Introducción Fotovoltaica

1
INTRODUCCIN FOTOVOLTAICA
INTRODUCCION HISTORICA
En 1839 se descubre el efecto fotovoltaico
Fines del siglo XIX se descubre la fotoconductividad del selenio y se
construye la primera celda experimental en base a este material
En 1904 Albert Eistenin publica un paper sobre el efecto fotovoltaico
(simultneamente con su teora de la relatividad)
En 1941 se construye lo ms parecido a lo que hoy es una celda solar,
en selenio y con una eficiencia del 1%
En 1955, Western Electric, comercializa por primera vez una celda
solar
En tal poca se incentiva su desarrollo para aplicacin en satlites
En un par de aos se pasa de eficiencias del 4,5 al 9%
GENERACINDISTRIBUIDA UdelaR OCTUBRE2013
2
INTRODUCCION HISTORICA
En 1958 se lanza el primer satlite con celdas fotovoltaicas
1960, eficiencias del 14%....precios prohibitivos para aplicaciones
terrestres
En 1973, con la crisis del petrleo, se da un verdadero impulso a
aplicaciones del tipo que hoy nos interesa: silicio policristalino, celdas
de pelcula delgada, silicio amorfo, etc..
A principios de los 80 la mayor fbrica produce 1MW de celdas solares
por ao; 1982: una produccin mundial de 9,3MW; 1983: 21,3MW
1985: eficiencias del 20%
En el cambio de milenio ya existan plantas de ms de 1MW
3
LA CELDA SOLAR
Conversin de la energa solar en elctrica sin piezas mviles ni
combustin
Se produce en materiales semiconductores en los cuales es posible
modificar su conductividad y generar una corriente elctrica
Los electrones de la banda de valencia de tales materiales absorben
energa y pasan a la banda de conduccin para ser llevados a un
circuito externo produciendo una corriente elctrica
La partida de los electrones producen huecos que tambin se
mueven como una corriente elctrica pero en sentido opuesto al
asumido clsicamente
Para que no exista una recombinacin debe existir un campo elctrico
el cual es producido por una juntura del tipo de la del diodo
semiconductor
4
MODELADO BSICO DE LA CLULA FOTOVOLTAICA
5
Se trata de predecir el comportamiento de una clula fotovoltaica
bajo diferentes condiciones operativas a partir de la informacin de
los parmetros nominales de la misma:
I
L
, corriente de generacin o de iluminacin
I
0
, corriente inversa de saturacin de diodo o de oscuridad
R
s
, resistencia serie
R
p
, resistencia paralelo
V
t
, voltage trmico
m, factor de idealidad del diodo (1 para diodo ideal)
K, constante de Boltzmann (1,381x10
-23
J/K)
T, temperatura K
e, carga electrnica (1,602x10
-19
C)
( )
[ ]
p
s
t
V
s
IR V
L p D L
R
IR V
e I I I I I I
+
= =
+
1
0
e
mkT
V
t
=
6
Datos tpicos de Mdulo fotovoltaico:
NOCT, Temperatura de Operacin Nominal de la Clula, temperatura
alcanzada por la clula cuando es sometida a las siguientes condiciones de
operacin:
Irradiancia de 800 w/m
2
Determinada distribucin espectral
Temperatura ambiente de 20C
Velocidad del viento de 1 m/s
7
Un generador esta compuesto de varias clulas, en general no
iguales entre ellas.
Se pueden alcanzar buenos grados de precisin con modelos
sencillos:
1.- Despreciar la resistencia paralelo R
p
2.- Suponer la corriente I
L
igual a la corriente de cortocircuito (I
SC
)
3.-
4.- Las clulas son todas iguales y trabajan con la misma
iluminacin y temperatura
5.- Las cadas de tensin en los conductores de interconexin se
pueden despreciar
( )
1
+
t
V
s
IR V
e
8
Para un generador de varias clulas:
I
G
y V
G
, corriente y tensin del generador,
N
P
y N
S
, clulas serie y paralelo
Con lo cual:
S G
P G
VN V
IN I
=
=
P
P S G S G
t
V
P
N
S
R
G
I
S
N
G
V
L p
R
N R I N V
e I I N I
+
=
+
1
0
9
Expresiones tiles:
Si se desprecia R
P
, I
L
= I
SC
y :
Si I = 0:
De donde se deduce:
Para obtener finalmente:
( )
1
+
t
V
s
IR V
e
t
V
S
IR V
SC
e I I I
+
=
0
0
ln
I
I
V V
SC
t OC
=
t
V
OC
V
SC
e I I

