Вы находитесь на странице: 1из 282

SENAI-PE

1




















Eletrnica Bsica II

SENAI-PE

2
Federao das Indstrias do Estado de Pernambuco
Jorge Wicks Crte Real

Departamento Regional do SENAI de Pernambuco
Diretor Regional
Antnio Carlos Maranho de Aguiar

Diretor Tcnico
Uaci Edvaldo Matias

Diretor Administrativo e Financeiro
Heinz Dieter Loges




Ficha Catalogrfica



621 SENAI.DR.PE. Eletrnica Bsica II.
S474e Recife, SENAI.PE/DITEC/DET, 2005
1. ENGENHARIA ELTRICA
2. ELETRNICA
3. Srie Eletrnica - SENAI
I. Ttulo


Direitos autorais de propriedade exclusiva do SENAI. Proibida a reproduo parcial ou total, fora do
Sistema, sem a expressa autorizao do Departamento Regional de Pernambuco.









SENAI Departamento Regional de Pernambuco
Rua Frei Cassimiro, 88 Santo Amaro
50100-260 - Recife PE
Tel.: (81) 3416-9300
Fax: (81) 3222-3837

SENAI-PE


3
SUMRIO




Estrutura Bsica 05
Teste de Transistores 10
Princpio de Operao 16
O Circuito do Coletor 33
Influncia da Corrente de Base 36
Configuraes do Transistor 40
Curvas Caractersticas 41
Polarizao de Base por Corrente Constante 56
Regio de Operao de um transistor 59
Polarizao por Divisor de Tenso 66
Regulao de Tenso em Fontes de Alimentao 85
Circuitos Reguladores 87
Circuitos Comparadores Transistorizados 95
Fonte Regulada com Comparador 101
Amplificador em Base Comum 129
Amplificador em Coletor Comum 139
Transitor de Efeito de Campo 150
Amplificador Operacional 177
O Multivibrador Biestvel 196
Multivibrador Monoestvel 214
Multivibrador Astvel 225
O disparador schmitt 237
Fotodetectores e Sensores de Temperatura 260
Bibliografia 278

4
SENAI-PE




INTRODUO





Tendo em vista o avano tecnolgico na rea industrial, a cada dia surgem novos
instrumentos e aparelhos no processo de produo, sendo, dessa maneira,
importante conhecer os conceitos relativos a transistor bipolar, amplificadores,
multivibradores, entre outros.


Os ltimos anos tm caracterizado uma penetrao cada vez maior da eletrnica
nos diversos ramos da atividade humana. Essa influncia tem sido mais significativa
na indstria e no lazer.


Os assuntos, aqui abordados, contribuiro para o aprendizado de eletrnica bsica
II, possibilitando ao leitor desenvolver novos conhecimentos nessa rea.


SENAI-PE


Estrutura bsica



O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo de cristais
semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou como chave eletrnica.

Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra uma ampla gama
de aplicaes, como por exemplo:

Amplificador de sinais: Equipamentos de som e imagem e controle industrial.

Chave eletrnica: Controle industrial, calculadoras e computadores eletrnicos.

O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento da
eletrnica, devido a sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento
chave em grande parte dos equipamentos eletrnicos.

A estrutura bsica do transistor se compe de duas camadas de material
semicondutor, de mesmo tipo de dopagem, entre as quais inserida uma terceira
camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de dopagem
distinto dos outros dois, formando uma configurao semelhante de um
sanduche, conforme ilustrado na Fig.1.

















Fig.1 Estrutura bsica de um transistor.
Como mostrado na Fig.2, a configurao da estrutura, em forma de
sanduche, permite que se obtenham dois tipos distintos de transistor:

- Um com as camadas externas de material tipo p e com a camada central
formada de um material tipo n. Esse tipo de transistor denominado de
transistor bipolar pnp.




5






SENAI-PE




- Outro com as camadas externas de material tipo n e com a camada central
formada com um material tipo p. Esse tipo de transistor denominado de
transistor bipolar npn.







Fig.2 Estruturas dos transistores pnp e npn.


Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funes diferindo
apenas na forma como as fontes de alimentao so conectadas aos terminais do
componente.


O transistor bipolar pode se apresentar em duas configuraes:
pnp e npn.



TERMINAIS DO TRANSISTOR



Como mostrado na Fig.3, cada
uma das camadas que formam o
transistor conectada a um terminal
que permite a interligao da
estrutura do componente aos
circuitos eletrnicos.









Fig.3 Estrutura bsica de um
transistor de trs terminais.


Os terminais recebem uma
designao que permite distinguir cada uma das camadas:

- A camada central denominada de base, sendo representada pela letra B.

- Uma das camadas externas denominada de coletor, sendo representada pela
letra C.





6




SENAI-PE


- A outra camada externa denominada de emissor, sendo representada pela
letra E.

A Fig.4 mostra os dois tipos de transistor, com a identificao dos
terminais.






Fig.4 Transistores pnp e npn com a identificao dos terminais.


O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor.

Embora as camadas referentes ao coletor e ao emissor de um transistor
tenham o mesmo tipo de dopagem, elas diferem em dimenso geomtrica e no
grau de dopagem, realizando portanto funes distintas quando o componente
conectado a um circuito eletrnico.


































7




SENAI-PE




SIMBOLOGIA




A Fig.5 apresenta os smbolos
utilizados na representao de circuito
dos transistores npn e pnp. Como pode
ser a observado, os dois smbolos
diferem apenas no sentido da seta entre
os terminais da base e do emissor.




Alguns transistores so dotados
de blindagem. Essa blindagem consiste
de um encapsulamento metlico
envolvendo a estrutura semicondutora,
com o fim de evitar que o funcionamento
do componente seja afetado por campos
eletromagnticos no ambiente. Esses
transistores apresentam um quarto
terminal, ligado blindagem para que
esta possa ser conectada ao terra do
circuito eletrnico. A representao de
circuito desses transistores est ilustrada
na Fig.6.
Fig.5 Representao de circuito
dos transistores npn e pnp.




Fig.6 Representao de circuito
de um transistor blindado.




ASPECTO REAL DOS TRANSISTORES


Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que
variam em funo do fabricante, do tipo de aplicao e da capacidade de dissipar
calor. A Fig.7 ilustra os aspectos de alguns encapsulamentos.















8




SENAI-PE








Fig.7 Encapsulamentos tpicos de um transistor.



Devido variedade de configuraes, a identificao dos terminais de um
transistor deve sempre ser feita com auxlio do folheto de especificaes tcnicas do
componente.















































9
SENAI-PE


Teste de transistores




Existem instrumentos sofisticados destinados especificamente ao teste das
condies de operao de um transistor. No entanto, o uso de um multmetro
tambm permite detectar possveis defeitos no componente.

Como no teste de diodos com o uso de um multmetro, o teste de
transistores pode no fornecer um resultado definitivo, e o uso do multmetro
serve apenas para detectar os defeitos mais comuns nos transistores e diodos.

No caso do diodo, so os seguintes os defeitos de deteco imediata com
o uso de um multmetro:

- Juno pn em curto.

- Juno pn em aberto.

Como descrito em fascculos anteriores, o teste de qualquer juno pn
com o uso de um multmetro feito em duas etapas:


Etapa 1: Realiza-se inicialmente a identificao da polaridade real das pontas
de prova do multmetro.

Etapa 2: Aps a identificao de polaridade, realiza-se o teste do diodo, que
consiste em detectar a existncia de baixa e alta resistncias ao se
intercambiarem os dois contatos entre as pontas de prova e os terminais da
juno pn.

Conforme ilustrado na Fig.8, a estrutura de um transistor consiste em uma
juno pn entre a base e o coletor e de uma segunda juno pn entre a base e o
emissor.
















10























SENAI-PE





























Fig.8 Junes pn do transistor npn em (a) e do transistor pnp em (b).

Portanto, para a deteco de defeitos, o transistor pode ser considerado
como composto de dois diodos conectados nas formas ilustradas na Fig.9.











Fig.9 Representao de transistores npn e pnp por diodos equivalentes.



A deteco de defeitos no transistor consiste em verificar a existncia de
curto ou de circuito aberto entre os pares de terminais BC, BE e CE.







11






SENAI-PE


TESTE COM O USO DO MULTMETRO

O procedimento de teste das junes base-coletor e base-emissor
descrito a seguir tomando como exemplo o caso de um transistor npn.




DETECO DE DESCONTINUIDADES NAS JUNES


Com o potencial positivo da ponta de prova aplicado base do transistor e
o potencial negativo aplicado ao coletor ou ao emissor, como ilustrado na
Fig.10, as junes correspondentes ficam polarizadas diretamente.

Na ausncia de defeitos, o instrumento dever indicar baixa resistncia
das junes BC e BE. Se houver uma juno em aberto, o instrumento fornecer
a indicao de uma resistncia altssima quando essa juno estiver sendo
testada.












Fig.10 Deteco de descontinuidades nas junes BC e BE de um transistor npn.




DETECO DE CURTOS NAS JUNES


Para este teste as pontas de prova devem ser conectadas conforme
mostrado na Fig.11.

Com a ponta de prova negativa conectada base, a segunda ponta de
prova polariza inversamente a juno BC ou BE. Na ausncia de defeitos, o
multmetro dever fornecer a indicao de altas resistncias nas junes. Se





12












SENAI-PE


houver uma juno em curto o instrumento indicar uma baixa resistncia
naquela juno.










Fig.11 Teste para deteco de curtos nas junes BC e BE de um transistor npn.




DETECO DE CURTO-CIRCUITO ENTRE COLETOR E EMISSOR

Para completar os testes deve-se ainda verificar a condio eltrica entre
os terminais do coletor e do emissor.

Com o terminal da base em aberto, o circuito equivalente entre os
terminais B e C corresponde a dois diodos em srie conectados inversamente.
Dessa forma o multmetro dever fornecer uma indicao de altssima
resistncia para as duas possibilidades de conexo das pontas de prova
mostradas na Fig.12.


















13




SENAI-PE


Fig.12 Teste para deteco de curto-circuito entre os terminais C e E
de um transistor npn.
Para o caso de um transistor pnp os testes podem ser conduzidos seguindo
o procedimento descrito anteriormente, exceto que as pontas de prova devem ser
invertidas com relao s configuraes ilustradas nas Figs.10 a 12.




Todos os testes devem ser realizados com o seletor do
multmetro posicionado na escala R10 ou R100 e com o transistor
desconectado de qualquer circuito externo.




Os testes realizados com multmetro no permitem detectar
alteraes nas caractersticas do transistor. Mesmo que o multmetro
no detecte defeitos, existe ainda a possibilidade de que existam
alteraes nas caractersticas do transistor que o tornem imprprio
para uso em circuitos.







































14
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Qual a estrutura bsica de um transistor bipolar?

2. Quais so as configuraes de um transistor?

3. Desenhe os smbolos possveis de um transistor e identifique os seus
terminais.

4. Quais defeitos podem ser identificados em um transistor com o uso de um
multmetro?

5. Descreva os procedimentos de execuo dos testes identificados na questo
anterior.














































15


SENAI-PE


Princpio de operao



Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura de um
transistor necessrio aplicar tenses entre os seus terminais. O movimento dos
eltrons livres e lacunas est intimamente relacionado polaridade da tenso
aplicada a cada par de terminais do transistor, como descrito a seguir.



OPERAO DO TRANSISTOR NA REGIO ATIVA



A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes pn,
conforme ilustrado na Fig.1:

- Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de
juno base-emissor.

- Uma juno pn entre o cristal da base e o cristal do coletor, chamada de
juno base-coletor.





















Fig.1 Junes base-coletor e base-emissor em um transistor.
A formao das duas junes no transistor faz que ocorra um processo de
difuso dos portadores. Como no caso do diodo, esse processo de difuso d
origem a uma barreira de potencial em cada juno.

No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial, mostradas na
Fig.2, que se formam a partir da juno dos cristais semicondutores:



16


SENAI-PE




- A barreira de potencial na juno base-emissor.
- A barreira de potencial na juno base-coletor.

































Fig.2 Barreiras de potencial formadas nas duas junes de um transistor.






As caractersticas normais de polarizao dos terminais do transistor so
sumarizadas a seguir.




JUNO BASE-EMISSOR


Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento
na regio ativa, a juno base-emissor fica polarizada diretamente, conforme
ilustrado na Fig.3.








17






SENAI-PE











Fig.3 Polarizao da juno base-emissor de transistores pnp e npn para
operao na regio ativa.

A conduo atravs da juno base-emissor provocada pela aplicao de
uma tenso externa entre a base e o emissor, com polarizao direta, ou seja,
com o material tipo p tendo polarizao positiva com relao ao material tipo n.




Na regio ativa a juno base-emissor de um transistor fica
diretamente polarizada.

JUNO BASE-COLETOR








18








SENAI-PE


Para operao na regio ativa, a juno base-coletor fica polarizada
inversamente, ou seja, com o material tipo p polarizado negativamente em
relao ao material tipo n, conforme mostrado na Fig.4.




Na regio ativa a juno base-coletor de um transistor fica
inversamente polarizada.






























Fig.4 Polarizao da juno base-coletor de transistores pnp e npn para
operao na regio ativa.










19






SENAI-PE



POLARIZAO SIMULTNEA DAS DUAS JUNES


Para que o transistor funcione adequadamente, as duas junes devem ser
polarizadas simultaneamente. Isso feito aplicando-se tenses externas nas duas
junes do componente. A Fig.5 mostra a forma de polarizao de um transistor
para operao na regio ativa.
















































Fig.5 Polarizaes dos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.









20




SENAI-PE


Uma forma alternativa de configurao, que permite obter a operao do
transistor na regio ativa mostrada na Fig.6, para o caso de um transistor npn.

















Fig.6 Configurao alternativa para operao de
um transistor npn na regio ativa.


Uma inspeo do diagrama de circuito mostrado na Fig.6 permite extrair
as seguintes observaes:

- A bateria B1 polariza diretamente a juno base-emissor.
- A bateria B2 submete o coletor a um potencial mais elevado do que aquele
aplicado base.

Dessa forma, a juno base-coletor est submetida a uma polarizao
inversa, o que juntamente com a polarizao direta aplicada juno base-
emissor, possibilita operao na regio ativa do transistor. Conclui-se portanto
que os dois esquemas mostrados na Fig.7 produzem polarizaes equivalentes
nas junes do transistor.



Fig.7 Diagramas de circuito que permitem a operao de
um transistor npn na regio ativa.







21


SENAI-PE


Em resumo, para operao de um transistor na regio ativa, tem-se:

- Polarizao direta da juno base-emissor.
- Polarizao inversa da juno base-coletor.

A alimentao simultnea das duas junes, atravs de baterias externas,
d origem a trs tenses entre os terminais do transistor:

- Tenso base-emissor, representada pelo parmetro V
BE
.
- Tenso coletor-base, representada pelo parmetro V
CB
.
- Tenso coletor-emissor, representada pelo parmetro V
CE
.

Esses parmetros esto representados na Fig.8 para os transistores pnp e
npn. Como pode ser a observado, as tenses entre os terminais so definidas
matematicamente pelas relaes


V
BE

= V
B
V
E

(1)

V
CB
= V
C

V
B

(2)

V
CE
= V
C

V
E

(3)

onde V
B
, V
C
e V
E
so os potenciais eltricos na base, coletor e emissor,
respectivamente.



Fig.8 Tenses nas junes dos transistores pnp e npn.


Com base na Fig.8, ou alternativamente, somando as Eqs.(1) e (2) e
comparando com a Eq.(3), tem-se que as tenses entre terminais satisfazem a
condio


V
CE

= V
CB

+ V
BE

(4)



22
SENAI-PE


Na Fig.8 as baterias externas esto polarizadas de forma a permitir a
operao do diodo na regio ativa. Nessas condies, as tenses definidas nas
Eqs.(1) a (3) devem assumir os sinais indicados na Tabela 1.

Tabela 1 Sinais das tenses entre terminais para os transistores pnp e npn.
Tenso Transistor pnp Transistor npn
V
BE negativa positiva
V
CB negativa positiva
V
CE negativa positiva



PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
BIPOLAR


A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento de
eltrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem s
correntes nos terminais do transistor. Utiliza-se como representao de circuito
para essas correntes aquela indicada na Fig.9.


Fig.9 Representao de circuito das correntes nos terminais de um transistor.



As correntes definidas na Fig.9, recebem as seguintes denominaes:

-

I
B


= corrente de base.
- I
C = corrente de coletor.
- I
E = corrente de emissor.


O sentido das correntes representadas na Fig.9 segue uma conveno que
estabelece:








23




SENAI-PE




Correntes positivas so aquelas que fluem do circuito externo
para os terminais do transistor.
De acordo com essa conveno as correntes nos terminais do transistor satisfazem a relao



I
B
+ I
C
+ I
E
= 0

(5)


Seguindo a conveno adotada, para transistores npn e pnp operando na
regio ativa, os sinais das trs correntes definidas anteriormente so aqueles
indicados na Tabela 2, conforme ilustrado na Fig.10.


Tabela 2 Sinais das correntes nos terminais dos transistores pnp e npn
para operao na regio ativa.
Corrente Transistor pnp Transistor npn
I
B negativa positiva
I
C negativa positiva
I
E positiva negativa

















Fig.10 Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operao na
regio ativa.



O princpio bsico que explica a origem das correntes no transistor o
mesmo para estruturas npn e pnp, e a anlise do movimento de portadores de
carga pode ser realizada tomando-se como exemplo qualquer das duas
estruturas. Isso feito a seguir para a anlise das correntes em um transistor pnp
posto em operao na regio ativa.











24




SENAI-PE




CORRENTE DE BASE


A corrente de base produzida pela aplicao de uma tenso que polariza
diretamente a juno base-emissor e cujo efeito semelhante quele observado
em um diodo semicondutor polarizado diretamente.

Como ilustrado na Fig.11, a aplicao de uma tenso positiva

V
EB
=V
E
V
B


com um valor superior ao potencial de barreira da juno base-emissor, facilita a
injeo de lacunas do emissor para a base e de eltrons livres no sentido inverso.
Como no caso de uma juno semicondutora comum, o potencial de barreira
tipicamente 0,6 a 0,7 V para o silcio e 0,2 a 0,3V para o germnio.


































Fig.11 Movimento de portadores nas proximidades da juno base-emissor
quando esta polarizada diretamente.









25


SENAI-PE


Transistores so construdos com o emissor tendo um grau de dopagem
muito superior quele da base. Dessa forma o fluxo de portadores ocorre
predominantemente por parte das lacunas injetadas na base.

A pequena quantidade de eltrons disponveis na base se recombina com
parte das lacunas a injetadas, dando origem corrente de base. Com o pequeno
grau de dopagem da base, poucas recombinaes ocorrem, resultando em um
pequeno valor para a corrente de base, normalmente na faixa de microampres a
miliampres.

Assim, a maior parte das lacunas provenientes do emissor no se
recombina com os eltrons da base, podendo portanto atingir a juno base-
coletor.



Em um transistor pnp corrente de base provocada pela
aplicao de uma tenso V
EB
> 0 ligeiramente superior ao potencial
de barreira da juno base-emissor. Essa corrente muito pequena
devido ao pequeno grau de dopagem da base.



CORRENTE DE COLETOR


Devido pequena espessura da regio da base e tambm ao seu pequeno
grau de dopagem, o excesso de lacunas que no se recombinaram com os
eltrons naquela regio atingem a juno base-coletor, conforme ilustrado na
Fig.12. Como a juno base-coletor est inversamente polarizada, essas lacunas
so aceleradas pela queda de potencial existente naquela juno, dando origem
corrente de coletor.
























26




SENAI-PE

































Fig.12 Movimento de portadores e correntes resultantes nos terminais de um
transistor pnp.
A corrente de coletor tem um valor muito superior corrente de base
porque a grande maioria das lacunas provenientes do emissor no se
recombinam com os eltrons da base, sendo portanto injetadas diretamente no
coletor.

Tipicamente, um mximo de 5% do total de lacunas provenientes do
emissor produz a corrente de base, com o restante dando origem corrente de
coletor. Essa grande diferena entre as correntes de base e de coletor est
ilustrada na Fig.13.





















27


SENAI-PE































Fig.13 Comparao entre as correntes de base e de coletor em um transistor pnp.




CORRENTE DE EMISSOR


A partir da discusso das sees anteriores, e de acordo com o princpio
da conservao da carga estabelecido pela Eq.(5), a corrente de emissor pode ser
obtida da relao


I
E
= ( I
B
) + ( I
C
) (6)


De acordo com a conveno adotada para definir as correntes nos
terminais do transistor, os sinais a elas atribudos indicados na Tabela 2, so
compatveis com os sentidos dos fluxos de corrente, mostrados na Fig.14.
Conseqentemente, para o transistor pnp operando na regio ativa:


- I
B
< 0 (I
B
) > 0, indicando que a corrente na base flui do terminal B para o
circuito.

- I
C
< 0 (I
C
) > 0, indicando que a corrente no coletor flui do terminal C
para o circuito.

- I
E
> 0 indica que a corrente no emissor flui do circuito para o terminal E.




28
SENAI-PE

























Fig.14 Sentidos das correntes em um transistor pnp operando na regio ativa.





CONTROLE DE CORRENTE NO TRANSISTOR


A principal caracterstica do transistor reside no fato de a corrente de base
poder controlar eficientemente a corrente de coletor. A corrente de base pode ser
modificada pelo ajuste externo da tenso na juno base-emissor, conforme
ilustrado na Fig.15.

Dessa forma, qualquer variao na tenso da fonte aparece diretamente
como uma variao na altura da barreira de potencial da juno base-emissor,
fazendo que mais ou menos portadores provenientes do emissor sejam injetados
na base. Como as correntes de base e de coletor variam em proporo direta com
o nmero de portadores provenientes do emissor, conclui-se que variaes na
tenso aplicada juno base-emissor, ou equivalentemente na corrente de base,
causam variaes na corrente de coletor.


















29
SENAI-PE





Fig.15 Influncia da corrente de base na corrente de coletor de um transistor.

Nota-se que apesar de a corrente de base ser de pequeno valor, ela atua
essencialmente de forma a liberar a passagem de mais ou menos corrente do
emissor para o coletor. Dessa forma a corrente de base atua como corrente de
controle, e a corrente de coletor, como corrente controlada.




GANHO DE CORRENTE DO TRANSISTOR


Como discutido na seo anterior, atravs de um transistor possvel
utilizar um pequeno valor de corrente I
B
para controlar a circulao de uma
corrente I
C
, de valor bem mais elevado.

Uma medida da relao entre a corrente controlada I
C
e a corrente de
controle I
B
pode ser obtida do parmetro



|
DC

I
C


I
B
(7)


definido como o ganho de corrente contnua entre base e coletor.
Como na regio ativa as correntes I
C
e I
B
tm o mesmo sinal, nesse regime
de operao o parmetro |
DC
um nmero positivo.





30


SENAI-PE


Cada transistor fabricado com um valor bem definido para o parmetro
|
DC
, que depende das caractersticas materiais e estruturais do componente e do
regime de operao do transistor. Da Eq.(7) tem-se que

I
C
= |
DC
I
B

(8)


A Eq.(8) mostra que a corrente de coletor diretamente proporcional
corrente de base, e que I
C
pode ser calculado a partir do conhecimento dos
valores de |
DC
e I
B
.

importante salientar que o fato de o transistor permitir a obteno de um
ganho de corrente entre base e coletor no implica em criao de correntes no
interior da estrutura. Todas as correntes que circulam em um transistor so
provenientes das fontes de alimentao, com a corrente de base atuando no
sentido de liberar a passagem de mais ou menos corrente do emissor para o
coletor.




