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Materiales semiconductores y la unin PN

1
OBJETIVOS DEL TEMA
1. Comprender los fundamentos fsicos que rigen la conductividad en los
semiconductores.
2. Comprender el funcionamiento idealizado de una unin PN rectificadora.
3. Conocer los parmetros ms relevantes que afectan al diseo de componentes y
circuitos en los que participen uniones PN.
4. Sentar las bases para analizar circuitos electrnicos.
Las fotos que se muestran en esta diapositiva son ejemplos cotidianos
que han sido posibles con el desarrollo de las aplicaciones de los
materiales semiconductores. Con este tema se pretende mostrar las
bases fsicas que determinan las propiedades elctricas de dichos
materiales, e identificar los aspectos ms relevantes que afectan al
comportamiento de los componentes que de ellos se derivan.
2
Introduccin
Consideremos una situacin bastante habitual: Se dispone de una fuente de tensin
alterna, v
i
, que se ha de conectar a una resistencia nicamente cuando la tensin v
i
sea
positiva.
Si V
i
> 0V
v
i
+
1K
?
Nota: Siempre es conveniente definir los parmetros de calidad para evaluar
la solucin que se obtenga. Por ejemplo, se podran utilizar los siguientes:
Proporcin de la tensin positiva de la fuente que llega a la carga.
Proporcin de la tensin negativa de la fuente que llega a la carga.
v
i
+
1K
v
i
+
1K
Si V
i
< 0V
El uso de resistencias, bobinas y condensadores (y en general, de cualquier componente lineal)
no permite obtener una solucin a dicho problema. Se requiere un componente que slo
permita el paso de la corriente en un sentido.
En este primer tema de la asignatura se introduce la base terica que ha posibilitado obtener
dicho componente.
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3
Introduccin
http://www.ptable.com/
Materiales semiconductores y la unin PN
4
Introduccin
Cuando varios tomos de un mismo material se
encuentran cercanos, los niveles energticos no se
solapan, sino que se intercalan dando lugar a
rangos energticos (bandas) dentro de las cuales
existen tantos niveles que se puede considerar
como una banda continua de niveles de energa
permitidos.
Materiales semiconductores y la unin PN
5
Introduccin
En los metales, como el cobre y el aluminio, las cargas mviles
son electrones. El nivel energtico de algunos electrones de la
capa de valencia es superior al nivel energtico de algunos
orbitales libres (banda de conduccin), lo que permite a estos
electrones desplazarse a dichos orbitales y moverse libremente
por el seno del material.
cobre
oro
Un material conductor presenta un bajo valor de resistencia al paso de
la corriente elctrica, debido a que muchos electrones tienen la
suficiente energa para alcanzar la banda de conduccin.
Las cargas positivas tambin se pueden mover, ya sea en forma de
iones, como en el electrolito de las bateras, o mediante protones
en el caso de las pilas de combustible.
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Introduccin
Inorgnicos, como el vidrio, la mica y la porcelana.
Orgnicos, como el polister, tefln, polipropileno.
Encuentran su aplicacin en el aislamiento de cables conductores,
dielctrico de condensadores y en general, para aislar cualquier
conductor sometido a un potencial elctrico.
Aislante de vidrio
Condensador
Cable elctrico
Un material aislante presenta un gran valor de resistencia al paso
de la corriente elctrica, debido a que muy pocos electrones
adquieren la suficiente energa para alcanzar la banda de
conduccin.
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Introduccin
Un material semiconductor
presenta un gran valor de
resistencia al paso de la
corriente elctrica, debido a que
a temperatura ambiente pocos
electrones adquieren la
suficiente energa para alcanzar
la banda de conduccin.
La diferencia clave entre un material semiconductor y un material aislante estriba en:
El valor del salto de energa necesario para pasar de la banda de valencia a la de
conduccin.
La estructura de enlaces covalentes entre tomos que permite aumentar
drsticamente su conductividad por medio de la tcnica conocida como Dopado.
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Silicio para aplicaciones electrnicas
Proceso de fabricacin
Estructura del silicio cristalino
Silicatos (SiO
2
)
Silicio monocristalino de gran pureza
(99999999% - 8N)
Materiales semiconductores y la unin PN
