Curso de Eletrnica

Eletrnica Bsica 1
Parte 1
Prof. Kobori
Prof. Antonio Carlos Kobori
carloskobori@bol.com.br
www.kobori.tk
Apostila de EB1 verso 2006.1
todos direitos reservados
ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
MLTIPLOS E SUBMLTIPLOS
Para representar as grandezas eltricas, utilizamos como em outras
grandezas os mltiplos e submltiplos . A utilizao se faz necessrio pois, em
algumas grandezas suas representatividades so muito altas ou muito baixas,
alem de facilitar os clculos .
Giga G
10
9

1000000000
Mega M
10
6

1000000
Kilo K
10
3

1000
Unidade
10
0

1
mili m
10
-3

,001
micro
10
-6

,000001
nano n
10-
9

,000000001
pico p
10-
12

,000000000001

A potncia de dez um recurso matemtico utilizado para representar de forma
simplificado quantidades muito grandes ou muito pequenas por meio da
multiplicao do algarismo significativo pela base de dez elevada a um expoente
positivo ou negativo.
Em eletricidade e eletrnica, muito importante que o expoente seja um mltiplo
de trs, possibilitando a substituio da potncia de dez pelo prefixo mtrico
correspondente.
REGRAS MATEMTICAS
Transformao de expoentes da base dez
Para a transformao em potncia de dez usaremos uma regra simples, se
aumentar o valor do expoente dever diminuir na mesma proporo o algarismo
significativo e, se diminuir o expoente dever aumentar na mesma proporo o
algarismo significativo.
Exemplo: ()()32102,11012
Adio e subtrao com potncias de dez
Ajustar a potncias de dez das bases a um mesmo expoente e somar ou
subtrair os seus algarismos significativos de acordo com a operao desejada.
Exemplo: ()()()()33332102,9108102,11081012=++
Multiplicao e diviso com potncias de dez
Multiplicar ou dividir os algarismos significativos e, respectivamente, somar ou
subtrair os expoentes das potncias de dez, conforme a operao desejada.
Exemplo:()()52310241021012=
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EXERCCIOS
1. Transformao
a) 10 x 10
3
=..........................x10
1

b) 3,5 x 10
-6
= ........................x10
-2

c) 5,25 M = ...................K
d) 15,25 mA = ................. A
e) 0,125 F = ................. p F
f) 12 KpF = ............................. F
2. Calcule
a) (12 A ) + (120 n A) =
b) (125 p F) + (0,18 n F) =
c) (12 M ) - (6 K ) =
d) (45 A) x ( 35 n A) =
e) (30 n A) / (15 A) =
f) (425x10
3
) + (250x10
-1
) =
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TENSO, CORRENTE E RESISTNCIA ELTRICA.
Se observarmos, veremos que estamos cercados de equipamentos eletro-
eletrnicos, em nossa casa , no trabalho , diverso , ou seja, so produtos que
sem eles nossa vida sofreria uma grande transformao , ou at mesmo um caos.
Todos esses equipamentos traz intrnseco as trs grandezas fundamentais para o
estudo da eletroeletrnica, so elas a Tenso , a Corrente e a Resistncia
eltrica.
Recorremos a estrutura bsica do tomo para incio de nossa anlise e
estudos. O tomo e formado por um ncleo onde esto as cargas positiva
(prtons) e as carga neutras (nutrons); em rbita nas camadas orbitais se
localizam os eltrons com carga negativa . Sero estes eltrons responsveis pela
corrente eltrica que estudaremos.
Carga Eltrica
Um corpo tem carga negativa se nele h um excesso de eltrons e positiva
se h falta de eltrons em relao ao nmero de prtons.
A quantidade de carga eltrica de um corpo determinada pela diferena entre o
nmero de prtons e o nmero de eltrons que um corpo contm. O smbolo da
carga eltrica de um corpo Q, expresso pela unidade Coulomb (C). A carga de
um Coulomb negativo significa que o corpo contm uma carga de 6,24 x 10
18
mais
eltrons do que prtons.
Diferena de Potencial - Tenso Eltrica
Graas fora do seu campo eletrosttico, uma carga pode realizar
trabalho ao deslocar outra carga por atrao ou repulso. Essa capacidade de
realizar trabalho chamada potencial. Quando uma carga for diferente da outra,
haver entre elas uma diferena de potencial (E).
A soma das diferenas de potencial de todas as cargas de um campo
eletrosttico conhecida como fora eletromotriz.
A diferena de potencial (ou tenso) tem como unidade fundamental o
volt(V). Ncleo Prtons (+) Nutrons (neutras) Eltrons
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Corrente
Corrente (I) simplesmente o fluxo de eltrons. Essa corrente produzida
pelo deslocamento de eltrons atravs de uma ddp em um condutor. A unidade
fundamental de corrente o Ampre (A). 1 A o deslocamento de 1 C atravs de
um ponto qualquer de um condutor durante 1 s, sendo portanto 6,24x10eltrons
por segundo. 18
I=Q/t
O fluxo real de eltrons do potencial negativo para o positivo. No entanto,
conveno representar a corrente como indo do positivo para o negativo.
Resistncia Eltrica
Resistncia a oposio passagem de corrente eltrica. medida em
ohms (). Quanto maior a resistncia, menor a corrente que passa.
Os resistores so elementos que apresentam resistncia conhecida bem
definida. Podem ter uma resistncia fixa ou varivel.
Circuito Eltrico
Neste circuito eltrico fundamental, notamos a representao destas grandezas
eltricas:
Fonte de tenso
Chaves ou interruptores
Carga e Resistncia
importante observar que para que haja corrente eltrica preciso uma fonte de
tenso e o circuito fechado.
Potncia Eltrica
De uma maneira geral, os aparelhos eltricos so dispositivos que
transformam energia eltrica em outras formas de energia. Por exemplo: em um
motor eltrico, a energia transformada em energia mecnica de rotao do
motor; em um aquecedor, a energia eltrica transformada em calor; em uma
lmpada incandescente, a energia eltrica transformada em energia luminosa,
etc. Uma corrente eltrica realiza trabalho fazendo funcionar um motor, aquecendo
um fio e de outras maneiras.
A potncia de uma corrente, ou o trabalho que ela realiza por segundo,
depende de sua intensidade e da tenso. Um watt a potncia de uma corrente
de 1 Ampre, quando a diferena de potencial 1 volt. Para calcular a potncia
eltrica podemos usar a equao P = V x I
4 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
EXERCCIOS
1. Conceitue Tenso eltrica.