Os transistores no geram ou criam correntes internamente,
atuando apenas como controladores do nvel de corrente fornecido
externamente.


































31
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. De que forma deve-se polarizar os transistores pnp e npn para operao na
regio ativa?

2. Quais os sentidos reais das correntes em um transistor pnp polarizado na
regio ativa?

3. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.

4. Qual o valor tpico da tenso V
BE
de um transistor pnp para operao na
regio ativa?

5. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.

6. Que frao tpica da corrente proveniente do emissor de um transistor pnp
flui para a base quando o componente opera na regio ativa?

7. Para um transistor npn operando com I
B
= 10 A e I
C
= 1 mA, calcule o
ganho de corrente contnua entre base e coletor.





































32


SENAI-PE


O circuito do coletor



Na grande maioria dos circuitos transistorizados, o coletor do transistor
conectado fonte de alimentao atravs de um resistor de coletor,
representado pelo parmetro R
C
, conforme ilustrado na Fig.1.
























Fig.1 Circuito a transistor com resistor de coletor.



O resistor de coletor completa a malha do coletor, ilustrada na Fig.1, que
a poro do circuito composta pelo grupo de componentes onde circula a
corrente de coletor. Como pode ser a observado estes componentes so o
resistor R
C
, a fonte de alimentao V
CC
e a poro do transistor entre os
terminais do coletor e do emissor.

Com base na Fig.2, a aplicao da segunda lei de Kirchhoff malha do
coletor fornece


V
CC

= V
Rc

+ V
CE

(1)


onde:

- V
CC
representa a tenso da fonte de alimentao.
- V
Rc
representa a queda de tenso no resistor R
C
.
- V
CE
representa a tenso coletor-emissor.




33


SENAI-PE



























Fig.2 Parmetros de circuito da malha do coletor.



Desprezando-se a resistncia interna da fonte de alimentao, a tenso por
ela fornecida independe da corrente solicitada pelo circuito. Da lei de Ohm, a
queda de tenso no resistor de coletor relacionada corrente na malha pela
relao


V
Rc
= R
C
I
C

(2)

Como se pode notar da Eq.(2), a queda de tenso no resistor varia
proporcionalmente corrente de coletor.

A tenso coletor-emissor V
CE
o ltimo termo da equao da malha de
coletor. A partir da Eq.(1), tem-se que


V
CE
= V
CC
R
C
I
C

(3)

o que indica que a tenso coletor-emissor depende dos valores da tenso de
alimentao e da queda de tenso no resistor R
C
.


O exemplo a seguir ilustra o emprego das equaes da malha do coletor.

Exemplo 1: Para o circuito da Fig.3, o resistor de coletor de 680O. Com a
fonte de alimentao fornecendo uma tenso de 12 V, a corrente de coletor de
6 mA. Determinar a tenso coletor-emissor.




34




SENAI-PE
























Fig.3 Circuito a transistor para o Exemplo 1.



A queda de tenso no resistor de coletor pode ser calculada da Eq.(2)
resultando em


V
Rc
= 680O 0,006A = 4,08 V


Utilizando V
C
= 12 V e o valor obtido para a tenso no resistor de coletor

na Eq.(3) tem-se que


V
CE
= 12V 4,08V = 7,92V



























35
SENAI-PE




Influncia da corrente de
base



Como discutido em fascculos anteriores, na regio ativa a corrente de
coletor proporcional a corrente de base de acordo com a relao


I
C
= |I
B

(4)


com | representando o ganho de corrente do transistor.

Pela Eq.(2) a queda de tenso no resistor de coletor tambm
proporcional corrente de coletor. A forma que a tenso V
Rc
influenciada pela
corrente de base pode ser determinada inserindo a Eq.(4) na Eq.(2), fornecendo


V
Rc

= R
C
I
C

= R
C
(|I
B
)


ou alternativamente



V
Rc


= (|R
C
)I
B



(5)

A Eq.(5) mostra que com valores constantes do resistor de coletor e do
ganho de corrente do transistor na regio ativa, a tenso no resistor de coletor
diretamente proporcional corrente de base.

A forma que a tenso coletor-emissor influenciada pela corrente de base
pode ser obtida inserindo a Eq.(5) na Eq.(3), resultando em


V
CE

= V
CC

(|R
C
)I
B

(6)


O sinal negativo na frente do segundo termo do segundo membro da
Eq.(6) indica que a tenso coletor-emissor diminui quando a corrente de base
aumenta e aumenta quando a corrente de base diminui.

A influncia da corrente de base nos parmetros da malha do coletor,
definida a partir das Eqs.(4) a (6), pode ser representada diagramaticamente
como indicado na Tabela 1.





36




SENAI-PE


Tabela 1 Influncia da corrente de base nos parmetros da malha do coletor.
I
B
I
C
V
Rc
V
CE





Exemplo 2: Para o circuito representado na Fig.4, a base do transistor
conectada fonte V
BB
por um resistor limitador R
B
. Determinar os parmetros
da malha do coletor para: (a) I
B
= 40 A, (b) I
B
= 70 A.






















Fig.4 Circuito a transistor para o Exemplo 2.



(a) I
B
= 40 A :


Da Fig.4 tem-se que, R
C
= 820 O, V
CC
= 10 V, | = 100. Da Eq.(4) resulta


I
C
= 100 40 A = 4000 A = 4 mA



Da Eq.(2) obtm-se


V
Rc
= 820 O 0,004 A = 3,24 V


Da Eq.(6) tem-se que


V
CE
= 10 V 3,24 V = 6,76 V




37
SENAI-PE



(b) I
B
= 70 A :


Repetindo o mesmo procedimento do item (a), obtm-se


I
C
= 7 mA , V
Rc
= 5,74 V , V
CE
= 4,26 V


Nota-se portanto que o aumento da corrente de base causa as variaes
nos parmetros da malha do coletor, indicadas na Tabela 1. Dos resultados
obtidos nos itens (a) e (b) vale observar que um aumento de apenas
70 A 40 A = 30 A, na corrente de base provoca um aumento de
7 mA4 mA = 3 mA, na corrente de coletor.



















































38
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Repita o Exemplo 1 utilizando I
C
= 5 mA.

2. Repita o Exemplo 2 utilizando I
B
= 50 A e R
B
= 500 O.



























































39




















SENAI-PE


Configuraes do
transistor



Existem trs possibilidades de configurar um transistor em um circuito. O
nome dado a cada configurao definido com base no terminal do transistor
que comum s duas malhas do circuito. Dessa forma, trs configuraes so
possveis:



- Configurao emissor comum: o terminal do emissor comum s duas
malhas do circuito, como mostrado na Fig.1a.

- Configurao base comum: o terminal da base do transistor comum s
duas malhas do circuito, como ilustrado na Fig.1b.

- Configurao coletor comum: o terminal do coletor comum s duas
malhas do circuito, como na Fig.1c.
















Fig.1 Configuraes de um transistor em um circuito.




















40
0
0
SENAI-PE


Curvas caractersticas



O comportamento de um componente eletrnico pode ser obtido
aplicando-se uma tenso entre seus terminais, e medindo-se a corrente atravs
do componente. Dessa forma geram-se pares de valores de corrente e de tenso
que podem ser representados graficamente atravs da curva caracterstica do
dispositivo.

No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente depende do valor e da
polaridade da tenso aplicada aos seus terminais, conforme mostrado na Fig.2


I
d
(mA)


150





100





50



V
d
(V)



-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.2 0.4 0.6 0.8 1



-50





-100 I
d
(A)


Fig.2 Curva caracterstica de um diodo semicondutor.
O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas
caractersticas. Estas so obtidas atravs de medidas eltricas sob condies
controladas de tenso e de corrente.







41






SENAI-PE


O emprego das curvas caractersticas do transistor de grande
importncia no projeto de circuitos, pois permite obter o comportamento do
componente em uma ampla faixa de condies de operao.


PARMETROS DAS CURVAS CARACTERSTICAS

Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais, a tenso
entre terminais e a corrente atravs do componente so utilizados na
representao grfica da curva caracterstica.


Como o transistor um componente de trs terminais, cada par de
terminais est associado a uma corrente e uma tenso. Dessa forma, podem-se
em princpio utilizar os seis parmetros definidos a seguir para representar as
propriedades do transistor:


- I
B
= corrente de base.
- I
C = corrente de coletor.
- I
E = corrente de emissor.
- V
CB
= tenso coletor-base.
- V
CE = tenso coletor-emissor.
- V
BE = tenso base-emissor.


Os seis parmetros representativos do transistor esto mostrados na Fig.3.
Alguns desses parmetros juntamente com outros no eltricos, tais como
temperatura, podem ser utilizados em uma srie de curvas caractersticas que
expressam o comportamento do transistor nas mais diversas condies de
operao.















Fig.3 Parmetros eltricos representativos do transistor.










42


SENAI-PE




CURVAS CARACTERSTICAS NA CONFIGURAO
EMISSOR COMUM

O tipo de ligao mais utilizado em circuitos transistorizados a
configurao emissor comum, mostrada na Fig.4. As curvas caractersticas dos
transistores, fornecidas pelos fabricantes, geralmente se referem a esse tipo de
configurao.




















Fig.4 Configurao emissor comum.



Analisando a Fig.4, verifica-se que, na configurao emissor comum,
apenas quatro parmetros so suficientes para descrever o comportamento do
transistor. Uma escolha possvel corresponde aos parmetros, V
BE
, I
B
, V
CE
e I
C
.
Uma vez conhecidos esses quatro parmetros os dois restantes podem ser
obtidos utilizando as leis de Kirchhoff.

Com essa escolha, os parmetros V
BE
e I
B
so denominados de
parmetros de entrada com V
CE
e I
C
representando os parmetros de sada.

Portanto, para representar graficamente o comportamento do transistor na
configurao emissor comum so necessrios dois conjuntos de curvas
caractersticas:


- Uma curva que expressa a relao entre os parmetros de entrada,
denominada de curva caracterstica de entrada.

- Um conjunto de curvas que expressam as relaes entre os parmetros de
sada, denominadas de curvas caractersticas de sada.



43


SENAI-PE



CURVAS CARACTERSTICAS DE SADA


A influncia da corrente de base na corrente de emissor torna maior a
importncia das curvas caractersticas de sada na representao das
propriedades eltricas do transistor. Essas curvas caractersticas so tambm
denominadas de curvas caractersticas do coletor.

Sabendo que para cada valor do parmetro V
CE
a corrente I
C
dependente
do valor da corrente I
B
, cada curva caracterstica de sada construda de forma
a representar graficamente a relao entre I
C
e V
CE
para um determinado valor de
I
B
. A Fig.5 mostra as curvas caractersticas de sada tpicas de um transistor
npn.







100





I
C
(mA)
Caracterstica de sada
I
C
= f(V
CE
) , I
B
= parmetro
BC547
0.8 0.7
0.6
0.5


0.4


80


0.3


60


0.2

40


I
B
(mA)=0.1



20





0
0 10 20 30 40 50
V
CE
(V)


Fig.5 Curvas caractersticas de sada de um transistor npn.






44


SENAI-PE


Cada curva representada na Fig.5 mostra a dependncia da corrente de
coletor I
C
com a tenso coletor-emissor V
CE
, para um determinado valor fixo da
corrente de base. Em folhetos de especificaes tcnicas, o topo do grfico
indica que I
C
uma funo de V
CE
para cada valor fixo de I
B
, atravs da
representao:


I
C
=f(V
CE
) , I
B
= parmetro


Deve-se observar que, de acordo
com a conveno adotada para
representao das correntes e tenses em
um transistor, nos transistores pnp os
parmetros I
B
, I
C
e V
CE
so negativos pois
em condies normais de operao, o
coletor polarizado negativamente em
relao ao emissor e as correntes de
coletor e de base fluem dos terminais do
transistor para as malhas do circuito,




I
B


I
C





V
C E

conforme mostrado na Fig.6.





Dessa forma, as curvas

Fig.6 Polarizaes e sentidos
reais das correntes em um
transistor pnp.
caractersticas de sada para
transistores pnp so representaes
grficas de (I
C
) (V
CE
) para cada
valor de (I
B
), como mostrado na
Fig.7.
I
C
(mA)
100



80


0.8


0.7


0.6



0.5

Transistor pnp


0.4



0.3
Outro aspecto de importncia
no que se refere s curvas
caractersticas fornecidas pelos
fabricantes que essas curvas
representam o
comportamento mdio de um
grande nmero de transistores de
mesma especificao. Isso significa
que, na prtica, as propriedades
eltricas do
componente podem apresentar
pequenos desvios em relao ao
comportamento previsto
pelas curvas caractersticas.

60

0.2

40

I
B
(mA)=0.1

20



0
0 10 20 30 40 50
V
CE
(V)


Fig.7 Curvas caractersticas de sada
de um transistor pnp.




45




SENAI-PE




As curvas caractersticas fornecidas pelo fabricante
representam o comportamento mdio de um grupo de componentes
de mesma especificao.




UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS DE SADA


Com o uso das curvas caractersticas possvel determinar as condies
de operao de um transistor em um circuito. Isso feito utilizando-se o
conceito de reta de carga, examinado a seguir.




Reta de carga


Para o caso de um transistor npn conectado ao circuito mostrado na Fig.8,
aplicando-se a 2
a
. Lei de Kirchhoff malha de coletor tem-se que




ou alternativamente
V
CC





V
CE
= V
CE





= V
CC

+ R
C
I
C





R
C
I
C

(1)


(2)


Para valores fixos dos parmetros V
CC
e R
C
, a Eq.(2) representa uma
relao linear entre a tenso coletor-emissor V
CE
e a corrente de coletor I
C
.
























Fig.8 Circuito com transistor npn na configurao emissor comum.



46
SENAI-PE




A relao entre V
CE
e I
C
expressa pela Eq.(2) representada graficamente
por um segmento de reta em um diagrama I
C
V
CE
. Esse segmento de reta,
denominado de reta de carga, pode ser traado conhecendo-se apenas dois de
seus pontos. Estes so obtidos diretamente da Eq.(2), observando-se que:

- Interseo com o eixo horizontal I
C
= 0 V
CE
= V
CC
.
V

- Interseo com o eixo vertical V
CE
= 0 I
C

=
CC
.
R
C


A Fig.9 mostra a representao grfica da reta de carga prevista pela
Eq.(2), e que corresponde linha traada entre os pontos de interseo com os
dois eixos do grfico.
I
C




V
CC
R
C

ponto de saturao


reta de carga



ponto de
corte




0 V
CC
V
CE


Fig.9 Reta de carga representada no diagrama I
C
V
CE
.

Para o circuito da Fig.8, duas condies de operao definem os pontos de
interseo da reta de carga com os eixos na Fig.9:

- Condio de corte.
- Condio de saturao.


Condio de corte


A condio de corte ocorre quando a corrente de base no transistor nula.
A partir da relao entre correntes j derivada anteriormente,


I
C
= |I
B
+ (| + 1)I
CBO

(3)


47


R
SENAI-PE


Desprezando-se a corrente de fuga no coletor, a condio I
B
=0 fornece
I
C
=0 que define o ponto de corte mostrado na Fig.9.

Condio de saturao


A condio de saturao ocorre quando a corrente de base
suficientemente alta de forma a anular a tenso coletor-emissor. Dessa forma,
V
CC

impondo V
CE
= 0 na Eq.(2) resulta I
C
=

C
, que corresponde ao ponto de
saturao mostrado na Fig.9. Essa situao equivale existncia de um curto
entre os terminais do coletor e do emissor no circuito da Fig.8, de forma que
toda a tenso da fonte de alimentao se transfere diretamente para o resistor de
coletor.





Ponto de operao


Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os
valores de V
CE
e de I
C
, para um dado valor da corrente de base I
B
na
configurao emissor comum.

O procedimento grfico pode ser descrito com base no circuito mostrado
na Fig.10a, onde admite-se que a corrente de base esteja estabelecida em um
valor I
B
= I
BQ
. A Fig.10b mostra as curvas caractersticas de sada que incluem
aquela referente ao valor I
B
= I
BQ
.

(a) (b)


I C

I B
=I BQ












0
V CE






48
I
C




V
CC



I
B Q



Q







SENAI-PE


Fig.10 Circuito e curvas caractersticas de sada de um circuito transistorizado
na configurao emissor comum.
Como se pode verificar na Fig.10b, qualquer ponto sobre a curva
caracterstica pode ser utilizado para representar os valores da corrente de
coletor e da tenso coletor-emissor no circuito da Fig.10a. A questo portanto a
se considerar a seguinte:


Conhecidos os valores de V
CC
e R
C
no circuito da Fig.10a, quais so os

valores resultantes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor?


A resposta a essa questo s pode ser obtida se for utilizada mais uma
informao. Esta informao adicional fornecida pela reta de carga do circuito,
incorporada ao grfico das caractersticas de sada, conforme ilustrado na
Fig.11.

Ou seja, da mesma forma que os valores de corrente e tenso para o
circuito definem algum ponto na curva caracterstica, a soluo deve tambm
estar em algum ponto da reta de carga. S existe portanto um ponto que pode
existir simultaneamente na reta de carga e na curva caracterstica correspondente
a uma corrente de base I
BQ
. Esse ponto, mostrado na Fig.11, o ponto de
operao ou ponto quiescente Q.









R
C




I
CQ











0

V
CEQ
V
CC V
CE

Fig.11 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.





49




SENAI-PE


Determinado o ponto quiescente do circuito, obtm-se diretamente do
grfico os valores quiescentes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor,
representados pelos parmetros I
CQ
e V
CEQ
, respectivamente. A queda de tenso
sobre o resistor de coletor no ponto quiescente fica assim determinada pela
expresso

V
RcQ
= V
CC

V
CEQ

(4)


O exemplo seguinte ilustra o clculo numrico do ponto quiescente de um
circuito transistorizado.

Exemplo1: O circuito mostrado na Fig.12 utiliza um transistor BC146. Para
uma corrente de base de 100A determinar os parmetros I
C
, V
CE
e V
Rc
.

As curvas caractersticas do transistor BC146 esto representadas no
grfico da Fig.12(b), juntamente com a reta de carga do circuito. A interseo
da reta de carga com a curva correspondente a uma corrente de base de 100 A
ocorre no ponto quiescente Q. Como pode ser a observado, os valores de
corrente e tenso so,

I
CQ
= 22 mA, V
CEQ
= 3,4 V
A tenso no resistor de coletor obtida da Eq.(4), resultando em


V
RcQ
= 6 3,4 = 2,6 V

(a) (b)
I
C
(mA)
60




BC146


I
B
(A)=200

40
150


22 mA

20
Q 100

50

25

0
0 3,4 V

5 10
V
CE
(V)

Fig.12 (a) Circuito transistorizado referente ao Exemplo 1. (b) Curvas
caractersticas do transistor BC146 e reta de carga do circuito.






50
=
SENAI-PE




CURVA DE DISSIPAO MXIMA

Utilizando o valor da potncia de dissipao mxima do transistor, pode-
se definir, no diagrama das curvas caractersticas de sada, as faixas de valores
de corrente de coletor e de tenso coletor-emissor que assegurem a operao do
transistor dentro de seus limites de dissipao de potncia.

Como j discutido no fascculo anterior, a potncia de dissipao mxima
do transistor dada aproximadamente pela expresso


P
C,mx
= V
CE
I
C

(5)


A relao dada pela Eq.(5) pode tambm ser escrita na forma


P
C,mx

I
C
=
V

(6)
CE


A Eq.(6) estabelece a dependncia da corrente de coletor com a tenso
coletor-emissor para um dado valor da potncia de dissipao mxima. Dessa
forma, conhecido o valor de P
C,mx
, fornecido pelo fabricante, e atribuindo-se
valores ao parmetro V
CE
, os valores correspondentes de I
C
podem ser
calculados da Eq.(6).

Por exemplo, considerando o caso do transistor BC547 com a
especificao P
C,mx
= 500mW a 25C, tem-se


0,5 W

I
C

V

(7)
CE

Utilizando o conjunto de valores de V
CE
listados na 2
a
. coluna da Tabela
1, obtm-se os valores de I
C
da 3
a
. coluna daquela tabela.



Tabela 1 Alguns valores de V
CE
e I
C
correspondentes dissipao mxima de
500 mW no transistor BC547.
Ponto V
CE
I
C

1 5 V 0,1A = 100 mA
2 10 V 0,05 A = 50 mA
3 20 V 0,025 A = 25 mA
4 40 V 0,0125 A = 12,5 mA




51
SENAI-PE


Representando-se os quatro
pontos no diagrama I
C
V
CE
, obtm-se
o grfico mostrado na Fig.13. A curva
que passa pelos quatro pontos a
representao grfica da relao entre
os parmetros I
C
e V
CE
, definida pela
Eq.(7).

A curva de dissipao mxima
do transistor define o limite entre duas
regies, indicadas na Fig.14. A regio
localizada acima da curva de
dissipao mxima representa a regio

100


80


60


40


20


0
I
C
(mA)

1






2


3

4
de dissipao excessiva do transistor,
pois os valores de V
CE
e I
C
naquela
regio fornecem uma potncia de
dissipao superior potncia de
dissipao mxima do componente.
0 10 20 30 40 50
V
CE
(V)


Fig.13 Representao grfica da
Eq.(7) para o transistor
BC547.





A regio abaixo da curva
representa a regio de
funcionamento normal do
componente, pois valores de V
CE

e I
C
no interior dessa regio
correspondem a uma potncia de

100



80
I
C
(mA)



curva de dissipao
mxima
BC547
dissipao inferior potncia de
dissipao mxima do transistor.

Para operao do
componente a temperaturas
diferentes de 25 C, deve-se
utilizar a potncia de dissipao
mxima na temperatura de
trabalho para ento calcular a
curva de dissipao mxima a
partir da Eq.(6).

60
regio de dissipao
excessiva



40



20
regio de
funcionamento
normal

0
0 10 20 30 40 50
V
CE
(V)


Fig.14 Regies definindo o regime de
operao do transistor BC547.




52




SENAI-PE


LIMITAO DA DISSIPAO DE POTNCIA SOBRE
A RETA DE CARGA



A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um
transistor para um determinado valor do resistor de coletor e da tenso de
alimentao. Como a curva de dissipao mxima estabelece o limite da regio
de funcionamento normal do transistor, faz-se necessrio que a reta de carga
esteja sempre situada abaixo daquela curva.


A Fig.15a representa o trecho de um circuito alimentando um transistor
npn BC547 na configurao emissor comum. Na Fig.15b est traada a curva de
dissipao mxima de 500 mW referente a uma temperatura de 25C. No mesmo
grfico esto representadas as retas de carga obtidas atribuindo-se para V
CC
os
valores de 40 V e 30 V, respectivamente, com R
C
fixado em 500 O em ambos
os casos.

(a) (b)
I
C
(mA)
BC547

100


80


60


curva de dissipao
mxima

P
1




40


20
P
2


B A
0
0 10 20 30 40 50
V
CE
(V)



Fig.15 (a)Transistor na configurao emissor comum. (b)Curva de dissipao
mxima e retas de carga: A(V
CC
=40 V, R
C
=500 O), B (V
CC
=30 V,
R
C
=500 O).

Observa-se na Fig.15b que a reta de carga B est situada totalmente
abaixo da curva de dissipao mxima do transistor. Dessa forma, qualquer



53


SENAI-PE


valor de corrente de base pode ser utilizado no circuito da Fig.15a sem que a
potncia de dissipao mxima do componente seja superada.

