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HISTORIA Y FUNDAMENTOS FISICOS DEL TRANSISTOR

Una vez que se acab la segunda Guerra Mundial se inici en los Bell
Laboratories, en Estados Unidos, un programa de investigacin bsica
sobre teora de slidos. Uno de los resultados de este esuerzo ue el
transistor. En esa !poca la teora cuntica, es decir, la teora sica que
describe los enmenos microscpicos "a estaba bien establecida.
La teora cuntica #aba abierto la posibilidad de entender las
propiedades de los slidos a partir de su estructura atmica. La direccin
de los laboratorios Bell esperaba que a trav!s de un pro"ecto de
investigacin interdisciplinaria se adquirieran suicientes conocimientos
acerca de los slidos para dise$ar " abricar materiales que se utilizaran
en el desarrollo de nuevos " me%orados componentes " elementos para
sistemas de comunicaciones.
&e orm el grupo para investigar los semiconductores, que estuvo
integrado por los sicos 'alter (. Brattain, 'illiam &c#oc)le", *o#n
Bardeen, Gerald +earson " el sico,qumico -obert Gibne". .anto
&#oc)le" como Barden #aban estudiado a ondo la teora cuntica
mientras que Brattain #aba llevado un curso de posgrado en la materia.
En /012 ormaron otros grupos de estudio de semiconductores para estar
al da en el campo. &e dieron cuenta de que durante la guerra se #aban
logrado notables avances en la utilizacin de los semiconductores silicio "
germanio como detectores para el radar. &e #aba tenido que recurrir a
estos semiconductores porque en el radar se empleaban se$ales
el!ctricas de mu" alta recuencia que los tubos al vaco, con todos los
adelantos logrados, no podan mane%ar adecuadamente. En la primera
parte del presente siglo "a se #aban usado semiconductores 3la galena,
por e%emplo4 como detectores de ondas electromagn!ticas antes del
invento del tubo al vaco. 5urante la guerra varios laboratorios #aban
logrado progresos en la comprensin del comportamiento de los
semiconductores, as como en la preparacin de muestras de silicio "
germanio.
Las propiedades el!ctricas de las sustancias dependen del grado de
libertad que tengan sus electrones. +ara esto baste decir que los
electrones de los tomos estn acomodados alrededor del n6cleo en
capas, " en cada una #a" un n6mero m7imo de electrones8 dos en la
primera capa, oc#o en la segunda, /9 en la tercera, etc. Los electrones de
un tomo van ocupando sucesivamente las capas, a partir de la interior,
#asta llegar a agotar los electrones. Entonces, si un tomo tiene,
digamos, oc#o electrones 3que corresponde al elemento o7geno4, dos
ocupan la primera capa " los seis restantes ocupan la segunda: por lo
tanto, en el o7geno la 6ltima capa no queda completa. &e muestra un
diagrama esquemtico de la estructura de capas de los primeros once
tomos de la tabla peridica. ;s, el litio 3Li4 tiene solamente un electrn
en su capa e7terna: el boro 3B4 tiene tres: el carbn, cuatro: el nen, oc#o,
o sea que queda completa. <on base a estos #ec#os se constru"e la
tabla peridica de los elementos. En el siglo pasado el ruso 5imitri
Mendel!ev ide esta tabla en orma emprica, " que slo pudo ser
e7plicada con undamento una vez que se aplic la mecnica cuntica a
la estructura atmica en el presente siglo.

Estructura de las capas electrnicas de algunos tomos.
Los electrones que estn en capas completas quedan uertemente
atrapados al tomo, mientras que la atraccin es d!bil para los electrones
de la 6ltima capa, si !sta no est completa: as, mientras menos
electrones #a"a en la 6ltima capa, menor ser la uerza con la que
queden atrapados. +or lo tanto, en aquellos elementos con un solo
electrn en su 6ltima capa, como !ste est mu" d!bilmente unido al
tomo podr separarse de !l con muc#a acilidad, " as este electrn
quedar disponible para que el elemento conduzca mu" bien electricidad.
=tomos con un solo electrn en su capa e7terna son el sodio, el cobre, la
plata, el oro, etc., elementos que son buenos conductores de electricidad.
Los tomos que tienen capas e7ternas llenas de electrones e%ercen una
uerte atraccin sobre ellos " por tanto no son buenos conductores de
electricidad. +ara que sirvieran a este propsito se requeriran uerzas
mu" elevadas sobre los electrones e7ternos, que implicara aplicar
volta%es mu" altos a la sustancia. Los elementos que tienen sus capas
e7ternas completas son el #elio, el nen, el argn, etc., llamados gases
nobles.
Los tomos " mol!culas son entes que tienen niveles de energa bien
deinidos para cada uno de ellos. El estado que tiene el valor ms ba%o de
la energa se llama base, mientras que los estados con valores ma"ores
de la energa se llaman e7citados. ; la secuencia de niveles mostrada en
la igura se le llama el espectro de energa del tomo en cuestin.
5istintos tomos tienen dierentes espectros de energa. En cualquier
instante el tomo solamente puede tener una de las energas de sus
niveles, es decir, el tomo no puede poseer una energa que tenga un
valor que se encuentre entre dos valores de sus niveles. &e dice que la
energa est cuantizada. &i el tomo e7perimenta determinado proceso es
posible que cambie su energa, por e%emplo, a causa de una colisin con
otro tomo, de una descarga el!ctrica, de calentamiento, etc. En este
caso, el tomo puede pasar del nivel de energa en que se encuentra a
otro nivel, por e%emplo pasar del estado base al primer estado e7citado, o
al segundo, etc., pero solamente puede empezar " terminar en !l alguno
de sus niveles permitidos. Esto signiica que en las transiciones del
tomo, los cambios de energa que puede e7perimentar son iguales a las
separaciones 3E4
1
, 3E4
2
etc., que corresponden a las dierencias de las
energas entre cualquier pare%a de sus niveles. ;s, se dice que #a" una
transicin entre los niveles involucrados. +or otro tipo de motivos que no
vienen al caso, puede ocurrir que alguna de estas transiciones est!
pro#ibida.