2. Conceitue Corrente eltrica.

3. Conceitue Resistncia eltrica.

4. Conceitue Potncia eltrica.

5. Calcule a quantidade de eltrons que circula por uma seo de um
condutor , por segundo , quando temos uma intensidade de corrente
eltrica de :

a)1,25 A
b)250 mA
c)700 A
6. Pode haver tenso eltrica sem a necessidade de corrente eltrica, no
entanto no poder haver corrente eltrica sem uma tenso eltrica e um circuito
fechado.
Comente a afirmao acima, conceituando as grandezas eltricas.
5 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
RESISTORES E CDIGOS DE CORES
Resistores so componentes que tm por finalidade oferecer uma oposio
passagem de corrente eltrica, atravs de seu material. A essa oposio damos o
nome de resistncia eltrica, que possui como unidade o ohm (), onde
encontramos como mltiplos mais usuais:
Kilo - ohm (K)
Mega - ohm (M)
Os resistores fixos so comumente especificados por trs parmetros:
O valor nominal da resistncia eltrica;
A tolerncia, ou seja, a mxima variao em porcentagem do valor
nominal;
Mxima potncia eltrica dissipada

Exemplo: Tomemos um resistor de 1000 +/- 5% - O,33W, isso significa que
possui um valor nominal de 1000 , uma tolerncia sobre esse valor
de mais ou menos 5% e pode dissipar uma potncia de no mximo
0,33 watts.
Dentre os tipos de resistores fixos, destacamos os de:
Fio
Filme de carbono
Filme metlico.

Resistor de fio: Consiste basicamente em um tubo cermico, que servir de
suporte para enrolarmos um determinado comprimento de fio, de liga especial
para obter-se o valor de resistncia desejado. Os terminais desse fio so
conectados s braadeiras presas ao tubo.
6 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Os resistores de fio so encontrados com valores de resistncia de alguns ohms at alguns Kilo-
ohms, e so aplicados onde se exige altos valores de potncia, acima de 5W, sendo suas
especificaes impressas no prprio corpo.
Resistor de filme de Carbono:
Consiste em um cilindro de porcelana recoberto por um filme (pelcula) de
carbono. O valor da resistncia obtido mediante a formao de um sulco,
transformando a pelcula em uma fita helicoidal. Esse valor pode variar conforme a
espessura do filme ou a largura da fita. Como revestimento, encontramos uma
resina protetora sobre a qual ser impresso um cdigo de cores, identificando seu
valor nominal e tolerncia.
Os resistores de filme de carbono so destinados ao uso geral e suas dimenses
fsicas determinam a mxima potncia que pode dissipar.
Resistor de filme metlico:
Sua estrutura idntica ao de filme de carbono, somente que, utilizamos uma liga
metlica (nquel-cromo) para formarmos a pelcula, obtendo valores mais precisos
de resistncia com tolerncias de 1 % e 2%.
7 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
1 e 2 faixas 1 e
2 dgitos
3 faixa Multiplicador 4 faixa Tolerncia
Cor Dgito Cor Multiplicador Cor Tolerncia
Preto 0 Preto 1 Prata 10%
Marrom 1 Marrom 10 Ouro 5%
Vermelho 2 Vermelho 100 Sem
faixa
20%
Laranja 3 Laranja 1000
Amarelo 4 Amarelo 10000
Verde 5 Verde 100000
Azul 6 Azul 1000000
Violeta 7 Prata 0,01
Cinza 8 Ouro 0,1
Branco 9

