UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS, ELECTRONICA E

INDUSTRIAL

ELECTRONICA DE POTENCIA
INFORME-2

Nombre: Adrian Moyano

Semestre: Quinto Industrial

Fecha: 18 de Abril del 2011


TEMA: CIRCUITOS CON MOTOR DE POTENCIA

1. OBJETIVOS:
Objetivo General:

Analizar el funcionamiento de los diodos rectificadores,y el
comportamiento de un motor de potencia

Objetivos Especficos:
Analizar el comportamiento de los diodos semiconductores.
Analizar el comportamiento de el motor de potencia
Analizar el comportamiento de el transformador

2. MARCO TEORICO
INTRODUCCIN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede
considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden
creciente
Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a
que, como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el
germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta
normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin
de los componentes electrnicos de estado solido. A l nos referiremos normalmente,
teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo,
como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de
14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin
de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos
conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre
ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del
ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las
rbitas exteriores. Estos electrnes pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres
al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez
de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la
representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
adjunta.
Elemento Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd II B 2 e
-

Al, Ga, B, In III A 3 e
-

Si, C, Ge IV A 4 e
-

P, As, Sb V A 5 e
-

Se, Te, (S) VI A 6 e
-

El elemento semiconductor ms usado es el Silicio, el segundo el Germanio, aunque
idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y
III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y
SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica
comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin
electrnica sp.
Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos
electrones pueden, absorber las energa necesaria, saltar a la banda de conduccin,
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco
en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina
recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin
de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de
electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
n
i
= n = p
siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una
corriente de huecos con 4 capas ideales y es en la direccin contraria al campo
elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern
formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un
tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos
de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido , ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido
como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IV A de la tabla peridica) se le
une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo IIIA de la tabla
peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrara en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo
IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.

3. MATERIALES


Multmetro


Diodos rectificadores de potencia




Proto Board

Motor de potencia DC de 24V

4. DESARROLLO DE LA PRACTICA
Circuito con Motor de 24V





Valores calculados Valores medidos Valores simulados
Elementos
I[A] V[v] I[A] V[v] I[A] V[v]
Trans
D1
Motor
Fuente

Medicion de voltajes



Medicion de Corrientes

Forma de onda cuando el motor entra en funcionamiento


CONCLUSIONES:
Los semiconductores son de vital importancia en la Electronica de
Potencia.
El motor siempre funcionara si el transformador tiene la suficiente
corriente para alimentar al motor
El voltaje del diodo rectificador no siempre indicara 0.7V ya que se
producen cambios de corriente en el motor.
RECOMENDACIONES:
Es necesario verificar que el transformador se encuentre en buen estado para
poder obtener los valores de voltajes y corrientes correctos.
Observar los rangos del multimetro para obtener los resultados deseados.
Revisar las conexiones en la proto antes de conectar voltaje al circuito.
BIBLIOGRAFA
http://es.wikipedia.org/wiki/motores
http://www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml