Practicas de Electronica Analogica

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Dr. JUAN M. GOMBA - Investigador Asistente de CONICET - Instituto de Fsica Arroyo
Seco - UNCPBA
1

Indice
1. Conducci on electrica 4
2. Conductores 4
3. Dispositivos Semiconductores 5
3.1. Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2. Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2.1. Potencia maxima de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4. Conversor Digital-Anal ogico 12
4.1. Red R-2R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5. Gua 1 15
6. Gua 2: Laboratorio 17
7. Gua 3 19
8. Material de Consulta 21
2
El objetivo fundamental de este texto es brindar a los alumnos elementos de
electronica anal ogica que les permitan comprender como funcionan las compuer-
tas l ogicas utilizadas en el curso. Los contenidos pertenecen al espacio curricular
Electr onica Digital, materia del segundo a no de la carrera Ingeniera en Sistemas
de la Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires.
Los alumnos han cursado Electricidad y Magnetismo y no poseen conoci-
mientos sobre semiconductores. Las clases practicas consisten en cuatro encuen-
tros de dos horas cada una. La mitad del tiempo se dedica a la resoluci on de
problemas y la otra mitad al armado de circuitos. Dada la escasa disponibilidad
de tiempo, el siguiente material no busca hacer hincapie en aspectos teoricos que
pueden encontrarse ampliamente en la bibliografa, sino que pretende
1
ofrecer
aspectos eminentemente practicos.
Agradezco las sugerencias y aportes realizadas por el Ing. Jose Marone, que
permitieron mejorar el contenido de las Guas de problemas.
1
y probablemente no logre.
3
1. Conduccion electrica
Para poder entender los fenomenos de conductibilidad electrica se recurre al
concepto de niveles y bandas de energa. Las energas permitidas para los electro-
nes dependen de la distancia interatomica. En un atomo aislado, los electrones
pueden tener s olo ciertas cantidades discretas de energa, como se muestra en
la Fig. 1. Cuando se tiene un conglomerado de atomos cercanos entre s de ma-
nera tal que el conjunto conforma un cristal, la energa puede tomar cualquier
valor dentro de ciertos intervalos permitidos (denominados bandas). Los elec-
trones llenan las bandas de menor energa. La ultima banda completa de
electrones se denomina banda de valencia (BV) y la inmediata superior banda
de conducci on (BC).
Figura 1: Estructura de las bandas de energa para un cristal de carbono (dia-
mante) y uno de silicio. Las zonas grises indican las zonas de energas permitidas.
Para una distancia interatomica r > 0, 9 nm, se observan los niveles discretos
de energa ( atomo aislado).
Las caractersticas electricas dependen de la facilidad con la que los elec-
trones pueden alcanzar la BC. Si la BC posee al menos un electron (y por
denicion no est a completa), o si las bandas BV y BC est an solapadas estamos
en presencia de un conductor(ver Fig.2). Si la banda de conducci on est a vaca,
la conductibilidad dependera de la diferencia entre el lmite superior de la BV
y el inferior de la BC: en un diamante esta diferencia es de 5, 3 eV (aislante), y
en un cristal de silicio es de 1, 14 eV (semiconductor)(Ver Fig. 1).
2. Conductores
La relaci on tensi on-corriente en una resistencia viene dada por la ley de
Ohm:
V = IR (1)
4
Figura 2: Estructura de bandas de un conductor: a) La BC posee algunos elec-
trones responsables de la conductividad. b) Las BC y BV est an solapadas.
donde V es la diferencia de potencial aplicada e I es la corriente que circula por
la resistencia. Para un conductor cilndrico, la resistencia R viene dada por
R = L/A (2)
donde L es la longitud de la resistencia, A es el area transversal a la direccion
de la corriente y es la resistividad, una cantidad que depende del material de
la resistencia. A modo de ejemplo, el Cobre a temperatura ambiente posee una
resistividad de 1, 7 10
6
cm.
3. Dispositivos Semiconductores
La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes
y la de los metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores
mas frecuentemente utilizados en la fabricacion de diodos y transistores. Ambos
atomos, cuando est an aislados, poseen cuatro electrones en su ultima capa de
energa, es decir, son tetravalentes.
Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrnseco)
a una temperatura de cero grados Kelvin, los electrones de la red ocupar an
todos los estados de energa posibles dentro de la BV. De esta manera, al no
quedar estados libres dentro de esta banda, y al verse imposibilitados de pasar
a la banda de conducci on donde s hay estado libres, el material se comporta
como un aislante. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones tendr an
una probabilidad no nula (la distribuci on de probabilidad que corresponde es la
de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podra conducir.
Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente, como los que men-
cionamos previamente, al que se le agrega una peque na dosis de atomos (impu-
rezas) de atomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). A este tipo de materiales
los denominaremos tipo n. La estructura de bandas se modica, apareciendo un
nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducci on.
Un electron que ocupa este nivel de energa facilmente puede saltar a la banda
de conducci on.
5
De la misma manera, podemos ahora considerar un semiconductor puro te-
travalente al que se le agrega una peque na dosis de atomos (impurezas) de
atomos tetravalentes (por ejemplo Boro). A este tipo de materiales los deno-
minaremos tipo p. La estructura de bandas se modica, apareciendo un nuevo
nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. Con
alta probabilidad, un electron en la banda de valencia puede ocupar ese estado
en la banda prohibida, dejando un estado libre en la BV. Ahora, los electrones
en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducci on.
3.1. Diodos
Un diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales. Posee la propiedad de
conducir corriente en un solo sentido (corriente directa). Esta fabricado sobre
una pastilla semiconductora a la cual se le agregan impurezas para formar un
anodo tipo p y un c atodo tipo n (ver Fig. 3).
Figura 3: Esquema de un diodo y su correspondiente smbolo circuital.
La corriente I que atraviesa un diodo cuando se le aplica una diferencia de
potencial V , viene dada por
I = I
0
(exp(V/(V
T
) 1) (3)
donde I
0
es la corriente inversa de saturaci on y es una constante que depende
del material ( = 2 para el silicio y = 1 para el germanio). V
T
es el equivalente
en tensi on de la temperatura y viene dado por
V
T
=

kT/q (4)
donde

k = 1,38 10
23
J/K es la constante de Boltzmann y q = 1, 6 10
19
C
es la carga electrica del electron.
La curva caracterstica de un diodo se muestra en la Fig. 4. Cuando el po-
tencial aplicado en el anodo es mayor que el del catodo, diremos que el diodo
est a polarizado en directa. N otese que a partir de una dada diferencia de po-
tencial aplicada V

, el diodo comienza a conducir. Para un diodo de silicio,

6
Figura 4: Curva caracterstica del diodo. La diferencia de potencial V aplicada
se reere al potencial en el anodo respecto del catodo.
V

= 0, 6V y para uno de germanio V

= 0, 2V . Cuando el potencial del anodo

es inferior al del catodo (polarizaci on inversa), la corriente que circula es des-
preciable e igual a I
0
: a los nes practicos diremos que el diodo no conduce en
este estado. En la gura se aprecia la tensi on de ruptura inversa para la cual el
diodo se destruye
2
.
3.2. Transistor
El transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo semiconductor de
tres terminales construido como dos uniones PN similares a las del diodo. Exis-
ten dos clases de transistores de acuerdo a como este construido: NPN y PNP.
La Fig. 5 muestra el esquema de los transistores y su simbologa.
Figura 5: Transistores NPN y PNP. Se indican el nombre de las terminales : base
(B), colector (C) y emisor (E). N otese que la direccion de la echa identica el
tipo de transistor.
A diferencia de lo que sucede en el diodo, en donde existe una relaci on unvo-
ca entre la corriente que circula por el dispositivo y la diferencia de potencial, el
2
Los diodos Zener funcionan en el regimen de ruptura, pero no ser an tratados aqu.