Por outro lado, examinando-se a reta de carga A da Fig.15b, observa-se
que sobre o trecho entre os pontos P
1
e P
2
a potncia dissipada supera o valor
mximo definido pela curva de dissipao mxima do componente. Dessa
forma, os parmetros de circuito referentes curva A no possibilitariam a
operao segura do componente para um valor arbitrrio da corrente de base.


Para evitar a possibilidade de dissipao excessiva de um
transistor, os parmetros de circuito devem ser escolhidos de forma
que a reta de carga correspondente esteja situada totalmente abaixo
da curva de dissipao mxima do componente.















































54
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Cite as configuraes de um transistor em um circuito, caracterizando-as.

2. Para um transistor na configurao emissor comum, quais so os parmetros
de entrada e sada?

3. Para um transistor na configurao emissor comum, como so representadas
as curvas caractersticas de sada?

4. O que a reta de carga de um circuito transistorizado na configurao
emissor comum?

5. Qual a denominao dos pontos de interseo da reta de carga com os eixos
vertical e horizontal do diagrama I
C
V
CE
?

6. Para as condies estabelecidas no Exemplo 1, utilize o grfico da Fig.12b
para determinar:

(a) I
C
no ponto de saturao.

(b) V
CE
no ponto de corte.

7. Para operao segura de um transistor, qual deve ser a disposio da reta de
carga com respeito curva de dissipao mxima do transistor?
































55




SENAI-PE


Polarizao de base por
corrente constante



Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente
de base necessria para levar o transistor ao ponto de operao desejado. Entre
os processos de polarizao de base, o mais simples o de polarizao por
corrente constante.

Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de
operao Q fica determinada a corrente de base quiescente I
BQ
, conforme
ilustrado na Fig.1.










Fig.1 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.






No mtodo de polarizao de base por corrente constante, a corrente de
base quiescente I
BQ
obtida pelo uso de um resistor de base. Como mostrado
na Fig.2, esse resistor ligado entre a base e o terminal positivo da fonte de
alimentao.






56




SENAI-PE























Fig.2 Emprego de um resistor para obteno da corrente de base quiescente.



ANLISE DA MALHA DA BASE



Como mostrado na Fig.3, a malha da base, composta pelo arranjo srie
do resistor de base R
B
e da juno base-emissor, que se completa juntamente
com a fonte de alimentao




Fig.3 Malha da base de um transistor.

Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como
um diodo, o circuito equivalente da malha da base aquele mostrado na Fig.4.








57


SENAI-PE

















Fig.4 Circuito equivalente da malha da base do transistor.

Observando o circuito equivalente da Fig.4, verifica-se que o diodo
representativo da juno base-emissor polarizado diretamente, permitindo a
circulao de corrente de base atravs do resistor.



DETERMINAO DO RESISTOR DE BASE


A corrente de base I
B
depende dos seguintes parmetros:

- Resistncia R
B
.
- Tenso de alimentao V
CC
.

- Tipo de transistor.

Com base no circuito equivalente mostrado na Fig.4, a corrente de base
quiescente obtida da relao


V
CC
V
BE

I
BQ
=
R


(1)
B


Dessa forma, conhecidos os valores de I
BQ
, da tenso de alimentao V
CC
e da tenso base-emissor V
BE
, a resistncia R
B
pode ser derivada da Eq.(1),
resultando em


V
CC
V
BE

R
B
=
I

(2)


R
B
.
BQ

O exemplo a seguir ilustra o procedimento de determinao da resistncia
Exemplo 1: Um transistor de silcio BC200 utilizado no circuito da Fig.5a.
Com base na curva caracterstica do componente mostrada na Fig.5b,




58




= =
SENAI-PE


determinar o valor de R
B
necessrio obteno de uma tenso coletor-emissor

no ponto quiescente, V
CEQ
= 3V.


(a) (b)

I
C
(mA)
50


40
I
B
(A)=250



30


20


10


0


200
175

150

100
80

60
40

20
0 2
3,3
4 6 8 10
V
CE
(V)

Fig.5 Circuito e curva caracterstica para o Exemplo 1.



A reta de carga correspondente ao resistor R
C
= 330 O mostrado na Fig.5a
j est traada na Fig.5b. A interseo dessa reta com a curva correspondente a
I
B
= 80A, define um valor V
CEQ
~ 3,3 V. Esse valor difere cerca de 10% do
valor definido originalmente e pode ser considerado admissvel para esse
exemplo.


Utilizando na Eq.(2), I
BQ
= 0.08 mA e o valor V
BE
= 0,6 V
correspondente ao silcio, obtm-se

7,5 ( 0,6) 6,9

= 86.250 O
R
B

0,08

0,08


Do resultado do Exemplo 1, observa-se que o resistor R
B
normalmente

de resistncia elevada pois as correntes de base em transistores so usualmente
baixas.









59
SENAI-PE


Regies de operao de
um transistor



A localizao do ponto de operao de um estgio transistorizado sobre a
reta de carga define trs regies de operao descritas a seguir.


REGIO DE CORTE

Um transistor est na regio de corte quando a base polarizada de forma
a tornar a corrente de coletor praticamente nula. Essa condio obtida na
iminncia de polarizao inversa da juno base-emissor, conforme ilustrado na
Fig.11a.

Na regio de corte a corrente de base reduzida a um valor praticamente
nulo. Da relao entre correntes no transistor dada pela Eq.(3) e reproduzida a
seguir


I
C
= |I
B
+ (| + 1)I
CBO

(7)


a condio I
B
~ 0 fornece



I
C,corte
= (| + 1)I
CBO
= I
CEO



(8)


Dessa forma, a corrente de coletor corresponde corrente de fuga, com
um valor da ordem de alguns microampres para transistores de silcio.

Devido ao pequeno valor da corrente de coletor, a queda de tenso no
resistor de coletor praticamente nula e a tenso coletor-emissor torna-se


V
CE,corte
~ V
CC
(9)


No diagrama I
C
V
CE
, a regio de corte est localizada bem prxima ao
eixo horizontal, conforme mostrado na Fig.11b.










60








.
SENAI-PE










Fig.11 (a) Circuito transistorizado operando na condio de corte. (b) Regio de
corte no diagrama da caracterstica de sada do transistor.



As caractersticas da regio de corte esto sumarizadas na Tabela 4.

Tabela 4 Caractersticas da regio de corte.
Juno coletor-base: inversamente polarizada.
Juno base-emissor: na iminncia de polarizao inversa.
Corrente de base: I
B
~ 0.
Corrente de coletor: I
C
= I
CEO
.

Tenso coletor-emissor: V
CE
~ V
CC









Nos transistores de silcio basta anular-se a corrente de base
para levar o transistor condio de corte.














61
SENAI-PE




REGIO DE SATURAO

Um transistor est na regio de saturao quando a juno base-emissor
est diretamente polarizada com a condio adicional de a tenso V
CE
tornar-se
inferior a tenso V
BE
.

As conseqncias decorrentes dessa condio podem ser analisadas com
base no transistor npn mostrado na Fig.12. A relao entre tenses nos terminais
do transistor pode ser posta na forma


V
CB
= V
CE
V
BE
(10)








Fig.12 Tenses entre terminais em um transistor npn.



Da Eq.(10) nota-se que a condio V
CE
< V
BE
fornece


V
CE
V
BE

< 0 V
CB
< 0



Tendo a base do transistor npn polaridade positiva em relao ao coletor,
a juno base-coletor fica diretamente polarizada. Portanto, na regio de
saturao a corrente de coletor pode ser razoavelmente elevada.

No grfico com as curvas caractersticas de sada do transistor, a regio de
saturao fica localizada nas proximidades do eixo vertical. Para auxiliar o
exame das curvas caractersticas naquela regio, os folhetos de especificaes
tcnicas fornecem um grfico adicional detalhando a regio de saturao, do tipo
mostrado na Fig.13.




62
SENAI-PE




Naquela poro do diagrama da Fig.13, os valores de V
CE
so geralmente

inferiores ao potencial de barreira de uma juno semicondutora. Note-se que
nessa regio a corrente de coletor influenciada tanto pelo valor da tenso V
CE

como pelo valor da corrente de base.



100
I
C
(mA)




regio de
80
saturao



60
I
B
(mA)=0,45




0,3

0,25








0,2


0,15
40



20



0,1

0,05




0
0 1 2
V
CE
(V)


Fig.13 Grfico detalhando a regio de saturao de um transistor.



As caractersticas da regio de saturao esto sumarizadas na Tabela 5.



Tabela 5 Caractersticas da regio de saturao.
Juno coletor-base: diretamente polarizada.
Juno base-emissor: diretamente polarizada com V
BE
>V
CE
.
Corrente de coletor: influenciada pelos valores de I
B
e de V
CE
.











63


.
SENAI-PE




REGIO ATIVA

A regio ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga situado entre
as regies de corte e de saturao, conforme ilustrado na Fig.14.







100
I
C
(mA)



regio ativa
I




B
(mA)=0,4

0,35

80
0,3


0,25
60
0,2

40
Q
0,15

0,1

20
0,05



0
0 10


V
CE
(V)


20 30

Fig.14 Regio ativa no grfico das curvas caractersticas de um transistor.

Essa a regio caracterstica de funcionamento dos estgios
amplificadores, pois a que a corrente de coletor controlada apenas pela
corrente de base, no sofrendo praticamente nenhuma influncia da tenso
coletor-emissor. Para pontos de operao nessa regio so vlidas as regras de
polarizao delineadas na Tabela 6.

Tabela 6 Caractersticas da regio ativa.
Juno coletor-base: inversamente polarizada.
Juno base-emissor: diretamente polarizada com V
BE
< V
CE
< V
CC

Corrente de coletor: Influenciada apenas pela corrente de base.







64
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. O que se entende por polarizao de base por corrente constante em um
transistor?

2. Em um circuito transistorizado na configurao emissor comum, quais os
elementos que compem a malha da base?

3. Descreva de que forma a temperatura influencia o ponto de operao de um
circuito transistorizado na configurao emissor comum.

4. O que fator de estabilidade?

5. Qual a relao entre estabilidade trmica e fator de estabilidade em um
circuito transistorizado?

6. Em que situaes o mtodo de polarizao de base por corrente constante
deve ser evitado? Por qu?

7. Descreva que alteraes so produzidas no ponto de operao de um
transistor na configurao emissor comum, nas seguintes situaes:

(a) ganho real > ganho mdio.

(b) ganho real < ganho mdio.

8. Quais as regies de operao de um transistor e onde esto situadas no
diagrama I
C
V
CE
?

9. Qual a regio que deve ser utilizada para o emprego de transistores em
estgios amplificadores?























65






SENAI-PE


Polarizao por divisor
de tenso



A polarizao da base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao
de um divisor de tenso, atravs do qual aplica-se uma tenso V
BE
entre a base e
o emissor do transistor.

A Fig.1 mostra um circuito transistorizado que emprega esse tipo de
polarizao. Essa tcnica denominada de polarizao de base por divisor de
tenso.






















Fig.1 Circuito transistorizado com base polarizada por divisor de tenso.

Do divisor de tenso mostrado na Fig.1 resulta um potencial V
B
no
terminal base do transistor que polariza diretamente a juno base-emissor,
produzindo assim a corrente de base quiescente I
BQ
.


A finalidade do divisor de tenso polarizar diretamente a
juno base-emissor.
Como se pode observar na Fig.1, com o emissor aterrado, o potencial da
base V
B
corresponde tenso V
BE
aplicada juno base-emissor do transistor.
Dessa forma, o controle da corrente I
BQ
obtido ajustando-se a tenso V
BE
fornecida pelo divisor.





66









Fig.2 Emprego de

emissor em

SENAI-PE




Normalmente os circuitos
polarizados por diviso de tenso
tm ainda um resistor de emissor R
E
,
como mostrado na Fig.2. Esse
resistor tem por finalidade melhorar
a estabilidade trmica do circuito.



A incluso de um resistor
de emissor no circuito de
polarizao de um transistor
melhora a estabilidade trmica
do circuito.







transistorizado.




um resistor de
um circuito


O uso conjunto de um divisor de tenso e de um resistor de emissor
propicia um alto grau de estabilidade trmica no circuito. Outra caracterstica
importante desse tipo de polarizao a menor variao dos parmetros de
polarizao quando o transistor substitudo.



ANLISE DO CIRCUITO DO COLETOR






Nos circuitos polarizados
por divisor de tenso, a malha de
coletor, mostrada na Fig.3,
composta dos seguintes elementos:


- Fonte de alimentao.
- Resistor de coletor.
- Transistor.
- Resistor de emissor.






Fig.3 Malha de coletor de um transistor
polarizado por divisor de tenso.

Como se pode observar na Fig.3, a tenso fornecida pela fonte distribui-se
sobre os elementos da malha do coletor na forma


V
CC

= V
R

+ V
CE

+ V
E

(1)



67


SENAI-PE


onde



V
Rc



= R
C
I
C



(2)

V
E
= R
E
( I
E
) (3)


Na Eq.(1) a dependncia da tenso V
CE
na corrente de coletor

determinada atravs das curvas caractersticas de sada do transistor.

A Eq.(3) pode ser reescrita na forma


V
E
= R
E
(I
C

+ I
B
) (4)


Como a corrente de base geralmente muito inferior corrente de coletor,
vlida a seguinte aproximao:


I
C
+ I
B
~ I
C


e a Eq.(4) pode ser posta na forma

V
E
~ R
E
I
C

(5)

A seguir apresentado um exemplo de utilizao das equaes do circuito
do coletor.

Exemplo 1: Para o circuito mostrado na
Fig.4, determinar os valores de V
Rc
, V
E
e
V
CE
.

As tenses nos resistores de coletor
e de emissor so obtidas das Eqs.(2) e (5),
resultando em


V
Rc
= 1.000 O 0,004 A = 4 V


Fig.4 Circuito transistorizado do
V
E
= 270

O 0,004 A = 1,08 V
Exemplo1.


A tenso V
CE
obtida da Eq.(1):


V
CC

= V
Rc

+ V
CE

+ V
E
V
CE

= V
CC

V
Rc

V
E
V
CE

= 10 4 1,08






68




SENAI-PE


V
CE

= 4,92 V



O CIRCUITO DA BASE



O circuito da base, que
compreende o divisor de tenso,
tem por finalidade polarizar
diretamente a juno base-emissor
do transistor e estabelecer o valor
quiescente da corrente de base I
BQ
.


A tenso base-emissor V
BE


a diferena de potencial entre os
terminais B e E do transistor.
Como se pode observar na Fig.5






Fig.5 Circuito transistorizado com base
polarizada por divisor de tenso.
V
BE
= V
B
V
E
(6)






A tenso V
BE
aplicada

juno base-emissor d origem a
uma corrente de base que pode ser
obtida a partir da curva
caracterstica da juno. Dessa
forma, a juno base-emissor se
comporta efetivamente como um
diodo diretamente polarizado,
conforme ilustrado na Fig.6.













Fig.6 Circuito equivalente da juno
base-emissor, com base polarizada
por divisor de tenso.













69
SENAI-PE






DETERMINAO DOS ELEMENTOS DE CIRCUITO

A incluso do resistor de emissor torna o circuito mais estvel
termicamente, o que interessante do ponto de vista prtico. Entretanto, essa
adio modifica a anlise grfica do circuito, pois a reta de carga deve levar em
conta a presena daquele novo elemento no circuito. Por essa razo, a
determinao dos valores dos resistores de polarizao usualmente feita
matematicamente.

Para simplificar a anlise matemtica, podem ser consideradas algumas
aproximaes e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos,
como delineado a seguir.



CORRENTE DE EMISSOR


A pequena diferena existente entre I
C
e I
E
permite utilizar a aproximao


I
E
~ I
C


cujo erro pequeno comparado com a tolerncia de 5 a 10% dos resistores do
circuito.



GANHO DO TRANSISTOR


O ganho de transistores que empregam a polarizao por divisor de tenso
usualmente satisfaz a condio |>100.






















70
















SENAI-PE




PARMETROS DE ENTRADA


Na determinao dos valores
dos elementos de circuito,
mostrados na Fig.7, os parmetros
de entrada so geralmente:


- A tenso de alimentao, V
CC
.


- A corrente de coletor
quiescente, I
CQ
.

- A tenso quiescente sobre o
resistor de coletor, V
RcQ
.


A corrente de coletor I
CQ
nos








Fig.7 Alguns parmetros do circuito
transistorizado.
estgios transistorizados polarizados por divisor de tenso assume normalmente
valores que variam de 1 a 10 mA.

O parmetro V
RcQ
diretamente relacionado tenso de alimentao. Na
prtica adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor prxima
metade da tenso de alimentao, ou seja,


V
CC

V
RcQ
~
2
(7)




PARMETROS DA MALHA DO COLETOR



Dispondo dos valores V
CC
,
I
CQ
e V
RcQ
pode-se determinar os
valores dos componentes da malha
do coletor, mostrados na Fig.8.

Resistor de coletor: calculado
atravs da Lei de Ohm, utilizando
os valores conhecidos de I
CQ
e
V
RcQ
, resultando em


Fig.8 Parmetros da malha do coletor
no circuito transistorizado.

71


SENAI-PE




V
RcQ

R
C
~
I





(8)
CQ



Resistor de emissor: Observa-se na prtica que o emprego de um resistor de
emissor tal que a queda de tenso satisfaa condio


V
EQ
~ 0,1V
CC

(9)


permite a obteno de um fator de estabilidade timo, usualmente na faixa de
valores 10 s S s 15. Nessa condio, o resistor de emissor determinado da
expresso



0,1V
CC

R
E
~
I

(10)
CQ


Resistores de base: O divisor de tenso formado pelos resistores de base tem
por finalidade fornecer a tenso V
B
base do transistor, como mostrado na
Fig.9.





















Fig.9 Tenso fornecida pelo divisor base do transistor.



Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida base deve
corresponder soma

V
B
= V
BEQ
+ V
EQ

(11)





72
SENAI-PE


Com base na Fig.9, a queda de tenso sobre R
B1
pode ser obtida de


V
B1
= V
CC

V
B

(12)

Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores, deve-se assumir
um valor conhecido para a corrente I
D
atravs do divisor. Esse valor deve ser
suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente de base no
alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os resistores.
Dessa forma, prtica usual adotar uma corrente atravs do divisor satisfazendo
condio

I
D
= 0,1I
CQ

(13)


Com essa escolha, considerando-se que o transistor tenha um ganho de
pelo menos 100, a corrente do divisor pelo menos 10 vezes superior corrente
de base.
Uma vez obtidos os parmetros V
B1
e V
B
por intermdio das Eqs.(11) e
(12), utiliza-se a Eq.(13) para se obterem os valores de resistncia do divisor,
resultando em

V V

R
B1
=
CC B

I
D
(14)
V
BEQ
+ V
EQ

R
B2
=
I


(15)
D


As expresses utilizadas na determinao dos parmetros do circuito
transistorizado com polarizao por divisor de tenso esto sumarizadas na
Tabela 1.

























73
I
SENAI-PE


Tabela 1 Sumrio das expresses utilizadas na determinao dos parmetros de
um circuito transistorizado com polarizao por divisor de tenso.
Parmetros de entrada
Tenso de alimentao V
CC

Tenso no resistor de coletor ou tenso
coletor-emissor
V
RcQ
ou V
CEQ
Corrente de coletor I
CQ

Parmetros de sada
Parmetro Equao
Tenso no resistor de emissor
Tenso no resistor de coletor, conhecida a
V
EQ
~ 0,1V
CC

tenso coletor-emissor
V
RcQ
= V
CC
V
CEQ
V
EQ


Resistor de coletor
V
RcQ

R
C
~
I

Resistor de emissor
R
E

CQ

~

0,1V
CC

I
Tenso no resistor R
B2

CQ

V
B
= V
BEQ
+ V
EQ
Tenso no resistor R
B1
V
B1
= V
CC
V
B

Corrente no divisor I
D
= 0,1I
CQ

Resistor R
B2

V
BEQ

R =

+ V
EQ

B2
D
V V

Resistor R
B1
R
B1
=
CC B

I
D


Os exemplos a seguir ilustram o emprego das expresses do circuito
transistorizado com polarizao por divisor de tenso.

Exemplo 1: Para o circuito mostrado na Fig.10, determinar os valores de R
C
,
R
E
, R
B1
e R
B2
para que o circuito opere com uma corrente de coletor de 5,8 mA
e uma tenso no resistor de coletor de 10 V.















74









~
~
~




SENAI-PE


















Fig.10 Circuito transistorizado para o Exemplo 1.

Utilizando a Tabela 1 resulta:

Parmetros de entrada
Tenso de alimentao V
CC
= 20 V
Tenso no resistor de coletor V
RcQ
= 10 V
Corrente de coletor I
CQ
= 5,8 mA
Parmetros de sada

Resistor de coletor
10

R
C
= 1.724 O
0,0058
Tenso no resistor de emissor V
EQ
~ 0,1 20 = 2 V

Resistor de coletor
10

R
C
= 1.724 O
0,0058

Resistor de emissor
2

R
E
= 344 O
0,0058
Tenso no resistor R
B2

Tenso no resistor R
B1

Corrente no divisor

Resistor R
B2



Resistor R
B1

V
B
= 0,6 + 2 = 2,6 V
V
B1
= 20 2,6 = 17,4 V
I
D
= 0,1 5,8 = 0,58 mA
R =
0,6 + 2
= 4,48 kO

B2
0,00058
R =
20 2,6
= 30 kO

B1
0,00058
Exemplo 2: Para o circuito mostrado na Fig.11, determinar os valores de R
C
,
R
E
, R
B1
e R
B2
para obter uma tenso coletor-emissor de 7 V e uma corrente de
coletor de 12 mA.









75






= 100 O
= 317 O


SENAI-PE





















Fig.11 Circuito transistorizado para o Exemplo 2.



Utilizando a Tabela 1 resulta:


Parmetros de entrada
Tenso de alimentao V
CC
= 12 V
Tenso coletor-emissor V
CEQ
= 7 V
Corrente de coletor I
CQ
= 12 mA
Parmetros de sada
Tenso no resistor de emissor V
EQ
~ 0,1 12 = 1,2 V
Tenso no resistor de coletor V
RcQ
= 12 7 1,2 = 3,8 V
1, 2

Resistor de emissor
R
EQ
~
0, 012

3,8

Resistor de coletor
R
C
~
0, 012
Tenso no resistor R
B2

Tenso no resistor R
B1

V
B
= 0,6 + 1,2 = 1,8 V

V
B1
= 12 1,8 = 10,2 V

Corrente no divisor I
D
= 0,1 12 = 1,2 mA
0,6 + 1,2

Resistor R
B2


Resistor R
B1

R
B2
= = 1.500 O
0,0012
R =
12 1,8
= 8.500 O

B1
0,0012










76








SENAI-PE




MODIFICAO DO PONTO DE OPERAO

Os estgios transistorizados
polarizados por divisor de tenso
possuem tima estabilidade
trmica, no necessitando de
correes quando submetidos a
variaes de temperatura. Dessa
forma, a alterao intencional do
ponto de operao s pode ser
obtida pela modificao de alguns
elementos de circuito.


A discusso a seguir ilustra
a forma de obteno de um
aumento ou diminuio da tenso
coletor-emissor de um estgio
polarizado por divisor de tenso
com os parmetros indicados na
Fig.12.

Seja, por exemplo, a
situao em que se deseja
aumentar a tenso V
CE
do
transistor. Para isso necessrio
reduzir a queda de tenso nos
resistores R
E
e R
C
, como sugere a
Fig.13.


As tenses V
Rc
e V
E
so
proporcionais corrente I
C
, e
portanto uma reduo nos valores
de V
Rc
e V
E
pode ser obtida pela
reduo de I
C
.
Fig.12 Estgio transistorizado com base
polarizada por divisor de tenso.



















Fig.13 Aumento de V
CE
pela diminuio
dos parmetros V
Rc
e V
E
.














77




SENAI-PE



V
Rc
+
I
C
+
V
CE
|
V
E
+
Como a corrente I
C
proporcional a I
B
, para reduzir I
C
deve-se reduzir I
B
.


I
C
+
I
B
+


A corrente I
B
varia com a

tenso V
BE
de acordo com a curva
mostrada na Fig.14 e, portanto,
uma reduo na corrente I
B
pode
ser obtida diminuindo-se a tenso
V
BE
.


Como mostra a Fig.15, a
tenso V
BE
corresponde
diferena de potencial entre os
terminais da base e do emissor.
Com V
E
j tendo sido reduzido
pela reduo de I
C
, deve-se
tambm reduzir V
B
para obter-se
a diminuio desejada em V
BE
.


Como se pode observar na
Fig.15, a tenso V
B
aquela
fornecida pelo divisor de tenso e
corresponde queda de tenso
sobre o resistor R
B2
. Assim a
diminuio de V
BE
pode ser obtida
diminuindo o valor de R
B2
e
aumentando o valor de R
B1
, de
forma a garantir que a corrente I
D
no sofra nenhuma modificao
substancial. Esse efeito est
ilustrado no diagrama seguinte.








Fig.14 Curva caracterstica I
B
V
BE
.



















Fig.15 Trecho do estgio transistorizado
e relao entre tenses na malha
da base.




78
SENAI-PE




R
B1 |



R
B2
+



V
BE
+

O processo de diminuio da tenso V
CE
pela alterao dos resistores do
divisor est representado diagramaticamente na Fig.16.



R
B1
|

V
B
+

V
BE
+

R
B2
+



I
B
+

V
CE
|
:
V
Rc
+
:
V
E
+

I
C
+


Fig.16 Diagrama representativo do processo de aumento da tenso V
CE
.




Para se obter uma reduo na tenso V
CE
do transistor, deve-se reduzir R
B1

e aumentar R
B2
, como sugere o diagrama mostrado na Fig.17.



















79
R
SENAI-PE


R
B1
+

V
B
|

V
BE
|
R
B2
|



I
B
|

V
CE
+
:
V
Rc
|
:
V
E
|

I
C
|


Fig.17 Diagrama representativo do processo de reduo da tenso V
CE
.




FATOR DE ESTABILIDADE



Os circuitos polarizados por divisor de tenso exibem um fator de
estabilidade S de bom a timo. A alta estabilidade trmica desse mtodo de
polarizao deve-se, principalmente, incluso do resistor de emissor.

O fator de estabilidade para esse tipo de circuito pode ser calculado da
expresso



R
E
+ R
B

S =
B

(16)
R
E
+
| + 1



onde R
B
a resistncia equivalente do divisor, dada por


R R

R
B
=
B1 B2

R
B1
+ R
B2
(17)










80


SENAI-PE



O PROCESSO DE ESTABILIZAO TRMICA



As variaes de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito,
atravs da corrente de fuga I
CBO
. Essa afirmao o resultado da relao entre
correntes no transistor

I
C
= |I
B
+ (| + 1)I
CBO


varivel com
a temperatura
(18)


A componente de fuga da corrente de coletor no pode ser alterada
externamente pois se deve a fenmenos internos ao transistor. A polarizao por
divisor de tenso atua, no entanto, na parcela de I
C
que dependente da corrente
de base, fazendo que as variaes na corrente de fuga sejam compensadas por
variaes opostas na corrente I
B
.

Utilizando a condio de alto ganho, i.e., |>>1, a Eq.(18) pode ser
aproximada pela expresso


I
C
= |(I
B
+ I
CBO
) (19)


variaes em I
CBO
so compensadas
por variaes opostas em I
B






A correo automtica
sugerida na Eq.(19) pode ser
facilmente compreendida analisando-
se o comportamento do circuito
mostrado na Fig.18, quando sujeito a
variaes trmicas.

A partir do momento em que a
temperatura aumenta, a corrente de
coletor I
C
tende a aumentar como
Fig.18 Circuito transistorizado com
base polarizada por divisor de
tenso.

81
SENAI-PE


conseqncia do aumento da corrente de fuga I
CBO
.




T |
I
CBO
|
I
C
|


A modificao produzida em I
C
aumenta a corrente I
E
, visto que I
E
~ I
C
,

que por sua vez provoca um acrscimo na tenso V
E
= R
E
I
E
.



I
C
|

I
E
|

V
E
|




Da Eq.(6) verifica-se que a tenso V
BE
diminui com o aumento da tenso

V
E
, para um valor fixado da tenso V
B
do divisor.


V
E
|

V
BE
+


Com base na curva caracterstica mostrada na Fig.14, essa diminuio na
tenso V
BE
provoca um decrscimo na corrente de base I
B
.



V
BE +

I
B +




A reduo em I
B
provoca uma diminuio na corrente I
C
. Esse processo de

compensao se repete at que a corrente de coletor atinja o valor estabelecido
inicialmente. Dessa forma o circuito praticamente insensvel s variaes de
temperatura.

A Fig.19 mostra a seqncia de eventos que compem o processo de
estabilidade trmica de um circuito transistorizado com polarizao de base por
divisor de tenso.











82
SENAI-PE


T |

I
CBO
|

I
C
|


I
C
+ I
E
|


I
B
+ V
BE
+
: :

V
E
|


Fig.19 Seqncia de eventos que provocam a estabilizao trmica de um
circuito transistorizado com polarizao de base por divisor de tenso.














































83
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Quais so os elementos bsicos que compem um circuito transistorizado
com base polarizada por divisor de tenso?

2. Qual a finalidade do divisor de tenso nesses tipos de circuito?

3. Qual a finalidade do resistor R
E
nesses circuitos?

4. Repita o Exemplo 1 para o caso I
C
= 6 mA.

5. Na anlise de um circuito transistorizado polarizado por divisor de tenso:

(a) quais so os parmetros de entrada?

(b) quais so os parmetros da malha do coletor?

(c) quais so os parmetros de sada?

6. Qual a principal caracterstica trmica de um circuito transistorizado
polarizado por divisor de tenso?

7. Calcule o fator de estabilidade trmica de um circuito transistorizado
polarizado por divisor de tenso com os seguintes parmetros: R
E
= 100 O,
R
B1
= 8,5 kO, R
B2
= 1,5 kO, | = 100.
































84








SENAI-PE




Regulao de tenso em
fontes de alimentao



A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade
provm do fato de as fontes no reguladas nem sempre atenderem aos requisitos
exigidos na maioria das aplicaes. Existem fundamentalmente duas razes
pelas quais as fontes no reguladas so inadequadas em certas aplicaes:

Regulao pobre: Como resultado de uma regulao pobre, verifica-se uma
variao na tenso de sada quando a carga alterada. A influncia de uma
regulao pobre no desempenho de uma fonte cc pode ser observada atravs de
dois grficos: um correspondente a uma fonte ideal e o outro, a uma fonte real,
conforme ilustrado na Fig.1.





























Fig.1 Dependncia da tenso de sada com a corrente de carga para uma fonte
ideal e uma fonte real.
Estabilizao pobre: Nas fontes no reguladas, a tenso de sada acompanha as
variaes na tenso de entrada, conforme ilustrado na Fig.2.






85










SENAI-PE

















Fig.2 Reduo na tenso de sada provocada por uma reduo no nvel de
entrada.



A finalidade de um regulador de tenso melhorar o desempenho das
fontes de alimentao, fornecendo um valor preestabelecido de tenso na sada,
independentemente das variaes na corrente de carga ou no nvel da tenso ca,
como mostrado na Fig.3.









Fig.3 Efeito de um circuito regulador sobre a tenso de sada de uma fonte
retificada.



importante considerar que no existe um sistema regulador de tenso
perfeito. As variaes na tenso de entrada sempre provocam pequenas
alteraes na tenso de sada. Os sistemas reguladores devem funcionar de tal
forma que a variao na tenso de sada seja a menor possvel.













86












SENAI-PE




Circuitos reguladores


Os circuitos reguladores
so classificados em dois
grupos, segundo a posio do
elemento regulador em relao
carga. Um dos grupos
denominado de regulador
paralelo, pois o elemento
regulador disposto em
paralelo com a carga, conforme
ilustrado na Fig.4. Um exemplo
tpico de um circuito
pertencente a esse grupo o
regulador a diodo Zener.



O segundo grupo,
denominado de regulador
srie, corresponde a uma
configurao em que o elemento
regulador fica disposto em srie
com a carga, como mostrado na
Fig.5.


















Fig.4 Modelo de um regulador paralelo.

Como ilustrado na Fig.5,
na regulao srie, variaes na
tenso de entrada so
transferidas para o elemento
regulador, com a tenso de sada
permanecendo praticamente
constante.









Fig.5 Modelo de um regulador srie.



REGULAO SRIE COM TRANSISTOR



Os reguladores de tenso do tipo srie com transistor so largamente
empregados na alimentao de circuitos eletrnicos por apresentarem uma boa




87


SENAI-PE


capacidade de regulao. Na Fig.6 est apresentado o modelo mais simples de
um regulador srie a transistor.

















Fig.6 Modelo simples de um regulador srie a transistor.




PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO


O princpio de funcionamento do regulador srie a transistor pode ser
compreendido analisando-se as tenses nos vrios elementos do circuito
mostrado na Fig.7. Como pode ser a observado, a associao diodo
Zener/resistor, conectada tenso de entrada, permite a obteno de uma tenso
constante V
Z
independentemente das variaes da tenso de entrada.

A tenso constante do diodo Zener, mostrado na Fig.7, aplicada base
do transistor, ou seja, a tenso de base do transistor dada por



V
B
= V
Z

(1)



A tenso na carga relacionada tenso base-emissor e a tenso na base
pela relao



V
S
= V
Z
V
BE

(2)

Como mostrado na Fig.7, a diferena entre a tenso de entrada e a tenso
na carga fica aplicada entre os terminais do coletor e do emissor, ou
equivalentemente,

V
S
= V
ent

V
CE

(3)



88


SENAI-PE


























Fig.7 Tenses no regulador srie a transistor.






ESTABILIZAO



No regulador srie a transistor, a tenso aplicada base do transistor
corresponde tenso Zener e pode ser considerada constante. Nessas condies,
a tenso na carga tambm se mantm constante com um valor de 0,2 a 0,7 V
inferior tenso Zener.

Como ilustrado na Fig.8 as variaes na tenso de entrada so assimiladas
pelo transistor atravs de modificaes na tenso coletor-emissor. Como pode
ser a observado, a tenso de entrada sempre superior tenso de sada. Essa
condio necessria pois garante que a tenso coletor-emissor do transistor
possa variar sem alterar a tenso de sada do circuito. Em geral, a tenso de
entrada aproximadamente 50% superior tenso regulada na sada.
















89






SENAI-PE



























































Fig.8 Exemplo ilustrando as modificaes nas tenses no regulador decorrentes
de variaes na tenso de entrada.









90



I
S
|

I
C
|


I
S
+



I
C
+


SENAI-PE




REGULAO


A observao do comportamento das correntes do circuito permite
analisar a forma como o regulador reage s variaes na corrente de carga.

As correntes do circuito regulador esto mostradas na Fig.9, onde se
considera que a corrente de carga esteja inicialmente em um valor I
S
.
Considera-se que a corrente de coletor seja igual corrente de carga, devido
aproximao


I
S
= I
E
~ I
C




















Fig.9 Correntes no regulador srie a transistor.



Como se pode observar na Fig.9, a corrente de base necessria para que o
transistor fornea a corrente de carga obtida da combinao resistor/diodo
Zener. Qualquer modificao no valor da carga altera a corrente de coletor o que
produz uma variao na corrente de base na mesma proporo.




I
C
/|=I
B
|


I
C
/|=I
B
+








91
SENAI-PE



Fig.9
Fixando-se o valor da tenso de entrada V
ent
, a corrente no resistor R da



V V

I
R
=
ent Z

R
(4)

permanece fixa, devido ao valor constante da tenso V
Z
. Da Fig.9 tem-se que


I
R
= I
B
+ I
Z

(5)

e as variaes em I
B
e I
Z
ocorrem em sentidos opostos de forma a manter I
R
no

seu valor constante.


I
B
| I
Z
+

I
S
=cte.





I
B
+ I
Z
|
I
S
=cte.




Dessa forma, cabe ao diodo Zener liberar mais ou menos corrente para a
base do transistor de forma a manter a corrente de carga constante.

Verifica-se que no regulador srie, a condio fundamental para manter a
tenso de sada constante o efeito regulador do diodo Zener. A tenso sobre o
diodo deve manter-se no valor V
Z
independentemente de variaes na carga ou
na tenso de entrada.




DIODO COMPENSADOR


A tenso de sada no regulador srie pode ser obtida da Eq.(2), que est
reproduzida a seguir:

V
S
= V
Z
V
BE

(2)

A Eq.(2) mostra que a tenso de sada sempre inferior tenso Zener
por uma quantidade igual tenso base-emissor. Para compensar esse
decrscimo na tenso de sada, prtica comum adicionar um diodo





92




SENAI-PE


compensador, diretamente polarizado, em srie com o diodo Zener, como
mostrado na Fig.10.




















Fig.10 Regulador srie com diodo compensador.



Com a adio do diodo, a tenso aplicada base do transistor torna-se

V
B
= V
Z

+ V
D

(6)


onde V
D
a queda de tenso no diodo diretamente polarizado. A tenso de sada

nessa nova configurao torna-se

V
S
= V
Z
+ V
D

V
BE

(7)


Sendo o diodo constitudo do mesmo semicondutor utilizado na
fabricao do transistor, tem-se que


V
D
V
BE
= 0



e a Eq.(7) fornece



V
S
= V
Z



(8)














93
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Qual a principal finalidade de um regulador em uma fonte de alimentao?

2. Que componente pode ser empregado para se fazer um regulador paralelo?

3. No regulador srie transistorizado como se comporta a corrente no diodo
Zener perante variaes na corrente de carga?

4. Qual a funo do diodo compensador em um regulador srie transistorizado?

5. Qual a finalidade dos dissipadores de calor acoplados a componentes
semicondutores?

6. Cite cinco providncias que devem ser tomadas para otimizar a transferncia
de calor entre um componente semicondutor e o ambiente externo.











































94


SENAI-PE


Circuitos comparadores
transistorizados


Os comparadores so
circuitos eletrnicos que
recebem uma amostra de sinal,
comparam essa amostra com um
valor de referncia e produzem,
na sua sada, um sinal
proporcional diferena entre o
sinal de amostra e o sinal de
referncia, conforme ilustrado
na Fig.1.


Fig.1 Modelo simplificado de um circuito
comparador.


Os circuitos comparadores so muito utilizados em fontes de alimentao.



ELEMENTOS DO CIRCUITO COMPARADOR



Um circuito comparador pode ser
implementado com o uso de um
transistor ligado na configurao
emissor comum, conforme mostrado na
Fig.2.

O sinal de referncia necessrio
para o funcionamento do circuito
comparador consiste em uma fonte de
tenso constante.





Fig.2 Circuito comparador
transistorizado.















95




SENAI-PE












Como mostrado na Fig.3, o diodo
Zener fornece uma tenso constante ao
emissor do transistor. A tenso do
emissor naquela configurao
corresponde ao sinal de referncia do
circuito.







A amostra geralmente
fornecida ao circuito comparador
por um divisor de tenso
resistivo, como indicado na
Fig.4.


Pela prpria caracterstica de
funcionamento do divisor de tenso, a amostra
uma rplica da forma de onda do sinal.






Fig.3 A regio delimitada do circuito
fornece a referncia do comparador.



Fig.4 A regio delimitada do circuito
fornece a amostra do sinal.



PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

A operao do circuito comparador baseia-se na variao da tenso base-
emissor do transistor provocada pela variao do sinal de amostra.

No circuito da Fig.5, a tenso do emissor tem sempre o valor de referncia
fixado pelo diodo Zener, de forma que a tenso base-emissor do transistor


V
BE

= V
am

V
Z

(1)


dependa apenas da tenso aplicada base, esta ltima representando o sinal de
amostra.



96


SENAI-PE
























Fig.5 Parmetros eltricos do circuito comparador.

A tenso na sada do circuito comparador V
S
depende da tenso base-
emissor do transistor. Se a tenso no ponto onde feita a tomada da amostra
sofre, por exemplo, um pequeno aumento, ocorre a seguinte seqncia de
eventos no comparador:



Vent|

Vam|

VBE|


V
S
+ I
B
|


V
CE
+
:
V
Rc
|
:
I
C
|



Devido ao alto ganho do transistor, uma pequena elevao na amostra do
sinal provoca uma grande reduo na tenso de sada do circuito.

Se por outro lado, a amostra do sinal sofre uma pequena reduo, isso
provoca um grande aumento na tenso de sada do circuito.

Conclui-se portanto que o circuito comparador, alm de detectar a
variao na amostra do sinal, fornece na sada uma verso amplificada
invertida, proporcional quela variao.




97


SENAI-PE


COMPARADOR DE ATUAO INVERSA OU DIRETA



Um circuito comparador pode ser classificado como sendo de atuao
direta ou inversa, dependendo da forma como o sinal de sada se comporta em
relao ao sinal amostrado.



COMPARADOR DE ATUAO INVERSA


Um circuito comparador pode ser classificado como de atuao inversa
quando o sinal de sada varia em sentido oposto variao do sinal amostrado.
Os circuitos comparadores compostos por apenas um transistor so sempre de
atuao inversa, como indicado na Fig.6.

























Fig.6 Comparador de atuao inversa.




COMPARADOR DE ATUAO DIRETA


O comparador de atuao direta fornece um sinal de sada que varia de
forma proporcional e no mesmo sentido de variao da amostra do sinal. Esses
comparadores so constitudos, normalmente, por circuitos mais complexos. Um
dos mais simples comparadores de atuao direta mostrado na Fig.7.







98








SENAI-PE

























Fig.7 Circuito comparador de atuao direta empregando dois transistores.



O comparador mostrado na Fig.7 composto de dois comparadores de
atuao inversa, configurados em cascata, de forma que a amostra do sinal V
am
sofre duas inverses sucessivas para produzir na sada um sinal V
S
que varia na
mesma proporo e no mesmo sentido de variao do sinal de entrada V
ent
.


O diagrama mostrado na Fig.8 mostra o princpio de funcionamento do
comparador de atuao direta submetido a um aumento no sinal de entrada.


Vent|

Vam|

VS1=Vent1+


V
S
|
:
V
am1
+



Fig.8 Atuao do comparador da Fig.7 submetido a um aumento do sinal de
entrada.













99
SENAI-PE






QUESTIONRIO

1. O que um circuito comparador?

2. O que so comparadores de atuao inversa e direta?


























































100




SENAI-PE


Fonte regulada com
comparador



A fonte regulada com comparador um circuito eletrnico destinado a
fornecer um valor de tenso contnua constante na sada, quando a corrente de
carga e a tenso de entrada variarem entre valores limites preestabelecidos. Uma
representao simplificada de uma fonte regulada com comparador est
mostrada na Fig.1.


















Fig.1 Bloco representativo da funo de uma fonte regulada.



A fonte regulada com comparador uma verso mais elaborada dos
circuitos reguladores convencionais, sendo utilizada para alimentao de
equipamentos que demandem uma alta estabilidade nas tenses de operao.





DIAGRAMA DE BLOCOS



A Fig.2 mostra o diagrama de blocos completo de uma fonte regulada
com comparador.










101










SENAI-PE


























Fig.2 Diagrama de blocos de uma fonte regulada com comparador.


Os trs primeiros blocos mostrados na Fig.2 representam a transformao
da tenso alternada da rede em tenso contnua filtrada, e desempenham as
seguintes funes:

Converso de nvel: Esse bloco utilizado para a obteno do nvel de tenso
alternada necessrio na retificao, a partir das tenses padronizadas das redes
eltricas (110V, 220V).

Retificao: Esse bloco faz a transformao de tenso alternada em contnua
pulsada. Esse processo executado com o emprego de diodos, ligados de forma
a fornecer uma retificao de meia onda ou de onda completa.

Filtragem: Esse bloco tem por objetivo aproximar a forma de tenso, na sada
da retificao, de uma tenso contnua pura.

Os blocos restantes na Fig.2 compem o mdulo regulao e
desempenham as seguintes funes:
Referncia: Esse bloco representa o componente ou circuito que tem por
finalidade fornecer a tenso de referncia necessria para o funcionamento do
comparador.

Amostragem: A finalidade desse bloco fornecer uma parcela da tenso de
sada ao comparador.





102






SENAI-PE


Comparao: Esse bloco compara as tenses de amostra e referncia,
fornecendo na sada uma tenso proporcional diferena entre aqueles dois
sinais. O circuito comparador atua tambm como amplificador da diferena
entre as tenses da amostra e da referncia.


Controle: Representa o transistor regulador, que recebe na base a tenso de
sada do comparador e realiza a correo na tenso de sada da fonte.

A compreenso da funo desempenhada por cada bloco, bem como a
identificao de seus componentes muito importante, pois facilita a
manuteno e reparo da fonte regulada.



DIAGRAMA DE CIRCUITO

A Fig.3 apresenta o diagrama de circuito correspondente a fonte regulada
com comparador.




















Fig.3 Circuito de uma fonte regulada com comparador.

As funes referentes a amostragem, referncia e controle identificadas
no diagrama de circuito da Fig.3 so analisadas a seguir.



AMOSTRAGEM


Em um circuito de fonte de alimentao, a tenso definida como tenso
de sada a tenso cc fornecida pela fonte, conforme ilustrado na Fig.4.







103










SENAI-PE





Fig.4 Definio da tenso de sada em uma fonte de alimentao cc.



Para obter informao do comportamento da tenso de sada necessria
a obteno de uma amostra que represente, com fidelidade, possveis variaes
que ocorram na sada. Nas fontes de alimentao utiliza-se um divisor de tenso
para a obteno da amostra, conforme ilustrado na Fig.5.





















Fig.5 Divisor de tenso para obteno de uma amostra da tenso de sada.




Como em muitas ocasies necessrio ajustar o nvel da tenso da
amostra, os divisores de tenso usualmente dispem de um potencimetro ou
trimpot, como se pode observar na Fig.5.



REFERNCIA


A referncia consiste em uma tenso de valor constante, que independe
das variaes na corrente de carga ou no nvel da tenso de entrada. Essa funo
pode ser obtida com o uso de um diodo Zener que fornece uma tenso fixa de





104










SENAI-PE


referncia. A Fig.6 mostra duas configuraes que possibilitam a obteno da
tenso de referncia.












Fig.6 Dois arranjos possveis para obteno da tenso de referncia.



COMPARAO


No circuito compondo a fonte de alimentao, o bloco do circuito
comparador configurado como mostrado na Fig.7.














Fig.7 Configurao do circuito comparador na fonte de alimentao.




A funo de comparao pode
ser executada por apenas um
transistor ou por circuitos mais
elaborados. Quando apenas um
transistor empregado como
comparador, a tenso de referncia
aplicada ao emissor e a tenso da
amostra aplicada base, como
mostrado na Fig.8.











Fig.8 Circuito para a comparao
entre amostra e referncia.

Na configurao mostrada na Fig.8, a corrente drenada pelo coletor do
transistor comparador depende da diferena entre as tenses da amostra e do
emissor. Essa diferena corresponde tenso V
BE
do transistor.