Espectro de energa de un tomo.
&i la transicin es de un nivel ba%o a otro superior, se dice que el tomo
absorbe energa 3igual a la dierencia entre los valores de las energas de
dic#os niveles4: mientras que si pasa de un nivel alto a otro ms ba%o, se
dice que el tomo emite energa 3igual a la dierencia entre los valores de
las energas de dic#os niveles4. Lo anterior signiica que un tomo
solamente puede absorber o emitir energa en cantidades perectamente
determinadas, que son iguales a los valores de las dierencias de las
energas entre las pare%as de niveles cu"as transiciones sean permitidas.
(asta este momento #emos #ablado solamente de tomos aislados, que
no e7perimentan ninguna uerza. &in embargo, cuando los tomos orman
un slido ocurren enmenos colectivos entre ellos puesto que sus
densidades son mu" altas, lo que signiica que estn mu" %untos, por lo
que las uerzas que e%ercen unos sobre otros son de gran consideracin:
como consecuencia, los niveles de energa de los electrones se modiican
considerablemente. ;#ora, en lugar de tener un con%unto de valores bien
precisos, se orman intervalos de energas permitidas separados por
valores de energa que son pro#ibidos. En la siguiente igura se muestra
un diagrama de la energa de un slido #ipot!tico. En este caso, los
electrones pueden tener energas entre los valores E
1
" E
2
, entre E
3
" E
4
etc. &in embargo, no pueden tener energas entre E
2
" E
3
. ;l dominio de
energas que s pueden ser adquiridas se les llama bandas permitidas " al
dominio en que no pueden tenerlas se les llama bandas pro#ibidas. &e
dice que los slidos tienen una estructura de bandas. ;#ora bien, los
electrones que tienen los tomos de un slido van ocupando las bandas
permitidas de aba%o #acia arriba consecutivamente, de manera anloga a
como lo #acen en tomos aislados. Una vez que se ocupa una banda, los
electrones restantes, si es que los #a", empiezan a ocupar la siguiente
banda permitida.


En un slido, el espectro de energa forma bandas tanto permitidas como
prohibidas.
(a" varias posibilidades, una de ellas es que los tomos de una sustancia
va"an llenando las capas permitidas " que todava queden electrones que
al empezar a ocupar la 6ltima banda permitida no la llenen
completamente. Los electrones que est!n en la 6ltima banda incompleta
podrn desprenderse de los tomos con muc#a acilidad, por tanto,
podrn conducir mu" bien electricidad " la sustancia es, en consecuencia,
un buen conductor de electricidad.
; las bandas que se ocupan completamente se les llama bandas de
valencia " a las que se ocupan parcialmente se les llama de conduccin.
>tra posibilidad es que los electrones de un slido llenen completamente
las bandas permitidas " al completar la 6ltima "a no #a"a ms electrones
disponibles. +or la tanto la siguiente banda permitida, que sera de
conduccin, queda vaca. +ueden a#ora darse dos casos.
1) En el primero, la separacin de E entre la 6ltima banda de valencia
3completa4 " la de conduccin 3vaca4 es mu" grande. En este caso, para
que un electrn que est en la parte superior de la banda de valencia
pueda pasar a la de conduccin tiene que adquirir por lo menos la energa
E, que en general es mu" dicil de dar e7ternamente. (a" varias
maneras de proporcionar esta energa8 por medio de un volta%e, que en
nuestro caso sera e7tremadamente alto, o bien, aumentando la
temperatura del slido, que tambi!n tendra que ser un aumento
desproporcionado. En consecuencia, los electrones quedan bien unidos a
los tomos " no pueden dar lugar a una corriente el!ctrica. Este es el
caso de un aislador.
2) El segundo caso es cuando la separacin entre la 6ltima banda de
valencia 3completa4 " la de conduccin 3vaca4 es mu" peque$a. &i la
temperatura es relativamente ba%a no #a" electrones en la banda de
conduccin " por consiguiente la sustancia se comporta como un aislador.
&in embargo, con una energa mu" peque$a que se le proporcione, por
e%emplo, con un peque$o volta%e o bien con un ligero aumento de
temperatura, varios electrones pasarn a la banda de conduccin sin
llenarla, " por tanto, la sustancia se comportar como un conductor. ; este
tipo de slidos se les llama semiconductores. En su ase slida el
germanio " el silicio son e%emplos de semiconductores.
>tra orma de e7plicar lo anterior es la siguiente8 los semiconductores
estn constituidos por tomos que tienen cuatro electrones en su 6ltima
capa. <uando orman un slido cada electrn es compartido por dos
tomos vecinos. &e puede decir que el electrn de un tomo se mueve
#acia el #ueco que #a" en la 6ltima capa 3que no est llena4 del tomo
vecino. ; este tipo de comportamiento se le llama ligadura covalente. +or
tanto, en esta sustancia no #a" electrones disponibles para conducir
electricidad. En esta situacin la banda de conduccin del slido est
vaca. &i se le aumenta un poco la temperatura al semiconductor, algunos
de los electrones se escaparn " "a no ormarn la ligadura covalente:
estos electrones pasaron a la banda de conduccin " estn disponibles
para conducir electricidad.


La ltima capa de un semiconductor (en este caso germanio, e) tiene
cuatro electrones, !ue son compartidos con el tomo "ecino. Esto es la
co"alencia. Los circulos negros denotran electrones.
&upongamos a#ora que en el semiconductor se sustitu"e tino de los
tomos por otro que tenga cinco electrones de valencia, por e%emplo un
tomo de soro, en este caso, cuatro de los electrones de su capa
e7terior se ocuparn de ormar ligaduras covalentes con los tomos de
germanio vecinos, mientras que el quinto electrn, por decirlo as, queda
libre. Este puede servir para conducir electricidad. En consecuencia, se
puede me%orar la capacidad de conducir electricidad de un semiconductor
introduci!ndole impurezas o, como se dice en la %erga de los
especialistas, ?dopndolo? 3del ingl!s dope). ; un semiconductor as
dopado se le llama #.

$na impure%a de fsforo (&) permite !ue ha'a un electrn libre, !ue sir"e
para conducir la electricidad.
>tra posibilidad sera reemplazar uno de los tomos del semiconductor
por otro que tenga solamente tres electrones en su capa e7terna, como
por e%emplo, el boro. En este caso, los tres electrones del boro sirven de
ligaduras con tomos vecinos, quedando la cuarta de las ligaduras vaca.
;#ora uno de los electrones de un tomo vecino orma la ligadura altante,
pero al #acerlo de%a un #ueco en el tomo que ocupaba originalmente. En
seguida, un electrn de otro tomo pasa a ocupar el lugar altante,
de%ando a su vez un #ueco " as sucesivamente. @os damos cuenta de
que el #ueco o agu%ero se #a ido propagando. Estos agu%eros tienen la
misma masa que el electrn, pero debido a que eectivamente es una
ausencia de electrn, o sea de carga negativa, el agu%ero tiene carga
eectiva positiva. +or tanto, este semiconductor con impurezas de boro da
lugar a una corriente el!ctrica de agu%eros positivos que tiene sentido
opuesto a la de una corriente de electrones. Los agu%eros se comportan
como si ueran partculas. ; este tipo de semiconductor se le llama +. Lo
que ocurre es algo similar a cuando se tiene una #ilera de monedas con
una altante. <uando cada moneda se mueve para ocupar el espacio
vaco, el agu%ero se mueve a lo largo de la #ilera en sentido opuesto a las
monedas.


$na impure%a de boro (() da lugar a un d)ficit de un electrn, !ue
e!ui"ale a un agu*ero positi"o.


