alternancias o
fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente de
colector. Por ejemplo si la entrada es una onda senoidal con
una frecuencia de 1 kHz, la salida ser una onda senoidal
amplificada con una frecuencia de 1 kHz.
El amplificador se llama lineal (o de alta fidelidad) si no
cambia la forma de la seal. Si la amplitud de la seal es
pequea, el transistor solo usar una pequea parte de la lnea
de carga y la operacin sea lineal. Un capacitor de
acoplamiento permite el paso de una seal de ca de un punto a
otro. En un amplificador transistorizado, la fuente de cc
proporciona corrientes y voltajes fijos. La fuente de ca
produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes.
La forma ms simple para analizar el circuito es la divisin
del anlisis en dos partes: un anlisis de cc y un anlisis de ca.
En otras palabras, puede usarse el teorema de la
superposicin cuando se analicen amplificadores
transistorizados. A este amplificador tambin se puede usar en
un solo esquema para el circuito en corriente alterna. Hie del
transistor es el resultado del Hie del segundo transistor
multiplicado por el Hfe del primer transistor.

b) Caractersticas

La ganancia total de la conexin Darlington es el producto
de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo
tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.
Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas
frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda
convertirse fcilmente en inestable.
La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma
de ambas tensiones base-emisor. Y para tensiones de silicio es
superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington se
halla multiplicando los betas de los transistores individuales.
La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad
de la base por el beta total.

y al tener dos transistores, el voltaje V
BE
incrementa a:

La ganancia de corriente por lo tanto se determina por:

La impedancia de ingreso viene dada por:

Ganancia de Tensin:

Impedancia de Salida:
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)

c) Esquema Simulado



Figura 13. Simulacin del amplificador con transistor
Darlington

d) Clculos

Datos del circuito:

Por lo tanto tenemos

La resistencia de emisor es:

La intensidad de base calculamos de la siguiente manera:

El anlisis en corriente alterna nos arrojan los siguientes
datos:

Clculo de la impedancia de entrada del transistor:

Mediante la ganancia de voltaje encontramos la resistencia
de colector:

Por lo tanto tenemos:

Despejando la resistencia de colector:

III-E. Amplificador en Cascada

Un amplificador en cascada es un amplificador construido
a partir de una serie de amplificadores, donde cada
amplificador enva su salida a la entrada del amplificador al
lado de una cadena.
Una conexin entre etapas de amplificadores es la
conexin en cascada. Bsicamente una conexin en cascada es
aquella en la cual la salida de una etapa se conecta a la entrada
de la segunda etapa, y as sucesivamente.
La conexin en cascada proporciona una multiplicacin de
la ganancia en cada una de las etapas para tener una mayor
ganancia total. Podemos tener diferentes tipos de
acoplamientos entre cada etapa de amplificacin, sin embargo
es necesario tener en cuenta el acoplamiento entre
impedancias, sabiendo que la impedancia de salida del primer
amplificador, es la impedancia de ingreso del segundo, y as
sucesivamente. El acoplamiento directo por ejemplo, consiste
bsicamente en interconectar directamente cada etapa
mediante un cable. Presenta buena respuesta a baja frecuencia.
Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor
comn con otras de seguidor de emisor. Un acoplamiento
capacitivo en cambio permite desacoplar dos efectos de
polarizacin entre las etapas. Permite dar una mayor libertad
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al diseo, pues la polarizacin de una etapa no afectar a la
otra en AC.

III-F. Primera Etapa: Amplificador en Source comn

La configuracin de este amplificador la podemos observar
en la figura 4 en el que se incluye un resistor de
autopolarizacin Rs para ajustar la polarizacin DC. El
circuito equivalente en AC se observa en la figura 5 donde se
muestra la resistencia Rs cortocircuitado mediante el capacitor
de salida Cs sustituido por un corto (impedancia AC del
capacitor = 0) y la resistencia R
D
conectada a +V
DD
se aterriza
a AC, puesto que la impedancia AC de la alimentacin de
voltaje se sustituye por medio de una impedancia AC de 0. El
dispositivo JFET se reemplaza mediante el modelo simple
para el cual una seal de AC aplicada entre la compuerta-
fuente Vgs da como resultado una corriente de drenaje-fuente
(canal) de valor gm*Vgs.

Figura 14. Amplificador en Source comn.


Figura 15. Amplificador en source comn, esquema en
dinmica.