105


SENAI-PE



CONTROLE


O elemento de controle da fonte de alimentao interpreta o sinal
proveniente do comparador e efetua a correo de forma a manter a tenso de
sada constante.


A Fig.9 mostra os
componentes do bloco de
controle. O transistor de
controle sofre variaes na
tenso V
CE
entre coletor e
emissor de forma a manter a
tenso de sada sempre
constante.








Fig.9 Poro de controle do circuito
comparador.






PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO
REGULADOR


O princpio de funcionamento do circuito regulador pode ser analisado
sob dois aspectos distintos:


- Funcionamento com variao na tenso de entrada.
- Funcionamento com variao na corrente de carga.





VARIAO NA TENSO DE ENTRADA


Os efeitos decorrentes de variaes na tenso de entrada podem ser
analisados tomando-se como condio inicial os parmetros eltricos definidos
na Fig.10.













106














SENAI-PE































Fig.10 Bloco regulador da fonte cc e parmetros eltricos correspondentes.

Quando ocorre um aumento na tenso de entrada V
ent
, a tenso V
B1
, na
base do transistor T
1
, tende a se elevar momentaneamente, fazendo que a tenso
de sada V
S
tambm aumente, como indicado na Fig.11.
























Fig.11 Efeito produzido por um aumento momentneo na tenso de entrada.



107










SENAI-PE


Entretanto, a elevao na tenso de sada faz que a tenso V
B2
, fornecida

base de T
2
pelo circuito de amostragem se eleve, resultando em uma elevao da
tenso V
BE2
do transistor T
2
, como mostrado na Fig.12.
































Fig.12 Aumento produzido na base do transistor T
2
devido
ao aumento na tenso de sada.



O valor mais elevado da tenso V
BE2
provoca um aumento na corrente de
base do transistor T
2
e conseqentemente ocorre um aumento na corrente
drenada pelo coletor daquele transistor. Essa seqncia de eventos est
representada no diagrama a seguir:



V
B2
|


V
BE2
|

I
C2
|


Com o aumento na corrente I
C2
, a tenso V
CE2
que havia aumentado,

agora diminui fazendo que a tenso na base do transistor T
1
retorne a um valor
bem prximo do inicial, conforme indicado na Fig.13.







108














SENAI-PE































Fig.13 Efeito final produzido na tenso de sada aps um
aumento na tenso de entrada.


Todo o processo ocorrido aps o aumento na tenso de entrada est
sumarizado no diagrama de blocos mostrado na Fig.14.


V
ent
|


V
B1
|

V
S
|



V
S
+ V
am
|


V
B1
+ V
BE2
|


V
CE2
+
:
I
C2
|
:
I
B2
|



Fig.14 Diagrama de blocos representativo da seqncia de eventos decorrentes
de um aumento na tenso de entrada do estgio regulador.

Se, por outro lado, a tenso de entrada diminui, o comportamento do
circuito segue a seqncia de eventos mostrada na Fig.15.





109








SENAI-PE


V
ent
+


V
B1
+

V
S
+



V
S
| V
am
+


V
B1
| V
BE2
+


V
CE2
|
:
I
C2
+
:
I
B2
+



Fig.15 Diagrama de blocos representativo da seqncia de eventos decorrentes
de uma diminuio na tenso de entrada do estgio regulador.




VARIAO NA CORRENTE DE CARGA


Os efeitos decorrentes de variaes na corrente de carga podem ser
analisados tomando-se como condio inicial os parmetros eltricos definidos
na Fig.16.






























Fig.16 Bloco regulador da fonte cc e parmetros eltricos correspondentes.




110










SENAI-PE


Na anlise do comportamento do circuito, mostrado na Fig.16, perante
variaes na corrente de carga, vale observar o seguinte aspecto:


Qualquer acrscimo na corrente I
C2
provoca um decrscimo na
corrente I
B1
e vice-versa.

Isso conseqncia do fato de um aumento na corrente I
C2
provocar uma
diminuio na tenso V
CE2
indicada na Fig.16. Isso reduz a tenso V
B1
, e por
conseguinte a tenso V
BE1
. O efeito resultante portanto uma reduo na
corrente I
B1
.

A partir dessas consideraes, o comportamento do circuito regulador
pode ser analisado admitindo-se inicialmente uma diminuio no valor da
resistncia de carga. Isso produz uma diminuio momentnea na tenso V
S
.
Como V
S
= V
B2
, a tenso V
BE2
tende a diminuir, devido ao valor fixo da tenso
no diodo Zener, conforme ilustrado na Fig.17.




























Fig.17 Efeito sobre o transistor T
2
produzido por uma
diminuio na corrente de carga.

A diminuio na tenso V
BE2
provoca um decrscimo na corrente I
B2
fazendo que a corrente I
C2
, indicada na Fig.17, tambm diminua. Como
observado anteriormente, a diminuio em I
C2
deve ser balanceada por um
aumento na corrente I
B1
, injetada na base do transistor T
1
, como indicado na
Fig.18.



111




SENAI-PE




























Fig.18 Efeito produzido sobre as correntes no circuito aps
a diminuio da corrente de carga.

Com o acrscimo da corrente I
B1
aumenta tambm a corrente de coletor
I
C1
no transistor T
1
. Esse aumento provoca por sua vez um aumento na corrente

de carga, elevando portanto a tenso de sada de volta para seu valor nominal,
como ilustrado na Fig.19.



























Fig.19 Efeito produzido de volta na sada aps a atuao
dos elementos do circuito regulador.



112
SENAI-PE


O diagrama mostrado na Fig.20 resume o comportamento do circuito sob
o efeito de uma diminuio inicial na corrente de carga.


I
S
+ V
S
+ V
am
+



V
S
| V
BE2
+


I
S
| I
C2
+


I
E1
| : I
C1
| : I
B1
|

Fig.20 Sumrio dos efeitos decorrentes de uma diminuio na
corrente de carga no circuito regulador.

Quando a corrente de carga aumenta, a seqncia de alteraes
observadas no circuito regulador segue o esquema representado no diagrama de
blocos da Fig.21.


I
S
| V
S
| V
am
|



V
S
+ V
BE2
|


I
S
+ I
C2
|


I
E1
+ : I
C1
+ : I
B1
+

Fig.21 Sumrio dos efeitos decorrentes de um aumento na
corrente de carga no circuito regulador.



CIRCUITOS ADICIONAIS UTILIZADOS NAS
FONTES REGULADAS

Alm dos componentes utilizados nas configuraes mais simples de
fontes reguladas, podem-se acrescentar outros componentes ou mesmo circuitos
para melhoria das caractersticas de funcionamento. Alguns exemplos so:




113




SENAI-PE



- Transistores em configurao Darlington.
- Circuito para limitao da corrente de curto-circuito.



CONFIGURAO DARLINGTON


A configurao Darlington,
mostrada na Fig.22, uma forma
especfica de ligao entre dois
transistores. Essa forma de ligao
tem caractersticas singulares.

O princpio de funcionamento
da configurao Darlingon pode ser
compreendido a partir da anlise do
circuito simples mostrado na Fig.23.
Como pode ser a observado, o
resistor R
B
fornece uma corrente de
base I
B1
ao transistor T
1
. Essa
corrente amplificada por T
1
,
gerando uma corrente de coletor







Fig.22 Configurao Darlington.


I
C1
= |
1
I
B1


Admitindo-se a aproximao
I
E1
~ I
C1
conclui-se que




Fig.23 Correntes nos transistores da
I
E1
~ |
1
I
B1

(1) configurao Darlington.


Como mostrado na Fig.23, a corrente I
E1
flui para a base de T
2
, e portanto


I
B2
= I
E1
= |
1
I
B1


O transistor T
2
amplifica a corrente de base, gerando uma corrente de
coletor

I
C2
~ |
2
I
B2
= |
2
|
1
I
B1

Como a corrente de carga I
R
, mostrada na Fig.23 a soma
I
R
= I
C2

+ I
C1
, obtm-se



I
R
= |
2
|
1
I
B1
+ |
1
I
B1





114




I 2 2
SENAI-PE


ou equivalentemente


I
R
= |
1
(|
2
+ 1)I
B1



(2)

Admitindo conhecida a corrente de carga, a corrente na base do transistor
T
1
pode ser obtida diretamente da Eq.(2), resultando em



I
R

I
B1
=
|
1
(|
2
+ 1)
(3)



A Eq.(3) mostra que, devido aos valores tipicamente altos para os ganhos
dos dois transistores, uma carga exigindo um alto valor de corrente pode ser
controlada atravs de uma corrente na base do transistor T
1
, que pode chegar a
ser centenas ou at milhares de vezes inferior.

Por exemplo, comparando-se as duas situaes mostradas na Fig.24, para
se obter uma corrente de carga de 2 A, com apenas um transistor de ganho |=50,
a corrente de base necessria vale


I
B1


I
R
2
= = = 40 mA
|
1
50


Por outro lado, para a configurao Darlington da Fig.24b, com dois
transistores de ganhos |
1
=|
2
=50 obtm-se



I
B1

=
R
= ~ = 800 A

|
1
(|
2
+ 1)

50 51 50 50








Fig.24 (a) Amplificador de corrente com apenas um transistor.
(b) Amplificador na configurao Darlington.





115




SENAI-PE


Esse resultado mostra que a configurao Darlington permite a utilizao
de uma corrente de base muito menor do que aquela obtida com o uso de apenas
um transistor.

A Fig.25 mostra o diagrama de uma fonte regulada simples que utiliza
transistores ligados na configurao Darlington.



















Fig.25 Circuito regulador de uma fonte de alimentao que utiliza a
configurao Darlington.

Como vantagens fundamentais de utilizao da configurao Darlington
no circuito regulador, pode-se destacar:

- As variaes de corrente no diodo Zener em funo da corrente de carga so
menores, aumentando assim a estabilidade da tenso de sada.

- Uma menor dissipao de potncia obtida no diodo Zener.

























116
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Descreva a funo de cada um dos blocos que compem uma fonte regulada
com comparador.

2. Descreva a seqncia de eventos decorrentes de uma diminuio na tenso de
entrada no circuito da Fig.10.

3. Descreva a seqncia de eventos decorrentes de um aumento na corrente de
carga para o circuito da Fig.16.

4. Quais as vantagens de utilizao da configurao Darlington em um circuito
regulador?
















































117


SENAI-PE






ESTGIO AMPLIFICADOR A TRANSISTOR NA
CONFIGURAO EMISSOR COMUM



O estgio amplificador que utiliza um transistor na configurao emissor
comum, ilustrada na Fig.8, proporciona um alto ganho de tenso e de corrente.
Isso permite que essa configurao seja largamente empregada na construo de
amplificadores de potncia.















Fig.8 Estgio amplificador com transistor na configurao emissor comum.




PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO


O princpio de funcionamento do estgio amplificador na configurao
emissor comum pode ser analisado com base na Fig.9.

























118












SENAI-PE




Fig.9 Circuito de um estgio amplificador na configurao emissor comum.

De acordo com a Fig.9, a corrente de base pode ser obtida da expresso


I
B
= I
1
+ I
ent
(3)


onde I
ent
a corrente associada ao sinal de entrada e I
1
a corrente no resistor R
1
da Fig.9.

Com a entrada em aberto, ou
seja, com I
ent
= 0, o transistor opera
no ponto quiescente Q mostrado na
Fig.10. Os parmetros quiescentes,
obtidos da Fig.10, so:


-
Corrente de base I
BQ
= I
1
.
- Tenso coletor-emissor V
CEQ
.
- Corrente de coletor I
CQ
.


Para uma variao senoidal da
corrente de entrada, a corrente de
base pode ser obtida pela soma dada
pela Eq.(3). Essa soma est
indicada graficamente na Fig.11.
Como pode ser a observado, a
corrente de base varia
senoidalmente em torno do valor
quiescente I
BQ
=I
1
.









Fig.10 Ponto quiescente para o circuito
da Fig.9 na ausncia de um
sinal de entrada.























119




SENAI-PE


Fig.11 Componentes da corrente de base para uma corrente de entrada senoidal.


No semiciclo em que a
corrente de entrada positiva, a
corrente de base excede o valor
quiescente I
1
. Isso faz que o
ponto de operao se mova
sobre a reta de carga, conforme
indicado na Fig.12, ou seja,
com a corrente de coletor
aumentando e a tenso coletor-
emissor diminuindo. Esse
aumento na corrente de coletor
prossegue at o instante de
tempo em que a corrente de
entrada atinge seu valor
mximo I
mx
.

Esse instante de tempo
define um novo ponto
quiescente Q, indicado na
Fig.12. De acordo com a
Eq.(3), nesse novo ponto de
operao a corrente de base
assume o valor mximo






















Fig.12 Alterao no ponto de operao
durante o aumento da corrente de
entrada no semiciclo positivo.

I
BQ'
= I
1
+ I
mx
= I
BQ
+ I
mx

correspondente a uma corrente
de coletor mxima I
CQ
e uma
tenso coletor-emissor mnima
V
CEQ'
.



Quando a corrente de
entrada retorna ao valor nulo o
ponto de operao do circuito
retorna a sua posio inicial Q.
A partir desse momento a
corrente de entrada passa a se
tornar negativa, fazendo que o
ponto de operao se mova
como indicado na Fig.13, ou
seja, com a corrente de coletor














Fig.13 Alterao no ponto de operao
durante o perodo de decrscimo da
corrente de entrada.

120








SENAI-PE


diminuindo e a tenso coletor-emissor aumentando.




DESACOPLAMENTO DO EMISSOR


Nos estgios amplificadores em que o emissor est conectado diretamente
ao terra, como mostrado na Fig.20, o ganho elevado, geralmente maior do que
50. Como desvantagem, aquele tipo de circuito tem baixa estabilidade trmica,
sendo adequado para estgios amplificadores que no estejam sujeitos a
variaes muito amplas de temperatura. Por outro lado, o resistor de emissor,
quando includo no circuito, reduz sensivelmente o seu ganho, que passa a se
situar tipicamente em um valor prximo a 10.















Fig.20 Amplificador com o emissor do transistor conectado ao terra.


Em um estgio amplificador polarizado por divisor de tenso a
estabilidade trmica pode ser melhorada acrescentando-se um
resistor de emissor ao circuito. Por outro lado, essa modificao
reduz o ganho do estgio.


Para otimizar o desempenho do amplificador, utiliza-se um capacitor de
desacoplamento conectado em paralelo com o resistor de emissor, conforme
indicado na Fig.21, que permite a obteno de um estgio amplificador
termicamente estvel e com ganho elevado.
















121






SENAI-PE
















Fig.21 Amplificador com capacitor de desacoplamento
conectado em paralelo com o resistor de emissor.
Se o capacitor de desacoplamento tiver uma reatncia muito baixa, ele
atuar como um curto-circuito apenas em relao componente varivel do
sinal amplificado.

Como ilustrado na Fig.22, na ausncia de um sinal de entrada o
capacitor comporta-se como um circuito aberto, no alterando as tenses de
polarizao, e portanto o ponto de operao do circuito.

















Fig.22 Atuao do capacitor de desacoplamento na ausncia
de um sinal na entrada do circuito amplificador.



Aplicando-se um sinal na entrada do amplificador, o capacitor comporta-
se idealmente como um curto-circuito em relao parcela varivel da tenso do
emissor, como ilustrado na Fig.23. Do ponto de vista da parcela varivel da
tenso do emissor, tudo se passa como se o emissor estivesse ligado diretamente
ao terra. Dessa forma pode-se obter um estgio amplificador com ganho da
ordem de 50 e com boa estabilidade trmica.










122


SENAI-PE


















Fig.23 Atuao do capacitor de desacoplamento na presena
de um sinal na entrada do circuito amplificador.



Para que o capacitor realize o desacoplamento adequado, sua reatncia
deve ser pequena.. Na prtica, na menor freqncia de operao do
amplificador, o valor da reatncia deve ser pelo menos 10 vezes menor do que a
resistncia do resistor de emissor. Por essa razo, capacitores
de desacoplamento utilizados em amplificadores, so do tipo
eletroltico com capacitncias entre 1F e 50F.


A Fig.24 mostra um estgio amplificador completo, com os elementos de
polarizao, de acoplamento e de desacoplamento.



















Fig.24 Estgio amplificador completo.












123
SENAI-PE




PARMETROS DO ESTGIO AMPLIFICADOR

Os parmetros comumente utilizados na caracterizao de um estgio
amplificador so os seguintes:

- Ganho de corrente.
- Ganho de tenso.
- Impedncia de entrada.
- Impedncia de sada.



GANHO DE CORRENTE


O ganho de corrente de um estgio amplificador, representado pelo
parmetro A
I
, definido como sendo a relao entre as variaes das correntes
de sada AI
S
, e de entrada AI
ent
, ou equivalentemente



AI
S

A
I
=
AI
ent
(4)
O ganho de corrente do estgio amplificador na configurao emissor
comum equivale ao prprio ganho de corrente do transistor |, e pode ser
considerado genericamente como alto, com um fator de algumas dezenas.



GANHO DE TENSO


O ganho de tenso de um estgio amplificador definido pela relao



AV
S

A
V
=
AV
ent
(5)


Na configurao emissor comum o ganho de tenso fortemente
dependente dos valores dos elementos polarizadores e das correntes de
polarizao, dificultando a determinao analtica desse parmetro. Entretanto, o
ganho de tenso pode ser obtido diretamente, medindo-se as tenses de sada e
de entrada com um osciloscpio.

Em termos de classificao genrica, o ganho de tenso na configurao
emissor comum tambm pode ser considerado como alto, tendo um fator tpico
de algumas dezenas.




124






SENAI-PE



IMPEDNCIA DE ENTRADA


A impedncia de entrada Z
i
a resistncia oferecida pelos terminais de
entrada do amplificador passagem da corrente associada ao sinal, como
ilustrado na Fig.25.







Fig.25 Impedncia de entrada de um amplificador.



A impedncia de entrada de amplificadores na configurao emissor
comum geralmente de algumas centenas de ohms, sendo classificada
genericamente como mdia.

A determinao terica da impedncia de entrada requer a manipulao
matemtica das equaes do circuito amplificador. Para evitar as complicaes
envolvidas no tratamento analtico, pode utilizar-se uma tcnica simples de
medio desse parmetro. A tcnica requer o emprego de um potencimetro
conectado em srie a um dos terminais de entrada do estgio amplificador, como
mostrado na Fig.26.























125
Bpp


SENAI-PE




Fig.26 Tcnica de medio da impedncia de entrada de um amplificador.

A tcnica de medio consiste na execuo dos seguintes passos:

- Selecionando um valor nulo para a resistncia do potencimetro mostrado na
Fig.25, ajusta-se a tenso pico a pico no ponto A para um valor pr-definido
V
App
.


- Ajusta-se ento o potencimetro at que a tenso no ponto B, V
Bpp
diminua
para a metade da tenso aplicada ao ponto A, ou seja, na condio

V =
V
App

2

Quando essa condio for atingida, a resistncia do potencimetro torna-
se igual impedncia de entrada do estgio, pois metade da tenso aplicada
entre os terminais do potencimetro, com a outra metade residindo entre os
terminais de entrada do circuito equivalente mostrado na Fig.25. Pode-se, ento,
desconectar o potencimetro do circuito, sem alterar a posio do cursor, e
medir a sua resistncia que fornece o parmetro Z
i
do amplificador.
O conhecimento da impedncia de entrada de um amplificador
importante para a obteno do correto casamento de impedncias na conexo
com uma fonte de sinal.




IMPEDNCIA DE SADA


O conhecimento da impedncia de sada de um amplificador, representada
pelo parmetro Z
o
, tambm importante para a conexo adequada da sada do
estgio com outro circuito. O valor da impedncia de sada pode ser
determinado analiticamente, a partir de um tratamento matemtico das equaes
do circuito. Entretanto, o valor pode tambm ser medido de uma forma simples,
utilizando-se um potencimetro na sada do circuito, conforme indicado na
Fig.27.

A tcnica de medio consiste na execuo dos seguintes passos:

- Com a chave do circuito da Fig.27 desligada, mede-se a tenso pico a pico
V
App
do sinal presente no ponto A.

- Liga-se a chave e ajusta-se ento o potencimetro at que a tenso V
App

diminua para a metade de seu valor inicial




126




SENAI-PE




Quando essa condio for atingida, a resistncia do potencimetro tem o
mesmo valor da impedncia de sada do estgio.























Fig.27 Tcnica de medio da impedncia de sada de um amplificador.


Nos processos de medio dos parmetros Z
i
e Z
o
o gerador de
sinais deve ser ajustado de forma a no distorcer o sinal de sada,
evitando assim a obteno de valores incorretos para aqueles
parmetros.



Os estgios amplificadores em emissor comum tm uma impedncia de
sada que pode ser classificada como alta, podendo atingir alguns milhares de
ohms.

As caractersticas principais de um amplificador na configurao emissor
comum esto sumarizadas na Tabela 1.

Tabela 1 Ordens de grandeza dos parmetros de um
amplificador na configurao emissor comum.
Parmetro Ordem de grandeza
A
I
Alto ( dezenas de vezes)
A
V
Alto ( dezenas de vezes)
Z
i
Mdia ( centenas de ohms)
Z
o
Alta (centenas a milhares de ohms)





127
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. O que se entende por sinal eltrico?

2. Que caracterstica de um sinal senoidal modificada aps sua amplificao e
quais caractersticas permanecem inalteradas?

3. Quais so os tipos de estgios amplificadores e quais so os seus ganhos
tpicos?

4. Quais so as caractersticas principais de um estgio amplificador na
configurao emissor comum?

5. Em um estgio amplificador na configurao emissor comum, quais as
relaes de fase entre a corrente e tenso de coletor e a tenso de entrada?

6. Como pode ser realizado o bloqueio da componente cc de um sinal entre
estgios amplificadores?

7. Que efeitos so produzidos pela adio de um resistor de emissor em um
amplificador na configurao emissor comum?

8. A que propsito serve o capacitor de desacoplamento da Fig.21?

9. Quais so os parmetros representativos e seus valores tpicos em um
amplificador na configurao emissor comum?





























128


SENAI-PE


Amplificador em base
comum



Um transistor com terminais conectados na configurao base comum,
mostrada na Fig.1, permite confeccionar amplificadores de alto ganho de tenso.













Fig.1 Transistor na configurao base comum.

A forma mais simples do estgio amplificador com transistor na
configurao base comum utiliza duas fontes de alimentao, conforme
mostrado na Fig.2.



















Fig.2 Amplificador com transistor na configurao base comum empregando
duas baterias.
Na forma mostrada na Fig.2, o transistor fica polarizado na regio ativa
com as baterias desempenhando as seguintes funes:

- B
1
: polariza diretamente a juno base-emissor.
- B
2
: polariza inversamente a juno base-coletor.




129




SENAI-PE




O estgio amplificador com transistor na configurao base comum pode
tambm ser montado com apenas uma fonte de alimentao, conforme mostrado
na Fig.3.




















Fig.3 Amplificador com transistor na configurao base comum empregando
apenas uma bateria.



So os seguintes os elementos de circuito mostrados na Fig.3:


- R
E
: resistor de emissor.

- R
C
: resistor de coletor.

- C
E
: capacitor de acoplamento de entrada.

- C
S
: capacitor de acoplamento de sada.

- C
B
: capacitor de desacoplamento de base.

- R
B1
e R
B2
: elementos do divisor de tenso.


Para um sinal ac de entrada, pode utilizar-se o modelo ideal de um
elemento em curto em substituio a cada capacitor do circuito da Fig.3. Em
particular, o terminal da base do transistor permanece efetivamente aterrado e o
estgio pode ser representado pelo circuito equivalente mostrado na Fig.4.











