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DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA
Curso Laboratorio de Electrnica Bsica
Cdigo IELE - 2205
Semestre 2013-10
Prerrequisitos
Co-requisitos Electrnica Bsica (IELE 2204)

Profesor
Lorena Garca
Posada
lm.garcia438@uniandes.edu.co
Asistentes de
Laboratorio
Gerardo
Roque
ga.roque10@uniandes.edu.co

Andrs M.
Asprilla
am.asprilla257@uniandes.edu.co



Prctica de laboratorio 4
Comportamiento en DC de transistores bipolares


OBJETIVOS
Identificar las regiones de operacin de un BJT
Calcular diferentes parmetros del transistor y sus curvas de operacin
Entender y analizar diferentes configuraciones de polarizacin de
transistores BJT en sus diferentes regiones
Analizar y disear diferentes configuraciones de polarizacin en regin
activa para BJTs.
Trabajar la conmutacin de transistores en aplicaciones sencillas.
Identificar el efecto de parmetros externos como temperatura e internos
como tolerancias en resistencias y transistores en el funcionamiento de
circuitos activos
MATERIALES
COMPONENTES
1. Resistencias de 100.
2. Resistencias de 1k.
3. Resistencias de 10k.
4. Resistencias de 100k.
5. Condensador cermico de 1nF
6. Resistencias de acuerdo a los valores calculados para las figuras 1 y 2.
7. Transistores 2N3904.
8. Transistores 2N2222.
9. Transistor 2N3906.
10. Transistor TIP31C.

EQUIPOS
1. Multmetro digital (DM)
2. Osciloscopio
3. Generador de seales
4. Fuente de tensin


DESCRIPCIN GENERAL
En esta prctica el estudiante comprobar experimentalmente los conceptos vistos en clase
con respecto al funcionamiento, regiones de operacin, curvas caractersticas, polarizacin y
aplicacin en conmutacin de los transistores de unin bipolar BJTs.
Para esta prctica se disponen de dos sesiones, y se encuentra dividida en siete (7) etapas
que sern evaluadas a partir del informe final (etapa 7) y el trabajo en clase.
Etapa 1 (Identificacin de terminales) 5%
Etapa 2 (Regiones de operacin) 10%
Etapa 3 (Caracterstica IC vs VCE) 10%
Etapa de Diseo 10%
Etapa 4 (Polarizacin con Realimentacin) 10%
Etapa 5 (Polarizacin Divisor de Voltaje) 10%
Etapa 6 (Conmutacin) 5%
Etapa 7 (Aplicacin de conmutacin) 10%
Etapa 8 (Informe) 30%



SESIN 1

ETAPA 1 IDENTIFICACIN DE TERMINALES
Identifique con el multmetro (medicin de diodo), las terminales del transistor (E,B,C).
Explique los procedimientos que le permiten distinguir las terminales de cada elemento
(deber consignarlos en el informe por medio de un diagrama de bloques) y cmo detectara
fallas en un transistor bipolar NPN y PNP.


ETAPA 2 REGIONES DE OPERACIN
Realice el montaje de la figura 1, usando RB = 1 M, RC = 5 k, RE = 100 y VCC = 5 V.

Figura 1. Montaje para determinar regiones de operacin

1. Incremente V
BB
hasta que I
C
= 0.5 mA. Mida V
BE
y V
BC
. En cul regin de operacin
se encuentra el transistor?
2. Ahora mida I
B
. Cul es el valor de ? Compare con los valores dados en la hoja de
datos del transistor (parmetro h
FE
)
3. Con el valor hallado calcule . Use para calcular I
E
. Luego, mida I
E
en el circuito y
compare ambos valores.
4. Examine la dependencia de la corriente del colector con respecto a la temperatura.
Ponga sus dedos alrededor del transistor y mida I
B
e I
C
. Se observa algn cambio con
respecto al valor medido anteriormente?. Utilice la ecuacin conocida para la
corriente del colector y explique cmo espera que vare I
C
con la temperatura, y
compare esto con los resultados experimentales.
5. Ajuste V
BB
= 4 V y V
CC
= 2 V. Mida I
B
, I
C
, V
BE
y V
BC
. En cul regin de operacin se
encuentra el transistor?
6. Ajuste V
BB
= -3 V y V
CC
= 5 V. Mida I
B
, I
C
, V
BE
y V
BC
. En cul regin de operacin se
encuentra el transistor?

ETAPA 3 MEDICIN DE LA CARACTERSTICA DE ENTRADA I
C
vs. V
CE

Realizar, con anterioridad, el montaje del circuito de la figura 2.

Figura 2. Circuito para observar I
C
vs V
CE


Coloque el generador en: onda tringulo, 100 Hz. Vare el control de OFFSET hasta 5 V y
ajuste la amplitud de la onda triangular a 10 Vpp. Dibuje la grfica que observa en el
osciloscopio en modo XY indicando las escalas en cada eje.
Vare el valor del Potencimetro 6 veces, empezando desde un extremo y llegando al otro, y
mida para cada caso con el Multmetro el voltaje entre Base y Emisor. Observe qu pasa con
la grfica anterior. Las variaciones en la grfica determinarn una serie de curvas para el
transistor, cada una de ellas identificada por el valor de voltaje entre Base y Emisor medido
(Familia de curvas). Interprete las distintas regiones de la grfica.