La ganancia de voltaje AC puede determinarse como:

La impedancia de ingreso es:

La impedancia de salida es:

a) Esquema Simulado


Figura 16. Simulacin amplificador en source comn

b) Clculos

DATOS DEL CIRCUITO:

Procedemos a formar un sistema de ecuaciones a partir de
las diferentes ecuaciones planteadas a partir de los diferentes
sistemas de los circuitos:

Por lo tanto la ganancia de voltaje en source comn se
expresa de la siguiente manera:

Reemplazando cada uno de los valores y tomando en
consideracin que

, para exista la mxima

transferencia obtenemos:

Por lo tanto nuestra primera ecuacin es la siguiente:

(1)

)

Para formar nuestra segunda ecuacin podemos parir desde
la ecuacin de salida:

RG1
1M
VCC
24V
RS1
4.078k
R16
12.097k
Q5
JFET_N_VIRTUAL*
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Por lo tanto nuestra segunda ecuacin es la siguiente:

(2)

(3)
Nuestra tercera ecuacin se encuentra de la siguiente
manera:

)

Como tenemos a partir de la malla de ingreso que:

Reemplazando esta condicin en la anterior ecuacin y
cada uno de los valores tenemos:

(4)

)
(5)
Para encontrara la cuarta ecuacin realizamos:

Obtenemos nuestra cuarta ecuacin:
(6)

Resolviendo este sistema de 4 ecuaciones con 4 incgnitas:

Figura 17. Verificacin de la polarizacin (source comn)

III-G. Segunda Etapa: Amplificador en Emisor Comn

a) Esquema Simulado


Figura 18. Amplificador a emisor comn

b) Clculos

Los datos para la segunda etapa son:

En esta etapa partimos de la mxima dinmica:

Ahora como en nuestra mxima dinmica de la anterior
etapa tenamos que el

, ahora en este circuito lo

mximo que vamos a tener en nuestra mxima dinmica ser:

Como al igual que en el circuito anterior tenemos que

para obtener la mxima transferencia:

Reemplazando los datos en la ecuacin anterior
obtenemos:

RG
1M
VCC
24V
RS
4.078k
R19
12.097k
Q4
JFET_N_VIRTUAL
U5
DC 1e-009Ohm 0.739m A
+
-
U6
DC 10MOhm
11.997 V
+
-
VCC
24V
R3
1.097k
RC1
10.5k
R4
465.9137k
Q2
BJT_NPN_VIRTUAL**
R6
3.4727M
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(

Realizando la ltima sustitucin tenemos:


(

Despejando el valor de la resistencia

tenemos:

Para poder encontrar otro dato importante podemos
realizar lo siguiente:

Para calcular el valor de

tenemos:

Por lo tanto tenemos:

Mediante esto tenemos:

Mediante este dato podemos imponernos que:

A partir de la malla de salida tenemos:

Por lo tanto:

Para poder hallar el voltaje thevenin realizamos:

Para calcular la resistencia de thevenin tenemos:

Donde:

Por lo tanto tenemos:

Por lo tanto:

Remplazando en la ecuacin siguiente:

Por lo tanto nos planteamos lo siguiente:

Por lo tanto:

Ahora nos plantemos lo siguiente:

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Figura 19. verificacin de la Polarizacin

III-H. Tercera Etapa: Amplificador en Colector Comn

a) Esquema Simulado

Figura 20. Amplificador en colector comn

b) Clculos

Datos del Circuito:

Ahora como en nuestra mxima dinmica de la anterior
etapa tenamos que el

, ahora en este circuito

lo mximo que vamos a tener en nuestra mxima dinmica
ser:

Por lo tanto tenemos:

Como al igual que en el circuito anterior tenemos que

para obtener la mxima transferencia:

Reemplazando los datos en la ecuacin anterior
obtenemos:


(

Ahora:

Para calcular el valor de

tenemos:

Por lo tanto tenemos:

Para calcular la intensidad de base realizamos:

A partir de la malla de salida tenemos:

Despejando el voltaje emisor tenemos:

VCC
24V
R5
1.097k
RC
10.5k
R2
465.9137k
Q1
BJT_NPN_VIRTUAL*
R1
3.4727M
U2
DC 10MOhm 12.794 V
+
-
U3
DC 1e-009Ohm 0.970m A
+
-
VCC
24V
R7
1.69k
R9
1.09k
R_3
48826
Q6
BJT_NPN_VIRTUAL***
R_4
82544
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Despejando la resistencia de emisor tenemos:

Para calcular la resistencia de thevenin tenemos:

Donde:

Por lo tanto tenemos:

Remplazando en la ecuacin siguiente:

Por lo tanto nos planteamos lo siguiente:

Resolviendo estas ecuaciones tenemos:

Figura 21. Verificacin de la Polarizacin

IV. LISTA DE MATERIALES

2 Transistor JFET de canal n
1 Transistor BJT de canal n
1 Resistencia de 12 k
1 Resistencia de 4.7 k
1 Resistencia de 1 M
1 Resistencia de 10 k
1 Resistencia de 3.3 M
1 Resistencia de 470 k
2 Resistencias de 1.2 k
1 Resistencia de 82 k
1 Resistencia de 47 k
1 Resistencia de 1.5 k
1 Resistencia de 100
1 Resistencia de 1 k
Condensadores (Varios)
2 fuentes variables de corriente continua 0V-30V
1 Protoboard