8 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Exerccios
1. Coloque o valor nominal dos resistores abaixo:
Cores /faixas
Valor nominal
1 marrom preto ouro ouro
2 vermelho vermelho prata ouro
3 verde azul prata prata
4 marrom cinza preto ouro
5 marrom cinza vermelho marrom S/faixa
6 vermelho vermelho vermelho Ouro
7 vermelho violeta vermelho Ouro
8 Laranja laranja vermelho Ouro
9 verde azul laranja Ouro
10 azul cinza vermelho laranja S/faixa

2. Complete as cores para os resistores abaixo:
Cores /faixas
Valor nominal
1 OURO 120R
2 OURO 180R
3 OURO 270R
4 OURO 1K
5 OURO 1K2
6 OURO 270K
7 OURO 1M2
8 OURO 2M7
9 OURO 3M3
10 OURO 470K

9 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Experimento: Cdigo de cores e medidas de Resistores.
1) Preencha a tabela abaixo:

Resistor Cores Valor
Nominal (Vn)
Valor Medido
(Vm)
Tolerncia %V
1
2
3
4
5
6
7
8

100%=VnVmVnR
2) Concluses e comentrios.
10 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Lei de OHM
Consideremos uma resistncia (R) ao qual foi aplicada uma certa tenso
(V). Esta tenso estabelecer, na resistncia, uma corrente (I). Variando o valor da
tenso aplicada na resistncia, verificamos que a corrente que passa por ele
tambm se modifica. O cientista alemo George Ohm realizou vrias experincias,
medindo estas tenses (e as correntes correspondentes) quando aplicadas em
diversos valores de resistncias diferentes. Verificou ento que, para muitos
materiais, a relao entre a tenso e a corrente mantinha-se constante, isto ,
V / I= constante. Mas V / I representa o valor da resistncia R. Este resultado
conhecido como lei de Ohm (V = R.I).
A representao grfica cartesiana em um biplo ohmico uma resultante reta
como mostra abaixo, sendo a resultante tg=v/I que equivale ao valor de R.
Atividades:

I = V/ R

R = V/ I
2. Calcule:
R
V
I
A
24 V
6 mA
B
15V
3 mA
C
1,5 K
3 mA
D
10 M
5 uA
E
1 K
10 V
F
1,5 M
20 V VI R

1. Em um experimento foram constatados valores como mostra as tabelas abaixo, construa um grfico
cartesiano com os dados e, obtenha o valor das resistncias.

V Ra
2v 8mA
4v 16mA
6v 24mA
12v 48mA


Rb
5mA
10mA
15mA
30mA

V = R x I
11 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.

10V

Aplicaes
Para os circuitos abaixo, calcule o que se pede, de acordo com o quadro
correspondente a cada circuito.

1.
V R I
R1
50R
R2
150mA
R3
15v 300R
R4
25R

P
2.
V R I
R1
10ma
R2
10V 2K
R3
15V
R4
1K5
R5
3. V

P
R
I P R1
R2 3V
1mA R3
R4 6V

15K
4. Para o circuito (3), caso o R3 abra, qual ser a P em R4?

5. Para o circuito (3), caso R3 entre em curto, qual ser a P em R4?

30V R4R3R2+VttR1R5R4R3R2+VttR1R4R3R2+VttR1
12 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Atividades
1. Calcule o valor da queda de tenso em R2, para o circuito
abaixo:
2. Calcule o valor da queda de tenso em R2, para o circuito
abaixo:
3. Calcule o valor de R1, e a queda de tenso em R1, para o
circuito abaixo:

