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Disciplina - Eletrnica Industrial - Informaes Bsicas

Tiristor SCR
Retificador Controlado de Silcio




PROF. Romeu Corradi Jnior
EDIO PRELIMINAR 1.1
Campinas - 2005
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 2
Prof. Corradi








NOTA DO AUTOR



Esta apostila um material de apoio didtico utilizado pelo autor nas suas aulas de Eletrnica Industrial para
Os Cursos de nvel tcnico e Superior. [COTUCA e UNIP].
Este material no tem a pretenso de esgotar, tampouco inovar o tratamento do contedo por ele abordado
mas, simplesmente, facilitar a dinmica de aula, com expressivos ganhos de tempo e de compreenso do
assunto por parte dos alunos.
Este trabalho foi construdo com base nas referncias, devidamente citadas ao longo do texto, nas notas de
aula e na experincia do autor na abordagem do assunto com os alunos.
Em se tratando de um material didtico elaborado em uma Instituio Pblica de Ensino, permitida a
reproduo do texto, desde que devidamente citada a fonte.
Quaisquer contribuies e crticas construtivas a este trabalho sero bem-vindas pelo autor.


Prof. Romeu Corradi Jnior
www.corradi.junior.nom.br



Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 3
Prof. Corradi
ndice:

Nota do Autor................................................................................................................................ 2
1. CARACTERSTICAS BSICAS DO SCR ................................................................................. 4
2. SCR IDEAL:............................................................................................................................... 6
3. POLARIZAO DIRETA:.......................................................................................................... 7
4. POLARIZAO REVERSA:...................................................................................................... 8
5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:........................................................................................ 9
5.1. Corrente de Gatilho I
GK
: ...................................................................................................... 9
5.2. Sobretemperatura:............................................................................................................ 11
5.3. Sobretenso:..................................................................................................................... 11
5.4. Degrau de Tenso dv/dt (V/t): ...................................................................................... 12
5.5. Luz ou Radiao:.............................................................................................................. 12
6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES:.................................................................................... 13
7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR................................................................................ 13
7.1. Comutao Natural:.......................................................................................................... 14
7.2. Comutao Forada: ........................................................................................................14
8. CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR:.......................................................................... 15
9. CARACTERSTICAS DINMICAS DO SCR........................................................................... 17
9.1. Caractersticas Dinmicas no Disparo:............................................................................. 17
9.2. Caractersticas Dinmicas no Bloqueio: ........................................................................... 18
10. PERDAS TRMICAS EM CONDUO:............................................................................... 19
11. TESTANDO UM SCR COM MULTMETRO:......................................................................... 20
12. PROTEES DO SCR:........................................................................................................ 22
12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt (I/t): .......................................................... 22
12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt (V/t):.......................................................... 22
12.3. Proteo contra Sobretenso......................................................................................... 23
12.4. Proteo contra Sobrecorrente....................................................................................... 24
12.5. Proteo do Circuito de Disparo do Gatilho.................................................................... 24
13. ASSOCIAES DE SCR:..................................................................................................... 24
14. REQUISITOS BSICOS PARA OS CIRCUITOS DE DISPARO:.......................................... 24
15. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CC ....................................................................... 25
16. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CA CONTROLE DE FASE: .............................. 26
16.1. Circuito de Disparo CA com Rede Resistiva................................................................... 26
16.2. Circuito de Disparo CA com Rede Defasadora RC: ....................................................... 28
16.3. Circuito de Disparo CA com Diodo Schokley ou Diac:.................................................... 29
17. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS PULSADOS:........................................................ 31
17.1. Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno........................................................ 31
17.2. Oscilador com Diodo Schokley e com Diac.................................................................... 34
17.3. Outros Circuitos Pulsados .............................................................................................. 35
18. ISOLAMENTO E ACOPLAMENTO....................................................................................... 35
18.1. Acoplamento Magntico ................................................................................................. 36
18.2. Acoplamento ptico........................................................................................................ 36
18.3. Proteo do Gatilho........................................................................................................ 37
19. PROBLEMAS PROPOSTOS ................................................................................................ 39
20. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ...................................................................................... 41
ANEXOS:..................................................................................................................................... 42
A.1. VALOR NOMINAL MXIMO EFICAZ DA CORRENTE DE NODO REPETITIVA ......... 42

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 4
Prof. Corradi
Tiristor SCR
(Silicon Controlled Rectifier)
Retificador Controlado de Silcio


1. CARACTERSTICAS BSICAS DO SCR
O Tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) foi desenvolvido por um grupo de engenheiros
do Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. o mais conhecido e aplicado dos Tiristores
existentes. Tiristor o nome genrico dado famlia dos componentes compostos por quatro
camadas semicondutoras (PNPN).
Os Tiristores SCRs funcionam analogamente a um diodo, porm possuem um terceiro
terminal conhecido como Gatilho (Gate ou Porta). Este terminal responsvel pelo controle da
conduo (disparo). Em condies normais de operao, para um SCR conduzir, alm de
polarizado adequadamente (tenso positiva no nodo), deve receber um sinal de corrente no
gatilho, geralmente um pulso.
A principal aplicao que os SCR tm a converso e o controle de grandes quantidades
de potncia em sistemas CC e CA, utilizando apenas uma pequena potncia para o controle. Isso
se deve sua ao de chaveamento rpido, ao seu pequeno porte e aos altos valores nominais
de corrente e tenso em que podem operar.
Algumas caractersticas dos SCRs:
So chaves estticas bi-estveis, ou seja, trabalham em dois estados: no conduo e
conduo, com a possibilidade de controle.
Em muitas aplicaes podem ser considerados chaves ideais, mas h limitaes e
caractersticas na prtica.
So compostos por 4 camadas semicondutoras (P-N-P-N), trs junes (P-N) e 3
terminais (nodo, Ctodo e Gatilho).
So semicondutores de silcio. O uso do silcio foi utilizado devido a sua alta capacidade
de potncia e capacidade de suportar altas temperaturas.
Apresentam alta velocidade de comutao e elevada vida til;
Possuem resistncia eltrica varivel com a temperatura, portanto, dependem da
potncia que estiverem conduzindo.
So aplicados em controles de rels, fontes de tenso reguladas, controles de motores,
Choppers (variadores de tenso CC), Inversores CC-CA, Ciclo-conversores (variadores
de freqncia), carregadores de baterias, circuitos de proteo, controles de iluminao
e de aquecedores e controles de fase, entre outras.

A figura 1.1 apresenta a simbologia utilizada e as camadas, junes e terminais, enquanto a
figura 1.2 apresenta um tipo de estrutura construtiva para as camadas de um SCR. A figura 1.3
mostra a aparncia do encapsulamento tipo TO de um SCR muito utilizado, j acoplado a um
dissipador de calor. A figura 1.4 mostra alguns SCR de alta potncia com encapsulamento tipo
rosca e tipo disco.

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nodo
Ctodo
Gatilho
A
G
K
P P
P P
N N
N N
nodo
Ctodo
Gatilho
A
G
K
J 1
J 2
J 3

Figura 1.1 SCR: Simbologia, Camadas e J unes






P
P N
N
nodo
Ctodo
Gatilho
A
K
G

Figura 1.2 Um tipo de estrutura interna das camadas de um SCR






Figura 1.3 Encapsulamento tipo TO para SCR, com dissipador de calor.

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Figura 1.4 SCR com encapsulamentos tipo rosca e tipo disco para altas potncias [ref. 3]

2. SCR IDEAL:
Um SCR ideal se comportaria com uma chave ideal, ou seja, enquanto no recebesse um
sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor infinito, tanto com
polarizao direta como reversa. Bloqueado, o SCR ideal no conduziria qualquer valor de
corrente. Tal caracterstica representada pelas retas 1 e 2 na Figura 2.1.
Quando disparado, ou seja, quando comandado por uma corrente de gatilho I
GK
, o SCR
ideal se comportaria como um diodo ideal, como podemos observar nas retas 1 e 3. Nesta
condio, o SCR ideal seria capaz de bloquear tenses reversas infinitas e conduzir, quando
diretamente polarizado, correntes infinitas sem queda de tenso e perdas de energia por Efeito
J oule.
Assim como para os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm na prtica.
Os SCR reais tm, portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e reversa e apresentam
fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tm limitaes de conduo de
corrente, pois apresentam uma pequena resistncia circulao de corrente e queda de tenso
na barreira de potencial das junes que provocam perdas de energia por Efeito J oule e
conseqente aquecimento do componente.