7
transistor posee tres par ametros a variar cuando se desea caracterizar su salida:
la corriente de base I
b
, la de colector I
c
, y la tensi on colector-emisor V
ce
3
. El
fabricante proporciona un gr aco con las curvas caractersticas de salida como
la que se muestra en la Fig.6. Para obtener dichas curvas se sigue el siguiente
procedimiento: se ja una corriente de base, por ejemplo I
b
= 0 mA, y se graca
I
c
a medida que se aumenta la tensi on V
ce
desde 0 hasta cierto valor (20 V en
este ejemplo). El proceso se repite para diferentes valores de I
b
. A la izquierda
de cada curva aparece el valor de I
b
correspondiente.
Figura 6: Curvas caractersticas de salida de un transistor NPN. Sobre cada
curva se coloca el valor de la corriente de base I
b
correspondiente
Para comprender como funciona un transistor en un circuito, se analiza
que sucede cuando se coloca una carga R
c
a su salida, como se muestra en
la Fig. 7.
Figura 7: Transistor polarizado en conguraci on com un (el emisor es com un a
los circuitos de entrada y salida)
Las variables I
c
y V
ce
pueden relacionarse utilizando la ley de Kircho. Ma-
tematicamente:
V
cc
= I
c
R
c
+V
ce
(5)
3
V
ce
es la diferencia de potencial entre el colector y el emisor, V
ce
V
colector
V
emisor
8
de donde
I
c
= (V
cc
V
cc
)/R
c
(6)
Se puede trazar esta relaci on sobre las curvas caractersticas de salida. Dado
que la Ec. 6 es una relaci on lineal entre I
c
y V
ce
, dos puntos son sucientes para
determinarla, por ejemplo, en las intersecciones con los ejes: (I
c
= 0; V
ce
= V
cc
)
e (I
c
= V
cc
/R
c
; V
ce
= 0). La lnea resultante es habitualmente denominada recta
de carga. Para poder trazar una recta sobre las curvas caractersticas de la Fig.
6, elegiremos a modo de ejemplo valores particulares para V
cc
= 15 V y R
c
= 1, 5
K. Los puntos de interseccion con los ejes vienen dados por (I
c
= 0; V
ce
= 15
V) e (I
c
= 10 mA;V
ce
= 0). Las curvas caractersticas y la recta de carga est an
trazadas en la Fig. 8.
Figura 8: Curvas caractersticas de salida de un transistor y recta de carga para
V
cc
= 15 V y R
c
= 1, 5 K.
N otese que una vez trazada la recta de carga, I
c
y V
ce
quedan determinadas
si se conoce I
B
. Por ejemplo, si I
b
= 50 A, I
c
= 3, 75 mA y V
ce
= 10 V ;
si I
b
= 150 A, I
c
= 7, 5 mA y V
ce
= 3, 75 V . El par (I
c
; V
ce
) se denomina
punto de trabajo. Como siempre debe cumplirse la ley de Kircho, este punto
se encuentra sobre la recta de carga. Esta posibilidad de controlar I
c
mediante
I
b
es frecuentemente utilizada para plantear una analoga entre un transistor y
un grifo: el caudal de agua (I
c
) es controlado por la apertura de una llave(I
b
).
Es facil analizar ahora que suceder a al variar la tensi on de entrada V
bb
: si
V
bb
= 0, entonces I
b
0. El punto de trabajo es el que intercepta la recta de
carga con la caracterstica I
b
= 0. En ese caso la tensi on V
ce
V
cc
e I
c
= 0.
Dado que no circula corriente por el colector, a estado se lo denomina corte.
A medida que se aumenta V
bb
, aumentara tambien I
b
. El punto de trabajo se
desplazara entonces sobre la recta de carga. Observese que un aumento de I
b
implica un incremento proporcional de I
c
. Matem aticamente
I
c
= I
b
(7)
donde es un factor de amplicacion sin dimensiones que, dependiendo del
transistor, puede ir desde algunas decenas hasta algo mas de mil. Esta zona de
9
trabajo se la denomina activa. La Ec. 7 deja de ser cierta cuando alcanzamos
la regi on de saturaci on: notese que a partir de cierto valor de I
b
(para nuestro
ejemplo I
b
= 300 A) un aumento de I
b
no implica un aumento correspondiente
de I
c
. Por lo tanto puede asegurarse que se ha alcanzado el estado de saturacion
cuando
I
c
< I
b
(8)
En saturacion V
ce
es muy cercano al cero, tpicamente V
ce
= 0, 1V .
