1

1
EE530 Eletrnica Bsica I
Prof. Fabiano Fruett
Juno pn no equilbrio
Regio de depleo
Potencial interno
Polarizao reversa
Capacitncia de juno
Polarizao direta
Caracterstica I versus V
Juno pn
2
2
3
Simbologia
Fonte: Boylestad 8th edio
Fotografia de diodos discreto
Juno pn no instante aps a formao
da juno metalrgica
4
3
Evoluo de concentraes de carga em
uma juno pn
5
E
Campo eltrico e correntes aps equilbrio
6
, ,
, ,
der p dif p
dert n dif n
I I
I I
=
=
4
7
Juno p-n
em aberto:
0 2
ln
D A
n p T
i
N N
V V V V
n

= =


e V
0
8
Limites da regio de depleo
P A N D
W N W N =
1
2
0
2
Si A D
T dep N P
A D
V N N
W W W W
q N N
+
= = + =


Largura total:
Sendo que corresponde a constante dieltrica do silcio
( 11,7 8,85 10
-14
= 1,0410
-12
F/cm) e V
0
o potencial da juno
0 Si r
=
T
W
N
W
P
W
5
J 9
Aproximao de depleo
( )
2
2
( ) ( )
qN x
dE x d V x
dx dx
= =
Valida para (-W
p
<x<W
n
)
Aproximao de depleo: a) dopagem, c) campo eltrico
b) densidade de carga espacial d) potencial eletrosttico
10
Polarizao reversa
Difuso de majoritrios I
D
< I
S
Deriva de minoritrios
6
Reduo da capacitncia de juno sob
polarizao reversa
11
0
0
0
0
1
2
1
V N N
N N q
C
V
V
C
C
D A
D A si
j
R
j
j
+
=
+
=

Capacitor controlado por tenso:

F/cm
2
F/cm
2
C
j0
Exemplo de aplicaes de junes
polarizadas reversamente
12
Fotodiodos e outros sensores de
radiao luminosa para cmeras
digitais
Osciladores LC usando em telefones
celulares
Retificadores de onda e bloqueadores
(incluindo alta tenso)
7
13
Polarizao direta
I
D
I
S
= I
Reduo da camada de depleo
Aumento da corrente de difuso
A fonte externa fornece
portadores majoritrios
para os dois lados
J 14
Polarizao direta: Perfil dos portadores
minoritrios difundidos em cada regio
Note que:
N
A
> N
D
8
15
Polarizao direta
A concentrao de excesso de portadores
minoritrios em cada borda da camada de
depleo dada pela relao de Boltzmann
A recombinao destes portadores depende do
comprimento de difuso
2
/
( ) exp
T
V V i
n n
D
n
p x
N
=
2
/
( ) exp
T
V V i
p p
A
n
n x
N
=
L
p
= D
p

p
o tempo de vida dos
portadores minoritrios
D
p
a constante de difuso
( ) /
p p
D kT q =
16
Lacunas difundidas atravs da juno
para dentro da regio n
/
0
( ) exp
T
V V
n n n
p x p =
[ ]
( )/
0 0
( ) ( ) exp
n p
x x L
n n n n n
p x p p x p

= +
L
p
o comprimento de difuso
9
17
[ ]
( )/
0 0
( ) ( ) exp
n p
x x L
n n n n n
p x p p x p

= +
( )
n
p p
dp x
J qD
dx
=
/
0
( ) exp
T
V V
n n n
p x p =
( )/
/
0
(exp 1) exp
n p
T
x x L p V V
p n
p
D
J q p
L

=
Concentrao de portadores minoritrios em x
n
Concentrao em qualquer posio x, sendo que x>x
n
Densidade da corrente de difuso de lacunas
Densidade da corrente de difuso em funo do
decaimento da concentrao
18
( )/
/
0
(exp 1) exp
n p
T
x x L p V V
p n
p
D
J q p
L