+l mo"erse las monedas hacia la i%!uierda, el agu*ero se mue"e a la
derecha.
En cualquiera de los dos casos, la conductividad el!ctrica del
semiconductor se aumenta sustancialmente si se le a$aden impurezas de
cualquiera de los dos tipos en partes por milln. Una consecuencia
importante es que en semiconductores con impurezas el n6mero de
electrones que conducen electricidad puede ser controlado.
*untemos dos bloques, uno de semiconductor & " otro #. La magnitud de
la corriente el!ctrica que lu"a depende del sentido del volta%e aplicado. &i
el bloque & se conecta a la terminal positiva de una batera " el # a la
terminal negativa, entonces ocurre lo siguiente8 como en el bloque & #a"
agu%eros positivos, !stos son repelidos #acia el bloque # " atrados #acia
la terminal negativa (, por tanto, #a" una corriente de agu%eros de + a (,
es decir, a trav!s del dispositivo " llegan a la batera. +or otro lado, en el
bloque # #a" electrones negativos que son repelidos por ( " atrados por
+, en consecuencia, los electrones lu"en de ( a + cruzando el dispositivo
" llegando a la batera. En resumen, #a" una doble corriente el!ctrica8 de
electrones negativos de ( a + " de agu%eros positivos de + a (. Estas
corrientes son, en general, apreciables.


$n blo!ue # ' otro & unidos permiten el paso de corriente el)ctrica si
estn conectados a la batera como se muestra.
Aeamos a#ora qu! ocurre si se conectan los bloques de manera opuesta.
En este caso, los agu%eros de & son atrados #acia + " repelidos por (,
con el resultado de que no cruzan el dispositivo. +or otro lado, los
electrones de # son atrados por ( " repelidos por +, lo que ocasiona que
tampoco crucen el dispositivo. En consecuencia, no #a" corriente a trav!s
del dispositivo " el circuito est, de #ec#o, abierto.
En resumen, en el dispositivo mostrado en la igura anterior solamente
circula electricidad cuando la polaridad de la batera es la que se muestra
en la igura, mientras que si se invierte la polaridad, no #a" corriente. &e
puede tambi!n pensar que este enmeno ocurre debido a que la
resistencia del dispositivo no es la misma cuando la corriente circula en
un sentido que cuando circula en el opuesto. En un sentido la resistencia
es mu" peque$a " por tanto es cil que circule electricidad, mientras que
en el sentido opuesto la resistencia crece enormemente impidiendo la
corriente el!ctrica. 5e esta orma se consigue un dispositivo que unciona
de manera similar al diodo construido con un tubo al vaco " recibe el
nombre de diodo semiconductor: debido a sus propiedades descritas se
utiliza como rectiicador de corriente.
&upngase a#ora que construimos otro dispositivo que consiste en dos
bloques semiconductores tipo # " uno e7tremadamente delgado de tipo
&, el bloque &, llamado base 3denotado por (), queda entre los dos #. &i
a#ora se conecta uno de los bloques #, llamado emisor 3denotado por E),
a la terminal negativa de una batera, " el otro bloque #, llamado colector
3denotado por -), a la positiva, entonces los electrones del emisor son
repelidos por + " atrados por ., por lo que cruzan la base " llegan al
colector, dando lugar a que #a"a una corriente en el circuito a trav!s de la
batera 3" si #ubiera una carga como una resistencia, la corriente la
atravesara4. La magnitud de la corriente que llegue a circular depende de
varios actores. uno de ellos es el volta%e de la batera: mientras ma"or
sea !ste, ma"or ser la corriente. >tro de los actores es la polaridad de
la base. &i la base es positiva, los electrones que vienen del emisor sern
atrados por la base " se acelerarn, por lo cual #abr ma"or corriente a
trav!s del dispositivo. &i por otro lado la base es negativa, entonces cierto
n6mero de electrones que vienen del emisor sern rec#azados " se
regresarn, disminu"endo la corriente neta: en el caso e7tremo en que la
polaridad de la base, siendo negativa, tenga una magnitud mu" grande,
rec#aza todos los electrones " prcticamente no #a" corriente. ;s, la
polaridad de la base controla " modiica la corriente que circula a trav!s
del dispositivo. ;simismo, la corriente puede intensiicarse, dependiendo
del volta%e de la batera. En consecuencia, este dispositivo ampliica la
se$al que muestre la base. +ero este comportamiento es precisamente el
que tiene el triodo construido con un tubo al vaco.
El ctodo equivale al emisor,
El nodo equivale al colector,
La re%illa equivale a la base.
El dispositivo descrito se llama triodo #&#.