I nstrumentos:

2 Multmetros (Voltmetro y Ampermetro)
Software MULTISIM 11.0
1 Generador de Funciones.
1 Osiloscopio
Sondas (ms de 3)

V. DESARROLLO

V-A. Simulaciones, Tablas de Resultados

a) Amplificador en Cascada

Esta simulacin debida su extensin ser presentada al
final de este informe como parte de los anexos. Lo que
VCC
24V
R8
1.69k
R10
1.09k
R_2
48826
Q3
BJT_NPN_VIRTUAL***
R_1
82544
U1
DC 1e-009Ohm 4.501m A
+
-
U4
DC 10MOhm 11.991 V
+
-
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debemos hacer es unir las 3 etapas calculadas anteriormente y
verificar con sus respectivos diagramas.

Tabla de resultados
F(Hz)

mV

mV

250 5 1120 0.0004 36 224 -47.004
500 5 1700 0.0003 54 340 -50.629
750 5 2140 0.00025 67.5 428 -52.628
1000 5 2420 0.0002 72 484 -53.696
2000 5 2920 0.0005 360 584 -55.328
3000 5 3050 0.0002 216 610 -55.706
5000 5 3110 0.000005 9 622 -55.875
7000 5 3160 0.000002 5.04 632 -56.014
9000 5 3180 0.000001 3.24 636 -56.069
10000 5 3200 0 0 640 -56.123


b) Amplificador Darlington

Esta simulacin ser presentada al final de este informe
como parte de los anexos.

Tabla de resultados:

F(Hz)

mV

mV

250 4.8 488 0.0012 108 101.66 -40.143
500 4.8 624 0.0007 126 130 -42.278
750 4.8 664 0.0005 135 138.33 -42.818
1000 4.8 672 0.0004 144 140 -42.922
2000 4.8 704 0.0002 144 146.66 -43.326
3000 4.8 704 0.00014 151.2 146.66 -43.326
5000 4.8 704 0.0001 180 146.66 -43.326
7000 4.8 712 0.00006 151.2 148.33 -43.424
9000 4.8 720 0.00004 129.6 150 -43.521
10000 4.8 728 0.00003 108 151.66 -43.617

NOTA: Los grficos y diagramas sern presentados al final
de este informe

VI. ANLISIS DE RESULTADOS

Una vez que se obtuvieron todos los resultados se puede
decir que los datos coinciden con las simulaciones, por lo
tanto los clculos realizados son correctos. A ms de esto
todos los datos tanto calculados como medidos concuerdan
con las simulaciones realizas, de esta manera se puede
concluir que los datos obtenidos en el desarrollo de la practica
son los correctos.


VII. CONCLUSIONES

Al haber terminado la presente prctica podemos concluir
lo siguiente:

Realizar de una forma correcta los respectivos
clculos permite tener una exactitud al momento
de armar la prctica, por lo tanto los valores
obtenidos concuerdan con las simulaciones
realizadas.
Los condensadores son un factor importante al
momento de obtener la ganancia deseada con cada
circuito.
El acoplamiento de cada etapa del sistema cascada
permite obtener la ganancia deseada, por lo tanto
una falla en dicho acoplamiento significar un
error en las mediciones obtenidas.
Una vez que se alcanza la frecuencia de 500Hz, la
seal debe empezar a estabilizarse hasta obtener
un sistema completamente estable una vez que se
alcancen los 10Hz.
Los clculos realizados concuerdan con los valores
obtenidos en las mediciones y las simulaciones,
por lo que se puede concluir que la prctica se
desarroll correctamente.

VIII. CONCLUSIONS

Having completed this practice we can conclude the
following:

Perform a proper way the respective calculations can
be accurate when arming practice, therefore the
values obtained are consistent with the simulations.
Capacitors are an important factor when getting the
desired gain with each circuit.
The coupling each stage of the cascade system allows
obtaining the desired gain, so a fault in said coupling
means an error in the measurements obtained.
Once the frequency reaches 500 Hz, the signal must
begin stabilizing to obtain a completely stable once
they reach 10Hz.
The calculations are consistent with the values
obtained in measurements and simulations, so that it
can be concluded that the practice went well.

IX. BIBLIOGRAFA

[1] R. L. Boylestad and L. Nashelsky. Electrnica: Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos. Pearson Educacin, 2003.
[2] F. J. Gabiola, D. I. De Telecomunicacin Basil, et al. ANLISIS Y
DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS ANALGICOS.
Teora y Ejercicios Resueltos. Editorial Visin Libros, 2007.
[3] G. C. Valls, J. E. Lpez, and J. M. Mar. Fundamentos de
electronic analogical. Publicacions de la Universitat de Valencia,
2011.