=
O decaimento devido recombinao com os eltrons majoritrios
O mximo na densidade de corrente de lacunas ocorre em x=x
n
, e vale:
/
0
(exp 1)
T
p V V
p n
p
D
J q p
L
=
10
19
Para o lado p tem-se:
Mximo na densidade de eltrons:
/
0
(exp 1)
T
V V n
n p
n
D
J q n
L
=
Sendo que L
n
o comprimento de
difuso dos eltrons minoritrios
20
Corrente total
/
0
(exp 1)
T
V V n
n p
n
D
J q n
L
=
/
0
(exp 1)
T
p V V
p n
p
D
J q p
L
=
0 0 /
(exp 1)
T
p n n p V V
p n
D p qD n
I A q
L L

= +



Substituindo p
n0
= n
i
2
/N
D
e n
p0
= n
i
2
/N
A

/ 2
(exp 1)
T
p V V n
i
p D n A
D
D
I Aqn
L N L N

= +



I
S
= Aqn
i
2
D
p
L
p
N
D
+
D
n
L
n
N
A






Corrente de saturao reversa:
11
Equao da juno ou caracterstica I
versus V
J 21
) 1 (exp =
T
D
S D
V
V
I I
22
Dependncia da relao V versus I com a
temperatura
(exp )
ln
D
D S
T
D
D T
S
V
I I
V
I
V V
I
=

=


12
23
Efeito da temperatura em I
S
( ) kT qV T n
g i
/ exp
3 2

( )
/ D kT q =
n
T

I
S
= Aqn
i
2
D
p
L
p
N
D
+
D
n
L
n
N
A






L D =
24
Efeito da temperatura em um diodo operando em
polarizao direta com corrente (I
D
) constante
V
g0
T [K]
D
V
V
g0
= 1,16 V
-2 mV/K

13
25
Curiosidade
Sensores de temperatura so baseados
em junes semicondutores polarizadas
diretamente.
Fotodiodos e outros sensores de
radiao luminosa so baseados em
junes semicondutoras polarizadas
reversamente.
J 26
Capacitncia de Difuso
Carga de portadores minoritrios armazenada em excesso
Q = Aq rea embaixo da exponencial p
n
(x)

= Aq p
n [ ( x
n
) p
n0]L
p
C
d
=

T
V
T






I

T
chamado tempo
mdio de trnsito do
diodo
14
27
Capacitncias em um diodo
Capacitncia de Difuso
Predominante na
polarizao direta
Acmulo de portadores
minoritrios nas regies
quase neutras
Capacitncia de Depleo
Predominante na
polarizao reversa
Acmulo de cargas na
camada de depleo
0
1
2
0
1
j
si
j
dep
R
C
A
C
W
V
V

= =

+


C
d
=

T
V
T






I
Aproximao na polarizao direta:
dQ
C
dV
=
0
2
j j
C C =
28
Juno pn na regio de ruptura
Alm de um certo valor de tenso
reversa (que depende do diodo)
ocorre a ruptura, e a corrente
aumenta rapidamente com um
pequeno aumento correspondente
da tenso.
Efeito Zener
Efeito Avalanche
15
J 29
Efeito Zener
O campo eltrico da camada de depleo
pode aumentar at um ponto capaz de
quebrar ligaes covalentes gerando pares
eltron-lacuna
3 V 8 V
Z
V
Junes com alta dopagem
Regio de depleo reduzida
Campos eltricos intensos
10
6
V/cm = 1V/m
E
J 30
Avalanche
Portadores minoritrios cruzam a regio de
depleo e ganham energia cintica
suficiente que podem quebrar ligaes
covalentes
7 V V
Ionizao por impacto
16
31
Sugesto de estudo
Sedra/Smith Cap. 3 at seo 3.3.6
Razavi Cap. 2 sees 2.2 e 2.3
Exerccios e problemas correspondentes