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I
A
V
AK
(b)
+ V -
AK
I
A
A K
(a)
1 2
3

Figura 2.1 - (a) polarizao direta (b) caractersticas estticas de um SCR ideal. [ref. 1]

3. POLARIZAO DIRETA:
A figura 3.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar:
Tenso do nodo positiva em relao ao Ctodo
J
1
e J
3
polarizadas diretamente
J
2
polarizada reversamente: apresenta maior barreira de potencial
Flui pequena Corrente de Fuga Direta de nodo para Ctodo, I
F
(Forward Current).
Bloqueio Direto DESLIGADO

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+
A
K
G
a)


+A
- K
+
b)


P P
P P
N N
N N
nodo
Ctodo
Gatilho
A
(+)
G

K
()
J 1
J 2
J 3
+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +



+ + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + +
c)

Figura 3.1 a) SCR bloqueado em polarizao direta; b) analogia com diodos
b) efeito da polarizao direta nas junes;

4. POLARIZAO REVERSA:
A figura 4.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar:
Tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo
J
2
diretamente polarizada
J
1
e J
3
reversamente polarizadas: apresentam maiores barreiras de potencial
Flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para nodo, I
R
(Reverse Current).
Bloqueio Reverso DESLIGADO

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+
A
K
G
a)


- A
+K
+
b)


P P
P P
N N
N N
nodo
Ctodo
Gatilho
A
()
G

K
(+)
J 1
J 2
J 3


+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +



+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +
c)

Figura 4.1 a) SCR bloqueado em polarizao reversa; b) analogia com diodos
c) efeito da polarizao reversa nas junes

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:
Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a Corrente de nodo I
A
, atravs
de uma das seguintes maneiras:

5.1. Corrente de Gatilho I
GK
:
o procedimento normal de disparo do SCR. Quando estiver polarizado diretamente, a
injeo de um sinal de corrente de gatilho para o ctodo (I
G
ou I
GK
), geralmente na forma de um
pulso, leva o SCR ao estado de conduo. A medida que aumenta a corrente de gatilho para
ctodo, a tenso de bloqueio direta diminui at que o SCR passa ao estado de conduo.
A Figura 5.1 apresenta um circuito para disparo do SCR. Enquanto diretamente polarizado o
SCR s comea a conduzir se receber um comando atravs de um sinal de corrente (geralmente
um pulso) em seu terminal de gatilho (Gate ou Porta). Esse pulso polariza diretamente o segundo
diodo formado pelas camada N e P e possibilita a conduo.
Enquanto tivermos corrente entre nodo e ctodo o SCR continua conduzindo, sendo ele
cortado (bloqueado) somente quando a mesma for praticamente extinta. Nesta condio, as
barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR precisar de um novo sinal de corrente no
gatilho para voltar ao estado de conduo.
Polarizado reversamente o SCR funciona como um diodo, bloqueando a passagem de
corrente, mesmo quando efetuado um pulso em seu Gatilho.
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A caracterstica gatilho-ctodo de um SCR se assemelha a uma juno PN, variando, portanto,
de acordo com a temperatura e caractersticas individuais do componente, um exemplo de curva de
disparo pode ser encontrado no anexo deste documento.



P P
P P
N N
N N
nodo
Ctodo
I
GK
(+)
A
(+)
G

K
()
J 1
J 2
J 3
+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +



+ + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + +


Figura 5.1 Disparo de um SCR

Como entre o gatilho e o ctodo h uma juno PN, temos uma tenso de aproximadamente
0,7V. Desta forma, analisando o circuito da figura 5.2. podemos determinar os requisitos para o
circuito de disparo do SCR.

V
DISPARO
I
G

Figura 5.2 Circuito para disparo do SCR
Assim, a tenso V
DISPARO
necessria para proporcionar a corrente de disparo I
G
atravs da
resistncia limitadora R
G
pode ser dada por:

7 , 0 + =
G G DISPARO
R I V

Um SCR pode disparar por rudo de corrente no gatilho. Para evitar estes disparos
indesejveis devemos utilizar um resistor R
GK
entre o gatilho e o ctodo que desviar parte do
rudo, como indica a figura 5.3. Em alguns tipos de SCR, a resistncia R
GK
j vem internamente no
componente para diminuir sua sensibilidade.
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Figura 5.3 Resistncia para evitar disparos por rudos no gatilho

5.1.1. Corrente de Reteno e Corrente de Manuteno

Para entrar em conduo o SCR deve conduzir uma corrente suficiente, cujo valor mnimo
recebe o nome de Corrente de Reteno I
L
(Latching Current). O SCR no entrar em conduo
se a Corrente de Gatilho I
GK
for suprimida antes que a Corrente de nodo I
A
atinja o valor da
Corrente de Reteno I
L
.
Uma vez retirada a corrente de gatilho, a mnima Corrente de nodo I
A
para manter o SCR
em conduo chamada Corrente de Manuteno I
H
(Holding Current). Se a Corrente de nodo
for menor que a Corrente de Manuteno, as barreiras de potencial formam-se novamente e o
SCR entrar em Bloqueio.
A Corrente de Reteno maior que a Corrente de Manuteno (I
L
> I
H
). O valor de I
L
em
geral de duas a trs vezes a corrente de manuteno I
H
. Ambas diminuem com o aumento da
temperatura e vice-versa.
por este motivo que dizemos que o SCR uma Chave de Reteno (ou Travamento)
porque uma vez em conduo, permanece neste estado enquanto a Corrente de nodo I
A
for
maior que a Corrente de Manuteno (I
A
>I
H
), mesmo sem corrente no gatilho (I
GK
).

5.2. Sobretemperatura:
O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltrons-lacunas no
semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de
conduo. O disparo por aumento de temperatura deve ser evitado.

5.3. Sobretenso:
Se a tenso direta nodo-ctodo V
AK
for maior que o valor da tenso de ruptura direta
mxima V
DRM
(V
BO
), fluir uma corrente de fuga suficiente para levar o SCR ao estado de
conduo.
Isto acontece porque o aumento da tenso V
AK
em polarizao direta acelera os portadores
de carga na juno J 2 que est reversamente polarizada, podendo atingir energia suficiente para
provocar a avalanche e disparar o SCR. Este fenmeno faz com que muitos eltrons choquem-se
e saiam das rbitas dos tomos do semicondutor ficando disponveis para conduo e permitindo
o aumento da corrente de fuga no SCR e levando-o ao estado de conduo.
O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e, portanto, deve ser
evitado.
A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodo-ctodo maior que o
valor da tenso de ruptura reversa mxima (V
RRM
ou V
BR
) danificar o componente.

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5.4. Degrau de Tenso dv/dt ( V/ t):
Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo V
AK
no tempo for alta (subida muito
rpida da tenso V
AK
) pode levar o SCR ao estado de conduo. Em polarizao direta a J uno
J 2 est reversamente polarizada e se comporta como um capacitor carregado, como podemos
observar na figura 5.1.


P P
P P
N N
N N
nodo
Ctodo
i
C
A
(+)
G

K
()
J 1
J 2
J 3
+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +



+ + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + +

Figura 5.1 Disparo por degrau de tenso

Num capacitor a corrente de carga relaciona-se com a tenso pela expresso:

dt
dv
C i
C
=

Assim, quando for aplicada uma tenso V
AK
a capacitncia da J uno J 2 far circular uma
corrente no gatilho tanto maior quanto maior for a variao da tenso no tempo (v/t). Esta
corrente no gatilho pode ser suficiente para disparar o SCR.
O valor mximo de dv/dt dado pelo fabricante em catlogos. O disparo por degrau de
tenso deve ser evitado pois pode provocar queima do componente ou disparo intempestivo. O
circuito de proteo chamado de Snubber e ser estudado adiante.

5.5. Luz ou Radiao:
Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante (ftons, raios gama,
nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes do semicondutor, haver maior combinao de
pares eltrons-lacunas, provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de
conduo. o caso do SCR ativado por luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated
Silicon Controlled Rectifier).


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6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES:
A figura 6.1 apresenta um circuito com dois transistores complementares (PNP e NPN) que
permitem uma analogia ao funcionamento do SCR e demonstra a ao de reteno (travamento)
devido realimentao positiva no circuito
De uma maneira simplificada, com polarizao direta, a injeo de um sinal de corrente no
gatilho do circuito provoca um efeito de realimentao em que o aumento da corrente na base de
Q2 aumenta a corrente de fuga no coletor de Q2 e da base de Q1 e, conseqentemente, a
corrente de coletor de Q1. Esta, por sua vez, realimenta a corrente de base de Q2 e assim
sucessivamente at ambos os transistores entrarem em saturao.