Resp:VR2=...........
Resp:VR2=...........
Resp:
R1=.......................
VR1=.................... +Vt10VR215kR11k +Vt10VR3500RR43kR22,5kR11k Itotal=10mA + Vt 75V
R31,5kR41,5kR1R21,5k
13 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Exerccios
01- Sendo o circuito abaixo:
Preencha a tabela abaixo, calculando os valores; (no esquecer as unidades)
V
R
I
R1
R2
R3
R4
R5
02) Calcule o valor da potncia dissipada no Resistor R5, caso o resistor R3 entre
em curto. +V113,5VR52k7R41k5R3680 RR2820 RR13k3
14 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Experimento: Comprovao da Lei de Ohm
1. Circuito
2. Com o circuito montado, utilizando o multmetro, efetue as medidas e preencha
o quadro abaixo.
V
I (RA)
I (RB)
3v
5v
7v
9v
10v
12v
15v
3. Com os valores obtidos, construa o grfico cartesiano e calcule o valor das
resistncias.
4. Elabore um comentrio conclusivo. RA+Vtt RB
15 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Experimento: Aplicao da Lei de Ohm
1. Circuito
2. Montar o circuito e preencher a tabela abaixo:
Terico
Experimento
V
I
V
I
R1
R2
R3
R4
R5
3. Elabore um comentrio conclusivo do experimento.
R51,5kR41KR3470RR2680RR1390R+Vtt12V
16 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Potencimetro
Quando estudamos os resistores, vimos que estes podem ser divididos em fixos e
variveis. Os resistores variveis so conhecidos como potencimetros, devido
suas aplicaes como divisores da tenso em circuitos eletrnicos.
Um potencimetro, conforme mostra a figura, consiste basicamente em uma
pelcula de carbono, ou em um fio que percorrido por um cursor mvel, atravs de
um sistema rotativo ou deslizante, altera o valor da resistncia entre seus
terminais. Comercialmente, os potencimetros so especificados pelo valor
nominal da resistncia mxima, impresso em seu corpo.
Terminal do CURSOR
Terminal
EXTREMO
PELCULA RESISTlVA ou ENROLAMENTO DE FIO
CURSOR MVEL
Na prtica, encontramos vrios modelos de potencimetros, que em funo do
tipo de aplicao, possuem caractersticas mecnicas diversas. Abaixo, visto um
potencimetro de fio, alguns tipos de potencimetros de pelcula de carbono.
17 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Exerccio
1) No circuito, R1 uma resistncia hmica de valor nominal de 1K, o
potencimetro utilizado para calibrar o circuito de tal forma que, circule pela R1
uma corrente de 10 mA. Qual ser o valor de resistncia que deve ter P1 no
ajuste, para tal ocorrncia?
2) Para o circuito do exerccio acima, qual (is) potencimetros poderemos utilizar?
Justifique sua resposta.
a) 470 R
b) 1 k
c) 270 R
d) 370 R P1+Vt25VR4470RR3470RR2820RR11k
18 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
CAPACITOR
O capacitor um componente, que tem como finalidade, armazenar energia
eltrica. formado por duas placas condutoras, tambm denominadas de ar-
maduras, separadas por um material Isolante ou dieltrico, ligados a estas placas
condutoras, esto os terminais para conexo deste com outros componentes.
Capacitncia e a caracterstica que o capacitor apresenta de armazenar cargas
eltricas por unidade de tenso.
Portanto, podemos escrever a relao:
Onde:
C = capacitncia
Q = carga eltrica
V = tenso
Quando aplicarmos uma tenso igual a 1 volt (V) e o capacitor armazenar
1Coulomb(C), teremos ento uma capacitncia Igual a 1 Farad (F).
Devido s dificuldades construtivas, os capacitores encontram-se situados em
faixa de valores submltiplos do Farad como micro Farad (F), nano Farad (nF) e
o pico Farad (pF).
Alm do valor da capacitncia, preciso especificar o valor limite da tenso a ser
aplicada entre seus terminais, Esse valor denominado tenso de isolao e varia
conforme o tipo de capacitor.
Na prtica, encontramos vrios tipos de capacitores, com aplicaes especficas,
dependendo de aspectos construtivos, tais como, material utilizado como
dieltrico, tipo de armaduras e encapsulamento. Dentro dos diversos tipos,
destacamos:
1 - Capacitores plsticos (poliestireno, polister): consistem em duas folhas de
alumnio separadas pelo dieltrico de material plstico, Sendo os terminais ligados
s folhas de alumnio, o conjunto bobinado e encapsulado, formando um sistema
compacto.
Uma outra tcnica construtiva a de vaporizar alumnio em ambas as faces do
DITRICO VQC=
19 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
dieltrico, formando o capacitar. Essa tcnica denominada de metalizao e traz
como vantagem, maior capacidade em comparao com os de mesmas
dimenses dos no metalizados.
2 - Capacitores eletrolticos de alumnio:
Consistem em uma folha de alumnio anodizada como armadura positiva, onde
por um processo eletroltico, forma-se uma camada de xido de alumnio que
serve como dieltrico, e um fluido condutor, o eletrlito que impregnado em um