Es!uema de un triodo semiconductor #&#.
.ambi!n se puede construir un dispositivo en que un bloque # mu"
delgado queda entre dos bloques &, llamado triodo #&#. &u
uncionamiento es completamente similar al triodo #&#, solamente que
las polaridades quedan invertidas.
; los dispositivos que se constru"en con combinaciones de bloques
ormados de semiconductores # " & se les llama gen!ricamente
transistores.
5urante /012 a /010 el grupo de la compa$a Bell desarroll la teora de
los transistores, la veriic e7perimentalmente " constru" diodos "
triodos. En el a$o de /02B Bardeen, &#oc)le" " Brattain recibieron el
+remio @obel de Csica por el brillante traba%o que desemboc en la
invencin del transistor. (emos de mencionar que Bardeen recibi en
/0DE nuevamente el +remio @obel de Csica, a#ora en compa$a de *. -.
&c#rieer " L. @. <ooper, por #aber desarrollado la teora de la
superconductividad.
VENTAJAS DEL TRANSISTOR
Los transistores tienen varias venta%as sobre los tubos al vaco. En primer
lugar, para que uncione un tubo al vaco su ctodo debe calentarse, "
esto se logra pasando una corriente cercana a !l. El volta%e tpico que se
requiere para lograr esto es de E2F A. Una vez conectado este volta%e se
necesita esperar determinado tiempo #asta que se caliente el ctodo. +or
tanto, cualquier aparato que use tubos al vaco no unciona
inmediatamente despu!s de #aberse conectado. El transistor no requiere
este calentamiento, por lo que empieza a uncionar inmediatamente
despu!s de su cone7in. En consecuencia, el uso de un transistor en
lugar de tubos al vaco a#orra muc#a energa, " por tanto, resulta ms
econmico.
En segundo lugar, la respuesta del transistor a se$ales de recuencias
mu" altas es mu" eectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vaco.
<omo el tama$o de un transistor es muc#o menor que el de los tubos al
vaco, con !l se inici la miniaturizacin de los aparatos electrnicos.
El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, "a
que se le pudo utilizar de manera mu" general en una gran variedad de
aparatos. En las d!cadas de /02F " /0BF se constru"eron radios,
computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, etc., que
gracias a los transistores ueron de tama$os relativamente peque$os,
porttiles, con requerimientos de energa mu" reducidos " de larga vida.
En gran medida, en las d!cadas mencionadas los transistores
sustitu"eron a los tubos al vaco. &in embargo, para ciertas aplicaciones
mu" especicas los tubos #an tenido venta%as sobre los transistores. ;s,
se emplean para transmisores de radio de potencia alta " mediana, para
ampliicadores de microondas " osciladores, para tubos de ra"os
catdicos como los que se usan en las televisiones, monitores, pantallas
de diversos aparatos, etc!tera.
2. FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR
En resumen, los transitores son dispositivos electrnicos de estado slido,
cuando sobre un semiconductor se ponian dos puntas metalicas " a una
se le aplicaba una cierta tension, la corriente en la otra venia inluenciada
por la de la primera: a la primera punta se la denomina emisor: al
semiconductor , base " a la otra punta, colector. +osteriormente se
encontro que igual enomeno ocurria si se unian dos semiconductores
polarizados en sentido inverso a otro de distinto tipo: asi se constru"en los
transistores de union, que son los mas empleados. &egun la estructura de
sus uniones, los transitores pueden se p,n,p o n,p,n: sustitu"en con
venta%as a los triodos de vacio " valvulas termoionicas multielectrodicas,
al menos en lo que a ba%as potencias se reiere.
El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar
de estado, permitiendole cambiar o ampliicar de acuerdo a las
condiciones de traba%o " dise$o, luctuando entre un estado conductor "
uno insulador.
Insulac!n
La graica muesta al transitor en su eecto de cambio cuando el transistor
esta #ec#o para alterar su estado de inicio de conductividad 3prendido, la
corriente al ma7imo4 a su condicion inal de insulacion 3apagado " sin lu%o
de corriente4. La corriente lu"e desde el emisor 3punto E4 al colector
3punto <4. <uando un volta%e negativo se le aplica a la base 3punto B4,
electrones en la region base son empu%ados 3como dos cargas que se
repelan, en este caso dos negativas4 creando la insulacion. La corriente
que luia desde el punto E al punto < se detiene.
C"n#uc$%#a#
La graica muestra el eecto del transistor cuando pasa de su estado de
insulacin 3apagado " sin lu%o de corriente4 a su estado inal de
conductividad 3prendido, la corriente al ma7imo4. El transistor traba%a al
principio como un insulador. +ara que pueda tener conductividad, volta%e
positivo tiene que ser aplicado a la base 3punto B4. <omo las cargas
positivas se atraen 3en este caso, positivo " negativo4, los electrones se
#alados uera de los limites " de%a que siga el lu%o de corriente como lo
muestra la igura. El transistor se cambio de insulador a conductor.
El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la
polarizacin en el electrodo de base con respecto al potencial de emisor.
Ajustando la polarizacin a un punto situado aproximadamente a mitad
de camino entre el corte y la saturacin se situar el punto de trabajo
del transistor en la regin activa de funcionamiento.Cuando funciona en
esta regin el transistor es capaz de amplificar. Las caractersticas de un
transistor polarizado en la regin activa se pueden expresar en trminos
de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo !ue en los tubos de
vaco.
El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos
matemticos por medio de ecuaciones !ue expresan las relaciones entre
sus corrientes" tensiones" resistencias y reactancias. Estas relaciones se
denominan parmetros #bridos y definen los valores instantneos de
tensin y de corriente !ue existen en el circuito sometido a examen. Los
parmetros permiten predecir el comportamiento del circuito en
particular sin construirlo realmente.
A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms $tiles en las
aplicaciones del transistor%
- Ganancia de resistencia: &e expresa como razn de la resistencia
de salida a la resistencia de entrada.La resistencia de entrada de
un transistor tpico es baja" aproximadamente '(( o#mios"
mientras la resistencia de salida es relativamente alta"
ordinariamente ms de )(.((( o#mios.*ara un transistor de unin
la ganancia de resistencia suele ser mayor de '(.
- Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de
resistencia.+n transistor de unin !ue tiene un valor de alfa
menor !ue la unidad" no obstante" una ganancia de resistencia del
orden de ).((( a causa de !ue su resistencia de salida es
extremadamente alta" y la ganancia de tensin es
aproximadamente ,.-((.
- Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado
y la ganancia de resistencia" y es del orden de .(( o '((.
/ay tres configuraciones bsicas% conexin de base a masa" conexin de
emisor a masa y conexin de colector a masa. Las tres corresponden"
aproximadamente" a los circuitos de rejilla a masa" ctodo a masa y
placa a masa en la terminologa del tubo de vaco.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta
impedancia de salida" y desde el circuito de entrada #asta el de salida
no se produce inversin de fase de la se0al. El circuito de emisor a masa
tiene una impedancia de entrada ms alta " una impedancia de salida
ms ba%a que el circuito de base a masa, " se produce una inversin de
ase entre la se$al de entrada " la de salida. Esto proporciona
ordinariamente la m7ima ganancia de tensin en un transistor.El circuito
de colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente alta,
impedancia de salida ba%a " no produce inversin de ase de la se$al
desde el circuito de entrada #asta el de salida. La ganancia de potencia "
la ganancia de tensin son ambas ba%as.
3. NOMENCLATURA DE LOS TRANSISTORES
Los transistores generalmente se dividen en grupos de produccin
clasificados como 1 entretenimiento 1" 1 industrial 1 y 1 militar 1. Las dos
$ltimas clasificaciones suelen re!uerir varios ensayos e implica
tolerancias ms estrec#as y una documentacin de calidad" mientras !ue
los transistores procedentes de la misma lnea de produccin !ue tienen
una especificacin menos rigurosa se incluyen a menudo en la categora
primera" ms econmica. Los tipos de semiconductores se numeran de
acuerdo con varios sistemas. El estndard ms antiguo es el sistema
2E3EC. El primer n$mero de este identificador indica el n$mero de
uniones 4 ,5diodo" )5 triodo" 65tetrodo y .5#eptodo 7. La letra 8 denota
semiconductor" y va seguido de un n$mero de orden por el cual se #a
registrado el dispositivo.
Los fabricantes europeos emplean una nomenclatura o identificacin
consistente en n$mero de tipo !ue se compone de dos o tres letras
seguidas de dos o tres n$meros" indicando las letras el tipo del transistor
y el uso" y los n$meros indican el n$mero de orden en la clasificacin
particular. Los transistores japoneses suelen estar indentificados por el
cdigo )&" seguido de una letra identificadora y un n$mero de
orden.Adems de estos cdigos generalmente reconocidos" se #an
adoptado muc#os otros cdigos por fabricantes individuales" y tambin
estn en uso.