Las tres zonas de trabajo del transistor pueden ser discriminadas seg un la
polarizacion de las junturas base-colector (BC) base-emisor (BE):
En la zona de corte, ambas junturas est an polarizados inversamente,
En activa, la juntura BE est a en directa y la BC permanece en inversa
En la zona de saturacion ambas junturas est an polarizadas en forma di-
recta.
Esta informacion se resume en el cuadro 1. En electronica digital se trabaja
conmutando entre el corte y la saturacion.
BE BC
Corte I I
Activa D I
Saturacion D D
Cuadro 1: Polarizaciones de las junturas base-emisor (BE) y base-colector (BC).
I: Polarizacion Inversa - D: Polarizacion Directa.
El dispositivo descrito anteriormente es la conguraci on mas simple de una
compuerta inversora: al aplicar un potencial alto en la entrada, de manera de
obtener una corriente de base que sature al transistor(I
b
> 300 A en nuestro
ejemplo), la diferencia de potencial V
ce
(salida) es cercana a 0V . Es decir, se
aplica un 1 l ogico e n la entrada y se obtiene un 0 a la salida. Inversamente,
si se aplica una tensi on nula en la entrada, la corriente de base sera nula y la
tensi on de salida (V
ce
) sera practicamente V
cc
: se aplica un 0 l ogico y se obtiene
un 1.
Ejemplo 1: Indique en que zona est a trabajando el transistor de la Fig.7 si
R
b
= 43 K, R
c
= 500 , V
cc
= 10 V , V
bb
= 5 V y = 100.
N otese que en este caso, el transistor no puede estar en corte, porque eviden-
temente la tensi on en la base es mayor que en el emisor. Quedan entonces dos
posibilidades, que este trabajando en la zona activa o que este en saturacion.
El primer metodo de resoluci on que desarrollaremos aqu se basa en suponer a
priori que el transistor est a en la zona activa y determinar cual es el signo de
la diferencia de potencial V
cb
entre el colector y la base. Bajo esta hip otesis es
v alido asumir que
I
c
= I
b
V
be
= 0,7V por ser una juntura en directa.
10
El objetivo es conocer cu al es la polarizacion de la juntura BC para deter-
minar si est a polarizada en directa o en inversa, y as saber si el transistor se
encuentra saturado o en la zona activa, respectivamente. Las tensiones en la
malla de entrada satisfacen la siguiente relaci on:
5V = I
b
R
b
+V
be
(9)
de donde I
b
= 0, 1mA. Luego, se estima la corriente de colector utilizando
la Eq.7, obteniendo I
c
= 10mA. Se plantea la malla de salida
10V = I
c
R
c
+V
cb
+V
be
(10)
y resulta V
cb
= 1, 3V . Como V
cb
> 0, la tensi on del colector es mayor que
la tensi on de la base y por lo tanto la juntura est a en inversa debido a que el
transistor es NPN. Se concluye entonces que el transistor est a trabajando en la
zona activa.
Ejemplo 2: Se puede resolver el mismo ejercicio anterior suponiendo que el
transistor est a saturado. En ese caso se asume que
V
ce
0,1V (ver curvas caractersticas, en saturacion la tensi on es cercana
a cero)
V
be
0,7V
Se calcular an las corrientes I
b
e I
c
. Si se cumple la desigualdad (8) se
podra asegurar que el transistor est a saturado.
La corriente de base ya ha sido calculada en el ejemplo anterior (I
b
= 0, 1
mA). La segunda malla puede plantearse de la siguiente forma
10V = I
c
R
c
+V
ce
(11)
donde se ha considerado directamente el salto del potencial V
ce
(comparar con
la Ec. (10)). La corriente de colector resultante es I
c
= 19, 8 mA. Como es
de esperarse, la desigualdad (8) no se satisface y por lo tanto el transistor no
est a saturado.