P
P
N
nodo
Gatilho
I
A
=I
T
I
GK
J 1
J 2
P
N
N
Ctodo I
K
J 2
J 3
Q1
Q2

I
A

I
GK

I
C1

I
B1
=I
C2
I
B2


Figura 6.1 Modelo de um SCR com dois transistores complementares

Requisite ao professor material sobre Prtica da Analogia do SCR com Transistores,
ou consulte:
http://www.corradi.junior.nom.br

7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR
O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR uma chave de
reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o controle. A nica forma de
bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo I
A
para um valor menor que o valor da corrente
de manuteno I
H
durante um certo tempo. Este o tempo necessrio para o desligamento do
SCR, t
off
.
Devemos portanto lembrar:
Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente extinta a corrente entre
nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa.
Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o estado de no
conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo I
A
deve ser reduzida a
um valor abaixo do valor da corrente de manuteno I
H
, durante um certo tempo (tempo
de desligamento t
q
).
O tempo de desligamento da ordem de 50 a 100s para os SCR normais e de 5 a
10s para os SCR rpidos.
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7.1. Comutao Natural:
A Comutao Natural acontece quando a Corrente de nodo I
A
for reduzida a um valor
abaixo da Corrente de Manuteno I
H
. A Corrente de Manuteno cerca de 1000 vezes menor
que a corrente nominal do SCR.
Em circuitos de corrente alternada a corrente passa por zero em algum momento do ciclo.
Isso j suficiente para o bloqueio do SCR em freqncias comerciais (50 ou 60Hz). A Figura 7.1
apresenta um circuito em que ocorre a Comutao Natural. Fechada a chave Ch1 e pulsando a
chave Ch2 o SCR entra em conduo e permanece at que o momento em que a corrente passe
por zero no ciclo alternado. Nesse momento I
A
<I
H
e o SCR bloqueia.


Figura 7.1 Circuito para comutao natural do SCR

7.2. Comutao Forada:
Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo. Como a corrente
no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente de nodo atravs da
Comutao Forada. H duas formas para isso:
Desviando-se a corrente por um caminho de menor impedncia provocando I
A
<I
H
;
Aplicando-se tenso reversa e forando-se a operao na regio de polarizao
reversa. Note que isso tambm far I
A
<I
H
.
A Figura 7.2 apresenta um circuito para Comutao Forada onde a chave Ch1 permitir um
caminho que drenar a corrente do SCR levando-o ao bloqueio.

Figura 7.2. Comutao forada por chave

A Figura 7.3 apresenta um circuito para Comutao Forada atravs de um capacitor.
Quando a chave Ch1 for fechada, o capacitor aplicar tenso reversa levando o SCR ao bloqueio.
Devemos lembrar que o SCR dever conduzir durante o tempo necessrio para que o capacitor
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esteja totalmente carregado e que a chave pode ser um outro semicondutor (um outro SCR ou um
transistor, por exemplo).

Figura 7.3 Comutao forada por capacitor

Requisite ao professor material sobre Prtica sobre Comutao de SCR, ou consulte:
http://www.corradi.junior.nom.br

8. CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR:
Existem limites de tenso e corrente que um SCR pode suportar. Tais limites constituem as
caractersticas estticas reais como mostra a Figura 8.1. As curvas 1 e 2 apresentam as
caractersticas para o SCR no estado de bloqueio, enquanto as curvas 1 e 3 mostram as
caractersticas para o SCR com Corrente de Gatilho IGK, para ambas as polarizaes. Podemos,
ento, verificar na Figura 8.1, que a curva caracterstica de um SCR real apresenta trs regies
distintas:
Bloqueio em Polarizao Reversa curva 1
Bloqueio em Polarizao Direta curva 2
Conduo em Polarizao Direta curva 3


E
0

V
TO
1/r
0
V
AK
(V)
I
A
(A)
I
R
V
BR
I
F
V
BO

V
DRM
1
3
2
V
RRM
I
Amx
I
L
I
H
Tenses V
AK
para
diferentes correntes de
Gatilho I
GK

Figura 8.1 Caractersticas estticas reais do SCR. [ref. 1]

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A Tabela 8.1 apresenta os principais parmetros nominais dos SCR.

Tabela 8.1 Principais Parmetros dos SCR
Parmetros Importantes
Simbologias
Usuais
Nome Original
Unidades
Usuais
Tenso nodo-Ctodo, quando em
conduo
E
0
V
TO

V
F
Turn-on Voltage ou
Forward Voltage
V
Tenso de Ruptura Reversa Mxima
V
RRM

V
BR

Reverse Breakover Voltage
V
kV
Tenso de Ruptura Direta Mxima
V
DRM

V
BO

Breakover Voltage
V
kV
Corrente de Fuga Reversa I
R
Reverse Current mA
Corrente de Fuga Direta I
F
Forward Current mA
Resistncia em Conduo
r
O

r
F
r
T

Forward Resistance ou
Turn-on Resistance
m
Corrente de Disparo de Gatilho para
Ctodo
I
G

I
GK

Gate Current
mA
A
Tenso de Gatilho para Ctodo V
GK
Gate Voltage V
Corrente Mdia no nodo
I
AV
I
med

Average Current
A
kA
Corrente Eficaz no nodo
I
RMS

I
ef

Root Mean Square Current
A
kA
Corrente de Pico no nodo I
P
Peak Current
A
kA
Tenso Inversa Mxima entre Gatilho
e Ctodo
V
GRM
Maximum Reverse Gate
Voltage
V
Corrente Mxima de Disparo do
Gatilho
I
GTM
Maximum Gate Trigger
Current
A
mA
Tenso Mxima de Disparo do
Gatilho
V
GTM
Maximum Gate Trigger
Voltage
V
Corrente Mnima de Disparo do
Gatilho

I
GT
Gate Trigger Current
A
mA
Tenso Mnima de Disparo do Gatilho V
GT
Gate Trigger Voltage V
Corrente de Reteno I
L
Latching Current
A
mA
Corrente de Manuteno I
H
Holding Current
A
mA

Observao: A maioria dos SCR apresentam I
GT
entre 0,1 a 50mA. I
GT
e V
GT
variam
inversamente com a temperatura. O caso mais crtico, portanto, ocorre em altas temperaturas.

Como exemplo, temos os dados de catlogo fornecidos pelo fabricante para o tiristor:
SCR Aegis A1N:16.06J [ref.3]
SCR encapsulamento tipo rosca
Tenso de ruptura reversa mxima (V
RRM
) 600V
Corrente de nodo mdia admissvel (I
AKmed
) 16A
Corrente de nodo eficaz admissvel (I
Akef
) 35A
Tenso direta em conduo (E
0
) 1,0V
Resistncia em conduo (r
0
) 18m
Corrente de disparo mnima (I
GT
) 150mA
Tenso Mnima de Gatilho (V
GT
) 2,0V
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 17
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Degrau de Tenso Admissvel (dV/dt) 200V/s
Degrau de Corrente Admissvel (dI/dt) 150A/s
Corrente de Manuteno (I
H
) 100mA
Corrente de Reteno (I
L
) 200mA
Corrente de Fuga (I
F
) 10mA

9. CARACTERSTICAS DINMICAS DO SCR
As caractersticas dinmicas do SCR esto ligadas diretamente com o comportamento
transitrio do componente durante os processos de entrada em conduo e de bloqueio.

9.1. Caractersticas Dinmicas no Disparo:
A Figura 9.1 mostra o circuito para o estudo do disparo do SCR, onde V
CC
a fonte que
alimentar a resistncia de carga atravs do SCR. A fonte V
G
fornecer a corrente de gatilho I
GK

atravs da resistncia limitadora R
G
.
Considere que no instante inicial t
0
a chave Ch1 fechada e a fonte V
G
fornece a corrente
I
GK
ao gatilho.


Figura 9.1 Circuito para o estudo do disparo do SCR

As formas de onda de interesse para o disparo so mostradas na Figura 9.2. Entre o
fechamento da chave Ch e a efetiva conduo do SCR h um tempo necessrio para que a
corrente de gatilho I
GK
provoque o decaimento da tenso nodo-ctodo V
AK
e a elevao da
corrente de nodo I
A
. O tempo de retardo chamado de t
d
(delay time) e o tempo de decaimento t
r

. O tempo de fechamento t
on
=t
d
+t
r
, o tempo necessrio para que o SCR comece a conduzir
efetivamente a partir do disparo.
O tempo de retardo t
d
(delay time) a maior componente do tempo de fechamento e
depende principalmente da amplitude da corrente de gatilho I
GK
e da velocidade de crescimento
da referida corrente.
O tempo de decaimento da tenso nodo-ctodo t
r
independe da corrente I
GK
. Apenas as
caractersticas de fabricao do componente interferem no decaimento de V
AK
.