=
0
=
+
t
V
S
IR
OC
V V
SC
e I I 1
10
Expresiones tiles:
Si se trata de un generador:
Con lo cual:
P
S S
SG
S OC OCG
P SG SCG
N
N R
R
N V V
N I I
=
=
=
=
+
t
V
S
N
SG
R
G
I
OCG
V
G
V
SCG G
e I I 1
11
Parmetros caractersticos:
La potencia de la clula:
Determinar el punto de mxima potencia:
Se definen los siguientes valores normalizados:
Empricamente esta relacin se describe por:
donde:
I V P . =
0 =
dV
dp
P
MAX
( )
SC OC
S
S
t
OC
OC
I V
R
r
V
V
v
=
=
( )
S
SC OC
M M
r FF
I V
I V
FF = = 1
.
.
0
( )
1
72 . 0 ln
0
+
+
=
OC
OC OC
v
v v
FF
12
Parmetros caractersticos:
V
M
e I
M
son la tensin y la potencia en el punto de mxima potencia
Ambos valores vienen determinados por:
Donde:
( )
b
S
OC OC
M
a r a
v
b
V
V

= 1 ln 1
b
SC
M
a
I
I

=1
S OC OC
r v v a . . 2 1 + =
( ) a a b + = 1
13
Condiciones estndares y TONC:
Condiciones estndares para las cuales el fabricante suministra las
caractersticas operativas:
Irradiancia: 1kW/m
2
Determinada Distribucin Espectral
Temperatura de la clula: 25C
En tales condiciones se debe suministrar al menos: P
MAX
, I
SC
y V
OC
Esta informacin se complementa con la medida del TONC
TONC : Temperatura de Operacin Nominal de la Clula
La temperatura que alcanza la clula cuando es operada a:
Irradiancia: 800W/m
2
Determinada Distribucin Espectral
Temperatura ambiente: 20C
Velocidad del viento: 1m/s
14
Comportamiento de la clula en una condicin distinta de operacin
A partir de los 4 parmetros anteriores es posible predecir la curva I-V en
cualquier otra condicin de operacin de irradiancia, G, y temperatura ambiente,
T
a
Para ello, a las 5 suposiciones iniciales se agregan:
6.- La corriente de cortocircuito depende linealmente de la irradiancia:
Esto presupone despreciar los efectos de la distribucin espectral de la radiacin
y de la temperatura (de todas maneras el error es inferior al 0.5%)
7.- La Tensin de circuito abierto depende exclusivamente de la
temperatura de las clulas y se puede expresar como:
Se estn despreciando los efectos de la iluminacin sobre V
OC
(errores menores
al 1%)
G C G I
SC
. ) (
1
=
[ ] C mv
dT
dV
C
OC
/ 3 . 2 =
15
Comportamiento de la clula en una condicin distinta de operacin
8.- La temperatura de trabajo de la clula depende linealmente
solo de la irradiancia y la temperatura ambiente
Esto presupone despreciar los efectos sobre T
C
de la velocidad del viento (solo
conduccin a travs del encapsulado)
9.- La resistencia serie es independiente de las condiciones de
operacin y su valor queda dado por:
G C T T
a C
.
2
=
[ ]
2
2
/ 800
20 ) (
cm mw
C TONC
C