11
3.2.1. Potencia maxima de salida
El fabricante suele ofrecer una cartilla tecnica con la corriente y potencia
maxima de salida que soporta el transistor, I
max
y P
max
, respectivamente. Si se
superan estas cantidades el dispositivo se destruira, y por lo tanto debe tenerse
muy en cuenta al momento de dise nar un circuito. En particular, la potencia de
salida de un transistor viene dada por el producto
P = I
c
V
ce
(12)
Si se ja P = P
max
y se graca esta relaci on hiperbolica sobre las curvas
caractersticas de salida del transistor, la recta de carga no debe intersecarse
con esta hiperbola, a menos que se desee destruir el dispositivo (ver Fig. 9).
0 5 10 15
V
CE
[V]
0
10
20
30
I
c


[
m
A
]
25 mW
37.5 mW
P
MAX
= 60 mW
Figura 9: Potencia maxima de salida. Se muestran las curvas correspondientes
para P
max
= 25, 37,5 y 60 mW: esta ultima es entonces una potencia adecuada
dado que la recta de carga no debe intersecar la curva de potencia maxima.
4. Conversor Digital-Analogico
Entre los dispositivos mas ampliamente utilizados en electronica digital po-
demos mencionar a los convertidores Digital/Anal ogico (D/A). Como su nombre
lo indica, el dispositivo tiene como mision transformar una expresi on o informa-
cion binaria a valores anal ogicos equivalentes. Es posible congurar un conver-
sor que posea estas caractersticas con el simple uso de resistencias, como por
ejemplo, el denominado red R 2R. Otra implementaci on posible es la red de
resistencias ponderadas, que se propone como experiencia en la gua 2.
4.1. Red R-2R
La Figura 10 muestra un conversor R 2R de tres entradas. La tensi on de
salida V
s
en funcion de sus entradas puede obtenerse mediante el uso de la leyes
12
Figura 10: Esquema de un conversor digital - anal ogico R-2R de tres entradas.
de Kircho:
i
2
= i
1
+i
3
(13)
i
3
= i
0
+i
4
(14)
Las corrientes pueden ser inferidas a partir de la ley de Ohm:
i
0
=
E
0
V
0
2R
(15)
i
1
=
E
1
V
1
2R
(16)
i
3
=
V
1
V
0
R
(17)
i
4
=
V
0
2R
(18)
La corriente i
2
puede ser escrita de diversas formas:
i
2
=
E
2
V
s
2R
(19)
i
2
=
V
s
V
1
R
(20)
i
2
=
E
2
V
1
3R
(21)
(22)
Reemplazando i
1
(Ec. (16)), i
2
(Ec. (19)) e i
3
(Ec. (17)) en la Ec. (13) se
obtiene
E
2
V
s
+E
1
= 3V
1
2V
0
(23)
13
mientras que reemplazando i
3
(Ec. (17)), i
0
(Ec. (15)) e i
4
(Ec. (18)) en la Ec.
(14) se obtiene
4V
0
= 2V
1
+E
0
(24)
De las Ec. (23) y (24) podemos eliminar V
0
y despejar entonces V
1
en funcion
de las tensiones de entrada y salida, resultando
V
1
= (E
2
+E
1
+E
0
/2 V
s
)/2 (25)
Por otra parte, es facil ver que de las Ec. (20) y (21) puede despejarse V
1
,
obteniendose
V
1
= (3V
s
E
2
)/2 (26)
Finalmente de las dos ultimas ecuaciones puede eliminarse V
1
y despejar la
tensi on V
s
como
V
s
=
4E
2
+ 2E
1
+E
0
8
(27)
Es posible generalizar este resultado para un n umero n de entradas, resultando
V
s
=
2
n1
E
n
+... + 2E
1
+E
0
2
n
(28)
14
Guas de Problemas
5. Gua 1
1. Dispositivos lineales versus no lineales. Graque como vara la corriente
entre bornes de una resistencia y un diodo, al variar la tensi on desde
1V a 1V con un paso V = 0,2V . Para realizar los gr acos emplee
la relaci on teorica corrrespondiente presentada en las clases teoricas (la
Figura 11 muestra el esquema del circuito que debiera emplearse si se
deseara realizar una medici on experimental). Polarice el diodo en forma
inversa cuando sea necesario. La resistencia es de 1 K. El diodo es de
silicio (Si), y su corriente inversa de saturacion es de 1 nA ( = 2).
