Este artculo presenta las mediciones de tensiones residuales de carbono (DLC) recubrimientos de

tipo diamante amorfo obtenido mediante el estudio de las condiciones de estrs de la capa
superficial de sustrato inmediatamente adyacentes a la capa mediante difraccin de rayos X (XRD)
con un accesorio de pelcula delgada. En una configuracin tal, el ngulo de incidencia en el que el
haz primario golpea la muestra se fija en un ngulo de brillo (2 en nuestros experimentos) con
relacin a la superficie de la muestra mientras el detector gira para recoger los rayos X difractados.
Los revestimientos de carbono amorfo fueron depositadas sobre obleas de silicio de un solo cristal
y sobre substratos policristalinos de KBr en un sistema de pulverizacin catdica con magnetrn
desequilibrado. Los efectos de material de sustrato y los parmetros de deposicin en las
tensiones internas de los revestimientos se discuten en detalle. XRD con el accesorio de pelcula
delgada proporciona una manera nueva y ms precisa para determinar las tensiones residuales en
los recubrimientos amorfos. Aumentar el flujo de nitrgeno relativa reduce el nivel de esfuerzo de
compresin de los revestimientos de carbono amorfo hidrogenado. Bajo las condiciones
experimentales estudiadas, mayor potencia de polarizacin del sustrato y la pulverizacin inica
de densidades de potencia tanto aument el nivel de estrs de compresin.
El espectro XRD del sustrato de Si (100) antes de la deposicin se muestra en la figura. 6. Los
principales picos de difraccin se centran alrededor de 2h = 22 , 55 y 77 .
Despus de la deposicin del recubrimiento, el espectro de difraccin centrado alrededor del pico
55 se recogi de nuevo bajo las mismas condiciones y se muestra en la figura. 7. El pico de 55
(311) se elige debido a la mayor intensidad y falta de interferencia amorfo a partir del
revestimiento. Se puede observar en la fig. 7 que, despus del revestimiento, hay un cambio de
pico obvio hacia una mayor 2h con densidad de potencia objetivo aumentar la deposicin. Para
estar seguros de que el cambio de pico no fue desde el bombardeo durante la limpieza por
pulverizacin catdica de la capa superficial de silicio, espectros XRD antes y despus de la
limpieza por bombardeo inico se compararon. Bajo las condiciones de limpieza por bombardeo
inico utilizados, no de intensidad mxima se observ debido a chisporrotear limpieza. La
temperatura estaba por debajo de 200 C durante la deposicin. Aunque desajuste trmico es uno
de los factores que contribuyen, debera ser uno menor debido a la baja temperatura en cuestin.
Adems, se supone que hay ningn cambio significativo en el ndice de refraccin del sustrato
antes y despus del recubrimiento. Por lo tanto, el cambio de pico se atribuy a la tensin debido
a la deposicin de recubrimiento. El D2h cambio se muestra en el diagrama es para la deposicin
en una mayor densidad de potencia objetivo. Este D2h refleja el cambio del espaciado d del plano
hkl a las 2h. Este cambio se utiliza para calcular las tensiones residuales utilizando la ecuacin. (3).
Para policristalino KBr, se observa ningn cambio aparente de la posicin del pico con el aumento
de ngulo de incidencia de 0,2 a 9 , como se muestra en la figura. 8. Puesto que la seal es
tomada desde el sustrato, no el revestimiento (el recubrimiento era amorfo), la intensidad de
difraccin tambin aumenta con el aumento del ngulo de incidencia. Se encontr a diferentes
ngulos de incidencia que hay una ligera disminucin de la posicin de pico: for (100) de silicio de
cristal nico, 2H disminuye en aproximadamente 0,8 mientras que el ngulo de incidencia vara
de 2 a 9 . Por lo tanto, para asegurar una comparacin vlida, las muestras deben ser irradiadas
en el mismo ngulo de incidencia antes y despus del revestimiento. En nuestros experimentos
con silicio de cristal nico, un ngulo de incidencia fijo de 2 se utiliz. En el caso del sustrato de
KBr, se utiliz un ngulo de incidencia de 0,2 , porque la intensidad de difraccin de la superficie
policristalino era lo suficientemente fuerte para un anlisis preciso en un ngulo tan baja
incidencia.
Higo. 9 compara los espectros para KBr policristalino difractada en el mismo ngulo de incidencia
de 0,2 antes y despus del recubrimiento. Aparte del cambio de pico evidente despus de la
deposicin del recubrimiento, se observa que la intensidad de los picos en los ngulos superiores
2h tambin aumenta despus del recubrimiento.
Adems, la intensidad relativa de los picos tambin se cambia: antes del revestimiento, I3 es
mayor que I2, pero despus tambin se observ forma para el sustrato de silicio despus del
recubrimiento de deposicin (Fig 7.). Aunque el mecanismo no est claro, sin embargo, esto puede
ser el resultado de la distribucin de tensiones y su efecto sobre ciertos planos.