SEGUNDA SESIN


Realizar por grupos los siguientes puntos y llevar consignados los procedimientos y
resultados.
1. Para el circuito de la figura 3, calcule Rb y Rc para Ib = 0,1mA y Vce = Vcc/2. Ajuste
estos valores a valores comerciales y realice la simulacin con los valores calculados
y ajustados.
2. Para el circuito de la figura 4, si Rb2 = 1k y Re = 100, calcule Rc y Rb1 tal que
Ie= 1mA y Vc = 3V. Ajuste a valores comerciales.
3. Cmo se modifica la polarizacin si Rb1 y Rb2 se multiplican por 100?
4. Para el circuito de la figura 6:
a. Con base en la hoja de datos del transistor 2N2222, determine el valor de la
resistencia de colector R3 para limitar la corriente a 10mA con un voltaje
Vcc= 12V.
b. Usando el mnimo del transitor, determine la corriente de base requerida
para llevar a Q1 a saturacin con Ic = 10mA.
c. Para garantizar la saturacin, calcule el valor de R1 necesario para
proporcionar suficiente corriente de base a Q1. Elija R2 arbitrariamente alta
para garantizar que la base de Q1 est cerca de tierra cuando no haya
voltaje de entrada.
d. Calcule el valor de R4 de tal forma que se proporcione suficiente corriente de
base a Q2 para garantizar la saturacin con una carga que consuma una
carga equivalente a la que consume un LED.
5. Realice las simulaciones respectivas (para cada figura) en Orcad y compare con los
clculos tericos. Analice y comente.


ETAPA 4 POLARIZACIN CON RESISTENCIA DE REALIMENTACIN
Para el circuito de la figura 3 realice mediciones de Ib, Ic y Vce de acuerdo a los valores de
resistencias calculadas. Repita estas mediciones para diferentes referencias de transistores y
diferentes transistores de la misma referencia para completar la tabla 1.

Figura 3. Circuito de polarizacin BJT

Transistor Ib Ic Vce
2N3904
2N2222
TIP31C
2N3904
2N2222
Tabla 1. Mediciones para diferentes transistores

Existen variaciones con respecto a los valores tericos? Por qu?.
Por qu varan las mediciones cuando se cambia de transistor?


ETAPA 5 POLARIZACIN CON DIVISOR DE VOLTAJE
Para el circuito de la figura 4, con el transistor 2N3906, Rb2 = 1k y de acuerdo a los valores
calculados en la etapa de diseo, realice las mediciones de Ib, Ic y Vce y consgnelas en la
tabla 2. Aumente las resistencias Rb1 y Rb2 en 100 veces, repita las mediciones y
consgnelas en la tabla 2.

Figura 4. Circuito de polarizacin BJT

Rb2 Ib Ic Vce
1K
100K
Tabla 2. Mediciones para diferentes resistencias

Como varan los valores medidos de acuerdo a la resistencia Rb2?


ETAPA 6 CONMUTACIN DE TRANSISTORES


Monte el circuito mostrado en la Figura 5.





Figura 5. Circuito conmutador.


Excite el transistor con una seal de 500KHz, 5Vp y 2.5V de offset en el punto marcado como
V4, y mida la salida sobre el colector.


Coloque el condensador de 1nF cermico en paralelo con la resistencia R2 y responda las
siguientes preguntas:

Qu sucede con la tensin en el colector del transistor?
Explique brevemente por qu ocurre ese fenmeno.


TERCERA SESION

ETAPA 7 APLICACIN EN CONMUTACIN
Se desea desarrollar un sistema de alarmas para detectar intromisiones forzadas en un
edificio. Cada zona posee un sensor que detecta si una entrada (puerta, ventanas) ha sido
abierta. La deteccin de una intrusin es utilizada para iniciar una seal de alarma (audible y
visual). El sistema se construir a base de transistores funcionando como interruptores. Un
esquema bsico se presenta en la figura 6. Esta configuracin permite que cuando el sensor
est cerrado (conectado a una seal positiva) la salida est en circuito abierto, lo que
permite que muchos de estos circuitos (uno por sensor) puedan estar conectados sin
conflicto a la misma carga.
V5
Vdc
V4
R2
100k
0
0
R1
1k
Q1
Q2N2222

Figura 5. Aplicacin en conmutacin del BJT.

Con los valores encontrados en la etapa de diseo, realice el montaje del circuito y
compruebe su funcionamiento, utilizando un LED a la salida para comprobacin.
Presente el circuito al asistente.


ETAPA 8 INFORME
Tiempo de Ejecucin: Inicio de la siguiente sesin
1. Describir los procedimientos realizados para obtener los datos tomados en la prctica de
laboratorio.
2. Presentacin ordenada de los datos con su respectivo anlisis o comentarios, incluyendo
todas las grficas solicitadas, y las respuestas a todas las preguntas formuladas. Para
realizar las grficas del osciloscopio utilice la plantilla dada (Figura 6).
3. Problemas o inconvenientes presentados durante el desarrollo de la prctica.
4. Conclusiones.


Figura 6. Plantilla para graficar las curvas del transistor

Q1
R1
R3
0
R2
0
VCC
R4
Q2
0
Entrada Sensor
Salida Alarma