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 18
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t
d
t
r
t
on
V
I
V
G
G
AK
t
90%
10%
t
o

Figura 9.2 - Representao do atraso no disparo do SCR. [ref. 1]

9.2. Caractersticas Dinmicas no Bloqueio:
Para o estudo da dinmica de bloqueio utilizamos o circuito da Figura 9.3, que acrescenta
uma fonte de tenso reversa V
r
e a chave Ch2 ao circuito da Figura X. O indutor L
p
representa
uma indutncia parasita que influencia no decaimento da corrente do SCR.


Figura 9.3 Circuito para estudo do bloqueio do SCR

Enquanto o SCR conduz a corrente de carga, a chave Ch2 encontra-se aberta. Quando, em
t =t
0
, a chave Ch2 fechada, inicia-se o processo de bloqueio do SCR. No instante t =t
1
, a
chave Ch2 novamente aberta e o SCR encontra-se bloqueado.
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 19
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Podemos observar o processo dinmico de bloqueio do SCR pela Figura 9.4. Aps o tempo
de recuperao do SCR t
rr
, para que o SCR possa bloquear efetivamente necessrio manter a
tenso reversa por um tempo igual ou maior do que t
q
. Isto necessrio para que o SCR possa
alcanar o equilbrio trmico e permanecer bloqueado at ser aplicada corrente em seu gatilho. A
corrente reversa mxima (I
RM
) tem valor limitado e que depende das caractersticas do SCR e do
circuito.
O tempo t
q
varia desde 5 s para os SCR rpidos (SCR Inversores) at 50 a 400 s para os
SCR lentos (SCR Controladores de Fase).
Portanto, a freqncia de operao, ou velocidade de chaveamento requerida num circuito
definir o tipo de SCR a ser utilizado. Os fabricantes fornecem os valores nominais associados
velocidade atravs da freqncia mxima f
max
bem como os tempos de ligao t
on
e de
desligamento t
q
ou t
off
.

v
AK
t
rr
i
A
t
t
t
s
t
f
I
RM
I
L
E
O
t
q
I
F
I
R
t
inv
t
o
E
1
E
2
t
1

Figura 9.4 - Caracterstica dinmica de bloqueio do SCR, mostrando o tempo mnimo de aplicao
de tenso inversa t
q
. [ref. 1]

10. PERDAS TRMICAS EM CONDUO:
Durante o ciclo de chaveamento, um SCR apresenta as seguintes perdas de potncia (e,
conseqentemente de energia):
Perdas de Potncia em Conduo
Perdas de Potncia em Bloqueio (direto e reverso)
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Perdas de Potncia por Chaveamento (comutao)
Perdas de Potncia por Acionamento do Gatilho

Em Geral, sob condies normais de operao as Perdas em Bloqueio e por Acionamento
do Gatilho so pequenas o suficiente para serem desprezadas. Em baixas freqncias (<400Hz),
as Perdas por Chaveamento tambm so pequenas e podem ser desconsideradas. Em altas
freqncias, especialmente na entrada em conduo do SCR, as perdas aumentam
significativamente. A referncia [5] apresenta uma boa discusso a respeito.
A principal fonte de perdas de potncia so durante a conduo do SCR.
Analogamente a um diodo, podemos representar o SCR por seu circuito eltrico equivalente,
mostrado na Figura 10.1, onde E
0
(V
F
ou V
TO
) representa a queda de tenso e r
0
(r
F
ou r
T
)
representa a resistncia quando o componente est em conduo.

r
A K
E
O
I
A
O

Figura 10.1 - Circuito equivalente do SCR em conduo.

O SCR conduzindo dissipa uma potncia eltrica (em Watts) na forma de calor que pode ser
calculada por:

2
0 0 ef med SCR
I r I E P + =

onde:
P
SCR
perda de potncia no SCR durante a conduo (W)
E
0
tenso nodo-ctodo durante a conduo (V)
r
0
resistncia em conduo (m)
I
med
valor mdio da corrente de nodo (A)
I
ef
valor eficaz da corrente de nodo (A)

A determinao das Perdas em Conduo do SCR tem importncia fundamental no
chamado Clculo Trmico para o dimensionamento dos Dissipadores de Calor e Sistemas de
Refrigerao. O seu correto dimensionamento permite que o componente controle o mximo de
potncia sem sobreaquecimento, o que poderia danific-lo.

11. TESTANDO UM SCR COM MULTMETRO:
Os SCR devem ser testados em polarizao direta e acionando-se a porta com um sinal de
corrente e observando-se se ele permanece conduzindo aps essa corrente ser removida.
Para os SCR de pequeno porte, que apresentam baixas Correntes de Manuteno I
H
, o
teste pode ser feito com um Multmetro na funo Ohmmetro, como mostra a seqncia de testes
na figura 11.1.
O terminal positivo do multmetro ligado ao nodo e o negativo ao ctodo para que a
bateria interna do instrumento polarize diretamente o SCR. Esta a condio de bloqueio direto e
a leitura do ohmmetro deve ser um valor muito alto. Mantendo-se esta condio e conectando-se
tambm o gatilho no terminal positivo do multmetro, a bateria do instrumento fornecer o sinal de
corrente para disparar o SCR. A leitura do ohmmetro dever indicar um valor substancialmente
baixo e manter-se neste valor aps o gatilho ser removido do terminal positivo do multmetro.
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Conexo Resistncia Condio
ALTA BOM

BAIXA CURTO
BAIXA BOM

ALTA ABERTO
BAIXA BOM

ALTA DUVIDOSO
ALTA BOM

BAIXA CURTO
ALTA BOM

BAIXA CURTO
Figura 11.1 Testando um SCR com Multmetro

Se em polarizao direta e sem a conexo do gatilho, a leitura do ohmmetro for baixa, isso
indicar um curto-circuito entre nodo e ctodo. Se ao conectar o gatilho a leitura do ohmmetro
no diminuir, o SCR estar aberto. Se estiver conduzindo e voltar ao bloqueio quando do gatilho
for desconectado, sua condio de operao ser duvidosa pois talvez a corrrente fornecida pela
bateria do instrumento no seja suficiente para atingir a corrente de manuteno (I
H
).
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 22
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Em polarizao reversa a leitura do ohmmetro deve ser sempre muito alta, mesmo com a
conexo do gatilho.

Observao Importante:
Este mtodo deve ser usado com cautela pois a tenso do ohmmetro aplicada ao gatilho
pode ser alta o suficiente para danificar o componente. O teste mais adequado deve ser feito com
um instrumento traador de curvas.
12. PROTEES DO SCR:
Um SCR exige uma adequada proteo contra sobretenses e sobrecorrentes para oferecer
uma operao segura e confivel.
Sob condies anormais, sobrecargas por exemplo, o SCR poder ser percorrido por uma
sobrecorrente suficiente para danific-lo. Operaes inadequadas e transitrios podem provocar
sobretenses que ultrapassem os seus limites nominais de tenso.
O dimensionamento do SCR dever ser feito para as condies normais de operao,
levando-se em conta uma certa margem de segurana. Superdimension-lo para as possveis
condies anormais seria antieconmico.