papel poroso, colocado em contato com outra folha de alumnio de maneira a
formar a armadura negativa. O conjunto bobinado, sendo a folha de alumnio
anodizada, ligado ao terminal positivo e a outra ligada a uma caneca tubular,
encapsulamento do conjunto, e ao terminal negativo.
Os capacitores eletrolticos, por apresentarem o dieltrico como uma fina camada
de xido de alumnio e em uma das armaduras um fluido, constituem uma srie de
altos valores de capacitncia, mas com valores limitados de tenso de isolao e
terminais polarizados.
De forma idntica, encontramos os capacitores eletrolticos de tntalo, onde o
dieltrico formado por xido de tntalo, cuja constante dieltrica faz obter-se um
capacitor de pequenas dimenses, porm com valores de tenso de isolao,
mais limitados.
3 - Capacitores cermicos:
Apresentam como dieltrico um material cermico, que revestido por uma
camada de tinta, que contm elemento condutor, formando as armaduras. O
conjunto recebe um revestimento isolante. So capacitores de baixos valores de
capacitncia e altas tenses de isolao. +
20 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
4 Capacitores variveis:
Um conjunto de placas fixas inum de placas mveis que podem girar em
torno de um eixo comum. assim, a rea efetiva do capacitor varia e, por
conseqncia, a capacitncia. Foi bastante empregado na sintonia dos
receptores de rdio com vlvulas
Com o advento dos transistores, surgiu a necessidade de reduzir o
tamanho, o que foi obtido pelo uso de filme plstico como dieltrico e
no ar. Na atualidade, sintonia feita com diodos de capacitncia
varivel (varicap) e capacitores variveis deste tipo s devem ser
encontrados em alguns equipamentos de radiofreqncia de aplicao
industrial. Construo similar (mas com apenas duas placas) pode ser
usada em pequenos capacitores ajustveis (trimmer, padder).
Existem outras construes como, por exemplo, para tenses muito
altas, para montagem superficial (SMD), etc.
Leitura de capacitores
O valor do capacitor, "B", de 3300 pF (picofarad = 10
-12
F) ou 3,3 nF (nanofarad = 10
-9
F) ou
0,0033 F (microfarad = 10
-6
F). No capacitor "A", devemos acrescentar mais 4 zeros aps os dois
primeiros algarismos. O valor do capacitor, que se l 104, de 100000 pF ou 100 nF ou 0,1F.
O desenho ao lado, mostra capacitores que tem os seus valores, impressos em nanofarad (nF) =
10
-9
F. Quando aparece no capacitor uma letra "n" minscula, como um dos tipos apresentados ao
lado por exemplo: 3n3, significa que este capacitor de 3,3nF. No exemplo, o "n" minsculo
colocado ao meio dos nmeros, apenas para economizar uma vrgula e evitar erro de interpretao
de seu valor.
21 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Note nos capacitores acima, envolvidos com um crculo azul, o aparecimento de
uma letra maiscula ao lado dos nmeros. Esta letra refere-se a tolerncia do
capacitor, ou seja, o quanto que o capacitor pode variar de seu valor em uma
temperatura padro de 25 C. A letra "J" significa que este capacitor pode variar
at 5% de seu valor, a letra "K" = 10% ou "M" = 20%. Segue na tabela abaixo,
os cdigos de tolerncias de capacitncia.
At 10pF
Cdigo
Acima de 10pF
0,1pF
B
0,25pF
C
0,5pF
D
1,0pF
F
1%
G
2%
H
3%
J
5%
K
10%
M
20%
S
-50% -20%
Z
+80% -20% ou +100% -20%
P
+100% -0%
Capacitores de Polister Metalizado usando cdigo de cores
A tabela abaixo, mostra como interpretar o cdigo de cores dos capacitores
abaixo. No capacitor "A", as 3 primeiras cores so, laranja, laranja e laranja,
correspondem a 33000, equivalendo a 33 nF. A cor branca, logo adiante,
referente a 10% de tolerncia. E o vermelho, representa a tenso nominal, que
de 250 volts.
22 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
1 Algarismo
2 Algarismo
3 N de zeros
4 Tolerncia
5 Tenso
PRETO
0
0
-
20%
-
MARROM
1
1
0
-
-
VERMELHO
2
2
00
-
250V
LARANJA
3
3
000
-
-
AMARELO
4
4
0000
-
400V
VERDE
5
5
00000
-
-
AZUL
6
6
-
-
630V
VIOLETA
7
7
-
-
-
CINZA
8
8
-
-
-
BRANCO
9
9
-
10%
-
ASSOCIAO DE CAPACITORES
Em geral, os circuitos eltricos e eletrnicos so constitudos de vrios
componentes, associados de diferentes maneiras. Uma forma simples de abordar
esse tipo de problema considerar a associao dos componentes de um mesmo
tipo. Veremos agora como tratar a associao de capacitores.
Capacitncia equivalente de uma associao em paralelo
A associao em paralelo ilustrada ao lado, para o caso de dois capacitores. O
que caracteriza esse tipo de associao a igualdade de potencial entre as placas
dos capacitores. Na ilustrao, as placas superiores esto com o mesmo
potencial, dado pelo plo positivo da bateria. Da mesma forma, as placas
inferiores esto com o mesmo potencial negativo. Portanto, as diferenas de
potencial so iguais, i.e., V
1
=V
2
=V.
C
eq
= C
1
+C
2