=
SC
OC
S
I
V
FF
FF
R . 1
0

=
PM SCM SC SM OCM OC SM MAXM MAX
N I I N V V N P P = = = ; ;
16
Interconexin de mdulos fotovoltaicos
Se ha supuesto que la clulas y los mdulos son todos iguales y operan en una
idntica condicin; esto no es as:
Dispersin por el proceso de fabricacin
Distintas condiciones de operacin
Esto tiene fundamentalmente dos efectos:
La potencia mxima que entrega el generador es inferior a la suma de las
mximas individuales (prdidas por dispersin)
Algunas clulas pueden convertirse en cargas
Prdidas por dispersin:
Dos clulas serie:
+ =
SC
t S OC
I
I
V IR V V 1 ln
2 1
2 1
S S SA
OC OC OCA
R R R
V V V
+ =
+ =
+ = + =
2 1
2 1
1 1 ln
SC SC
t SA OCA A
I
I
I
I
V IR V V V V
17
Caractersticas de la carga y sistemas acoplados directamente
El punto de operacin (V-I) del generador y la carga: carga resistiva, bateras
18
Caracterstica de carga y descarga de una batera cida
19
Caracterstica del generador PV, motor y batera:
20
EFFECTO DE LA TEMPERARTURA EN LA CELDA PV
21
EFFECTO DE LA IRRADIANCIA Y TEMPERATURA
22
Controles y MPPT (Maximum Power Point Trackers)
Presentacin general del problema:
23
Presentacin general del problema:
El valor ptimo de puede determinarse muestreando la potencia a la
entrada del convertidor y comparando cada valor con el anterior:
T
T
I
I
V
V
ON
R
G
G
R
= =
OFF ON
T T T + =
T T
ON
24
Esquemas de diseo del control dc-dc: Mtodo de la conductancia incremental
Derivado respecto de V
VxI P =
dV dI V I dV dP
dV dI V dV dV I dV dP
dV VI d dV dP
+ =
+ =
= ) (
( ) dV dI V I dV dP V + = 1
dV dI G
V I G
=
=
( ) G G dV dP V + = 1
G G dV dP
G G dV dP
G G dV dP