4. TRANSISTORES DE &OTENCIA Y DISTINTOS TI&OS DE
TRANSISTORES.
Mientras los circuitos integrados se usan para aplicaciones de peque$as
se$ales " ba%a potencia, la ma"ora de las aplicaciones de alta potencia
todava requieren transistores de potencia discretos. Las me%oras en las
t!cnicas de produccin #an proporcionado potencias ms altas en
encapsulados de tama$o peque$o: tambi!n #an aumentado el volta%e de
ruptura m7imo de transistor " #an proporcionado transistores de potencia
con una velocidad de conmutacin ma"or.
La potencia m7ima mane%ada por un dispositivo particular " la
temperatura de las uniones del transistor estn relacionadas, debido a
que la potencia disipada por el dispositivo causa un incremento de
temperatura en la unin del dispositivo. Es obvio que un transistor de
/FF' proporcionar ms capacidad de potencia que un transistor de
/F'.
&e debe #acer notar que de los dos tipos de transistores bipolares
3germanio " silicio4, aquellos de silicio proporcionan temperaturas
nominales m7imas. +or lo general, la temperatura m7ima de unin de
estos tipos de transistores de potencia es8
&ilicio8 /2F,EFFG<
Germanio8 /FF,//FG<
+ara muc#as aplicaciones, la potencia promedio disipada puede
apro7imarse mediante8
+5 H A<EI<
&in embargo, esta disipacin de potencia se permite solamente #asta una
temperatura m7ima.
+or arriba de esta temperatura se debe reducir la capacidad de disipacin
de potencia del dispositivo 3o p!rdida de disipacin4 para que a
temperaturas superiores del encapsulado se reduzca la capacidad de
mane%o de potencia, llegando a F' a la temperatura m7ima del
encapsulado del dispositivo.
Entre ma"or sea la potencia mane%ada por el transistor, ma"or ser la
temperatura del encapsulado. En la actualidad, el actor limitante en el
mane%o de potencia por un transistor particular es la temperatura de la
unin del colector del dispositivo. Los transistores de potencia estn
montados en encapsulados metlicos grandes para orecer un rea
grande a partir de la cual pueda radiar 3transerirse4 el calor generado por
el dispositivo. ;un as, la operacin de un transistor directamente en el
aire 3montado en una tar%eta de plstico, por e%emplo4 limita severamente
la potencia nominal del dispositivo. &i en vez de ello 3como es lo usual4 se
monta el dispositivo en alg6n tipo de disipador de calor, su capacidad de
mane%o de potencia puede acercarse ms al valor de su potencia nominal
m7ima.

<urva de p!rdida de disipacin de
potencia tpica para os transistores de
silicio.
El uncionamiento " utilizacin de los transistores de potencia es id!ntico
al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales
las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar ", por tanto, las
altas potencias a disipar.
4.1. TI&OS DE TRANSISTORES
E7isten tres tipos de transistores de potencia8
, Bipolar.
, Unipolar o CE. 3.ransistor de Eecto de <ampo4.
, IGB. o .ransistores Bipolares de compuerta aislada.
4.1. 1. T'anss$"'(s B)"la'(s*
Los transistores Bipolares son dispositivos controlados por corriente,
estos se orman por una capa de material tipo + emparedada entre dos
capas de material tipo @, o una de tipo @ emparedada entre dos de tipo +.
En el primer caso se tiene un transistor @+@ " en el segundo un transistor
+@+.
La region central se denomina base 3B4 " los dos e7tremos emisor 3E4 "
colector 3<4, la base es sumamente estrec#a " poco dopada en relacin
con el emisor " colector, por lo que tiene mu" ba%a concentracin de
portadores.
El emisor esta uertemente dopado, " la concentracion de portadores
ma"oritarios disponibles supera ampliamente los de la base, mientras que
el colector es bastante amplio " dotado con una alta concentracin de
portadores minoritarios en relacin a la base " pocos ma"oritarios
respecto al emisor. En el caso de un @+@, la base no posee la suiciente
cantidad de #uecos para combinarse con todos los electrones que puede
suministrar el emisor, por lo que la ma"oria de electrones atraviezan la
base en direccion al colector.
; continuacin se muestra en la graica las representaciones tipicas de
transistores bipolares tipo @+@ " +@+ 3izquierda4, La estructura de capas
de una coniguracin @+@ 3medio4, <omo se distribu"en las terminales en
un transistor bipolar 3derec#a4, el circuito equivalente resultante 3aba%o
izquierda4 " la curva caracteristica de estos transistores de <orriente del
colector contra volta%e
5ebido a como se alternan las capas + " @, e7isten E uniones +@
3emisor,base EB " colector,base <B4 " estas deben polarizarse de modo
que se polarize la union EB directamente " <B inversamente, en este
caso, la polarizacin de la unin EB la provee el volta%e Abb " la de la
union <B el volta%e Acc. +or esto, en un transistor @+@ la base debe ser
positiva con respecto al emisor "negativa con el colector. ;nalogamente,
en un transistor +@+ la base debe ser negativa respecto al emisor "
positiva para el colector.