23 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Capacitncia equivalente de uma associao em srie
No caso da associao em srie, fcil concluir que so iguais as cargas
acumuladas nas placas de todos os capacitores. Ento, se as cargas so iguais,
mas as capacitncias so diferentes, ento os potenciais tambm sero
diferentes. Portanto,
Q
1
= Q
2
= Q = C
1
V
1
= C
2
V
2

2121CCCCCeq+=
Atividades:
1. Faa uma leitura sobre o assunto leitura de capacitores e elabore uma
pesquisa sobre o referido assunto.
2. Calcule o valor do Ceq entre os pontos A e B dos circuitos abaixo:
a)
b)
A
B
A
BC3900nFC240uFC110uF C3900nFC240uFC110uFC410uF
24 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Carga e descarga de capacitor.
Observando o circuito ao lado, nota-se que se a chave S for posicionada na
posio 1, inicia-se o processo de carga do capacitor C, assim a tenso Vc
atingir o limite da tenso V, onde neste ponto VVc
O tempo deste processo definido pela equao CR=, chamada de constante
de tempo, que diretamente proporcional ao valor de capacitncia e ao valor de
resistncia.
Para calcularmos o valor de tenso no capacitor Vc em um determinado instante
do processo de carga temos, onde: =/1TeVVc
Vc = tenso do capacitor
V = tenso da fonte
T = instante analisado
= constante de tempo RC
e = constante matemtica Euler
Para o processo de descarga, chave S na posio 2, o preceito terico o mesmo
do processo de carga, sendo a equao que define a Vc em um determinado
instante : , onde Vmax a tenso existente no capacitor C. /maxTeVVc=
Aproximadamente o capacitor se carrega ou descarrega na com 2/3 da tenso
total na primeira constante de tempo e, se carrega ou descarrega totalmente aps
5 constantes de tempo. Carga Descarga
25 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Exerccios
1. Conforme o circuito abaixo, calcule o tempo para que o capacitor C1 atinja a
tenso de 15 V aps o fechamento de S1, supondo que o estado inicial de C1
totalmente descarregado.
2. O circuito abaixo representa uma etapa de controle de tempo de disparo de
uma central de alarme residencial. Qual ser o valor de ajuste em P1 tal que a
tenso do capacitor atinja 44,65 V aps 15 segundos de acionamento de S1,
sabendo que o capacitor est totalmente descarregado inicialmente.
3. Esboce em um nico plano cartesiano Tenso x Tempo a curva de carga do
capacitor C1, do circuito, nas situaes de R1, R2 e R3. Adotar eixo T (10s/div) e
eixo V (2v/div). C11000uFS1+VT20VR115k C12200uFS1+VT60VP1R12,5kR215k
C14700uF+VT30VR356kR110kR227k
26 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
4. Sendo o circuito abaixo:
4.1 Supondo o C1 descarregado, aps 250ms do processo de carga, qual o valor
da tenso em C1?
4.2 Supondo C1 carregado com o valor de VT, aps 750ms do processo de
descarga qual ser a tenso em C1?
5. Construa o grfico de carga para o circuito acima.
6. Construa o grfico de descarga para o circuito acima C110uF+VT30VS1R115kR250k
27 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Experimento: Processo de carga e descarga de capacitor
1. Sendo o circuito abixo:
2. Preencha a tabela abaixo para o processo de carga.
Vc
medido
0v
1v
2v
3v
4v
5v
6v
7v
8v
9v
10v
11v
12v
T
Vc
calculado
3. Preencha a tabela abaixo para o processo de descarga.
Vc
medido
12v
11v
10v
9v
8v
7v
6v
5v
4v
3v
2v
1v
0v
T
Vc
calculado
4. Construa o grfico de carga e descarga o circuito. C11000uF+VT12VS1R122k
28 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Estudo da Onda Senoidal
No estudo da tenso eltrica, vamos dividir esta grandeza em dois grupos: As
tenses continuas e as tenses no continuas ou oscilantes.
A tenso continua aquela utilizada na grande maioria dos equipamentos
eletrnicos, so as encontradas em baterias, pilhas e fontes de alimentao DC.
A tenso contnua possui o mesmo valor de tenso (amplitude), ao longo do
tempo, podendo assumir valor positivo ou negativo em relao ao referencial.
As tenses oscilantes so aquelas que no possuem um valor constante de
amplitude ao longo do tempo, podendo existir tenses oscilantes com valores
acima ou abaixo do eixo da referencia, sendo o eixo imaginrio de diviso
simtrica da onda, comumente chamado de componente DC.
A onda senoidal alternada, encontrada principalmente na rede eltrica, descreve