Describa las diferencias encontradas. Considere que la temperatura de
trabajo es la normal del ambiente (300K).
Figura 11: Circuitos para registrar la variacion de la tensi on y la corriente en
una resistencia (izquierda) y en un diodo (derecha). Con la letra A se indica un
ampermetro y con la letra V un voltmetro.
2. Proponga y calcule una conguraci on para alimentar a un diodo emisor de
luz (LED) con una fuente de 5V , considerando que la tensi on requerida
entre bornes del LED es de 1, 8V para una corriente de 4mA. Para el
circuito resultante determine el gr aco de la recta de carga y en el mismo
indique el punto de trabajo del diodo.
3. a) Determinar en que regi on (corte, activa, saturacion) se encuentra
el transistor de la Figura 12. Considere un transistor de silicio de
= 100.
b) Sin hacer ning un calculo, estime que suceder a si se aumenta la co-
rriente de base. Luego repita el analisis del circuito anterior, cam-
biando la resistencia de base por una de 50 K.
c)

Idem a los incisos a) y b), pero a nadiendo una resistencia de 2 K
al emisor.
15
Figura 12: Transistor polarizado.
4. A partir de las caractersticas del transistor BC547, hallar los valores de
las resistencias Rc y Rb para que el circuito de la Figura 13 funcione como
una compuerta inversora. Se requiere una corriente de colector de 50 mA.
La tensi on de alimentaci on y del nivel l ogico es de 5V . Verique que el
rango de trabajo se encuentre bajo la lnea de potencia maxima.
Figura 13: Determine los valores de Rc y Rb para que el transistor funcione
en conmutacion. A la derecha se muestra un esquema del transistor BC547.
Datos: NPN, P
max
= 250 mW, Ic
max
= 100 mA, h
FE
() = 100.
5. a) Si al circuito de la Figura 13 se le intercala un LED entre el nodo del
colector y la resistencia Rc, calcule cuales deben ser los valores de Rc
y Rb para que el circuito contin ue funcionando como un conmutador.
Se requiere i
c
= 40 mA y una cada de tensi on en el LED de 1,8 V .
b) El LED encendera cuando a la entrada tengamos un 1 o un 0 l ogico?
Por que?
6. a) Dise ne un conversor digital-analogico de tres bits utilizando una red
de resistencias ponderadas, considerando que la tensi on de salida va-
ria de 0 a V . Deducir la funcion tensi on de salida anal ogica.
b) Cu al es el valor incremental (resolucion) en la tensi on de salida?
16
6. Gua 2: Laboratorio
1. Utilizando un multmetro, halle los par ametros caractersticos de los si-
guientes elementos.
Resistencias
Diodos (Tensi on umbral )
Leds (Tensi on umbral )
Transistores (Factor )
Bateras (Tensi on)
2. Sobre la base del ejercicio 2 del practico 1, arme el circuito y compare las
tensiones y corriente que circula con los valores calculados. El punto de
trabajo es el mismo que el calculado?. Por que?.
Te orico Experimental
V
d
(polarizado)
I
d
R
d
3. a) Con el transistor BC547 que le sera entregado debe armar una com-
puerta inversora como la que se muestra en la Figura 13. Mida los
par ametros del transistor que considere necesarios. Luego de calcular
y dise nar el circuito solicite el resto de los elementos que necesite.
b) Una vez armado, verique que funcione correctamente. Registre las
tensiones de entrada y salida, como as tambien las V
BE
, V
BC
y
V
CE
. Concluya si efectivamente se han alcanzado oportunamente los
estados de corte y saturacion.