12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt ( I/ t):
Quando o SCR comea a conduzir, a corrente de nodo fica concentrada em uma rea
relativamente pequena prxima ao gatilho. necessrio um certo tempo para que a conduo se
espalhe por igual em toda a pastilha semicondutora.
Entretanto, se ocorrer um Degrau de Corrente, rpido crescimento da corrente de nodo I
A
,
podero formar-se pontos quentes (hot spots) no semicondutor e queimar o componente por
sobre-temperatura. Este Degrau de Corrente dado pela taxa com que a corrente varia no tempo,
ou di/dt (I/t) e expresso em Ampres por microssegundos (A/s).
Limita-se o di/dt com uma pequena indutncia em srie com o SCR, pois esta se ope s
variaes bruscas de corrente, amortecendo a subida da corrente no nodo. A Indutncia
requerida pode ser determinada pela equao:

( )
max
/ dt di
V
L
P


Onde:
L indutncia (H0
(di/dt)
max
degrau de corrente mximo admissvel (A/s)
V
P
tenso de pico (V)

12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt ( V/ t):
O Degrau de Tenso, rpido crescimento da tenso V
AK
, pode disparar indesejavelmente o
SCR. Para proteger contra o disparo intempestivo utiliza-se uma rede RC (resistor em srie com
capacitor) conectada aos terminais de nodo e ctodo do SCR. Este circuito de proteo,
apresentado na Figura 12.1, chamado de Snubber.
A capacitncia uma oposio variao de tenso e, portanto, o capacitor C
S
conectado
aos terminais do SCR reduz a taxa na qual a tenso no dispositivo varia.
Quando o SCR estiver bloqueado, o capacitor C
S
se carregar at o instante em que o
dispositivo entrar em conduo.
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 23
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Quando o SCR for acionado, o capacitor descarregar e sua corrente se somar ao di/dt
apresentado pelo circuito original. Portanto, uma resistncia R
S
deve ser colocada em srie com o
capacitor para amortecer a descarga e limitar a corrente transitria no disparo.
Para um determinado degrau de tenso, os componentes do circuito Snubber podem ser
calculados pela equao:

( )
max
arg
dt
dv
R
V
C
a c
DRM
S



A equao abaixo fornece o valor mnimo para R
S
:

( )
max dt
di
V
R
DRM
S
=

Para aumentar a eficincia do Snubber, um diodo D
S
pode ser ligado em paralelo com R
S
.
Quando o dv/dt for grande, o diodo curto-circuitar R
S
, mas quando o di/dt for grande, o diodo
estar desligado.


Figura 12.1 Circuito Snubber

12.3. Proteo contra Sobretenso
As sobretenses geralmente so causadas por distrbios no chaveamento devidos
energia armazenada em componentes indutivos. A sobretenso transitria resultante pode
exceder os limites de tenso do SCR podendo causar disparo intempestivo ou queim-lo por
ruptura reversa.
Algumas maneiras de proteger um SCR contra sobretenso:
Diodo em srie com o SCR: para que ambos os componentes compartilhem a tenso
inversa. Devido queda de tenso no diodo, este mtodo pode introduzir perdas de
potncia significativas em certos circuitos.
SCR com alto valor de tenso nominal: como margem de segurana, porm, isto pode
implicar maiores custos.
Circuito Snubber RC: em paralelo com a fonte geradora de sobretenso.
Varistor (resistor no linear): em paralelo com o SCR, fornece um caminho de baixa
resistncia para o transitrio de tenso.

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 24
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12.4. Proteo contra Sobrecorrente
A sobrecorrente ocorre, em geral, por sobrecarga ou curto-circuito e o dispositivo de
proteo dever abrir o circuito antes do superaquecimento do SCR.
As protees contra sobrecorrente mais usuais so:
Fusveis de Ao Rpida: escolhidos atravs do parmetro I
2
t, relativo ao tempo do
ao, fornecido em catlogos de SCR e de fusveis.
Disjuntores de Alta Velocidade.
Rels de Sobrecorrente.

12.5. Proteo do Circuito de Disparo do Gatilho
O circuito de disparo do gatilho deve ser protegido contra transitrios de tenso e,
preferencialmente, ser eletricamente isolado do circuito de alta potncia que o SCR controla. Isso
pode ser feito com Transformadores de Pulso e de Acopladores pticos (Opto-acopladores).
Este assunto ser estudado posteriormente.

13. ASSOCIAES DE SCR:
Os valores nominais de corrente direta e de bloqueio de tenso determinam a potncia
mxima de carga que um SCR pode controlar.
No mercado podem ser encontrados SCR com valores nominais de tenso e de corrente
bastante altos (5kV e 5kA). Porm, em algumas aplicaes esses limites no so suficientes,
como em linhas de transmisso de energia em corrente contnua, como o caso das linhas da
Usina Itaipu, operando com tenses de 1200kV ( bipolo de 600kV).
Para aumentarmos a capacidade de bloqueio de tenso, devemos associar SCR em srie e
para aumentarmos a capacidade de corrente, devemos associar SCR em paralelo.
Como qualquer outro componente, as caractersticas de dois SCR de mesmo tipo, so
diferentes. Essas diferenas propiciam um complicador no projeto de circuitos com associaes
de SCR e devem ser equalizadas. Em projetos adequados as tenses e correntes entre os SCR
devem ser compartilhadas igualmente entre eles.
No trataremos desse assunto neste curso, porm a referncia [5] apresenta uma boa
discusso a respeito.
No mercado j se encontram disponveis alguns mdulos de componentes j conectados
para aplicaes especficas.

14. REQUISITOS BSICOS PARA OS CIRCUITOS DE DISPARO:
Os circuitos de disparo devem proporcionar ao SCR o sinal adequado e no instante
desejado para que o componente entre em conduo corretamente. So, portanto, requisitos
fundamentais no projeto de um circuito de disparo de SCR:
O sinal de gatilho dever ter amplitude adequada e tempo de subida suficientemente
curto;
A largura do pulso de gatilho (o tempo de durao do pulso t
G
) deve ser maior que o
tempo necessrio para a corrente nodo-ctodo passar o valor da corrente de reteno
I
L
. Na prtica: t
G
>t
on
.
Evitar ocorrncia de disparos indesejados por sinais falsos ou rudos;
O sinal de gatilho deve ser removido aps o disparo. Sinal contnuo aumenta as perdas
de potncia, levando ao sobre-aquecimento o que reduz a vida til do componente.
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 25
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Quando reversamente polarizado desaconselhvel haver sinal de gatilho, pois o
componente pode queimar pelo aumento da corrente de fuga reversa.
O controle dever ser suficientemente preciso;
Em circuitos trifsicos, garantir a defasagem de 120
o
nos sinais dos gatilhos.
Em associaes de SCR, garantir o acionamento simultneo.

Basicamente, existem 3 tipos usuais de sinais de disparo:
Sinais CC;
Sinais AC.
Sinais Pulsados;


15. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CC
Geralmente os parmetros de acionamento de um SCR so fornecidos em relao tenso
e corrente mdias CC.
Os circuitos de disparo com sinais CC podem fazer uso da prpria fonte de tenso que
alimenta a carga, se ela for CC, ou ter uma fonte prpria, como mostra a figura 15.1.


Figura 15.1 a) Circuito de Disparo CC com a mesma fonte da carga;
b) Circuito de Disparo CC com fonte prpria.

Ao fecharmos a chave Ch1 o SCR entra em conduo pois uma corrente CC aplicada no
gatilho, que est diretamente polarizado pela fonte V
CC
. Uma vez conduzindo, o sinal de gatilho
pode ser removido pela abertura da chave Ch1. O resistor Rg limita a corrente no gatilho e o diodo
D limita a amplitude de um possvel sinal negativo no gatilho em aproximadamente 1V. Em alguns
casos, o diodo D pode ser substitudo por um resistor R
GK
com a funo de proteo do gatilho,
como estudado no item sobre proteo do SCR.
No recomendado o uso de sinal de gatilho CC para disparar SCR em aplicaes CA
porque um sinal positivo durante o semiciclo negativo aumenta a corrente de fuga reversa I
R
e
pode danificar o componente.
Aplicando a Lei das Tenses de Kirchhoff podemos determinar o valor da resistncia Rg
para limitar a corrente de gatilho, em funo da fonte Vg e da tenso mxima de gatilho admitida
pelo componente:

GK G G G
V I R V

( )
G
GK G
G
I
V V
R

=

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 26
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Exemplo 15.1:
O SCR da Figura 15.1(a) apresenta uma corrente mxima de gatilho de 100mA e mxima tenso
V
GK
de 2V. Sendo a tenso V
G
de 15V, determine a resistncia R
G
que fornecer corrente
suficiente para o disparo.

0 =
GK G G G
V R I V
GK G G G
V V R I =
( ) ( )
=

130
10 100
2 15
3
G
GK G
G
I
V V
R

Assim, uma resistncia mnima de 130 dever ser conectada.


16. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CA CONTROLE DE FASE:
Um circuito de disparo sincronizado para o controle de fase capaz de gerar e injetar uma
corrente no gatilho do SCR para dispar-lo, quando polarizado diretamente, com a possibilidade
de controlar o instante em que essa corrente ser injetada no gatilho
O mtodo mais comum em aplicaes de corrente alternada derivar o sinal de disparo a
partir da prpria fonte principal CA. A grande vantagem que este processo mantm o sinal de
gatilho sincronizado com o ciclo de acionamento do tiristor, pripiciando o controle do ngulo de
fase onde o SCR dispara. o chamado CONTROLE DE FASE.