130








SENAI-PE




















Fig.4 Circuito equivalente do estgio amplificador da Fig.3 para um sinal ac de
entrada.


PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

O funcionamento do amplificador em base comum baseia-se na influncia
exercida pelo sinal de entrada sobre a tenso base-emissor do transistor. Na
anlise do comportamento do circuito deve-se considerar que no amplificador
com transistor na configurao base comum da Fig.3, o potencial V
B
permanece constante. O valor de V
B
fixado pelo divisor de tenso e pelo
capacitor de acoplamento, mostrados na Fig.3.

Na ausncia de um sinal de entrada, os parmetros eltricos do circuito
so aqueles obtidos no seu ponto de operao. A partir dessa considerao, e
notando que na ausncia de um sinal de entrada, os parmetros eltricos do
circuito so aqueles definidos no ponto de operao, pode analisar-se o
comportamento do amplificador em duas situaes:

- Com sinal de entrada positivo.
- Com sinal de entrada negativo.




COM SINAL DE ENTRADA POSITIVO


Quando um sinal positivo aplicado entrada do circuito, conforme
ilustrado na Fig.5, ocorre um aumento da tenso no resistor de emissor, uma vez
que


V
E
= V
EQ
+ V
ent





131






SENAI-PE


onde V
EQ
o valor quiescente da tenso no resistor de emissor.
Como o potencial no terminal da base fixo, o aumento em V
E
provoca a

reduo na tenso V
BE
, diminuindo a corrente I
B
injetada na base do transistor.
Esta por sua vez produz um decrscimo na corrente de coletor I
C
.


























Fig.5 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal positivo
entrada do amplificador.



A seqncia de eventos ilustrada na Fig.5 pode ser representada de acordo
com o diagrama:



V
ent
|

V
E
|


V
BE
+



I
B
+


V
C
|
:
V
CE
|
:
I
C
+




Dessa forma uma verso amplificada do semiciclo positivo do sinal de
entrada transferida para a sada do circuito, conforme ilustrado na Fig.6.





132








SENAI-PE































Fig.6 Tenso de sada durante o semiciclo positivo do sinal de entrada.



COM SINAL DE ENTRADA NEGATIVO


Utilizando uma anlise semelhante quela conduzida anteriormente, a
existncia de um sinal negativo na entrada do circuito amplificador produz a
seqncia de eventos ilustrada na Fig.7.




























133


SENAI-PE


Fig.7 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal negativo
entrada do amplificador.
A seqncia de eventos ilustrada na Fig.7 est representada no diagrama a
seguir:





V
ent
+

V
E
+


V
BE
|


I
B
|


V
C
+
:
V
CE
+
:
I
C
|






Dessa forma, em ambos os
semiciclos considerados, a tenso de
sada do circuito uma verso
amplificada da tenso associada ao
sinal de entrada.

A Fig.8 mostra a dependncia no
tempo dos parmetros V
ent
, V
CE
e I
C
durante um ciclo completo do sinal de
entrada, e demonstra as seguintes
caractersticas inerentes aos estgios
amplificadores a transistor na
configurao base comum:

- A dependncia temporal da corrente
de coletor encontra-se deslocada de
um semiciclo em relao quela
associada ao sinal de entrada.

- A tenso de coletor uma verso
amplificada com a mesma fase da
tenso associada ao sinal de entrada.






























Fig.8 Dependncia temporal dos
parmetros V
ent
, V
CE
e I
C
,
para o amplificador em base
comum.




134
SENAI-PE




PARMETROS DO ESTGIO AMPLIFICADOR EM
BASE COMUM


GANHO DE CORRENTE


No estgio amplificador com transistor na configurao base comum as
correntes de entrada e de sada correspondem s correntes de emissor e de
coletor, respectivamente. O ganho de corrente, definido pela relao


A =

AI
sada

I
AI

entrada


para o amplificador em base comum se torna



AI
C

A
I
=
AI
E
(1)


Como AI
C
sempre menor do que AI
E
, conclui-se da Eq.(1), que o ganho

de corrente sempre menor do que 1, situando-se tipicamente na faixa 0,95 s A
I

s 0,999. Na prtica pode-se portanto considerar o ganho de corrente em base
comum como sendo unitrio, i.e., A
I
~ 1.




GANHO DE TENSO


Os estgios amplificadores em base comum utilizam geralmente um
resistor de coletor, cujo valor de resistncia pode variar tipicamente de vrias
dezenas a vrias centenas de quiloohms, resultando em ganhos de tenso que
podem chegar a algumas centenas. Portanto, o ganho de tenso do estgio
amplificador em base comum pode ser classificado, genericamente, como sendo
alto.



IMPEDNCIA DE ENTRADA


Nos estgios amplificadores o sinal de entrada aplicado ao terminal do
emissor e a base aterrada diretamente ou atravs de um capacitor de
desacoplamento, como mostrado na Fig.3. Dessa forma, o sinal de entrada
aplicado diretamente juno base-emissor do transistor.



135




C
SENAI-PE




Como durante a operao normal, a juno base-emissor permanece
polarizada diretamente, a impedncia de entrada de no mximo, algumas
dezenas de ohms. Portanto, a impedncia de entrada para esse tipo de estgio
amplificador pode ser classificada, genericamente, como sendo baixa.

A impedncia de entrada pode ser medida com o emprego de um
potencimetro na entrada como ilustrado na Fig.9, seguindo os mesmos
princpios j descritos anteriormente para a medio desse parmetro no estgio
amplificador em emissor comum.





















Fig.9 Tcnica utilizada para medio da impedncia de entrada de um
amplificador em base comum.



IMPEDNCIA DE SADA


Para qualquer amplificador, a impedncia de sada definida como a
relao entre variaes de tenso e de corrente, ou seja,


Z =

AV
C

o
AI
(2)


Devido ao alto valor do parmetro R
C
de um estgio amplificador em base

comum, grandes variaes na tenso de sada so produzidas por pequenas
variaes na corrente de coletor. Dessa forma, a Eq.(2) indica que a impedncia
de sada para esses tipos de estgios amplificadores deve ser alta, situando-se na
faixa de dezenas a centenas de quiloohms.






136














SENAI-PE


A Tabela 1 resume as principais caractersticas de um estgio
amplificador a transistor na configurao base comum.
Tabela 1 Amplificador em base comum: caractersticas principais.
Parmetro Valor ou faixa de valores tpicos
A
I
~ 1
A
v
alto (dezenas a centenas de vezes)
Z
i
baixa (dezenas de ohms)
Z
o
alta (dezenas a centenas de quiloohms)



APLICAES

Caracteristicamente os estgios amplificadores em base comum
apresentam baixa impedncia de entrada e alta impedncia de sada. Essas
propriedades permitem que esses circuitos sejam utilizados como elementos
casadores de impedncia, podendo interligar um estgio de baixa impedncia de
sada a outro de alta impedncia de entrada, conforme ilustrado na Fig.10.




















Fig.10 Emprego do estgio amplificador em base comum na interligao de
circuitos de impedncias distintas.

Outra aplicao caracterstica dos amplificadores em base comum ocorre
na confeco de circuitos para operao em freqncias acima de 50 MHz, tais
como aqueles utilizados em sistemas de comunicaes convencionais.













137
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Faa um desenho de um transistor na configurao base comum.

2. Quais so as faixas tpicas de valores dos parmetros associados ao
amplificador na configurao base comum.

3. Cite algumas aplicaes que fazem uso do amplificador na configurao base
comum.





















































138








SENAI-PE


Amplificador em coletor
comum



Um transistor com terminais conectados na configurao coletor comum,
mostrada na Fig.1, permite confeccionar amplificadores de alto ganho de
corrente, com um ganho de tenso praticamente unitrio.



















Fig.1 Transistor na configurao coletor comum.




Os amplificadores em
coletor comum so
empregados geralmente como
estgios amplificadores de
potncia em fontes reguladas e
em amplificadores de som.


Um diagrama de circuito
tpico para esse tipo do estgio
amplificador mostrado na
Fig.2.
Como mostrado na



Fig.2 Circuito amplificador com transistor
na configurao coletor comum.
Fig.2, o terminal do coletor do transistor fica conectado diretamente fonte de
alimentao e a carga do circuito conectada ao terminal do emissor. So
os seguintes os elementos de circuito mostrados na Fig.2:

- R
B
: resistor de polarizao da base do transistor.



139






SENAI-PE


- R
E
: resistor de carga do transistor.

- C
E
: capacitor de acoplamento de entrada.

- C
S
: capacitor de acoplamento de sada.


O terminal do coletor considerado terminal comum pois a fonte
apresenta uma impedncia baixssima na presena de sinais ca. Dessa forma,
sempre que o circuito amplifica um sinal, o coletor pode ser considerado como
estando aterrado, equivalendo portanto a um terminal comum entrada e sada
do sinal.


PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

O princpio de funcionamento do circuito da Fig.2 pode ser descrito
considerando inicialmente que o estgio amplificador esteja polarizado no ponto
de operao, com as tenses e correntes indicadas na Fig.3.

















Fig.3 Parmetros eltricos do amplificador em coletor comum na ausncia de
um sinal de entrada.

Quando um sinal positivo aplicado entrada do circuito, conforme
ilustrado na Fig.4, ocorre um aumento na tenso de polarizao da base, de
acordo com a relao
V
B
= V
BQ
+ V
ent

onde V
BQ
o valor quiescente da tenso no terminal da base.













140


SENAI-PE

























Fig.4 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal positivo na
entrada do amplificador.

Como indicado na Fig.4, o aumento na tenso de base produz um
aumento na tenso V
BE
entre base e emissor, provocando uma elevao na
corrente de base I
B
. Isso produz um aumento nas correntes de coletor e de
emissor do transistor, elevando a queda de tenso no resistor de emissor.

Deve-se observar no entanto que a corrente de emissor aumenta at um
valor tal que a tenso no terminal de emissor seja bem prxima tenso no
terminal da base, com a diferena sendo determinada pela tenso de polarizao
direta da juno base-emissor, ou seja,

V
E
= V
B
V
BE



Verifica-se dessa forma que a queda de tenso sobre o resistor de emissor
tem a mesma fase do sinal de entrada com uma diferena de amplitude igual a
V
BE
, que para transistores de silcio da ordem de 0,7 V.


A seqncia de eventos ilustrada na Fig.4 pode ser representada de acordo
com o diagrama:


V
ent
|

V
B
|


I
B
|


V
E
|
:
I
E
|




141




SENAI-PE


Utilizando uma anlise semelhante quela conduzida anteriormente, a
existncia de um sinal negativo na entrada do circuito amplificador, produz a
seqncia de eventos ilustrada na Fig.5.

























Fig.5 Seqncia de eventos decorrentes da aplicao de um sinal negativo na
entrada do amplificador.



A seqncia de eventos ilustrada na Fig.5 est representada no diagrama a
seguir:




V
ent
+

V
B
+


I
B
+


V
E
+
:
I
E
+




Devido ao fato de a tenso do emissor seguir a tenso da base, o estgio
amplificador com transistor na configurao coletor comum tambm
denominado de estgio seguidor de emissor.









142
B
SENAI-PE


PARMETROS DO ESTGIO AMPLIFICADOR EM
COLETOR COMUM


GANHO DE TENSO


Considerando que a variao na tenso de sada praticamente igual
variao na tenso de entrada, conclui-se que o ganho de tenso do estgio
amplificador em coletor comum pode ser considerado unitrio, ou seja,


A
V
~ 1


GANHO DE CORRENTE


Para que se desenvolva sobre o resistor de emissor, que normalmente de
baixa resistncia, uma tenso de amplitude praticamente igual quela da base, a
corrente de emissor do transistor tende a assumir valores altos, quando
comparada com a corrente de base. Isso significa que o circuito apresenta uma
amplificao de corrente elevada entre base e emissor.

Como a corrente de coletor aproximadamente igual corrente de
emissor, o ganho de corrente do circuito amplificador em coletor comum iguala
aproximadamente ao ganho de corrente do transistor, ou seja,


A

AI
E


AI
C
A

I
=
AI

~ = |
AI
B
I
= |



Em geral o ganho de corrente dos estgios amplificadores em coletor
comum pode ser considerado como alto.



IMPEDNCIA DE ENTRADA


Como em qualquer estgio amplificador, a impedncia de entrada
depende no apenas do transistor, como tambm de todos os componentes
externos de polarizao e acoplamento. Isso torna complexa a sua determinao
matemtica.

De forma genrica pode-se dizer que a impedncia de entrada dos estgios
em coletor comum alta, situando-se tipicamente na faixa de algumas centenas
de ohms a alguns milhares de ohms.





143


SENAI-PE


A impedncia de entrada pode tambm ser medida com o emprego de um
potencimetro como ilustrado na Fig.6, seguindo os mesmos princpios j
descritos anteriormente para a medio daquele parmetro no estgio
amplificador em emissor e base comum.





















Fig.6 Tcnica utilizada para medio da impedncia de entrada de um
amplificador em base comum.




IMPEDNCIA DE SADA


A impedncia de sada do estgio amplificador em coletor comum
depende de uma srie de fatores, incluindo:

- A impedncia interna do gerador (ou estgio ligado entrada).
- Resistor de emissor.
- Corrente de emissor.

De forma geral, a impedncia de sada est relacionada corrente de
emissor de acordo com as faixas de valores exibidas na Tabela 1.

Tabela 1 Relao aproximada entre a impedncia de sada e a
corrente de emissor.
Corrente de emissor, I
E
Z
o
(valores aproximados)
1 mA 25 O
de 1 mA a 100 mA de 25 O a 0,25 O
de 100 mA a 1 A de 0,25 O a 0,025 O






144
SENAI-PE


As faixas de valores aproximados listadas na Tabela 1 mostram que,
mesmo em baixas correntes, o valor da impedncia de sada sempre menor que
algumas dezenas de ohms.

Considerando ainda que esse tipo de estgio dificilmente operado com
correntes inferiores a 100 mA, a impedncia de sada pode ser considerada na
prtica sempre inferior a 1O.

Com base nessas consideraes a impedncia de sada de um estgio em
coletor comum pode ser classificada como muito baixa.

Apesar de ser possvel medir a impedncia de sada do estgio
amplificador em coletor comum, essa tarefa requer tcnicas sensveis de
medio, tendo em vista os altos valores de corrente no circuito, que
impossibilitam o uso de potencimetros. Adicione-se a isso as dificuldades
associadas medio de resistncias inferiores a 1O.

A Tabela 2 resume as principais caractersticas de um estgio
amplificador a transistor na configurao coletor comum.



Tabela 2 Amplificador em coletor comum: caractersticas principais.
Parmetro Valor ou faixa de valores tpicos
A
V
~ 1
A
I
alto (A
I
~|)
Z
i
alta (centenas a milhares de ohms)
Z
o
muito baixa (< 1O)



APLICAES



Existem fundamentalmente trs aplicaes para os estgios seguidores de
emissor:

- Etapa de sada em fontes reguladas.
- Etapa de potncia em amplificadores.
- Casamento de impedncias.

Dessas aplicaes, as duas primeiras correspondem quelas de utilizao
mais freqente, razo pela qual merecem uma anlise mais detalhada.




145









SENAI-PE



ETAPA DE SADA EM FONTES REGULADAS


As caractersticas mais importantes em uma fonte so:

- Tenso de sada.
- Impedncia interna.

A primeira caracterstica importante por motivos bvios. A segunda
caracterstica, impedncia ou resistncia interna, importante devido queda de
tenso que surge na fonte quando esta fornece corrente a uma carga.

A Fig.7 mostra dois grficos que permitem comparar o desempenho de
uma fonte para resistncias internas distintas. Como pode ser a observado, a
fonte de menor resistncia interna mantm a tenso terminal V
0
mais prxima de
seu valor nominal, quando a corrente de carga I
0
aumenta. Isso leva a concluir
que, quanto menor for a impedncia ou resistncia interna de uma fonte, melhor
ser o seu desempenho.










Fig.7 Desempenho de duas fontes de impedncias distintas perante variaes na
corrente de carga.



Os estgios amplificadores em coletor comum, que apresentam baixssima
impedncia de sada podem portanto ser utilizados como estgios reguladores de
tenso em fontes de alimentao.

A Fig.8 mostra um estgio regulador de tenso a transistor j estudado
anteriormente. Esse estgio regulador nada mais do que um estgio





146






SENAI-PE


amplificador em coletor comum em que a tenso no terminal da base mantida
constante pela ao do diodo Zener.


















Fig.8 Estgio regulador de tenso e seu equivalente na configurao coletor
comum.

ETAPA DE POTNCIA EM AMPLIFICADORES DE UDIO


Uma das aplicaes mais utilizadas para os amplificadores em coletor
comum na construo de estgios amplificadores de potncia para sinais de
udio.


A Fig.9 mostra o diagrama simplificado de um estgio de potncia,
tambm denominado de estgio de classe B, utilizando os transistores T
2
e T
3
,
ambos na configurao coletor comum.






















Fig.9 Diagrama simplificado de um estgio de potncia.






147


SENAI-PE


Considerando inicialmente que
um sinal de udio esteja sendo
amplificado, o capacitor em srie com
o alto-falante pode ser considerado
como um curto-circuito, como
mostrado na Fig.10.


Dessa forma, toda vez que um
sinal amplificado, o alto-falante
funciona como carga, estando ligado
ao emissor de ambos os transistores.
Portanto, a ao isolada de cada
transistor conectado ao alto-falante
equivale quela de um estgio
amplificador na configurao coletor
comum.












Fig.10 Poro do circuito da Fig.9.



Essa configurao do estgio de potncia adequada para conexo direta
com o alto-falante por exibir uma baixa impedncia de sada, proporcionando
assim uma boa transferncia de potncia . Por essa razo esse tipo de estgio de
potncia muito utilizado em aparelhos portteis, tais como rdios e gravadores.



































148
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Faa o desenho de um transistor na configurao coletor comum.

2. Quais so as faixas de valores tpicas dos parmetros associados ao
amplificador na configurao coletor comum?

3. Cite algumas aplicaes que fazem uso do amplificador na configurao
coletor comum.





















































149




SENAI-PE


Transistor de efeito de
campo

O transistor de efeito de campo tem capacidade de exercer o controle de
corrente atravs da tenso aplicada em um de seus terminais, sendo utilizado,
principalmente, nos estgios de entrada de instrumentos de medida, tais como
osciloscpios, voltmetros eletrnicos, receptores etc., onde seja necessrio uma
elevada impedncia de entrada.


O transistor de efeito de campo geralmente designado pela abreviao
FET cujas letras correspondem s iniciais do termo ingls field effect transistor.
Existem duas categorias de dispositivos de efeito de campo:

- O transistor de efeito de campo de juno, designado pela sigla JFET.
- O transistor de efeito de campo de porta isolada, designado pela sigla
MOSFET.

As caractersticas principais dessas duas categorias de dispositivos so
examinadas a seguir.



TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO

O JFET constitudo por um substrato de material semicondutor exibindo
um tipo de dopagem, no qual formado, por tcnicas de implantao inica, um
canal de dopagem distinta daquela correspondente ao substrato, conforme
ilustrado na Fig.1.



Fig.1 Estrutura bsica de um JFET.










150


SENAI-PE



Fig.2:
Dois tipos de dispositivos podem ser fabricados, conforme ilustrado na


- Substrato do tipo p e canal do tipo n, denominado de JFET canal n.
- Substrato do tipo n e canal do tipo p, denominado de JFET canal p.









Fig.2 JFETs canal n e canal p.



TERMINAIS DE LIGAO DO JFET


Os JFETs possuem 3 terminais. Dois terminais esto ligados s
extremidades do canal e so denominados de fonte e dreno, como mostrado na
Fig.3. O terminal fonte identificado pela letra S (do ingls source) e o terminal
dreno pela letra D (do ingls drain). O terceiro terminal, denominado de porta
identificado pela letra G (do ingls gate), sendo conectado diretamente ao
substrato.



















Fig.3 Terminais de um JFET.

Os terminais dreno e fonte servem a propsitos distintos e
conseqentemente no podem ser trocados um pelo outro, nas montagens
envolvendo FETs.









151








SENAI-PE



FORMAS DE ENCAPSULAMENTO


Os transistores de efeito de campo so fabricados em invlucros
semelhantes queles utilizados em transistores bipolares. A Fig.4 mostra dois
tipos bsicos de encapsulamento disponveis comercialmente.





Fig.4 Aspectos tpicos de encapsulamentos disponveis comercialmente.



REPRESENTAO SIMBLICA


A Fig.5 mostra a representao simblica de JFETs canal n e canal p,
onde se pode notar que a diferena nas representaes, indicativa do tipo de
canal do dispositivo, ocorre no sentido da seta no terminal G.



















Fig.5 Representaes simblicas de JFETs canal n e canal p.

POLARIZAO DE JFETs


Como ocorre com o transistor bipolar, o JFET funciona com um terminal
comum entrada e sada do circuito. A configurao mais usual aquela em
que o terminal fonte escolhido como terminal comum, como mostrado na
Fig.6. Como pode ser a observado, a forma de ligao com a fonte externa
funo do tipo de canal do dispositivo.



152














SENAI-PE

























Fig.6 Formas de polarizao de JFETs canal n e canal p.

A anlise do comportamento do JFET em circuitos, desenvolvida nas
sees seguintes, utiliza o JFET canal p como modelo. Com a devida troca de
polaridade das fontes de alimentao no circuito, os resultados da anlise so
tambm aplicveis para o caso do JFET canal n.



Fonte

Em condies normais de operao, o terminal fonte do p-JFET ligado
ao plo positivo da fonte de alimentao, como mostrado na Fig.7.

















Fig.7 Ligao do terminal S de um JFET fonte de alimentao.

O terminal fonte funciona como terminal de referncia para o FET assim
como o emissor funciona como terminal de referncia para o transistor bipolar.




153




SENAI-PE



Dreno


O terminal dreno ligado ao plo negativo da fonte de alimentao
atravs de um resistor de dreno R
D
, como mostrado na Fig.8.



















Fig.8 Ligao do terminal D de um JFET fonte de
alimentao, por intermdio de um resistor.

O resistor de dreno desempenha uma funo semelhante quela referente
ao resistor de coletor em circuitos com transistores bipolares.



Porta


A porta o terminal de controle de um FET, desempenhando um papel
semelhante ao terminal de base de um transistor bipolar. Existe uma diferena
fundamental no entanto, nas condies de operao de um FET com respeito ao
princpio de funcionamento do transistor bipolar:


Em operao normal, a juno pn formada entre porta e fonte
de um FET deve estar inversamente polarizada.

Para obter a condio normal de operao, uma fonte externa deve ser
utilizada para polarizar inversamente a juno formada entre porta e fonte, como
mostrado na Fig.9.












154


SENAI-PE






















Fig.9 Emprego de uma fonte externa para polarizar inversamente a juno
formada entre a porta e a fonte de um FET.


Dessa forma, no p-JFET o terminal da porta fica mantido a um potencial
positivo com relao ao terminal fonte, e a configurao do dispositivo no
circuito assume a forma mostrada na Fig.10. Essa condio de polarizao
inversa atribui ao FET uma altssima impedncia de entrada, que pode chegar a
algumas dezenas de megaohms.




Fig.10 Condies normais de polarizao de um p-JFET.



PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO


O estudo do princpio de funcionamento do FET feito com base em uma
anlise de parmetros eltricos do componente, cujas relaes podem ser
representadas em termos de curvas caractersticas. Os parmetros utilizados na




155




SENAI-PE


representao das curvas caractersticas esto representados na Fig.11, e
recebem as seguintes denominaes:

I
D
= corrente que flui para o terminal dreno, tambm denominada de corrente
de dreno.
V
DS
V
D
V
S
= tenso entre dreno e fonte.
V
GS
V
G
V
S
= tenso de controle entre porta e fonte.




Fig.11 Parmetros eltricos associados ao FET.

O FET um transistor cujo princpio de funcionamento baseia-se no
controle que a tenso V
GS
exerce sobre a corrente I
D
. Esse controle semelhante
ao tipo de controle de fluxo de fluido em um sistema hidrulico, do tipo
ilustrado na Fig.12.

Como mostrado na Fig.12, o sistema hidrulico composto de um duto e
de um pisto com a finalidade de controlar o fluxo de fluido atravs do canal.















Fig.12 Sistema hidrulico com controle de fluxo de fluido.






156






SENAI-PE


O fluxo mximo de fluido ocorre quando o pisto de controle deslocado
totalmente para cima, proporcionando a abertura total do canal, como mostrado
na Fig.13. Como pode ser a observado, a medida que o canal vai sendo
obstrudo pela penetrao do pisto, o fluxo de fluido diminui at o ponto de se
tornar totalmente bloqueado quando o pisto totalmente inserido no canal.














Fig.13 Fluxo de fluido para diferentes penetraes do pisto no canal.

Da mesma forma que o pisto atua sobre o fluxo de fluido, abrindo ou
fechando fisicamente o canal, a tenso de controle V
GS
efetua um controle
eletrosttico do fluxo de corrente atravs do canal do FET. Esse tipo de controle
pode ser analisado a partir de trs condies de operao:

- Com o terminal porta aberto.
- Com o potencial da porta nulo em relao ao terminal fonte.
- Com o potencial da porta positivo em relao ao terminal fonte.

Para maior clareza na anlise dessas trs situaes, o FET ser
representado de acordo com a estrutura simplificada mostrada na Fig.14, que
elimina os detalhes referentes geometria do canal no interior do dispositivo.
















Fig.14 Representao simplificada da estrutura de um FET.








157






SENAI-PE



Porta em aberto


Notando que em um p-JFET a corrente no canal constituda unicamente
de lacunas, e considerando que a corrente flui no sentido fonte-dreno, com o
terminal de controle desligado, o canal fica totalmente aberto e a corrente entre
fonte e dreno varia aproximadamente em proporo direta com a variao da
tenso entre os terminais dreno e fonte, como mostrado na Fig.15.






















Fig.15 Corrente no canal de um p-JFET com a porta desligada.

Observa-se quenessas
condies, o comportamento do
canal semelhante ao de um
resistor, com o aumento da
tenso aplicada se traduzindo em
um aumento proporcional no
fluxo de corrente, conforme
mostrado na Fig.16.



Fig.16 Representao grfica da relao
I
D
V
DS
para um p-JFET com
porta desligada.


Com a porta desligada, o canal de um J FET se comporta como
um resistor e a corrente no canal varia em proporo direta com a
tenso aplicada entre seus terminais.





158
















SENAI-PE


Um aspecto importante a se considerar nesse caso que, uma vez que o
canal se comporta como uma resistor, o potencial entre dreno e fonte se distribui
ao longo do canal como em um divisor de tenso.

Essa distribuio est ilustrada na Fig.17 para o caso V
DS
= 2 V. Como
pode ser a observado, o potencial ao longo do canal diminui gradualmente a
partir do terminal fonte, de acordo com uma funo linear V(x), onde x
representa a posio ao longo do canal, medida a partir do terminal dreno.

Apesar de o FET no ser utilizado na prtica com o terminal porta em
aberto, muito importante conhecer a distribuio do potencial ao longo do
canal para compreender o princpio de funcionamento do dispositivo.




























Fig.17 Exemplo tpico ilustrando a distribuio de potencial
ao longo do canal de um p-JFET.



Porta aterrada

Quando o terminal porta conectado ao terminal fonte, a diferena de
potencial entre a porta e a fonte nula, ou seja, V
GS
= 0. Como a porta est a um
potencial nulo, o potencial negativo distribudo ao longo do canal coloca em
bloqueio todos os pontos das duas junes formadas entre o substrato e o canal
do dispositivo, conforme ilustrado na Fig.18.






159












SENAI-PE
























Fig.18 Dispositivo p-JFET com porta aterrada.

O potencial negativo no interior do canal provoca um acmulo de cargas
descobertas positivas no substrato, nas proximidades das duas junes formadas
com o canal. Como ilustrado na Fig.19, o acmulo de cargas descobertas
maior na regio mais prxima ao terminal dreno devido ao potencial no interior
do canal ser mais negativo nas proximidades daquela regio.



























Fig.19 Distribuio de cargas descobertas no substrato de um p-JFET com porta
aterrada.






160






SENAI-PE


Como ilustrado na Fig.19, o acmulo de cargas positivas nas duas junes
canal-substrato gera um campo eltrico que se projeta para dentro do canal,
dificultando o fluxo de lacunas em seu interior, efetivamente reduzindo a rea
til para o fluxo daqueles portadores. Esse processo ocorre de forma semelhante
atuao do pisto, no sistema hidrulico descrito anteriormente.

As regies de depleo formadas nas duas junes entre o canal e o
substrato penetram cada vez mais no interior do canal, medida que o potencial
no terminal dreno se torna mais negativo. Se por um lado o potencial mais
negativo naquele terminal favorece o aumento da corrente de lacunas no interior
do canal, por outro lado, o alargamento das duas regies de depleo dificultam
o fluxo de corrente. Como resultado, a partir de um certo valor da tenso
negativa V
DS
entre dreno e fonte, a corrente no canal satura em um valor limite
I
Dsat
.


Dessa forma, a relao entre os parmetros V
DS
e I
D
assume a forma
mostrada no grfico da Fig.20, quando a porta est aterrada.
























Fig.20 Representao grfica da relao I
D
V
DS
para um p-JFET com porta

aterrada.



O grfico da Fig.20 mostra que a partir de um certo valor do parmetro
V
DS
a corrente I
D
permanece praticamente constante. O valor de tenso em que
ocorre a saturao da corrente denominado de tenso de pinamento V
P
(do
termo ingls pinch-off) e o valor da corrente de saturao denominada de
corrente de saturao de dreno I
Dsat
.




161






SENAI-PE



Potencial de porta positivo


Aplicando-se uma tenso positiva entre porta e fonte, o efeito da tenso
inversa externa soma-se ao efeito de polarizao interna, aumentando o acmulo
de cargas positivas nas duas junes entre o substrato e o canal. Esse efeito
equivale a alterar a largura efetiva do canal, conforme ilustrado na Fig.21.





















Fig.21 Larguras efetivas do canal de um p-JFET para os casos V
GS
= 0 e V
GS
> 0.




Como o fluxo de corrente depende da abertura no canal, conclui-se que:


V
GS
|
largura
do canal +
I
D
+


V
GS
+

largura

do canal|
I
D
|



Pode-se sumarizar o comportamento eltrico de um FET de acordo com a
seguinte afirmativa:




A corrente I
D
entre fonte e dreno de um FET controlada pela

tenso V
GS
aplicada entre porta e fonte.







162
SENAI-PE


Utilizando-se valores distintos da tenso V
GS
, obtm-se uma famlia de
curvas representativas das relaes entre I
D
e V
DS
, como mostrado na Fig.22.
Essa famlia de curvas caractersticas denominada de caracterstica de dreno
do JFET.





















Fig.22 Grfico representativo da caracterstica de dreno de um p-JFET.

Um aspecto importante a ser observado no uso do JFET que o potencial
do terminal porta sempre coloca a juno porta-fonte em bloqueio. Se essa
juno for polarizada em conduo o transistor pode ser danificado.

O diagrama a seguir mostra como deve ser aplicada a tenso entre os
terminais porta e fonte, para operao adequada do JFET.


p-JFET

V
GS
> 0
n-JFET

V
GS
< 0



PARMETROS BSICOS DE UM JFET



Tenso de pinamento


A tenso de pinamento V
P
representa o valor de tenso dreno-fonte a
partir do qual ocorre saturao da corrente de dreno. Existe um determinado
valor V
P
para cada valor da tenso porta-fonte V
GS
, conforme ilustrado na
Fig.23.



163



















SENAI-PE




























Fig.23 Tenses de pinamento nas curvas caractersticas de um p-JFET.

Unindo-se os valores de corrente e tenso obtidos nos pontos de
pinamento das diferentes curvas caractersticas do JFET, obtm-se uma curva
de pinamento ou curva de pinch-off, como mostrado na Fig.24.



























Fig.24 Curva de pinch-off tpica de um p-JFET.






164




SENAI-PE



Tenso de porta no corte


A tenso de porta no corte, representada pelo parmetro V
GS,off
corresponde ao valor de tenso V
GS
que provoca o fechamento completo do
canal do JFET, bloqueando portanto o fluxo da corrente I
D
. Essa condio est
representada no grfico da Fig.25.




























Fig.25 Curva de corte de um JFET.

Na condio de corte pode circular no canal uma corrente de alguns
microampres, e na maioria dos casos o parmetro V
GS,off
aproximadamente
igual tenso de pinamento V
P0
, ou seja,


Condio de corte do JFET V
GS,off
~ V
P0




Resistncia de conduo do canal


A resistncia de conduo do canal R
DS,on
aquela apresentada pelo canal
na faixa de valores do parmetro V
DS
satisfazendo condio

|V
DS
| < V
P








165











SENAI-PE


Nessas condies o canal se comporta como um resistor convencional,
com a corrente I
D
variando de uma forma aproximadamente linear com a tenso
V
DS
. O parmetro R
DS,on
, dependente do valor da tenso V
GS
, situando-se
tipicamente na faixa de 20 ohms a algumas centenas de ohms.



Tenso de ruptura


A tenso de ruptura de um JFET corresponde ao valor de tenso V
DS
a
partir do qual a corrente no canal entra no regime de ruptura por avalanche.
Folhetos de especificaes do fabricante fornecem os valores mximos
admissveis da tenso V
DS
de forma a evitar a ocorrncia de ruptura no
dispositivo.



REGIES DE OPERAO DE UM JFET


O diagrama contendo as curvas caractersticas de um JFET pode ser
dividido em trs regies, conforme mostrado na Fig.26, e descritas a seguir.
































Fig.26 Regies de operao no diagrama das curvas caractersticas de um JFET.






166




SENAI-PE



Regio hmica


A regio hmica mostrada na Fig.26 ocorre na faixa de valores V
DS

satisfazendo condio

|V
DS
| < V
P



onde o transistor se comporta como um resistor, cujo valor de resistncia R
DS,on

determinado pela tenso entre porta e fonte V
GS
.

Como se pode observar na Fig.27, na regio hmica o parmetro R
DS,on
,
obtido da relao



R
DS,on
V
DS

=
I

DS


aumenta com a tenso V
GS
.

































Fig.27 Regio hmica no diagrama das curvas caractersticas de um JFET,
expandido horizontalmente.





167


SENAI-PE



Regio de amplificao


A regio de amplificao de um JFET, mostrada na Fig.26, aquela em
que a corrente no canal se torna independente da tenso V
DS
com o seu valor
controlado pela tenso V
GS
entre os terminais da porta e da fonte. Nesse regime
de operao, o JFET comporta-se praticamente como uma fonte de corrente
tendo uma resistncia da ordem de algumas centenas de quiloohms.



Regio de ruptura


A regio de ruptura, ilustrada na Fig.26, est situada na faixa de valores
mais altos da tenso V
DS
, suficientes para provocar o fenmeno de ruptura por
avalanche no canal. Operao do JFET nessa regio deve sempre ser evitada,
sob pena de causar danos irreparveis ao dispositivo.



TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA
ISOLADA - MOSFET



Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (IGFET - Isolated
Gate Field Effect Transistor), assim como os JFETs, so dispositivos unipolares
cujo controle de corrente realizado por intermdio de um campo eletrosttico.
A sigla MOSFET advinda do termo ingls Metal-Oxide-Semiconductor, Field
Effect Transistor, adotada como padro de referncia aos transistores de efeito
de campo de porta isolada.



JFET.
A Fig.28 ilustra as diferenas estruturais entre dispositivos MOSFET e








Fig.28 Estruturas bsicas dos dispositivos JFET e MOSFET.





168














SENAI-PE


Como mostrado na Fig.28a, em dispositivos JFET o canal est localizado
inteiramente no interior do substrato, existindo portanto duas junes
semicondutoras entre o substrato e o canal. Em dispositivos MOSFET, por
outro lado, o eletrodo metlico do terminal porta separado do canal por uma
fina camada isolante de xido, conforme mostrado na Fig.28b. Forma-se
portanto uma estrutura entre porta e canal do tipo metal-xido-semicondutor
(MOS).

A presena da camada isolante entre porta e canal do dispositivo
MOSFET permite atingir nveis de impedncia de entrada extremamente altos
(da ordem de 10
15
O).

Existem dois tipos de dispositivos MOSFET: depleo e enriquecimento. Cada tipo tem caractersticas
prprias, como descrito a seguir.



MOSFET TIPO DEPLEO


O canal de um dispositivo MOSFET depleo exibe dopagem distinta do
substrato. Um eletrodo metlico isolado do canal forma o terminal porta. A
Fig.29 mostra o aspecto estrutural dos MOSFETs depleo canal p e canal n.

















Fig.29 Estruturas MOSFET tipo depleo de canal p e de canal n.

O controle de corrente em MOSFETs depleo, da mesma forma que em
dispositivos JFET, feito pelo controle da extenso da regio de depleo no
interior do canal atravs do potencial aplicado porta do dispositivo.


As representaes de circuito de MOSFETs depleo esto ilustradas na
Fig.30. Como pode ser a observado, essas representaes diferem apenas nos
sentidos da seta no terminal fonte. Vale notar que o isolamento entre porta e
canal est tambm representado em ambos os smbolos mostrados na Fig.30.





169








SENAI-PE








Fig.30 Representaes de circuito de MOSFETs depleo.

Princpio de funcionamento


O princpio de funcionamento do MOSFET depleo quase que
semelhante ao do JFET e ser analisado inicialmente para o caso de um
dispositivo com canal p.



Como ilustrado na
Fig.31a, quando o terminal porta
fica submetido ao mesmo
potencial do terminal fonte, os
portadores movem-se livremente
no canal, propiciando o
aparecimento de uma corrente
entre fonte e dreno.



A aplicao de uma tenso
positiva porta do dispositivo
provoca o aparecimento de uma
regio de depleo que estreita a
faixa de passagem de portadores
atravs do canal, como mostrado
na Fig.31b, reduzindo assim a
corrente I
D
.







Fig.31 Funcionamento do MOSFET
depleo, canal p:(a) com porta
aterrada, (b) com potencial positivo
aplicado porta.



Dessa forma, atravs do controle do potencial aplicado porta, pode-se
controlar a corrente no canal.





170


SENAI-PE


H contudo uma diferena singular entre MOSFETS depleo e JFETs.
No caso de dispositivos JFET, a juno pn formada entre canal e substrato no
pode ser polarizada diretamente, para evitar o surgimento de uma corrente de
fuga excessiva atravs do terminal porta trazendo como conseqncia uma
queda acentuada na impedncia de entrada.

Em MOSFETs depleo essa situao no ocorre pois o terminal porta
isolado do canal, independentemente da polaridade dos terminais. Dessa forma,
em MOSFETs depleo tipo p a aplicao de um potencial negativo porta
provoca um aumento na corrente I
D
, uma vez que nessa situao a regio de
depleo no interior do canal diminuda substancialmente, conforme ilustrado
na Fig.32.

Fig.32 Funcionamento do MOSFET tipo depleo, canal p,
com potencial negativo aplicado porta.






A Fig.33 mostra as curvas
caractersticas de sada do MOSFET
tipo depleo, canal p.

Um exame dos parmetros
referentes a cada curva indica que a
porta pode ficar submetida tanto a
potenciais positivos como negativos.



Fig.33 Curvas caractersticas de
sada de um dispositivo p-
MOSFET tipo depleo.








171












SENAI-PE



MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO


O MOSFET tipo enriquecimento composto por duas regies
semicondutoras isoladas entre si pelo material semicondutor do substrato. Sobre
esse conjunto esto depositadas uma camada de xido isolante e uma camada
metlica formadora da porta de controle, conforme ilustrado na Fig.34.























Fig.34 Estrutura de um MOSFET tipo enriquecimento, canal p.



As representaes de circuito de MOSFETs tipo enriquecimento canal p e
canal n esto mostradas na Fig.35, e diferem apenas no sentido das setas do
terminal fonte.




















Fig.35 Representaes de circuito de MOSFETs tipo enriquecimento.




172










SENAI-PE



Princpio de funcionamento


Para o caso de um
dispositivo de canal p,
ilustrado na Fig.36, quando
o terminal porta fica
submetido ao mesmo
potencial do terminal fonte,
a juno pn formada entre
dreno e substrato fica
inversamente polarizada,
impedindo o fluxo de
corrente. Por essa razo
estes dispositivos so














Fig.36 MOSFET tipo enriquecimento, canal p
com porta aterrada.
muitas vezes denominados de bloqueadores, como sugerem as representaes de
circuito com canal interrompido ilustradas na Fig.35.

Aplicando-se um potencial negativo porta do dispositivo, a estrutura
capacitiva metal-xido-semicondutor propicia a induo de cargas positivas na
regio do substrato prxima juno com o xido, conforme ilustrado na
Fig.37.





























Fig.37 Induo de cargas positivas em um MOSFET tipo enriquecimento, canal
p, quando a porta fica submetida a um potencial negativo.




173










SENAI-PE


A regio de cargas induzidas positivas no substrato forma um canal de
conduo entre as regies semicondutoras da fonte e do dreno, permitindo o
fluxo de uma corrente I
D
, como mostrado na Fig.38. Como pode ser a
observado, esse efeito equivale formao de um canal p entre fonte e dreno.





















Fig.38 Fluxo de corrente em um MOSFET tipo enriquecimento, canal p.

A corrente I
D
depende diretamente do potencial aplicado porta, uma vez
que este o fator determinante da quantidade de cargas induzidas no canal. As
curvas caractersticas de sada de um dispositivo MOSFET tipo enriquecimento,
canal p esto mostradas no grfico da Fig.39.


























Fig.39 Curvas caractersticas de sada de um dispositivo MOSFET tipo
enriquecimento, canal p.



174


SENAI-PE



Proteo da porta


O terminal porta isolado do restante da estrutura de um MOSFET pela
camada de xido. Essa camada extremamente fina de forma que sua
capacidade dieltrica de isolao efetiva apenas a baixas tenses. Quando o
MOSFET no est sendo utilizado, a estrutura capacitiva metal-xido-
semicondutor tende a armazenar eletricidade esttica, o que pode ao fim de um
perodo provocar a degradao da pelcula isolante. Por essa razo, a seguinte
precauo deve ser observada:


Dispositivos MOSFET que no estejam em uso devem ser
armazenados com os terminais inseridos em espuma condutiva ou
curto-circuitados, no devendo-se tocar nos terminais para que
sejam evitados danos ao dispositivo.













































175
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Existem duas categorias de transistor de efeito de campo. Quais so elas?

2. Faa um desenho da estrutura de um JFET e identifique os seus terminais.

3. Faa um desenho das representaes simblicas correspondentes ao p-JFET e
ao n-JFET, identificando os terminais correspondentes.

4. Em condies normais de operao, como deve ser feita a polarizao de um
p-JFET? E de um n-JFET?

5. O que tenso de pinamento de um JFET?

6. Com porta aterrada um dispositivo p-JFET exibe uma tenso de pinamento
V
P0
= 10 V. Que tenso V
GS
deve ser aplicada para cortar o dispositivo?

7. Quais so as regies de operao de um p-JFET e quais so suas
caractersticas?

8. Faa um desenho da estrutura de um MOSFET tipo depleo e identifique os
componentes da estrutura.

9. Desenhe as representaes simblicas de MOSFETs tipo depleo, canal p e
canal n, com a identificao dos terminais.

10.Que caracterstica diferencia um MOSFET tipo depleo de um JFET?

11.Desenhe a estrutura de um MOSFET tipo enriquecimento, identificando os
componentes da estrutura.

12.Desenhe as representaes simblicas de MOSFETs tipo enriquecimento,
canal p e n, com a identificao dos terminais.

13.Que caracterstica diferencia o MOSFET tipo enriquecimento do MOSFET
tipo depleo?














176









SENAI-PE


Amplificador operacional

O amplificador operacional (AO) um circuito eletrnico, disponvel na
forma de circuito integrado, com caractersticas que se aproximam daquelas de
um amplificador ideal. Sua versatilidade o torna aplicvel em uma variedade de
equipamentos eletrnicos, tais como aqueles utilizados em circuitos industriais,
circuitos de udio, e na filtragem de sinais, entre outros.

O termo amplificador operacional tem origem nas primeiras aplicaes
dessa classe de dispositivos que eram dirigidas para a realizao de operaes
matemticas de adio, subtrao e multiplicao, executadas eletronicamente
nos antigos computadores analgicos.


REPRESENTAO DE CIRCUITO DE UM
AMPLIFICADOR OPERACIONAL

O smbolo utilizado para representar o amplificador operacional em
diagramas de circuito, corresponde a um tringulo que aponta no sentido de
amplificao do sinal, conforme ilustrado na Fig.1. Ao tringulo so
acrescentados terminais que representam pontos de conexo com o circuito
externo.



















Fig.1 Representao de circuito de um amplificador operacional.
Como mostrado na Fig.1, existem fundamentalmente 5 terminais que
fazem parte de todos os tipos de amplificadores operacionais:










177




SENAI-PE




- Dois terminais para alimentao.
- Um terminal de sada.
- Um terminal de entrada no inversora.
- Um terminal de entrada inversora.



TERMINAIS DE ALIMENTAO DO AO


Devido s suas caractersticas de construo, os amplificadores
operacionais devem ser alimentados com tenses simtricas. A Fig.2 ilustra o
emprego de uma fonte simtrica para alimentao de um AO.



















Fig.2 Forma de alimentao de um AO.

importante observar que os AOs no so ligados diretamente ao terminal
terra(0V) da fonte simtrica, pois o circuito compondo o amplificador
operacional dispe internamente desse terminal, como ilustrado na Fig.3.


Fig.3 Diagrama da estrutura interna de um AO.
Outros componentes ou circuitos que estejam ligados ao AO e que
necessitem do terminal terra podem utilizar aquele terminal diretamente da
fonte simtrica, como mostrado no exemplo da Fig.4.



178




SENAI-PE
























Fig.4 Amplificador operacional conectado a um circuito com fonte simtrica.




TERMINAIS DE ENTRADA DO AO


A finalidade bsica de um amplificador operacional realizar a
amplificao tanto de tenses contnuas como alternadas. O componente possui
dois terminais de entrada, como j indicado na Fig.1:

- Um terminal de entrada inversora, indicado pelo sinal () no smbolo do AO.
- Um terminal de entrada no inversora indicado pelo sinal (+) no smbolo do
AO.

Para os sinais ou tenses aplicadas na entrada inversora () o AO se
comporta como um amplificador que introduz uma defasagem de 180 no sinal
de sada em relao ao sinal de entrada. Esse efeito est ilustrado na Fig.5 para
um sinal aplicado ao terminal inversor.

Para os sinais ou tenses aplicadas na entrada no inversora (+), o AO no
introduz nenhuma defasagem entre a entrada e a sada, conforme ilustrado na
Fig.6.