uma funo senoidal, obviamente, e alternada ao eixo referencial, ou seja, o
eixo de simetria coincide com o eixo referencial, implicando em uma componente
DC de valor nulo.
29 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Para o estudo da onda senoidal alternada ter-se-o os seguintes componentes:
Vp: indica o mximo valor de pico positivo ou negativo em relao ao
referencial.
Vpp: indica o valor entre o pico Maximo positivo e Maximo negativo, Vpp= 2Vp
Vac: tambm chamado de Veficaz ou Vrms(root mean square, ou seja, valor
mdio da senide), o valor continuo equivalente imaginrio, definido por: Vac =
Vp x 0,707.
Exemplos:
Sendo a tenso da rede eltrica alternada de valor 127 Vac e 60Hz, esboce o
grfico com valores.
Vp = Vac/0,707 >
VP = 127/,0707>
Vp = 179,63Vp
Assim: Vpp = 2Vp>
Vpp = 359,26 Vpp
T = 1/F>
T = 1/ 60Hz>
T = 16,6 mS Vpp= 359,26Vpp Vp = 179,63VpVp = 179,63VpT = 16,6 mS
30 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Transformador
O Transformador formado por um ncleo ferromagntico e pelos enrolamentos
primrio e secundrio. Sua funo principal elevar ou reduzir a tenso
alternada aplicada em seu primrio.
A tenso aplicada na bobina do primrio, (Vt), gera um fluxo magntico
concentrado no ncleo que ser induzido na bobina do secundrio, a qual gera
uma tenso proporcional chamada de tenso no secundrio (Vs).
Idealmente, a potencia presente no primrio do transformador totalmente
transferida para o secundrio, ou seja, Ps = Pp
A relao entre o numero de espiras Np do primrio e Ns do secundrio determina
a relao entre as tenses Vp e Vs e tambm a relao entre as correntes Ip e Is.
Portanto pode-se perceber que em um trafo elevador de tenso a corrente no
secundrio menor que no primrio, isto , o dimetro do fio do secundrio pode
ser menor que a do primrio; no entanto para o trafo abaixador de tenso, a
corrente no secundrio maior que a do primrio, isto , o dimetro do fio do
secundrio deve ser maior que a do primrio.
Alguns exemplos de trafos: IsIpVpVsNpNs== Bobinas mltiplas Center tap
31 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Exerccios:
1. Transforme:
A
127 Vp
Vpp
B
300 Vac
Vpp
C
23 Vpp
Vrms
D
12 Vp
Vpp
E
372 Vac
Vrms
F
18 Vac
Vp
G
18 Vac
Vpp
H
36 Vpp
Vac
2. Calcule:
A
120 Hz
T =
B
60 Hz
T =
C
1 Mhz
T =
D
3,2 Khz
T =
E
2,7 Mhz
T =
F
1,2 uS
F =
G
100 mS
F =
H
1,5 mS
F =
I
255 uS
F =
V xy
Vac
V yz
Vpp
Vxy
Vp
V xz
Vac
Vxy
Vpp
V xz
Vp
V yz
Vac
V xz
Vpp
V yz
Vp
3. Sendo trafo abaixo, calcule:
N RS= 15000esp
V RS= 127 Vac
N XY= 1500 esp RST
32 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Experimento
1. Para o transformador abaixo, desenvolva o seguintes procedimentos:
Medir Vpp (osciloscpio)
Vxy
Vyz
Vxz
Calcular Vac (teoria)
Vxy
Vyz
Vxz
Medir Vac (multmetro)
Vxy
Vyz
Vxz
2. Comentrios e concluses.
33 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Semicondutor
A capacidade de um tomo de se combinar com outros depende do nmero de
eltrons de valncia. A combinao s possvel quando este menor que 8.
Elementos com 8 eltrons de valncia no se combinam, pois so estveis e
inertes.
Consideramos agora o silcio, que o semicondutor mais usado e tem 4 eltrons
de valncia.
No estado puro cada, par de eltrons de tomos distintos formam a chamada
ligao covalente, de forma que cada tomo fique no estado mais estvel, isto ,
com 8 eltrons na camada externa.
O resultado uma estrutura cristalina homognea conforme Fig 5. Na realidade
tridimensional. Est assim mostrada por uma questo de simplicidade.
O material continua um semicondutor. Entretanto, quando certas substncias,
chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so
radicalmente modificadas.
Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado
e alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5
eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente
ser liberado para o nvel de conduo (Fig 6).
O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons),
denominado semicondutor tipo n.
Notar que o material continua eletricamente neutro pois os tomos tm o mesmo
nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de forma a
permitir a conduo.
Uma impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio, por exemplo) adicionada.
Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a