16.1. Circuito de Disparo CA com Rede Resistiva
A figura 16.1 mostra um circuito bastante simples para o controle de fase a partir do sinal CA
e de uma rede resistiva no gatilho. Durante o semiciclo positivo o SCR est em bloqueio direto.
Num dado instante a tenso V
CA
proporciona uma tenso e, conseqentemente, uma corrente no
gatilho suficiente para disparar o SCR. Esse instante pode ser controlado pelo potencimetro R
1
.


Figura 16.1 Circuito de disparo CA com rede resistiva

Exemplo 16.1.1:
Para o circuito de disparo CA com rede resistiva da figura 16.1, determinar o valor da
resistncia R
1
e do potencimetro P
1
tal que proporcionem uma corrente no gatilho suficiente para
disparar o SCR em 2
o
, 15
o
, 30
o
, 60
o
e 90

.
Dados:
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 27
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( ) t sen 127 2 ) t ( v = V
f =60Hz
R
carga
=100
R
GK
=1k
SCR TIC106
I
GK
=200A
V
GTK
=0,6V
Soluo:
O objetivo determinar as resistncias que fazem com que a tenso em R
GK
seja suficiente
para provocar a corrente mnima para disparo do SCR, I
GK
.
Usando a tcnica do Equivalente Thvenin para os ramos do circuito de controle, temos o
circuito equivalente da figura 16.2.

Figura 16.2 Equivalente Thvenin no gatilho do SCR

Seja R
x
=R
1
+R
2
e aplicando a tcnica do Equivalente Thvenin, temos:

( )
x GK
GK
th
R R
t v R
V
+

=
x GK
x GK
th
R R
R R
R
+

=

Como queremos determinar o valor de R
x
que suprem a corrente necessria I
GK
para o
disparo do SCR, analisando a malha do Equivalente Thvenin, determinamos a corrente que ele
fornece ao gatilho:
th
GK th
G
R
V V
I

=
Substituindo nesta equao as equaes para o clculo de V
th
e de R
th
e isolando R
x
,
encontramos:
( )
GK GK GK
GK GK GK
x
I R V
R V t v R
R
+

=
Substituindo os valores conhecidos de R
GK
, I
GK
e V
GK
, encontramos;
( )
+

=
200 1000 6 , 0
1000 6 , 0 t v 1000
R
x

( ) 750 t v 1250 R
x
=
Concluimos, ento, que a resistncia necessria funo da tenso instantnea v(t). Como
queremos disparar o SCR em diversos ngulos, basta determinarmos qual o valor da tenso
instantnea nestes ngulos e finalmente a resistncia R
x
que proporciona a corrente de disparo
nestes mesmos ngulos:

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 28
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(
o
) v(t) (V) R
x
( )
2 6,3 7,13
15 46,5 57,38
30 89,8 111,5
60 155,5 193,62
90 179,6 223,75

Desta tabela, podemos deduzir os valores mnimos e mximos para a resistncia R
x
:
R
x
mnimo =7,13
R
x
mximo =223,75
O valor mnimo dado pelo resistor R
1
e o valor mximo pela soma das resistncias R
1
+R
2
,
ou seja, R
2
ser o valor de R
x
R
1
:
Dentre os valores comerciais disponveis, podemos determinar finalmente o valor dos
componentes:
R
1
=6,8k
R
2
=220k

16.2. Circuito de Disparo CA com Rede Defasadora RC:
No circuito RC da figura 16.3 a tenso no gatilho est atrasada da tenso de alimentao
devido o capacitor e as resistncias do resistor e do potencimetro. O potencimetro controla a
defasagem e o tempo em que a tenso no capacitor leva para atingir o valor suficiente para
disparar o SCR. O objetivo atrasar a tenso que ir comandar o disparo do tiristor. A tenso se
disparo ocorrer mais tarde no semiciclo, como indicam as formas de onda na figura 16.4, onde:

- ngulo de disparo proporcionando pela senide da fonte
- ngulo de disparo proporcionado pela rede defasadora (RC)
- atraso proporcionado pela rede defasadora (RC)
- defasagem entre o ngulo de disparo normal e o ngulo de disparo com rede defasadora
Assim: = +


Figura 16.3 Circuito de disparo CA com rede defasadora RC
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 29
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Figura 16.4 Formas de Onda para o circuito da figura 14.13 [ref. 4]

Durante o semiciclo negativo o SCR se mantm em bloqueio reverso. O diodo em srie com
o gatilho garante a unidirecionalidade do sinal de disparo evitando assim, sinais no gatilho no
semiciclo negativo.
A tenso de disparo, sobre o capacitor, est atrasada em relao tenso da rede, por um
ngulo . O valor dessa defasagem depende da constante de tempo de carga do capacitor: =
R.C =(R
1
+R
2
).C
1
.
Variando R
2
varia o ngulo e portanto varia tambm o ngulo de disparo do SCR.
D
1
garante que s haver corrente no gatilho no semiciclo positivo, preservando o SCR.
D
2
conduz no semiciclo negativo, carregando C
1
com tenso negativa. Isso garante que no
incio de cada semiciclo positivo, o capacitor sempre esteja carregado com uma tenso fixa
(negativa), mantendo a regularidade do disparo.


16.3. Circuito de Disparo CA com Diodo Schokley ou Diac:
O Diodo Schokley um componente semicondutor de quatro camadas (PNPN). Seu
comportamento de um SCR sem gatilho preparado para disparar por sobretenso direta. Ou
seja, reversamente polarizado no conduz. Diretamente polarizado s entra em conduo quando
a tenso atingir um determinado valor, a chamada Tenso Schokley, como indica a sua curva
caracterstica na figura abaixo. Quando conduzindo sua tenso bem menor que a tenso de
disparo, como podemos observar na curva caracterstica da figura 16.5.

Figura 16.5 Curva caracterstica do Diodo Schokley [ref. 4]

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 30
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A figura 16.6 apresenta um circuito de disparo com sinal CA usando um diodo Schokley.
Enquanto a tenso no capacitor for menor que a tenso Schokley, o diodo estar cortado e o SCR
no entrar em conduo.


Figura 16.6 Circuito de disparo CA com Diodo Schokley

Quando a tenso no capacitor atingir a tenso Schokley, o diodo entrar em conduo e
proporcionar um caminho de baixa impedncia para a descarga do capacitor atravs do gatilho
do SCR. O capacitor provocar um pulso de corrente suficiente para disparar o SCR. Controlando
a defasagem entre a tenso da rede e a tenso no capacitor, varia-se o ngulo de disparo .
O Diac se comporta como um Diodo Schokley bidirecional, ou seja, como um Triac sem
gatilho, preparado para disparar tanto por sobretenso direta como reversa. Assim, o diodo
Schokley no circuito da figura 16.6 pode ser substitudo por um Diac. A figura 16.7 mostra o
smbolo e a curva caracterstica do Diac. Os terminais so identificados por terminal 1 e 2 (Main
Terminal).


MT1
MT2



Figura 16.7 Smbolo e curva caracterstica do Diac


Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 31
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17. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS PULSADOS:
Para reduzir a dissipao de potncia no gatilho, aconselhvel que os circuitos de disparo
de SCR, em vez de um sinal CC contnuo, gerem um nico pulso, ou um trem de pulsos. Isto
apresenta algumas vantagens tais como:
permite controle mais preciso do ponto de disparo do tiristor
facilita o acoplamento e o isolamento eltrico entre o circuito de disparo e o circuito de
potncia que o SCR aciona. O isolamento eltrico pode ser feito atravs de
transformadores de pulso ou de acopladores pticos.
reduzir rudos e transitrios que podem disparar intempestivamente o componente.

Para o controle de fase adequado, os circuitos de disparo com sinais pulsados devem ser
sincronizados com o sinal senoidal, ou seja, devem oscilar em relao ao zero da senide.

17.1. Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno
O Transistor Unijuno (Unijunction Transistor), fabricado desde 1948, apresenta trs
terminais: Emissor (E), Base 1 (B
1
) e Base 2 (B
2
). A figura 17.1 apresenta o smbolo, o diagrama
equivalente e a estrutura interna do transistor unijuno.