<omo resultado de la polarizacin se producen J corrientes8 la de base
3Ib4, la del emisor 3Ie4 " la del colector 3Ic4. 5ebido a que la unin BE esta
polarizada directamente, los portadores ma"oritarios de ambas regiones
son obligados por el volta%e Abb a cruzar la unin " combinarse
mutuamente. En el caso de un transistor @+@, una parte de los
electrones suministrados por el emisor 3del /K al 2K4 se combinan con
los pocos #uecos disponibles en la base, esto origina una corriente de
base 3Ib4 relativamente peque$a.
Los electrones restantes 302K al 00K4 son atraidos #acia el colector por
la uerte tensin inversa de polarizacin Acc de la unin <B, pasan a
rtaves de la e7tensa regin del colector " se dirigen #acia el polo positivo
de la bateria Acc, creando una corriente Ic mu" intensa. Las corrientes de
colector Ic " de base Ib estan relacionadas con la corriente del emisor de
acuerdo a8
Ie H Ib L Ic
La capacidad de ampliicacin de un transistor se mide observando el
eecto de la corriente de base Ib sobre la corriente de colector Ic para un
determinado valor de Ace. La relacin incremental entre ambas
cantidades se denomina ganancia de corriente Beta " se representa
mediante el simbolo M o #e " corresponde a8
(e H Nic O NIb
Encapsulado8
Los transistores se abrican en serie, ormando simultaneamente varios
cientos o millares de unidades sobre una oblea semiconductora de J9 a
2F mm de diametro " luego cortandolos uno por uno. Las t!cnicas de
abricacin mas utilizadas son la aleacin, diusin, el proceso planar " el
crecimiento epita7ial. Una vez construidos los transistores se #ospedan
en capsulas plasticas o metalicas. La capsula protege el transistor de la
#umedad " los contaminantes, sirve como disipador de calor, proporciona
los pines de acceso, " acilita su manipulacion e identiicacion.
4.1.2. T'anss$"'(s #( (+(c$" #( ca,)" -FET.
&on dispositivos de tres terminales controlados por volta%e, se encuentran
constituidos por un material de base tipo @ o + llamado sustrato, dentro
del cual se orma una region de tipo opuesto en orma de U llamada
canal, ligeramente dopada. El sustrato actua como compuerta o gate 3G4,
uno de los e7tremos del canal como uente o source 3&4 " el otro como
drenador o drain 354. Entre la compuerta " el canal se orma una unin
+@, este tipo de CE. se denominan CE.s de unin o *CE.s.
En la ma"oria de los casos, el dise$o del canal es simetrico, por lo que
cualquiera de los e7tremos se puede utilizar como drenador o como
uente, sin embargo e7isten casos especiales en los cuales el canal es
asimetrico " por consiguiente no se pueden intercambiar estos terminales.
Los *CE.s pueden ser de canal @ o canal +, dependiendo del dopado del
canal.
+olarizacin8
Los *CE.s necesitan ser polarizados mediante dos tensiones e7ternas.
La tensin Add dirige el paso de los portadores de corriente por el canal "
la tension Ags regula su cantidad. Esta ultima polariza inversamente la
union @+ entre el canal " el sustrato. En un *CE. de canal @, la uente
debe ser positiva con respecto a la compuerta " negativa con respecto al
drenador.
El eecto neto de la polarizacin es la creacin entre el drenador " uente
de una corriente de drena%e Id, la cual circula a lo largo del canal, "
depende del volta%e Ags. +or tanto, el canal actua como una resistencia
variable. En el caso de un *CE. de canal @, la tension Ags crea en sus
pro7imidades de la unin sustrato,canal una zona de agotamiento, libre
de electrones. Esta se orma por completo dentro del canal debido a la
uerte concentracin de #uecos en el sustrato " una ba%a concentracin de
electrones en el canal.
El espesor de la zona de agotamiento determina el area util o eectiva del
canal, " su capacidad de de%ar pasar mas o menos electrones. La regin
de agotamiento se e7tiene a lo largo de las paredes del canal, siendo mas
amplia en el lado del drenador que en el de la uente, esto debido a que
desde el punto de vista de la compuerta el drenador esta sometido a una
tensin inversa de polarizacin mas alta 3Add L Ags4 que la uene 3Ags4
&i el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la ma"or
parte de la capa estar ormada por el canal. &i al tensin de la puerta es
cero, " Ads H F, las capas desiertas proundizan poco en el canal " son
uniormes a todo lo largo de la unin.
&i Ads se #ace positiva 3 " Ags sigue siendo cero4 por el canal circular
una corriente entre sumidero " uente, que #ar que la polarizacin
inversa de la unin no sea uniorme en toda su longitud ", en
consecuencia, en la parte ms pr7ima al sumidero, que es la ms
polarizada, la capa desierta penetrar ms #acia el interior del canal.
+ara valores peque$os de Ads, la corriente de sumidero es una uncin
casi lineal de la tensin, "a que la penetracin de la capa desierta #acia el
interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. &in
embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambi!n la
polarizacin inversa, la capa desierta proundiza en el canal " la
conductancia de !ste disminu"e. El ritmo de incremento de corriente
resulta, en consecuencia, menor " llega un momento en que el canal se
#a #ec#o tan estrec#o en las pro7imidades del sumidero que un
incremento de Ads apenas tiene eecto sobre la corriente de sumidero.
Entonces se dice que el transistor est traba%ando en la zona de estriccin
3pinc#,o4, nombre cu"o origen se evidencia en la igura anterior,
llamndose tensin de estriccin Ap a la del punto de transicin entre el
comportamiento casi lineal " el casi saturado.
&i a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa
desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula: por tanto,
para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de
sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin
a la zona de estriccin a corrientes de sumidero a6n ineriores.
El uncionamiento del CE. se basa en la capacidad de control de la
conductancia del canal por parte de la tensin de puerta ", como la unin
puerta,canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el CE. es
por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
+arametros de uncionamiento8
La corriente de sumidero Id es uncin tanto de la tensin de sumidero
Ads como de la puerta Ags. <omo la unin est polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos
escribir8
Ig H F e Id H P3Ads, Ags4
En la zona de estriccin 3saturacin4 en que las caractersticas son casi
rectas 3en el grico, son #orizontales, pero en realidad tienen una
pendiente positiva4 podemos escribir la respuesta del transistor para
peque$os incrementos de Ads " Ags en esta orma
El parmetro r
d
se llama resistencia dierencial del sumidero del CE., " es
la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grico, dic#a
pendiente es cero 3en la realidad, como #e dic#o antes e7iste algo de
pendiente4, entonces la r
d
es ininita 3mu" grande4.
El parmetro g
m
se le denomina conductancia mutua o transconductancia,
" es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que
corresponden a dierencias de valor de Ags de / voltio.
4.1.3. T's$"'(s
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos
semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en orma e7tensa
en los circuitos electrnicos de potencia. &e operan como conmutadores
biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.
+ara muc#as aplicaciones se puede suponer que los .iristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos
e7#iben ciertas caractersticas " limitaciones.
Un .iristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura
pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales8 nodo ctodo "
compuerta. La ig. / muestra el smbolo del tiristor " una seccin recta de
tres uniones pn. Los tiristores se abrican por diusin.
<uando el volta%e del nodo se #ace positivo con respecto al ctodo, las
uniones */ " *J tienen polarizacin directa o positiva. La unin *E tiene
polarizacin inversa, " solo luir una peque$a corriente de uga del nodo
al ctodo. &e dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo
directo o en estado desactivado llamndose a la corriente uga corriente
de estado inactivo I5. &i el volta%e nodo a ctodo A;R se incrementa a
un valor lo suicientemente grande la unin *E polarizada inversamente
entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalanc#a " el
volta%e correspondiente se llama volta%e de ruptura directa AB>. 5ado que
las uniones */ " *J "a tienen polarizacin directa, #abr un movimiento
libre de portadores a trav!s de las tres uniones que provocar una gran
corriente directa del nodo. &e dice entonces que el dispositivo est en
estado de conduccin o activado.

La cada de volta%e se deber a la cada o#mica de las cuatro capas "
ser peque$a, por lo com6n /A. En el estado activo, la corriente del nodo
est limitada por una impedancia o una resistencia e7terna, -L, tal "
como se muestra en la ig. E.
La corriente del nodo debe ser ma"or que un valor conocido como
corriente de enganc#e IL, a in de mantener la cantidad requerida de lu%o
de portadores a trav!s de la unin: de lo contrario, al reducirse el volta%e
del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganc#e, IL, es la corriente del nodo mnima requerida
para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente
despu!s de que #a sido activado " se #a retirado la se$al de la
compuerta.
Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en
conduccin " "a no #a" control sobre el dispositivo. El tiristor seguir
conduciendo, porque en la unin *E no e7iste una capa de agotamiento
de vida a movimientos libres de portadores. &in embargo si se reduce la
corriente directa del nodo por deba%o de un nivel conocido como
corriente de mantenimiento I( , se genera una regin de agotamiento
alrededor de la unin *E debida al n6mero reducido de portadores: el
tiristor estar entonces en estado de Esto signiica que ILbloqueo. La
corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios " es menor
que la corriente de enganc#e, IL. SI( . La corriente de mantenimiento I(
es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de
r!gimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la
corriente de enganc#e.
<uando el volta%e del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la
unin *E tiene polarizacin directa, pero las uniones */ " *J tienen
polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con
un volta%e inverso a trav!s de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo
inverso " una corriente de uga inversa, conocida como corriente de uga
inversa I-, luir a trav!s del dispositivo.
;ctivacin del tiristor8
Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede
llevar a cabo mediante una de las siguientes ormas.
- .E-MI<;8 &i la temperatura de un tiristor es alta #abr un
aumento en el n6mero de pares electrn,#ueco, lo que aumentar
las corrientes de uga. Este aumento en las corrientes #ar que /
" E aumenten. 5ebido a la accin regenerativa 3/LE4 puede
tender a la unidad " el tiristor pudiera activarse. Este tipo de
activacin puede causar una uga t!rmica que por lo general se
evita.
- LUT8 &i se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,
aumentaran los pares electrn,#ueco pudi!ndose activar el tiristor.
La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta
llegue a los discos de silicio.
- ;L.> A>L.;*E8 &i el volta%e directo nodo a ctodo es ma"or
que el volta%e de ruptura directo AB>, luir una corriente de uga
suiciente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
&i la velocidad de elevacin del volta%e nodo,ctodo es alta, la
corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suiciente
para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede
da$ar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra
dvOdt alto. Los abricantes especiican el dvOdt m7imo permisible de
los tiristores.
- <>--IE@.E 5E <>M+UE-.;8 &i un tiristor est polarizado en
directa, la in"eccin de una corriente de compuerta al aplicar un
volta%e positivo de compuerta entre la compuerta " las terminales
del ctodo activar al tiristor. <onorme aumenta la corriente de
compuerta, se reduce el volta%e de bloqueo directo.