= =

0
0
0
25
Esquemas de diseo del control dc-dc:
El convertidor dc-dc produce una
tensin de salida chopeada y
controla las relaciones de tensiones
de entrada y salida adaptando
las caractersticas del sistema
fotovoltaico a la impedancia
equivalente presentada por la
barra de dc al inversor
26
EXPRESIONES BSICAS UTILES PARA EL MODELADO
27
GENERALIDADES DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
TECNOLOGIAS
Bsicamente, las de mayor desarrollo actual son 4:
Silicio cristalino, c-Si: mono-cristalino (mc-Si) y poli-cristalino (pc-Si)
Silicio amorfo, a-Si: tndem (a-Si + c-Si) y triple capa (a-Si + a-SiGe)
Cadmio-Telurio, CdTe
Cobre-Indio-Galio-Selenio, CGIS
28
TECNOLOGIAS
Silicio Cristalino:
Cuando se habla de mono o poli-cristalino se trata de silicio, el elemento
slido ms abundante de la tierra.obtenido de rocas de quarzo
El silicio puro funde a 1400C y se cristaliza, se obtienen piezas
cilndricas que se cortan en lminas de 0,5mm de espesor y de 12x12mm
(aprox), que pulidas conformas las celdas monocristalinas
Se unen dos laminas diferentes para obtener un campo electrosttico y
sobre cada lminas un conductor para extraer la energa
De superficies de aprox. 150 cm
2
se pueden sacar 2Wp
Las monocristalinas (300 a 350 micras) requieren mucho silicio y su
eficiencia est alrededor del 20%
Las policristalinas, bsicamente de desechos de las mono, 17%
29
TECNOLOGIAS
Silicio Amorfo (capa fina thin film):
Se deposita una capa muy fina de silicio (20 a 30 micras) sobre un vidrio
o lmina flexible de PVC
Se pueden construir de grandes superficies, de distintas formas e
inclusive pueden ser flexibles
Ms baratas que las anteriores pero eficiencias por la mitad de las
anteriores. La eficiencia se puede mejorar con varias capas incluyendo
solo estructura amorfa o combinacin con cristalina (tandem)
Su rendimiento es relativamente estable con la temperatura y un mejor
comportamiento en condiciones de baja radiacin
30
TECNOLOGIAS
Cadmio-Telurio:
El Cadmio es un subproducto de la extraccin del Zinc, del Plomo y del
Cobre
El telurio es un producto semimetlico que se combina con el Cadmio
para producir el Teluro de Cadmio (CdTe)Se deposita una capa muy fina
de silicio (20 a 30 micras) sobre un vidrio o lmina flexible de PVC
Este producto puede englobarse dentro de las tecnologas de capa fina y
resultan de relativamente bajo costo
Algunas limitaciones de su empleo se originan por la eventual
contaminacin de los restos de cadmio en particular en condiciones de
incendio y fundamentalmente por no estar muy en claro el tratamiento de
los residuos
31
TECNOLOGIAS
Multi-Juntas:
32
TECNOLOGIAS
Concentradores fotovoltaicos:
Lentes de Fresnel
Espejos parablicos:
Reflectores:
33
EFICIENCIAS
34
POTENCIA INSTALADA TOTAL GLOBAL ACUMULADA (MW)
fuente: EPIA
35
POTENCIA INSTALADA ANUAL GLOBAL (MW)
fuente: EPIA
36
fuente: EPIA
POTENCIA INSTALADA ANUAL GLOBAL (MW)
La baja en las instalaciones de 2012 no representan una declinacin;
grandes retrasos de grandes obras
Crecimiento 2011: grandes potencias instaladas en Italia
Dos tercios de la potencia total en 2012 (21,3GW) se concentra en cinco
pases: Alemania=7,6; China=5;Italia=3,4;USA=3,3;Japn=2
frica y Amrica latina: Se esperara un incremento sostenido de la
demanda de energa y, al lado de esto, un surgimiento de la demanda de
instalacin PV
El desarrollo del mercado europeo se atribuye a unos pocos pases, pero
en el tiempo es fundamentalmente sostenido por el mercado alemn
37
EVOLUCION DE LA CAPACIDAD INSTALADA POR AO EN EUROPA
(MW)
fuente: EPIA
38
EVOLUCION DE LA CAPACIDAD ACUMULADA POR AO EN
EUROPA (MW)
fuente: EPIA
39
SEGMENTACIN DEL MERCADO PV EN EUROPA EN 2012
fuente: EPIA
40