E
B2
B1

B1

E
B2
B1
P
N

Figura 17.1 Simbologia, diagrama equivalente e estrutura interna do TUJ

O transistor unijuno atua como uma chave controlada por tenso. Quando a tenso de
emissor atingir a tenso de pico do transistor unijuno, este dispara conduzindo entre emissor e
base 1, na regio de resistncia negativa. Quando a tenso de emissor decair ao ponto de vale, o
transistor unijuno corta. Entre B
1
e B
2
o transistor unijuno apresenta uma resistncia na faixa
de 4,7 a 9,1k. A figura 17.2 apresenta a curva caracterstica para um transistor unijuno..

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 32
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Figura 17.2 Curva caracterstica do Transistor Unijuno [ref. 4]

A tabela 17.1 mostra um procedimento simplificado de teste com a funo ohmmetro de um
multmetro para o transistor unijuno.

Tabela 17.1 Teste de um Transistor Unijuno com Multmetro
Ponteira Positiva (+) Ponteira Negativa (-) Resistncia
B2 B1 R
B1
+R
B2
B1 B2 R
B1
+R
B2
E B1 R
B1
B1 E Aberto ()
E B2 R
B2
B2 E Aberto ()

Um oscilador de relaxao com transistor unijuno, apresentado na figura 17.3 um
circuito comum para a produo de pulsos para disparo de SCR. Ele produz um trem de pulsos
estreitos na base 1. O carregamento do capacitor C
1
se d atravs da fonte Vcc e controlado
pelo resistor R
f
e o potencimetro P
1
. Quando a tenso no capacitor atingir o valor da tenso de
pico do transistor unijuno, este entra em conduo entre emissor e base1, fluindo uma corrente
de emissor para o primrio do transformador de pulso e aplicando um sinal no gatilho do SCR.
Quando a tenso no capacitor C
1
cair para o valor da tenso de vale, o transistor unijuno
corta e o processo se repete. A figura 17.4 mostra as formas de onda para este oscilador. A
largura do pulso dada pelo valor do capacitor. A desvantagem deste circuito a curta durao
dos pulsos, o que pode levar um SCR a no se manter em conduo. Isto pode ser solucionado
pelo circuito snubber RC, j estudado.

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K
G
R2
+
C1
TP
Q1
UJT
Rf
P1
+V
CC
-V
CC

Figura 17.3 Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno - TUJ




V
p

V
v

V
p

V
B2
=V
sada
t
t
V
C
=V
E

Figura 17.4 Formas de Onda para o Oscilador de Relaxao

No circuito da figura 17.5, quando o pulso proveniente do transistor unijuno Q
1
for
aplicado base do transistor bipolar Q
2
, este satura e a tenso de alimentao ser aplicada ao
primrio do transformador de pulso, induzindo um sinal no gatilho do tiristor. Quando o transistor
unijuno Q
1
cortar, o transistor bipolar Q
2
corta e cessa o sinal no gatilho. O diodo D
1
um diodo
com efeito roda-livre, para desmagnetizar o transformador de pulso. O transistor Q
2
opera como
um driver de corrente. Este circuito melhora a largura do pulso e o seu tempo de subida.

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K
G
D1
TP
Q2
NPN
R2
R1
Q1
UJT
C1
P1
Rf
+V
CC
-V
CC

Figura 17.5 Oscilador de Relaxao com TUJ e driver de corrente

A figura 17.6 apresenta uma etapa de sincronismo a ser conectada como fonte de
alimentao para o oscilador. O diodo D
1
retifica em meia onda o sinal do secundrio do
transformador e o diodo Zener D
Z
mantm a tenso a ser aplicada ao oscilador que ser
praticamente uma onda quadrada, sincronizada com a senide do secundrio. O resistor R
Z
limita
a corrente no Zener. O circuito oscilar somente enquanto houver tenso aplicada e o disparo do
tiristor ser no primeiro pulso gerado no instante determinado pelo tempo de carga controlado
pelo potencimetro do oscilador. A figura 17.7 mostra o oscilador gerando os pulsos sincronizados
com o sinal senoidal aplicado.

Ao oscilador

Figura 17.6 Etapa de sincronismo para controle de fase


Figura 17.7 Forma onda do oscilador sincronizado

17.2. Oscilador com Diodo Schokley e com Diac
O circuito da figura 17.8 apresenta um oscilador para o disparo de um SCR utilizando um
Diac. A constante RC define o tempo de carga do capacitor atravs da fonte de tenso V
cc
.
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Quando carregado com a tenso de disparo do Schokley (ou do Diac), se descarrega atravs
deste injetando uma corrente de disparo no SCR. Rapidamente o capacitor se descarrega e faz o
Schokley (ou o Diac) cortar, repetindo o processo. As formas de onda so semelhantes s da
figura 17.4.
Este circuito requer baixa potncia da fonte V
cc
para carregar o capacitor e fornece uma
potncia alta em um curto intervalo de tempo, garantindo assim, o disparo do SCR.

K
A
C
SCR
DIAC
R
+
Vcc

Figura 17.8 Disparo de SCR usando um Diac

17.3. Outros Circuitos Pulsados
Existem muitos outros circuitos pulsados para o disparo de tiristores, como por exemplo:
Oscilador com o circuito integrado 555;
Circuito Integrado dedicado a disparos de tiristores TCA-785 da Siemens;
Via programao (software) em circuitos microcontrolados e microprocessados;
outros

Para obter mais informaes sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o
professor ou consulte:
http://www.corradi.junior.nom.br

18. ISOLAMENTO E ACOPLAMENTO
Em circuitos tiristorizados existem diferentes tenses em diversos pontos. O circuito de
potncia que o tiristor controla submetido a tenses elevadas, geralmente maiores de 100V. J
o circuito de controle do disparo alimentado com baixas tenses, tipicamente at 30V.
Portanto, necessrio um circuito que isole eletricamente o tiristor e seu circuito de controle
e os mantenha acoplados.
A isolao e o acoplamento podem ser feitos por:
Acopladores Magnticos: transformadores de pulso (pulse transformers)
Acopladores pticos: opto-acopladores (opto-couplers)

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18.1. Acoplamento Magntico
O isolamento eltrico e o acoplamento magntico feito atravs de Transformadores de
Pulso. Os transformadores de pulso tm a vantagem de proporcionar um circuito de controle
simplificado e isolado eletricamente do circuito de potncia, evitando disparos indesejveis
gerados por realimentao do circuito de potncia para o comando. Transferem os pulsos com
baixas perdas, pequenas dimenses e enrolamentos isolados.
Construtivamente, os transformadores de pulso so semelhantes aos transformadores
comuns: possuem dois (ou mais) enrolamentos eletricamente isolados. A diferena que o ncleo
de ferrite e a relao de transformao geralmente de 1:1 ou de 1:2.
A figura 18.1. apresenta um circuito para acoplamento magntico. Quando um pulso
aplicado base do transistor chaveador Q1, este satura e a tenso V
cc
aplicada ao primrio do
transformador de pulso induzindo uma tenso pulsada no secundrio que aplicada entre o
gatilho e o ctodo do SCR. Quando o pulso for removido, Q1 corta e uma tenso de polaridade
oposta induzida no primrio. O diodo D
RL
(diodo de roda livre) conduz para desmagnetizar o
transformador de pulso. Durante este processo uma tenso reversa correspondente induzida no
secundrio. Um capacitor para aumentar a largura do pulso pode ser ligado em paralelo com R1.
O ncleo do transformador de pulso saturar devido corrente CC aplicada. Portanto, esse tipo
de acoplamento adequado para pulsos de 50 a 110s, tipicamente.


Figura 18.1 Circuito para Acoplamento Magntico

18.2. Acoplamento ptico
Os acopladores pticos foram desenvolvidos na dcada de 70 com a finalidade de acoplar e
isolar circuitos que operam com diferentes nveis de potncia. Consistem de uma fonte de
radiao (luz), o foto-emissor, e de um elemento foto-sensor (foto-receptor), com alta
sensibilidade na faixa de freqncia da radiao emitida. A luz acoplada ao sensor atravs de
um material isolante transparente ao atravs do ar.
Um circuito gerador de pulsos ligado no foto-emissor do opto-acoplador, geralmente um
LED, que disparar o foto-receptor, que pode ser um foto-transistor, um foto-diodo, um foto-SCR,
um foto-DIAC, etc.
Esse tipo de acoplamento requer uma fonte auxiliar V
cc
para alimentar o opto-acoplador, o
que aumenta o volume, peso e custo do circuito. A figura 18.2 apresenta um circuito para o
acoplamento ptico a partir de uma fonte V
CC
. A figura 18.3 apresenta o acoplamento ptico a
partir da prpria fonte do circuito de potncia V
CA
.