.ipos de tiristores
Los tiristores se abrican casi e7clusivamente por diusin. La corriente
del nodo requiere de un tiempo inito para propagarse por toda el rea
de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la se$al
de la compuerta para activar el tiristor. +ara controlar el diOdt, el tiempo de
activacin " el tiempo de desactivacin, los abricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.
5ependiendo de la construccin sica " del comportamiento de activacin
" desactivacin, en general los tiristores pueden clasiicarse en nueve
categoras8
/. .iristores de control de ase 3&<-4.
E. .iristores de conmutacin rpida 3&<-4.
J. .iristores de desactivacin por compuerta 3G.>4.
1. .iristores de triodo bidireccional 3.-I;<4.
2. .iristores de conduccin inversa 3-.<4.
B. .iristores de induccin esttica 3&I.(4.
D. -ectiicadores controlados por silicio activados por luz 3L;&<-4
9. .iristores controlados por CE. 3CE.,<.(4
0. .iristores controlados por M>& 3M<.4


4.2. C"n#c"n(s #(al(s #( un $'anss$"'.
, +eque$as ugas.
, ;lta potencia.
, Ba%os tiempos de respuesta 3ton , to4, para conseguir una alta
recuencia de uncionamiento.
, ;lta concentracin de intensidad por unidad de supericie del
semiconductor.
, Que el eecto avalanc#a se produzca a un valor elevado 3 A<E m7ima
elevada4.
, Que no se produzcan puntos calientes 3grandes diOdt 4.
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia "
concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a
conduccin " viceversa no se #ace instantneamente, sino que siempre
#a" un retardo 3ton , to4. Las causas undamentales de estos retardos
son las capacidades asociadas a las uniones colector , base " base ,
emisor " los tiempos de diusin " recombinacin de los portadores.
4.3. Func"na,(n$" / c",)a'ac!n #( $)"s $'anss$"'(s*
La dierencia entre un transistor bipolar " un transistor unipolar o CE. es
el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar
#a" que in"ectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el CE. el control se #ace mediante la aplicacin
de una tensin entre puerta " uente. Esta dierencia vienen determinada
por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente
distintas.
Es una caracterstica com6n, sin embargo, el #ec#o de que la potencia
que consume el terminal de control 3base o puerta4 es siempre ms
peque$a que la potencia mane%ada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas undamentales8
, En un transistor bipolar I
B
controla la magnitud de I
<
.
, En un CE., la tensin A
G&
controla la corriente I
5
.
, En ambos casos, con una potencia peque$a puede controlarse otra
bastante ma"or.
.iempos de conmutacin
<uando el transistor est en saturacin o en corte las p!rdidas son
despreciables. +ero si tenemos en cuenta los eectos de retardo de
conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, "a que en esos instantes el producto I
<
7 A
<E
va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de p!rdidas en el
transistor va a ser ma"or. Estas p!rdidas aumentan con la recuencia de
traba%o, debido a que al aumentar !sta, tambi!n lo #ace el n6mero de
veces que se produce el paso de un estado a otro.
+odremos distinguir entre tiempo de e7citacin o encendido 3ton4 " tiempo
de apagado 3to4. ; su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en
otros dos.
/iempo de retardo (.ela' /ime, td)8 Es el tiempo que transcurre desde el
instante en que se aplica la se$al de entrada en el dispositivo conmutador,
#asta que la se$al de salida alcanza el /FK de su valor inal.
/iempo de subida (0ise time, tr)8 .iempo que emplea la se$al de salida en
evolucionar entre el /FK " el 0FK de su valor inal.
/iempo de almacenamiento (1torage time, ts)8 .iempo que transcurre
desde que se quita la e7citacin de entrada " el instante en que la se$al
de salida ba%a al 0FK de su valor inal.
/iempo de cada (2all time, tf)8 .iempo que emplea la se$al de salida en
evolucionar entre el 0FK " el /FK de su valor inal.
+or tanto, se pueden deinir las siguientes relaciones 8
Es de #acer notar el #ec#o de que el tiempo de apagado 3to4 ser
siempre ma"or que el tiempo de encendido 3ton4.
Los tiempos de encendido 3ton4 " apagado 3to4 limitan la recuencia
m7ima a la cual puede conmutar el transistor8
-orriente media8 es el valor medio de la corriente que puede circular por
un terminal 3e%. I
<;A
, corriente media por el colector4.
-orriente m3ima8 es la m7ima corriente admisible de colector 3I
<M
4 o de
drenador 3I
5M
4. <on este valor se determina la m7ima disipacin de
potencia del dispositivo.
4
-(5
8 tensin entre los terminales colector " base cuando el emisor est
en circuito abierto.
4
E(5
8 tensin entre los terminales emisor " base con el colector en circuito
abierto.
/ensin m3ima8 es la m7ima tensin aplicable entre dos terminales del
dispositivo 3colector " emisor con la base abierta en los bipolares,
drenador " uente en los CE.4.
Estado de saturacin8 queda determinado por una cada de tensin
prcticamente constante. A
<Esat
entre colector " emisor en el bipolar "
resistencia de conduccin -
5&on
en el CE.. Este valor, %unto con el de
corriente m7ima, determina la potencia m7ima de disipacin en
saturacin.
0elacin corriente de salida 6 control de entrada8 #
CE
para el transistor
bipolar 3ganancia esttica de corriente4 " g
ds
para el CE.
3transconductancia en directa4.
M"#"s #( $'a0a1"
E7isten cuatro condiciones de polarizacin posibles. 5ependiendo del
sentido o signo de los volta%es de polarizacin en cada una de las uniones
del transistor pueden ser 8
0egin acti"a directa8 <orresponde a una polarizacin directa de la unin
emisor , base " a una polarizacin inversa de la unin colector , base.
Esta es la regin de operacin normal del transistor para ampliicacin.
0egin acti"a in"ersa8 <orresponde a una polarizacin inversa de la unin
emisor , base " a una polarizacin directa de la unin colector , base.
Esta regin es usada raramente.
0egin de corte8 <orresponde a una polarizacin inversa de ambas
uniones. La operacin en !sta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo apagado, pues el transistor act6a como un
interruptor abierto 3I< F4.
0egin de saturacin8 <orresponde a una polarizacin directa de ambas
uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo encendido, pues el transistor act6a como un
interruptor cerrado 3A<E F4.
;valanc#a secundaria. <urvas &>;.
&i se sobrepasa la m7ima tensin permitida entre colector " base con el
emisor abierto 3A
<B>
4, o la tensin m7ima permitida entre colector "
emisor con la base abierta 3A