falta no tomo da impureza, criando um buraco positivamente carregado no nvel
de
34 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
valncia e o cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos
portadores (buracos).
Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de contato,
chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial.
Lembrar que, no estado normal, o semicondutor eletricamente neutro pois os
tomos tanto do semicondutor quanto da impureza tm iguais nmeros de eltrons
e prtons. Na juno, os eltrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos
na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um
potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a
polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte N e os buracos
na parte P (Fig 8 A).
Se um potencial externo V > Vo for aplicado conforme Fig 8 B, o potencial de
barreira ser quebrado e a corrente elevada pois existem muitos eltrons em N.
Diz-se ento que a juno est diretamente polarizada. No caso de
inversamente polarizada, Fig 8 C, o potencial de barreira ser aumentado,
impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser pequena.
Este conjunto, chamado diodo de juno, funciona como um retificador. Na Fig 9
uma curva tpica (no em escala) e o seu smbolo. Notar que, acima de um
pequeno valor de polarizao direta, a corrente aumenta bastante.
A polarizao inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre um efeito
de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical.
Barreira de potencial:
Si aproximadamente 0,7v
Ge aproximadamente 0,3v
35 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Agora vejamos dois exemplos simples do funcionamento dos diodos:
Circuito 1:
A corrente vai ser a tenso no resistor sobre a sua resistncia, ou seja:
I = (10-0,7)/470
I = 21mA
A tenso no diodo ser a BP
Circuito 2:
Como o diodo est reversamente polarizado:
I = 0
A tenso no diodo ser a VT
Observe que o Diodo Semicondutor se comporta como uma chave fechada
quando polarizado diretamente, e como uma chave aberta quando polarizado
reversamente.
Anodo
Catodo
36 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Exerccios:
1. Para os circuitos abaixo, analise e indique se a lmpada est acesa ou
apagada.
a) b)
c) d)
e) f)
2. Para o circuito abaixo, calcule a potencia dissipada em cada resistor, sendo que
todos os diodos so de Silcio e todos os resistores so de valor 2k7. +V112VL1
+V212VL2+V212VL2 +V212VL2+V224V+V112VL2R3R4R2R1+V36V
37 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Experimento:
1. Monte o circuito abaixo e preencha a tabela 1
Vtt
0v
0,5v
1v
2v
3v
4v
6v
8v
10v
12v
Id
Vd
Tabela 1
2. Monte o circuito abaixo e preencha a tabela 2
Vtt
0v
0,5v
1v
2v
3v
4v
6v
8v
10v
12v
Ir
Vr
Tabela 2
3. Com os dados obtidos construa a curva caracterstica do diodo.
Vtt = fonte dc ajustvel
Id = corrente direta em D1
Vd = tenso direta em D1
Vtt = fonte dc ajustvel
Ir = corrente reversa em D1
Vr = tenso reversa em D1 560 RD1+Vtt 560 RD1+Vtt
38 ELETRNICA BSICA 1 Prof. Kobori.
Referncias Bibliogrficas :
CAPUANO, Francisco e MARINO, Maria. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica. So Paulo:
rica, 1995.
MALVINO, Albert P. Eletrnica . vol.1 e 2 . Pearson Education do Brasil Ltda., 1997.
MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Sistemas Analgicos - Circuitos com Diodos e Transistores.
So Paulo: rica, 2000.
ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Alternada. So Paulo: rica.
ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Contnua. So Paulo: rica.
MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Teoria e Desenvolvimento de Circuitos Eletrnicos. So Paulo:
rica, 2000.
MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Eletricidade Corrente Contnua. So Paulo: rica, 2000.
SIMONE, Glio Alusio. Transformadores Teoria e Exerccios. So Paulo: rica.
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LANDO, Roberto Antonio. Amplificador Operacional. So Paulo: rica.
GIORGINI, Marcelo. Automao Aplicada: Descrio e Implementao de Sistemas Seqenciais
com PLCs. So Paulo: rica.
BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. So Paulo: Pearson
Education do Brasil, 2004.
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