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 37
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Optoacoplador

Figura 18.2 Acoplamento ptico com fonte V
CC
dedicada



Optoacoplador

Figura 18.3 Acoplamento ptico a partir da fonte V
CA


18.3. Proteo do Gatilho
Os circuitos de disparo e os acopladores devem ser conectados aos gatilhos dos SCR
atravs de um ou mais componentes de proteo, cada qual com sua funo, como indica a figura
18.4.

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Figura 18.4 Componentes de proteo do gatilho do SCR

Na figura 18.4 cada componente possui uma ou mais funes, sendo:

R
GK
-aumenta a capacidade de degrau de tenso (dv/dt)
-reduz o tempo de desligamento
-aumenta as correntes de reteno e de manuteno

D
GK
-protege o gatilho contra tenses negativas

C
GK
-remove componentes de rudos de alta freqncia
-aumenta a capacidade de degrau de tenso (dv/dt)

R
1
-limita a corrente de gatilho
-amortece quaisquer oscilaes transitrias

D
1
-garante a unidirecionalidade (um s sentido) da corrente de disparo
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19. PROBLEMAS PROPOSTOS
P.1. Sabendo que a corrente mnima para disparo de um SCR de 15mA e que o circuito
proporciona uma tenso de 5V, qual o valor comercial da resistncia R
G
a ser conectada ao
gatilho? Explique.

P.2. Determine o valor mximo da resistncia de carga que vai assegurar a conduo do SCR
no circuito abaixo. O SCR tem uma corrente de manuteno de 200mA. Explique.
Resp.: 1040.

P.3. Uma fonte de tenso de 220Vef aciona uma resistncia de carga de 10 atravs de um
SCR. Determine o valor de uma indutncia L a ser includa no circuito para limitar o degrau
de corrente em 20A/s. Resp.: 15,6H

P.4. Determine a corrente eficaz em um circuito com um SCR quando um ampermetro CC
indica 100A com um ngulo de conduo de 60o. Resp.: 270A.

P.5. Um SCR tem VDRM de 600V, degrau de tenso mximo de 25V/s, degrau de corrente
mximo de 30A/s e usado para acionar uma carga resistiva de 100. Dimensione os
valores mnimos para o circuito snubber para que no ocorra acionamento intempestivo.
Sendo a tenso aplicada de 311V, qual a resistncia mnima para limitar a descarga em
5A? Explique. Resp.: 0,24F; 4,5m; 62,2.

P.6. Obtenha os parmetros da tabela 8.1 para os seguintes SCR: TIC-106D, TIC-116E, Aegis
A1N60.10.H, Aegis A5F1000.20HY, Semikron SKT16/04C e BT151-500R.

P.7. Compare um SCR a um Diodo de Potncia;

P.8. Cite as condies necessrias para disparo e para o bloqueio de um SCR;

P.9. Como deve ser o sinal adequado de disparo de um SCR? Porque?

P.10. Qual a relao entre a tenso de disparo e a corrente de gatilho?

P.11. Como pode haver disparos intempestivos? Como evitar?

P.12. Qual a relao entre a corrente de reteno e manuteno?

P.13. O que e como se evitam os degraus de tenso e de corrente?

P.14. Qual o valor mnimo da indutncia L para proteger um SCR contra dv/dt sendo seu valor de
10A/s e a tenso de 220V? Como deve ser conectado?

P.15. Determine os valores dos componentes de um circuito snubber para as condies:
VRRM =200V
(dv/dt)max =200V/s
(di/dt)max =100A/s
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Rcarga =10
a) Explique sua conexo e funcionamento.
b) Desenhe os esquemas para conectar quatro SCR em srie e em paralelo. Quais as
vantagens?

P.16. Descreva os circuitos de disparo;

P.17. Descreva os circuitos de comutao;

P.18. O que tempo de desligamento de um SCR?

P.19. Em um teste com multmetro, quais as condies que um SCR pode estar defeituoso?
Porque?

P.20. Quais os tipos de proteo adequados para um SCR?

P.21. Considerando o circuito de fase com SCR da figura 16.1, onde RGK=1,5k, a carga uma
lmpada de 220V/100W e o SCR o TIC116D:
a) calcule R1 e R2 para os seguintes ngulos de disparo do SCR: 5; 20; 45; 60; 90 e 150
graus;
b) simule em computador para obter as formas de onda das tenses na lmpada para cada
ngulo de disparo do SCR;
c) calcule a tenso mdia e eficaz, bem como a potncia mdia na lmpada, para cada ngulo
de disparo do SCR (considere que a lmpada mantm a sua resistncia nominal)
Dados:
TIC 116 D
IGK =5mA (min) e 20mA (mx)
VGK =1,5V

P.22. Em que condies de teste um transistor unijuno apresenta defeito?
P.23. Explique como e porque se pode controlar a freqncia de um oscilador de relaxao com
transistor unijuno.
P.24. Como se pode sincronizar os circuitos de disparo com sinais pulsados para se fazer o
controle de fase adequado?



Para obter mais problemas sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o
professor ou consulte:
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20. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] VILLAA, M.V.M. e RANGEL, P.R.T.; Eletrnica de Potncia, Volumes 1 e 2, apostila,
CEFET/SC, Florianpolis, 199x.

[2] RASHID, M.H.; Eletrnica de Potncia Circuitos, Dispositivos e Aplicaes, Makron Books,
So Paulo, 1999.

[3] AEGIS SEMICONDUTORES; Pgina oficial do fabricante na Internet: http://www.aegis.com.br

[4] ALMEIDA, J .L.A.; Dispositivos Semicondutores: Tiristores Controle de Potncia em CC e
CA, Coleo Estude e Use, Srie Eletrnica Analgica, Editora rica, So Paulo, 1996.

[5] AHMED, A.; Eletrnica de Potncia, Prentice Hall, So Paulo, 2000.

[6] ANDRADE, E.A.; Eletrnica Industrial Anlise de Dispositivos e suas Aplicaes, 1
a
edio,
Editora CEFET/BA, Salvador, 1996.
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 42
Prof. Corradi
ANEXOS:

A.1. VALOR NOMINAL MXIMO EFICAZ DA CORRENTE DE NODO REPETITIVA
A corrente de nodo mxima que um SCR pode suportar depende da temperatura mxima
da juno do semicondutor (T
J
). Essa temperatura no pode ser excedida.
Medir T
J
no fcil, mas podemos medir e controlar as tenses e correntes do SCR que
contribuem para o aumento de T
J
. A maior contribuinte a corrente eficaz repetitiva I
T(RMS)
.
A corrente eficaz (RMS, Root Mean Square) o valor usado para rotular o SCR pois diz
respeito dissipao de calor. J a corrente mdia I
T(AVG)
diz respeito ao acionamento da carga.
A corrente mdia igual corrente eficaz em circuitos de corrente contnua puros.
Entretanto, o valor mdio menor que o eficaz para outras formas de onda. Para senides puras
o valor eficaz dado pela relao:

2
pico
eficaz
I
I =

Determinar o valor eficaz de uma forma de onda no senoidal no tarefa fcil. Podemos
simplificar os clculos fazendo uma aproximao da forma de onda no senoidal a uma forma de
onda retangular cuja altura seja igual ao valor de pico e cuja largura seja igual durao do pico,
como mostra a figura 18.1. O valor eficaz resultante ser maior, mas proporcionar um bom fator
de segurana.


I
I
mx
t
0
t

T

I
I
mx
t
0
t

T


ngulo (
o
) ngulo (
o
) 180
o
180
o
0
o
0
o

Figura 18.1 Aproximao da forma de onda real

Assim:
T
t I
I
pico
eficaz
0
2

=

T
t I
I
pico
mdio
0

=

Podemos ento definir Fator de Forma (FF) como sendo a relao do valor eficaz pelo valor
mdio:
Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 43
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mdio
eficaz
I
I
FF =

Sabendo-se o Fator de Forma de uma determinada forma de onda, o valor eficaz da
corrente pode ser determinado por:
mdio eficaz
I FF I =

O ngulo de Conduo corresponde ao tempo em que o SCR fica ligado, como mostra a
figura 18.1. A tabela 18.1 apresenta o Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo.

Tabela 18.1 Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo
NGULO DE CONDUO ( ) FATOR DE FORMA (FF)
20
o
5,0
40
o
3,5
60
o
2,7
80
o
2,3
100
o
2,0
120
o
1,8
140
o
1,6
160
o
1,4
180
o
1,3
Fonte: referncia [5]



Apostila Tiristor SCR.doc
24.03.2002