Conductividad y dopado
Representaciones en dos dimensiones de la presencia de pares e-h en un cristal de silicio:
La ausencia de un electrn en un enlace se representa mediante un pequeo circulo.
A muy baja temperatura ( 0 K) no existen electrones libres y el cristal es un aislante. A temperatura
ambiente, algunos electrones absorben la energa suficiente como para liberarse del enlace. Se
obtiene as un electrn libre (free electron) y un hueco en el enlace (hole). Los electrones libres y los
huecos son la clave de la conductividad en los materiales semiconductores. Este proceso es
constante, no obstante se alcanza una situacin de equilibrio, en la cual el proceso opuesto,
denominado recombinacin, iguala la generacin de pares electrn-hueco. En cada recombinacin
se libera energa, ya sea en forma de calor o de radiacin.
Representacin del mismo fenmeno mediante la teora de bandas de energa:
Si T= -273
0
C Si T= T ambiente
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Conductividad y dopado
n
i
2
= A
0
T
3
e
E
GO
/kT
E
GO
: energa requerida para romper un enlace covalente a 0K
expresada en eV.
K: constante de Bolzmann expresada en eV/K
T: temperatura en K
A
0
: constante independiente de T
En ausencia de impurezas (semiconductor intrnseco), la concentracin p de huecos es igual a la
concentracin n de electrones y, en ausencia de radiacin externa, ambas son iguales a la
denominada concentracin intrnseca n
i
:
De la expresin anterior, se deduce que la concentracin de electrones libres y de huecos
depende de la temperatura. Cuanto mayor sea la temperatura, mayor ser la concentracin de
ambos.
Seguidamente se mostrar cmo electrones libres y huecos permiten el flujo de corriente. A
300k (T
a
ambiente) el valor de n
i
es aproximadamente 10
10
/cm
3
, que es una fraccin
totalmente despreciable de la concentracin de tomos de silicio (510
22
/cm
3
). Dicha
concentracin de electrones y de huecos no es suficiente como para conseguir una
conductividad comparable a la de los materiales conductores.
n = p = n
i
Materiales semiconductores y la unin PN
Conductividad y dopado
Conduccin mediante electrones
libres:
Los electrones libres, es decir,
aquellos que han alcanzado la
banda de conduccin, estn
dbilmente ligados a los tomos.
Por este motivo, bajo la accin de
un campo elctrico se desplazarn a
lo largo del material, en direccin
opuesta a la del campo.
Conduccin mediante Huecos:
Cuando un enlace est incompleto es relativamente fcil para un electrn de valencia de un
tomo vecino, abandonar su enlace covalente y ocupar el hueco. Un electrn que se mueve
desde un enlace para rellenar un hueco, deja un hueco en su posicin inicial. De esta manera, el
hueco se habr movido en direccin contraria a la seguida por el electrn.
Bajo la accin de un campo elctrico, los electrones de valencia se desplazarn por los huecos en
direccin opuesta al campo, lo que equivale a decir que los huecos se desplazan en la direccin
del campo. Esta ltima propiedad justifica considerar los huecos como cargas positivas.
Materiales semiconductores y la unin PN
Conductividad y dopado
Dopado con tomos donadores
(denotado por N)
Dopado con tomos aceptores
(denotado por P)
Es posible aumentar la concentracin de electrones libres o de huecos (no de ambos al mismo
tiempo) introduciendo impurezas, tomos de otro elemento, en la red cristalina del Silicio. Dicha
accin se conoce como dopado. Un semiconductor que incluye dichos tomos se denomina
semiconductor extrnseco.
La energa que se requiere
para separar el quinto
electrn del tomo, es del
orden de 0,05 eV (<<E
GO
). A
temperatura ambiente, los
electrones del nuevo nivel
habrn saltado a la banda
de conduccin.
Los tomos aceptores
dan lugar a un nivel de
energa libre, prximo al
de la capa de valencia. A
temperatura ambiente
los electrones de valencia
pueden acceder a l.
Materiales semiconductores y la unin PN
Conductividad y dopado
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Ley de Accin de Masas
En condiciones de equilibrio trmico, el producto de
las concentraciones positivas y negativas libres, es
una constante independiente de la cantidad de
impurezas de dopado donador y aceptador.
np = n
i
2
= A
0
T
3
e
E
GO
/kT
En la prctica se recurre a valores de N
A
o N
D
del orden de 10
15
-10
20
/cm
3.
Lo que conduce a las
siguientes conclusiones:
1. Material tipo P: Un semiconductor extrnsico con una concentracin de tomos aceptores
(N
A
) mucho mayor que n
i
y con N
D
nula o despreciable, dar lugar a un semiconductor con
una alta concentracin de huecos (p N
A
) y un bajo valor de electrones libres (n << n
i
).
2. Material tipo N: Un semiconductor extrnsico con una concentracin de tomos donadores
(N
D
) mucho mayor que n
i
y con N
A
nula o despreciable, dar lugar a un semiconductor con
una alta concentracin de electrones libres (n N
D
) y un bajo valor de huecos (p << n
i
).
A la temperatura de trabajo de los componentes electrnicos, todas las impurezas estn ionizadas.
Siendo N
D
la concentracin de tomos donadores y N
A
la de aceptadores, la condicin de carga
total nula implica que:
N
D
+ p = N
A
+ n
Materiales semiconductores y la unin PN
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En este apartado se dar una idea cualitativa sobre el funcionamiento de la unin entre una
zona con dopado N y otra con dopado P. En primer lugar se considerar un bloque de silicio con
dopado tipo N para mostrar el origen de las corrientes de difusin, y posteriormente se
considerar la unin PN.
Corriente de difusin:
A temperatura ambiente, tanto los electrones libres como los huecos estn en permanente
movimiento en el interior del semiconductor. El movimiento que sigue cada partcula es
aleatorio y en conjunto da lugar a una corriente nula. La siguiente figura muestra un bloque
de silicio dopado uniformemente con tomos donadores.
Si la concentracin de portadores vara a lo largo del semiconductor el movimiento aleatorio da
lugar a un desplazamiento neto de portadores de la zona de mayor concentracin a la de menor
concentracin, lo que se denomina corriente de difusin. La corriente de difusin puede ser
tanto de huecos (p) como de electrones libres (n).
N
d N
d
Corriente neta
Es fcil intuir este comportamiento en una frontera
entre una zona dopada, por ejemplo tipo N, y otra sin
dopar (N
d
>>n
i
).
n
i
N
d
Materiales semiconductores y la unin PN
Equilibrio en una unin PN:
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Una situacin similar a la anteriormente descrita se produce cuando se crea una unin abrupta
entre una zona N (zona dopada con tomos donadores y, por tanto, con muchos electrones
libres) y una zona P (zona dopada con tomos aceptores y, por tanto, con muchos huecos). Como
consecuencia de la difusin de electrones libres y huecos por la diferencia de concentracin en la
frontera se producir una corriente neta positiva de la zona P a la N. Dicha corriente neta
implica:
una prdida neta de electrones en la zona N y por tanto una regin de carga neta positiva
en la frontera de la zona N.
un exceso de electrones en la zona P y por tanto una regin de carga neta positiva en la
frontera de la zona N.
Dicha distribucin de carga neta da lugar a un campo elctrico en la unin de ambas zonas
El campo elctrico desplaza a los electrones y huecos, lo que se conoce como corriente de
desplazamiento, en sentido opuesto al de la corriente de difusin. Cuando el campo es lo
suficientemente intenso, ambos efectos se compensan y la corriente neta es nula.
N P
+ -
E
Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento
Materiales semiconductores y la unin PN
El campo elctrico tambin da lugar a una
barrera de potencial en la unin cuyo valor
en condiciones de equilibrio viene dado por:
2
ln
i
A D
T
n
N N
V =
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POLARIZACIN DIRECTA:
Corriente al aplicar una tensin
positiva entre los terminales P y N
Materiales semiconductores y la unin PN
N
P
Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento
i
v
N P
++ - -
++ - -
++ - -
++ - -
Smil del condensador:
Si la corriente neta en la frontera de
ambas zonas es nula, dicha frontera
actuara como un aislante.
Las zonas dopadas, P y N, son buenas
conductoras, actuaran como las placas del
condensador.
+
-
Sin embargo, dicho efecto provocar que la
acumulacin de carga neta en la frontera disminuya (es
decir, la barrera de potencial interna se reduzca) y
como consecuencia la corriente de difusin supera a la
de desplazamiento y se genera una corriente neta
estable de la zona P a N.
i
v
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Corriente al aplicar una tensin positiva, tambin denominada directa (fordward) entre los
terminales P y N.
Materiales semiconductores y la unin PN
i
v
N P
v
V 6 ' 0