<E>
4, la unin colector , base polarizada en
inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalanc#a primaria.
&in embargo, puede darse un caso de avalanc#a cuando estemos
traba%ando con tensiones por deba%o de los lmites anteriores debido a la
aparicin de puntos calientes 3ocalizacin de la intensidad de base4, que
se produce cuando tenemos polarizada la unin base , emisor en directo.
En eecto, con dic#a polarizacin se crea un campo magn!tico transversal
en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una
peque$a zona del dispositivo 3anillo circular4.La densidad de potencia que
se concentra en dic#a zona es proporcional al grado de polarizacin de la
base, a la corriente de colector " a la A
<E
, " alcanzando cierto valor, se
produce en los puntos calientes un enmeno degenerativo con el
consiguiente aumento de las p!rdidas " de la temperatura. ; este
enmeno, con eectos catastricos en la ma"or parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalanc#a secundaria 3o tambi!n segunda
ruptura4.
El eecto que produce la avalanc#a secundaria sobre las curvas de salida
del transistor es producir unos codos bruscos que desvan la curva de la
situacin prevista 3ver grica anterior4.
El transistor puede uncionar por encima de la zona lmite de la avalanc#a
secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destru"a. +ara
ello el abricante suministra unas curvas lmites en la zona activa con los
tiempos lmites de traba%o, conocidas como curvas CB&>;.
+odemos ver como e7iste una curva para corriente continua " una serie
de curvas para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo
concreto.
.odo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo.
5urante el to, con polarizacin inversa de la unin base , emisor se
produce la ocalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de &i, en
un rea ms peque$a que en polarizacin directa, por lo que la avalanc#a
puede producirse con niveles ms ba%os de energa. Los lmites de I
<
"
A
<E
durante el to vienen rele%ado en las curvas -B&>; dadas por el
abricante.
Eecto producido por carga inductiva. +rotecciones.
Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de
traba%o ms desavorables dentro de la zona activa.
En el diagrama superior se #an representado los dierentes puntos
idealizados de uncionamiento del transistor en corte " saturacin. +ara
una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin. +ara una
carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin por la recta que
va desde ; #asta <, " de saturacin a corte desde < a ;. &in embargo,
con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a
saturacin recorriendo la curva ;B<, mientras que el paso a corte lo #ace
por el tramo <5;. +uede verse que este 6ltimo paso lo #ace despu!s de
una prounda incursin en la zona activa que podra cilmente
sobrepasar el lmite de avalanc#a secundaria, con valor A<E mu"
superior al valor de la uente 3Acc4.
2. A&LICACIONES TRANSISTORES
2.1. $'anss$"' (n c"n,u$ac!n.
.enemos un interruptor en posicin /, abierto8
I
B
H F
I
<
H F <>-.E 3el transistor no conduce4
-ecta de carga8
Esto era lo ideal, lo e7acto sera8
+ero para electrnica digital no tiene muc#a importancia ese peque$o
margen, por lo tanto se desprecia.
Interruptor en posicin E8
Cinalmente tenemos una grica de la siguiente orma8
A)lcac!n8 &i tenemos en la entrada una onda cuadrada.
Me invierte la A
sal
, invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se
utiliza en electrnica digital.
; ese circuito le llambamos ?<ircuito de polarizacin de base?, que era
bueno para corte " saturacin, para conmutacin. +ero este que #emos
#ec#o no es e7acto, lo e7acto es8
Entonces se cogen los mrgenes, pero como estn mu" separados se
desprecia " no se le da importancia a ese peque$o error.
2.2. T'anss$"'(s (n c'cu$"s c"n )"la'3ac"n #( (,s"'
&i se quiere ampliicar, se necesitan circuitos cu"os puntos Q sean
inmunes a los cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que
el punto Q sea lo ms estable posible.
+ara este propsito a#ora se analizar el ?<ircuito de polarizacin de
Emisor?, que es el siguiente8
El propsito es ampliicar, por esa razn el transistor tiene que traba%ar en
la zona ;<.IA;.
<omo estamos en activa A
BE
H F.D A. +or lo tanto " viendo la malla de
entrada la tensin A
<
ser de 1.J A. Entonces la intensidad I
E
por la
resistencia -
E
ser de8
Gricamente8
&i b
cc
H /2F solo vara I
B
.
Aara la I
B
pero lo dems se mantiene " Q no vara, el transistor se
autorregula " #ace que vare I
B
sin que nada ms vare, por lo tanto8
?El punto Q es mu" estable?.
+ero esto no es del todo e7acto, porque algo vara, esto se ver si no se
usa la apro7imacin de I
<
H I
E
. &in esta apro7imacin tenemos8
U a#ora si inlu"e el b
cc
.
U tendramos8 A
<E
H 9,DD A
<on b
cc
H /2F8
<on b
cc
H 2F8
Aara algo, pero es bastante estable, es bueno para traba%ar en activa.
TABLA DE CONTENIDO TRANSISTORES
/. (istoria " Cundamentos sicos del transistor.
E. Cuncionamiento Bsico del transistor
J. @omenclatura del transistor.
1. .ransistores de +otencia " distintos tipos de transistores.
1./. .ipos de .ransistores.
1././. .ransistores Bipolares
1./.E. .ransistores de eecto de campo 3CE.4
1./.J. .iristores.
1.E. <ondiciones ideales de un transistor.
1.J. Cuncionamiento " comparacin de distintos tipos de
transistores.
2. ;plicaciones de los transistores.
2./. .ransistor en conmutacin.
2.E. .ransistor en circuitos con polarizacin de emisor.
B. <onclusiones.
CONCLUSIONES
El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientiico "
tecnologico, dado su amplia versatilidad " su gran aplicabilidad en la
investigacin " desarrollo. &us undamentos sicos son
undamentados en las bases de la mecanica cuantica, aprovec#ando
sus concepciones " ormulaciones teoricas es posible llevar a la
practica elementos practicos e innovadores como el transistor. La
incursion de los transistores sustitu"o los tubos al vacio " permitio la
reduccin de sistemas " dise$os electronicos, siendo estos mas
estables " de ma"or rendimiento.
El estudio del eecto de transicin de niveles de energia " el espectro
atomico ueron decisivos en la ormulacin teorica del transistor,
ademas del estudio del atomo de la mecanica cuantica " la isica
atomica, permitiendo aprovec#ar las propiedades intrinsecas de los
atomos de Germanio, osoro entre otros, para el dise$o de sistemas
basados en las reacciones atomicas entre ellos por sus electrones,
pereccionando este proceso #asta llevarlo a lo que actualmente
conocemos como transistores.