4. a) Incorpore al circuito anterior un LED de la misma forma en que se
indica en el ejercicio 5 del practico 1. Verique que funcione correcta-
mente. Se condicen estos resultados con el funcionamiento previsto
en el inciso b) del ejercicio mencionado?.
b) Es interesante ver que si adicionamos un elemento en serie a la re-
sistencia de base, la intensidad de la luz emitida por el LED vara.
Compruebelo intercalando diferentes materiales en serie con esta re-
sistencia y luego explique la raz on de este comportamiento usando
un gr aco que muestre la recta de carga y las caractersticas de salida
de un transistor.
5. Conversor Digital- Anal ogico + Divisor de Tensi on: Se requiere un dispo-
sitivo que convierta una se nal digital de 2 bits en una salida anal ogica, de
acuerdo al siguiente cuadro:
17
Entrada Digital Salida Digital
00 0V
01 1V
10 2V
11 3V
Dise ne y construya el dispositivo utilizando una red de resistencias pon-
deradas. Nota: El nivel l ogico es de 3V y se dispone de una fuente de
5V .
6. Resistencias en modo PULL-UP / PULL-DOWN
Descripcion Las resistencias de tipo pull-up y pull-down, se utilizan para
denir valores de tensi on en ciertos puntos de un circuito y evitar los
valores inciertos com unmente en las entradas de un componente. El valor
de la resistencia debe ser sucientemente alto como para que el puerto de
lectura pueda asumir los valores de intensidad que se establecen. Veamos
un ejemplo: Supongamos que tenemos un registro de desplazamiento como
el de la siguiente gura
Consideremos, incialmente, que ninguna de las resistencias pull-up o pull-
down se encuentra conectada. Como es de esperar el valor en el registro
es incierto luego de cierto n umero de pasos. Este tipo de condiciones en
electronica digital son inaceptables. Para evitar estas incertezas se utilizan
resistencias en modo pull-up y pull-down para jar un valor de tensi on
deseado, como se muestra en la gura anterior (se debe conectar una u
otra resistencia, no ambas a la vez).
Teniendo en cuenta esta breve descripcion, resuelva los siguientes items
a) Suponga que existen dos modulos sumadores de 4 bits como los de
la gura, como conectara la se nal C
IN
para que funcionen correcta-
mente por separado y a su vez puedan acoplarse para formar uno de
8 bits.
b) Dise ne un circuito de N entradas y una salida (que pueden estar
conectadas o no), el cual al detectar un 1 l ogico en alguna de las
entradas ponga en alto su salida.
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7. Gua 3
1. Para cada una de las siguientes compuertas, explique cualitativamente el
funcionamiento del circuito y complete una tabla con los valores l ogicos
de entrada y salida. Se nale las resistencias Pull-Up y Pull-Down
a) b) R2 >> R1
c)
d)
e)
2. Se requiere el dise no de un sistema que convierta la entrada digital (2
dgitos binarios) en una salida luminosa que consiste en una seria de 3
LED, como se muestra en la gura.
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3. Un dispositivo A mide el nivel de aceite de una maquina industrial y en-
trega la lectura en un n umero binario de 4 dgitos. Se requiere el dise no de
un dispositivo B, cuya entrada sea la salida de A, que alerte encendiendo
un led amarillo cuando la entrada es mayor o igual a 4, y uno rojo cuando
es mayor o igual a 9. La entrada al dispositivo es un binario de 4 dgitos.
Dise nar el circuito l ogico e implementar cada una de las compuertas.
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8. Material de Consulta
Referencias
[1] J. Millman. Electr onica; fundamentos y aplicaciones. Hispano-Europea, Bar-
celona, 1979. Solicitarlo por: 621.38. M653-2. Disponible en acceso directo.
[2] Santiago Olvera Peralta. Electr onica Anal ogica. Paraninfo, Madrid, 1999.
Solicitarlo por: 621.38. OL52. Disponible en acceso directo.
[3] M. Alonso y E. Finn. Fsica. Fondo Educativo Interamericano, Bogota,
1971. Solicitarlo por: 530, AL454,3. Disponible en mostrador.
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