= 1
T
V
v
S
e I i
i
V 9 ' 0 V 3 ' 0
max _ F
I
El valor mximo de la corriente directa viene dado por
la prdida de potencia en el semiconductor, que se
produce en forma de calor y podra elevar la
temperatura del semiconductor por encima del mximo
admisible para evitar su deterioro (en torno a los 150 -
175
o
C) .
T T
V
v
S
V v
e I i =
>>
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POLARIZACIN INVERSA:
Corriente al aplicar una tensin
negativa entre los terminales P y N
Materiales semiconductores y la unin PN
N
P
Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento
i
v
N P
- - ++
- - ++
- - ++
- - ++
Smil del condensador:
+
-
Sin embargo, dicho efecto provocar que la acumulacin de carga
neta en la frontera aumente (es decir, la barrera de potencial interna
se incrementa). Como consecuencia el campo elctrico ser mucho
ms intenso, pero como apenas hay electrones libres en la zona P o
huecos en la zona N, la corriente de desplazamiento apenas
aumenta respecto al valor de equilibrio.
v
0 i
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Corriente al aplicar una tensin negativa, tambin denominada inversa (reverse) entre los
terminales P y N.
Materiales semiconductores y la unin PN
i
v
N P
v

= 1
T
V
v
S
e I i
i
max _ R
V
En la mayor parte de las aplicaciones prcticas se puede considerar I
s
igual a cero.
El mximo valor de la tensin inversa viene dado por uno de los
siguientes efectos:
Efecto Zener: El campo elctrico es suficientemente intenso como
para romper enlaces y provocar pares electrn-hueco.
Avalancha: El campo elctrico acelera muy rpidamente a los
electrones y estos alcanzan velocidades capaces de liberar nuevos
electrones de los enlaces al chocar con ellos.
S
V v
I i
T
=
<<
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Efectos de alta frecuencia
Materiales semiconductores y la unin PN
Capacidad parsita:
La unin PN, particularmente en polarizacin inversa, sufre variaciones
en la carga neta acumulada en funcin de la tensin que soporte. Dichas
variaciones, dependen del valor concreto de tensin, ya que la distancia
media entre las cargas d vara en funcin de dicha tensin. En definitiva,
la unin PN presenta en paralelo una capacidad parsita de valor variable
C
j
. El mximo valor de C
j
se produce con tensin inversa baja. Su efecto
es importante en aplicaciones de alta frecuencia (>1MHz).
N
P
+
-
i
v
-
+
d
Aproximacin a un
condensador con d
variable
Corriente de recuperacin inversa:
Cuando la unin est polarizada en directa, existen muchos electrones y huecos circulando a travs de la
frontera entre la zona P y N. Si en ese momento se intenta polarizar en inversa, durante un breve intervalo
de tiempo (denominado tiempo de recuperacin inversa t
rr
reverse recovery time) circular corriente en
inversa. Esta corriente alcanza un mximo y se anula rpidamente en cuanto la frontera se vaca de
electrones y huecos, dando lugar al recrecimiento de la barrera de potencial que experimenta la unin en
inversa. Este fenmeno es importante en las aplicaciones de la unin como interruptor de potencia, ya que
en el cambio de conduccin a corte se producen prdidas significativas de potencia.
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Disipacin de calor
Materiales semiconductores y la unin PN
Resistencias trmicas (C/W)
R
thjc
- resistencia unin (junction) - carcasa (case)
R
thch
- resistencia carcasa - radiador (heatsink)
R
thha
- resistencia radiador - ambiente
Circuito elctrico equivalente del proceso
de disipacin trmica
Las prdidas (P
per
) se transforman en calor elevando la temperatura de la unin:
Prdidas por conduccin en polarizacin directa: p = v i
Prdidas por conmutacin (en concreto en el paso de conduccin a corte).
La temperatura de la unin no debe superar el mximo admisible para el silicio. Tpicamente se toma
150 C como valor mximo de diseo.
Encapsulado de plastico
Silicio
Aislante
Radiador
Ta
Tj
Tc Th
Rthjc
Rthch
Rthha
Pper
Encapsulado metlico
per thha thch thjc a
per thja a j
P R R R T
P R T T
+ + + =
+ =
) (
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El diodo:
Materiales semiconductores y la unin PN
i
v
N P
v
i
max _ R
v
nodo
v
A K
i
Smbolo:
Ctodo

v
v
Depende del semiconductor:
06V Silicio
03V Germanio
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Cuando un elemento presenta una relacin v-i que vara
en funcin del rango de tensin o corriente en el que
opere, es habitual utilizar un proceso iterativo como el
mostrado en la figura de la derecha.
En el caso de tratar circuitos con diodos, hasta no
alcanzar una gran soltura es habitual partir de la
hiptesis diodo en corte.
Materiales semiconductores y la unin PN
Proponer una hiptesis
sobre el modo de operacin
Resolver el circuito utilizando
el modelo equivalente para ese
modo de operacin
Verificar la hiptesis
Diodo en corte:
Diodo en conduccin: Es habitual utilizar uno de estos 3 modelos lineales aproximados. No
obstante, el uso del diodo ideal da lugar a importantes errores de clculo en circuitos de baja tensin.
v
A K
i
A
K
Metodologa para la
resolucin de circuitos
con diodos
Modelo
Verificacin de la hiptesis:
Resolver el circuito y
comprobar que v <V