SEGMENTACIN DEL MERCADO PV EN EUROPA EN 2012
fuente: EPIA
TOP 5 MERCADO RESIDENCIAL TOP 5 MERCADO COMERCIAL
TOP 5 MERCADO INDUSTRIAL TOP 5 MERCADO TIERRA
41
MAPA DE OPORTUNIDADES A FUTURO DEL MERCADO PV
Por atraccin segn:
Atraccin de inversiones
Potencial solar geogrfico
fuente: EPIA
42
POTENCIA INSTALADA EN 2012 EN EUROPA (MW)
fuente: EPIA
43
CONTRIBUCIN DE PV A LA DEMANDA DE ENERGA EN 2012 EN
EUROPA (%)
2010 = 1,15%; 2011 = 2%; 2012 = 2.6%;
fuente: EPIA
44
CONTRIBUCIN PV AL CONSUMO DE ELECTRICIDAD (MAXIMOS
INSTANTANEOS Y MEDIOS) EN 2012 EN EUROPA
fuente: EPIA
45
46
PRODUCCIN ANUAL DE MW FOTOVOLTAICOS POR
REGIONES
47
CONSUMIDORES DE MDULOS FOTOVOLTAICOS 2012
fuente: NREL
48
DEMANDA HISTORICA Y PROYECTADA DE MDULOS
FOTOVOLTAICOS
fuente: NREL
49
PROYECCIN DE PRODUCCIN MUNDIAL
fuente: NREL
50
PRECIOS DE INSTALACIN DE SISTEMAS PV EN USA
INSTALACIONES RESIDENCIALES Y COMERCIALES
fuente: U.S. department og energy
51
INSTALACIONES RESIDENCIALES Y COMERCIALES
52
GRANDES INSTALACIONES
53
54
COMPARACION DE PRECIOS INSTALACIN DE SISTEMAS PV
ENTRE USA Y ALEMANIA
55
EVOLUCION DE PRECIOS DE LOS MODULOS PV USA
56
EVOLUCION DE PRECIOS EN EL MERCADO ALEMAN
PARA SILICIO POLICRISTALINO
57
EVOLUCION DE PRECIOS EN EL MERCADO ALEMAN
DE INVERSORES ENTRE 10 Y 100Kw
58
Lo que sigue lo comentaba hace algunos aos como
grandes novedades..
Pero.
59
SITUACIN ACTUAL
ESPAA: Un caso particular
En 1998 por Real Decreto:
Se establece la retribucin de la energa vertida
Las primas de actualizan anualmente y se revisan cada 4 aos
Tarifa 1998:
66 pta/kWh para instalaciones de <5kW
36 pta/kWh para instalaciones de >5kW
Tarifa 2004:
40 ce/kWh para instalaciones de <5kW
22 ce/kWh para instalaciones de >5kW
El escaln de 5kW promueve la instalacin de plantas por debajo de este valor
Surge el concepto Huerta Solar: Comunidad de propietarios que comparten
servicios de operacin, mantenimiento, gestin, vigilancia y seguridad de las
instalaciones
60
SITUACIN ACTUAL
En 2004, Real Decreto:
La retribucin se fija respecto de una Tarifa Elctrica Media (TMR) o de Referencia
Revisin tarifaria cada 4 aos a partir del 2006
Solo afecta nuevas instalaciones
Instalaciones < de 100kW:
Primeros 25 aos:
575% TMR, 44.04 ce/kWh
A partir de los 25 aos:
460% TMR, 35.23 ce/kWh
Instalaciones > de 100kW:
Primeros 25 aos:
300% TMR, 22.97 ce/kWh
A partir de los 25 aos:
240% TMR, 18.38 ce/kWh
61
SITUACIN ACTUAL
El Real Decreto marca un nuevo escaln: 100kW
62
SITUACIN ACTUAL
Tres escalones de potencia con sus respectivos precios ajustados con el IPC:
Instalaciones < de 100kW
Instalaciones > de 100kW y < 10MW
Instalaciones > de 10kW y < 50MW
Se prevea 371 MW para el 2010, antes de fines del 2007 se alcanza ese valor
En mayo de 2008 ya haba 1000MW instalados
Fuerte crecimiento en instalaciones intermedias (hasta 10MW), en particular, muchas
con sistemas de seguimiento
63
SITUACIN ACTUAL
Dos tipos de instalaciones:
Tipo I: Instalaciones sobre cubiertas, fachadas, urbanas e instalaciones
agropecuarias
Pmax = 2MW
Tipo I.1: P < 20kW
Tipo I.2: P > 20kW
Tipo II: Instalaciones sobre suelo
Pmax = 10MW
Tarifa regulada:
64
SITUACIN ACTUAL
Dos tipos de instalaciones:
Tipo I: Instalaciones sobre cubiertas, fachadas, urbanas e instalaciones
agropecuarias
Pmax = 2MW
Tipo I.1: P < 20kW
Tipo I.2: P > 20kW
Tipo II: Instalaciones sobre suelo
Pmax = 10MW
Tarifa regulada
Sistema de convocatorias y asignaciones de tarifas por cada convocatoria
Cada convocatoria tiene cupo, la incidencia en la tarifa depende de la participacin
en la convocatoria anterior y la actual
65
SITUACIN ACTUAL
Tipologa del Parque Fotovoltaico Espaol:
66
Secuencia de ensayos EN 61215

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