Modelo Diodo ideal Modelo 2 Modelo 3


A K
A
K
V
A K
V

r
d
Verificacin de la hiptesis (igual en los tres modelos):
Resolver el circuito y comprobar que i > 0A
i
i i
V V

i
v
v
i
i i
v v
V

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Volvamos al problema planteado en la introduccin a este tema
Se dispone de una fuente de tensin alterna, v
i
, que se ha de conectar a una resistencia
nicamente el rango en el que la tensin v
i
sea positiva.
v
i
+
1K
?
Materiales semiconductores y la unin PN
v
i
+
1K
100Hz y pico de V 10 de alterna cuadrada onda =
i
v Resolvamos el siguiente caso:
El diodo utilizado tiene una tensin umbral de 0,6V y su resistencia serie en conduccin se
puede considerar despreciable (dicho en otras palabras, la resistencia serie es mucho menor
de 1k).
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Paso 1: Hiptesis
Probamos con El diodo est en corte:
Materiales semiconductores y la unin PN
v
i
+
1K
Se pueden dar dos casos:
Proponer una hiptesis
sobre el modo de operacin
Resolver el circuito utilizando
el modelo equivalente para ese
modo de operacin
Verificar la hiptesis
Paso 2: Resolver el circuito
i D i R D
R
v v v v v
V i R v A i
= = +
= = = 0 0
D
v
R
v
i
Paso 3: Verificar la hiptesis
El diodo estar en corte siempre que la tensin v
D
sea menor de 0,6V.
i D
v v =
V V v
D
6 ' 0 10 > =
V V v
D
6 ' 0 10 < = Hiptesis vlida
Hiptesis no vlida
Durante los intervalos de tiempo en los cuales la tensin v
i
es de -10V la hiptesis es correcta y los
resultados obtenidos en el anlisis tambin lo sern: 0 0 10 = = = i V v V v
R D
Durante los intervalos de tiempo en los cuales la tensin v
i
es de 10V la hiptesis NO es correcta y los
resultados obtenidos en el anlisis tampoco lo sern. Por tanto hay que considerar la hiptesis el diodo
conduce para estos intervalos.
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Paso 1: Hiptesis
El diodo conduce (utilizamos el modelo 2 del diodo
en conduccin):
Materiales semiconductores y la unin PN
v
i
+
1K
Proponer una hiptesis
sobre el modo de operacin
Resolver el circuito utilizando
el modelo equivalente para ese
modo de operacin
Verificar la hiptesis
Paso 2: Resolver el circuito
V v v
R
V v
i
i R
i
6 ' 0
6 ' 0
=

=
V 6 ' 0
R
v
i
Paso 3: Verificar la hiptesis
El diodo estar en conduccin siempre que la corriente i
D
sea positiva:
V v i v
R
V v
i i
i D i
i
D
6 ' 0 0
6 ' 0
> > =

= =
Puesto que se est analizando el intervalo en el que v
i
es igual a 10V, la hiptesis se puede dar
por vlida. Por tanto, las tensiones y corrientes en el circuito cuando la tensin de entrada toma
el valor de 10V positivos son:
mA i V v V v
R D
4 ' 9 4 ' 9 6 ' 0 = = =
27
Ejercicio 2: Se desea determinar la forma de onda de la
tensin en el diodo y en la resistencia cuando el circuito de la
figura se alimenta con la siguiente v
i
:
Materiales semiconductores y la unin PN
v
i
+
1K
El diodo utilizado tiene una tensin umbral de 0,6V y su resistencia serie en conduccin se
puede considerar despreciable.
) 314 ( 6 t sen v
i
=
Los ejercicios 2, 3 y 4 que se proponen a continuacin pretender servir de entrenamiento en el
anlisis de circuitos que incluyen diodos.
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Ejercicio 3: Se desea determinar el valor de la
tensin v
o
cuando el circuito de la figura se alimenta
con los siguientes valores de v
i
:
Materiales semiconductores y la unin PN
v
i
+
v
o
Los diodos utilizados tienen una tensin umbral de
0,6V y su resistencia serie en conduccin se puede
considerar despreciable.
V v
V v
i
i
1
3
=
=
1K
D1
D2
29
Ejercicio 4: Se desea determinar la
tensin v
o
y la corriente i
i
cuando el
circuito de la figura se alimenta con
los siguientes valores de v
i
:
Materiales semiconductores y la unin PN
v
i
+
2,2K
Los diodos utilizados tienen una tensin umbral de
0,6V y su resistencia serie en conduccin se puede
considerar despreciable.
) 314 ( 3
3
1
3 ' 0
t sen v
V v
V v
V v
i
i
i
i
=
=
=
=
1K
D1
D2
v
o
i
i