179








SENAI-PE























Fig.5 Relao entre os sinais de entrada e sada de um AO para um sinal
aplicado entrada inversora do dispositivo.


























Fig.6 Relao entre os sinais de entrada e sada de um AO para um sinal
aplicado entrada no inversora do dispositivo.

CARACTERSTICAS DE UM AO

As caractersticas ou parmetros de um AO so fornecidos no folheto de
especificaes do fabricante e possibilitam ao usurio determinar, entre os
diversos tipos de dispositivos, aquele que se adapta a uma determinada
necessidade. Entre os parmetros especificados, aqueles que merecem ateno
especial so os seguintes:




180
i
SENAI-PE




- Impedncia de entrada.
- Impedncia de sada.
- Ganho de tenso em malha aberta.
- Tenso offset de sada.
- Rejeio de modo comum.
- Banda passante.

As caractersticas de um amplificador operacional real podem ser
analisadas com base nos parmetros caractersticos de um AO ideal. Nesse
sentido, os fabricantes procuram continuamente desenvolver novos circuitos
cujas caractersticas se aproximam das ideais. So definidos nas sees
seguintes os parmetros caractersticos listados anteriormente.



IMPEDNCIA DE ENTRADA


A impedncia de entrada Z
i
de um AO aquela que seria medida entre os
terminais de entrada do dispositivo, conforme mostrado na Fig.7.



Fig.7 Representao do parmetro Z
i
de um AO.



Idealmente o AO deveria ter terminais de entrada totalmente isolados, e
conseqentemente, o AO ideal deve exibir um impedncia de entrada infinita. A
aplicao de uma tenso de entrada resultaria em uma corrente injetada nula,
pois a condio Z
i
fornece


I =

V
i

V
i
0

Z
i


Um AO real, construdo na forma de um circuito integrado tem uma
impedncia de entrada da ordem de vrios megahoms. Esse alto valor permite,
em muitos casos, utilizar o valor ideal Z
i
para o amplificador operacional



181




SENAI-PE


real, e nessa aproximao pode-se considerar que a corrente injetada em um AO
real praticamente nula.



IMPEDNCIA DE SADA


A impedncia de sada Z
o
de um AO aquela que seria medida entre o
terminal de sada e o terra do circuito. Conforme ilustrado na Fig.8, o modelo de
circuito para a sada de um AO corresponde a uma fonte de tenso ideal em srie
com um resistor de resistncia Z
o
.


















Fig.8 Representao do parmetro Z
o
de um AO.

Idealmente um amplificador operacional deve exibir Z
o
= 0 O de forma a
ter uma sada que se comporte como uma fonte de tenso ideal para a carga, ou
seja, uma fonte com resistncia interna nula, como indicado na Fig.9.


















Fig.9 Modelo de circuito para a sada de um AO ideal.
Com impedncia de sada nula, a tenso de sada de um AO ideal depende
apenas do valor do sinal de entrada e do ganho do dispositivo, sendo
independente da corrente solicitada pela carga.





182
SENAI-PE


Em um amplificador operacional real a impedncia de sada pode estar
situada na faixa 10 O < Z
o
< 1 kO. Atravs de um circuito externo a impedncia
de sada de um AO pode, em alguns casos, ser reduzida a valores Z
o
< 1O.

Um valor no nulo para a impedncia de sada de um AO real um fator
indesejvel pois a tenso de sada tende a diminuir com o aumento da corrente
solicitada pela carga. Isso pode ser concludo com base na Fig.10, que indica a
existncia de uma tenso de carga

V
o
= V I
o
Z
o
< V



Fig.10 Parmetros eltricos de um AO real com sada conectada carga.

Em resumo, a tenso de sada V
o
de um AO real depende dos seguintes
fatores:

- Tenso de entrada.
- Ganho do AO.
- Corrente solicitada pela carga.



GANHO DE TENSO DIFERENCIAL


O sinal a ser amplificado por um AO pode ser aplicado de trs maneiras:

- Entre a entrada inversora () e o terminal terra.
- Entre a entrada no inversora (+) e o terminal terra.
- Entre as entradas (+) e ().











183






SENAI-PE


Quando o sinal aplicado entre os dois terminais de entrada, na forma
mostrada na Fig.11, o AO atua como amplificador diferencial. Existem dois
tipos de ganho associados ao amplificador diferencial:

- Ganho em malha aberta.
- Ganho em malha fechada.


















Fig.11 AO configurado como amplificador diferencial.

Ganho em malha aberta: Esse parmetro definido como sendo o ganho do
amplificador diferencial quando no h ligao entre o terminal de sada e um
dos terminais de entrada, conforme mostrado na Fig.11. O ganho em malha
aberta depende apenas das caractersticas intrnsecas do AO.



Ganho em malha fechada:


Esse parmetro definido
como sendo o ganho do
amplificador diferencial quando
feita uma realimentao
externa, conectando o terminal
de sada a um dos terminais de
entrada, conforme mostrado na
Fig.12. O ganho em malha
fechada depende, alm das
propriedades intrnsecas do AO,
dos parmetros eltricos dos
elementos de circuito utilizados
na realimentao.
















Fig.12 AO configurado com elementos de
realimentao.







184


SENAI-PE




Os folhetos de especificaes do fabricante fornecem o ganho
diferencial em malha aberta (A
d
).

Idealmente o ganho diferencial em malha aberta de um amplificador
operacional deveria ser infinito, ou seja, A
d
. No entanto, o componente
real apresenta um ganho que pode variar de 10
3
a 10
6
.

O ganho de um AO pode ser reduzido a um valor especfico com o
emprego de um circuito de realimentao, do tipo mostrado na Fig.12. Essa
uma das caractersticas mais importantes do amplificador operacional, pois o
ganho em malha fechada torna-se dependente apenas dos parmetros eltricos
associados aos componentes do circuito de realimentao.



TENSO OFFSET DE SADA


Um amplificador operacional ideal deveria exibir tenso de sada nula, se
ambos os terminais de entrada estivessem aterrados, conforme ilustrado na
Fig.13. No entanto, o componente real exibe tenso de sada no nula mesmo
com os terminais de entrada aterrados.




Fig.13 AO ideal com os dois terminais de entrada aterrados.

Qualquer valor de tenso que surge na sada de um AO com terminais de
entrada aterrados denominado de tenso offset de sada, V
OS
. Em geral, a
tenso offset de um AO pode chegar a alguns milivolts.

Um dos terminais do AO, denominado de offset null, pode ser conectado a
um circuito externo, de forma a permitir o ajuste da tenso de sada at um valor
nulo, quando as entradas estiverem aterradas. Esse terminal adicional est
mostrado na representao de circuito do AO da Fig.14.



185








SENAI-PE





















Fig.14 Representao de circuito de um AO com a incluso do terminal offset
null.

REJEIO DE MODO COMUM


Quando as duas entradas de um AO recebem sinal, o dispositivo deveria
atuar idealmente como amplificador diferencial, isto , amplificando a diferena
entre as duas tenses. Com base na Fig.15, considerando as tenses V
1
e V
2
aplicadas aos terminais (+) e (), respectivamente, a tenso de sada do AO seria
dada por



com
V
o
= A
d
V
d


V
d
= V
1
V
2

(1)

(2)



















Fig.15 Tenses de entrada e sada em um amplificador operacional.
A Eq.(1) mostra que idealmente, se V
d
= 0, V
o
= 0, ou seja, tenses
idnticas aplicadas aos terminais de entrada produziriam uma tenso nula na
sada.



186
=
1

SENAI-PE




De forma precisa, em um amplificador operacional real, a tenso de sada
no depende apenas da diferena de potencial entre os terminais de entrada, mas
tambm do valor mdio das tenses aplicadas a esses terminais.
Conseqentemente, a relao entre entrada e sada em um AO real, no pode ser
representada rigorosamente pela Eq.(1).

Para precisar melhor a relao entre entrada e sada de um AO real,
define-se a tenso mdia de entrada pela relao


V (V

+ V ) (3)

c
2
1 2



Com a definio de tenso mdia dada pela Eq.(3), a relao entre entrada
e sada para um AO real pode ser generalizada na forma


V
o
= A
d
V
d

+ A
c
V
c

(4)


Das Eqs.(2) e (3), observa-se que a condio V
1
= V
2
, equivalente
aplicao de uma tenso comum a ambos os terminais, fornece


1 1

V
d
= V
1
V
2
= 0 e V
c
= (V
1
+ V
2
) = 2V
1
= V
1

2 2

e a Eq.(4) fornece


V
o
= A
d
V
d
+ A
c
V
c
= A
d
0 + A
c
V
1


V
o
= A
c
V
1



Ou seja, aparece na sada uma tenso relacionada amplificao da tenso
mdia de entrada que no presente exemplo, corresponde tenso comum a
ambas as entradas. Por essa razo, o parmetro A
c
definido como o ganho de
modo comum do amplificador.

Um bom amplificador operacional, com caractersticas prximas quelas
de um AO ideal, deve exibir um ganho de modo comum to pequeno quanto
possvel, de forma que a tenso de sada seja dependente apenas da diferena de
potencial entre os terminais de entrada.
Um parmetro denominado de razo de rejeio de modo comum,
abreviado pela sigla CMRR, fornecido no folheto de especificaes do
fabricante, para exprimir quo pequeno o ganho de modo comum em



187
SENAI-PE


comparao ao ganho diferencial. Aquele parmetro geralmente expresso em
dB pela relao


A

CMRR = 20log
d


A
c
(5)


Da Eq.(5) nota-se que um AO ideal teria um ganho de modo comum
A
c
=0, de forma que


A A

CMRR = 20 log
d
= 20log

d

, para o AO ideal


A
c




Para o AO real o ganho de modo comum deve ser to pequeno quanto
possvel, o que equivale a um valor alto do parmetro CMRR. Os exemplos a
seguir ilustram a relao entre tenses em um AO.

Exemplo 1: O AO mostrado na Fig.16 tem um ganho diferencial de 40 dB.
Admitindo que a razo de rejeio de modo comum seja infinita, determinar a
tenso V
o
nos seguintes casos:

a) V
1
= 1,1 V e V
2
= 1,0 V.
b) V
1
= 6,1 V e V
2
= 6,0 V.







Fig.16 Configurao de circuito utilizada no Exemplo 1.



Como o ganho diferencial est expresso em dB, tem-se que

20log(A
d
) = 40 log(A
d
) = 2




188


=
SENAI-PE




A
d
= 10
2
= 100


a) Com V
1
= 1,1 V e V
2
= 1,0 V, e notando que a razo de rejeio de modo
comum infinita, a Eq.(2) fornece



e a Eq.(1) fornece
V
d
= V
1
V
2
= 1,1 1 = 0,1 V



V
o
= A
d
V
d
= 100 0,1


V
o
= 10 V



b) Com V
1
= 6,1 V e V
2
= 6,0 V, a diferena de potencial na entrada permanece a
mesma, ou seja,

V
d
= V
1
V
2
= 6,1 6 = 0,1 V


e a Eq.(1) fornece para a tenso de sada, o mesmo valor obtido no item (a)


V
o
= 10 V


Exemplo 2: Repetir o Exemplo 1 admitindo que o AO da Fig.16 tenha uma
razo de rejeio de modo comum de 80 dB.

Neste exemplo, a determinao da tenso de sada requer a obteno do
ganho de modo comum. Este ltimo obtido a partir do parmetro CMRR com
o uso da Eq.(5), reproduzida a seguir:


A

CMRR = 20log
d


A
c


Com A
d
= 100 e CMRR = 80 dB, tem-se




80 = 20 log

1

00

log

1

00

= 4
1

00
= 10
4

= 10.000


A
c
A
c
A
c

A
c

100

= 0,01
10.000




189
=
1 2,1

=
1 12,1

SENAI-PE


a) Com V
1
= 1,1 V e V
2
= 1,0 V, a Eq.(2) fornece

V
d
= V
1
V
2
= 1,1 1 = 0,1 V


e da Eq.(3), obtm-se o valor mdio de tenso de entrada


V (1 + 1,1) = = 1,05 V

c
2 2


Com A
d
= 100 e A
c
= 0,01, a Eq.(4) fornece


V
o
= A
d
V
d
+ A
c
V
c



= 100 0,1 + 0,01 1,05 = 10 + 0,0105


V
o
= 10,0105 ~ 10,01 V


b) Com V
1
= 6,1 V e V
2
= 6,0, repetindo-se as etapas do item (a), vem

V
d
= V
1
V
2
= 6,1 6 = 0,1 V


V (6 + 6,1) = = 6,05 V

c
2 2


Com A
d
= 100 e A
c
= 0,01, a Eq.(4) fornece


V
o
= A
d
V
d
+ A
c
V
c



= 100 0,1 + 0,01 6,05 = 10 + 0,0605


V
o
= 10,0605 ~ 10,06 V



BANDA PASSANTE


O ganho diferencial A
d
de um AO pode atingir valores da ordem de
200.000. Esse ganho, entretanto, tende a diminuir com o aumento da freqncia
do sinal a ser amplificado. Esse comportamento pode ser observado na Fig. 17,
que mostra a dependncia em freqncia do ganho diferencial de um
amplificador operacional tpico em escala logartmica.











190







SENAI-PE


A
d

1.000.000




100.000




10.000




1.000




100




10




1
1 10 100 1.000 10.000 100.000 1.000.000
freqncia (Hz)

Fig.17 Dependncia em freqncia do ganho diferencial de um AO.



Um exame do grfico mostrado na Fig.17 indica que para freqncias de
sinal inferiores a cerca de 5 Hz, o ganho permanece praticamente constante, no
caso presente, prximo de 200.000, ou equivalentemente, 106 dB. A partir dessa
freqncia o ganho tende a decrescer sensivelmente atingindo um valor unitrio
a uma freqncia de cerca de 1 MHz.

A banda passante do amplificador operacional definida como a faixa
de freqncias de sinal em que o ganho diferencial do amplificador superior a
cerca de 70% do ganho mximo.

A Fig.18 mostra em detalhes a regio de baixas freqncias do grfico da
Fig.17. Como pode ser a observado, na freqncia de 10 Hz, o ganho
diferencial diminui para cerca de 70% do valor mximo, ou seja, 140.000. Esse
valor corresponde a um ganho de 103 dB, que 3 dB inferior ao ganho mximo.
Conclui-se portanto que a banda passante do AO em questo de 10Hz.






191
SENAI-PE



A
d

1.000.000







200.000

140.000
106 dB


103 dB


100.000








banda passante




10.000

1 10 100 1000
freqncia (Hz)

Fig.18 Regio de baixas freqncias do grfico da Fig.17.



AMPLIFICADOR OPERACIONAL 741

Um amplificador operacional freqentemente utilizado em circuitos
eletrnicos o 741, devido ao seu baixo custo e relativamente bom desempenho.
O campo de aplicaes deste AO to extenso que um grande nmero de
fabricantes de circuitos integrados produz amplificadores operacionais com
caractersticas e designaes praticamente idnticas, como por exemplo,
MA741, LM741, MC741, SN72741, AD741 etc.



A Tabela 1 resume os valores tpicos dos parmetros do AO 741
juntamente com os valores correspondentes a um AO ideal. Os parmetros a
listados mostram que o 741 tem caractersticas prximas quelas de um
amplificador operacional ideal.







192
SENAI-PE


Tabela 1 Parmetros tpicos do AO 741 e valores correspondentes
de um AO ideal.
Parmetro AO ideal 741
Z
i 2 MO
Z
o 0 O 75O
A
d 106dB
CMRR 90dB



O folheto de especificaes do fabricante tambm fornece uma srie de
informaes adicionais, que permitem estabelecer o desempenho do componente
e valores mximos admitidos para as grandezas eltricas de alimentao e
entrada, bem como temperatura de operao do componente. A Tabela 2 lista os
valores mximos permitidos para os componentes da srie AD741(J, K, L ou S),
fabricados pela Analog Devices.




Tabela 2 Valores mximos permitidos para os componentes da srie
AD741 (J, K, L ou S).
Parmetro Valor mximo
permitido
Tenso de alimentao 22 V
Dissipao interna de potncia 500 mW
Tenso diferencial de entrada
1
30 V
Tenso de entrada
2
15 V
Faixa de temperatura durante armazenagem 65
o
C a 150
o
C
Temperatura durante soldagem ( at 60 seg) + 300
o
C
Durao de curto-circuito na sada Indefinido
Temperatura de operao 70
o
C
1
Mxima diferena de potencial entre terminais de entrada.
2
Mxima tenso que pode ser aplicada entre um dos terminais de entrada e o terra, no
devendo exceder a tenso de alimentao.




AJUSTE DE OFFSET DO AO 741


A Fig.19 mostra a disposio dos terminais do AD741 nos
encapsulamentos circular e DIL. Como pode ser a observado, existem dois
terminais que so utilizados para o ajuste da tenso offset na sada.






193












SENAI-PE






































Fig.19 Disposio dos terminais do AD741 para dois tipos de encapsulamento.



O procedimento recomendado pelo
fabricante para a efetuao do ajuste de
offset mostrado na Fig.20. A tcnica
utiliza um potencimetro de 10kO
conectando ambos os terminais, com o
terminal ajustvel do potencimetro
conectado diretamente ao terminal V
CC
da fonte de alimentao. Dessa forma,
aterrando-se os terminais de entrada,
ajusta-se o potencimetro at o ponto em
que a tenso de sada se reduz a um valor
nulo.




Fig.20 Procedimento de ajuste da
tenso offset do AD741.










194
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Desenhe a representao de circuito de um AO e identifique os seus
terminais.

2. Qual a relao de fase entre o sinal de sada e o sinal de entrada em um AO
nos seguintes casos:

(a) sinal aplicado ao terminal no inversor.

(b) sinal aplicado ao terminal inversor.

3. Que parmetros so utilizados para caracterizar um AO?

4. Descreva o significado dos parmetros obtidos na questo anterior.

5. Como definida a banda passante de um AO?

6. Repetir o Exemplo 1 admitindo que o AO tenha um ganho diferencial de 30
dB.

7. Repetir o Exemplo 2 admitindo que o AO tenha um ganho diferencial de 30
dB e uma razo de rejeio de modo comum de 40 dB.



































195




SENAI-PE


O multivibrador biestvel

O multivibrador biestvel um circuito eletrnico em que as sadas
podem assumir apenas dois estados distintos. O circuito do multivibrador
biestvel, ou flip-flop como tambm conhecido, composto basicamente de
dois transistores polarizados nos dois estados possveis de chaveamento.

Esse circuito configurado de tal forma que quando um dos transistores
est saturado o outro est em corte e vice-versa. A anlise do multivibrador
biestvel feita a seguir.


PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

A Fig.6 mostra um tipo comum de circuito do multivibrador biestvel que
utiliza apenas um valor de tenso de alimentao. Existe tambm um outro
circuito para o multivibrador biestvel que utiliza duas tenses de alimentao,
uma positiva, outra negativa. No entanto a configurao mostrada na Fig.6 a
mais utilizada atualmente.

























Fig.6 Configurao bsica de um multivibrador biestvel.
Antes de analisar o princpio de funcionamento do multivibrador
conveniente observar alguns aspectos importantes:

- Ambos os transistores esto polarizados por corrente de base atravs de dois
resistores:





196




SENAI-PE



R
C2
+ R
B1
resistncia de base para T
1

R
C1
+ R
B2
resistncia de base para T
2



- O potencial no terminal do coletor de um dos transistores utilizado para
alimentar o resistor de base do outro transistor, ou seja:


V
C1
V
BE2
tenso sobre R
B2

V
C2
V
BE1
tenso sobre R
B1



Essa ltima condio est ilustrada na Fig.7.





















Fig.7 Tenses aplicadas nos resistores de base do multivibrador biestvel.

O tipo de interconexo dos transistores do multivibrador mostrado na
Fig.6 tem uma particularidade: a saturao de um dos transistores fora a
condio de corte no outro.

Por exemplo, se T
1
estiver saturado, ir comportar-se praticamente como
uma chave fechada de forma que V
CE1
=0,3 V ~ 0 V, conforme mostrado na
Fig8. Esse pequeno valor de tenso insuficiente para alimentar o terminal de
base de T
2
, o que leva o transistor T
2
condio de corte.













197














SENAI-PE























Fig.8 Circuito equivalente do multivibrador biestvel com T
1
saturado.


Nessa condio o transistor T
2
se comporta como uma chave aberta, de
forma que V
CE2
~ V
CC
. Como se pode observar na Fig.9, esse alto valor de
tenso aplicado quase que totalmente sobre o resistor R
B1
e a corrente
resultante


V
CC

I
B1
=
R

B1

suficiente para manter o transistor T
1
saturado.























Fig.9 Circuito equivalente do multivibrador biestvel com
T
1
saturado e T
2
no corte.




198
SENAI-PE


A condio de corte em T
1
, com T
2
saturado, pode ser analisada de forma

semelhante. Assim, na ausncia de interferncia externa, o multivibrador
permanecer estvel com um transistor saturado e outro transistor na condio
de corte.


Em resumo, na ausncia de interferncia externa o multivibrador biestvel
permanece em um dos seguintes estados:


T
1
saturado T
2
cortado
T
1
cortado T
2
saturado


importante tambm observar que os dois transistores tm os emissores
ligados ao mesmo resistor R
E
, conforme mostrado na Fig.10. Essa configurao
mantm aproximadamente fixo o potencial V
E
da Fig.10.





















Fig.10 Poro do circuito do multivibrador biestvel.

Essa afirmativa pode ser verificada notando inicialmente que a queda de
tenso no resistor de emissor depende das correntes de emissor dos dois
transistores, sendo dada por


V
E
= R
E
(I
E1
+ I
E2
)

Essa ltima expresso indica, por exemplo, que um aumento na corrente
I
E1
, causado por um acrscimo na corrente I
B1
resulta em um aumento no
potencial V
E
. Isso implica uma diminuio da tenso V
BE2
que por sua vez causa
um decrscimo na corrente I
B2
. Como resultado a corrente I
C2
e





199






SENAI-PE


conseqentemente a corrente I
E2
diminuem. Essa seqncia de eventos pode ser

representada pelo diagrama:



I
B1
|



I
E1
|



V
E
|




I
E1
+I
E2

=

constante


V
BE2
+







I
E2
+

:

I
C2
+

:

I
B2
+


Como se pode observar no diagrama, os efeitos produzidos sobre as
correntes I
E1
e I
E2
tendem a cancelar-se, o que permite manter o potencial V
E
em
um valor aproximadamente constante.

Uma questo de importncia na anlise do multivibrador biestvel a
determinao de qual dos dois estados possveis ir estabelecer-se no circuito
imediatamente aps a ligao da fonte de alimentao. Essa situao est
ilustrada na Fig.11 que indica a existncia das correntes I
B1
e I
B2
imediatamente
aps a ligao da fonte de alimentao.



























Fig.11 Multivibrador biestvel alimentado externamente.



200








SENAI-PE


Admitindo que os resistores do circuito obedeam s condies de
simetria


R
B1
= R
B2
e

R
C1
= R
C2


resulta em correntes de base iguais, isto ,

I
B1
= I
B2


Considerando que praticamente impossvel que dois transistores tenham
exatamente o mesmo ganho, admite-se que o ganho de T
2
seja um pouco maior
que o ganho de T
1
, ou seja,

|
2
> |
1



e essa condio fornece



|
2
I
B2
> |
1
I
B1




I
C2
> I
C1


Essa condio inicial implica a seqncia de eventos, ilustrados na Fig.12,
e sumarizados logo a seguir:





























Fig.12 Seqncia de eventos desencadeados ao se ligar um
multivibrador biestvel exibindo |
2
> |
1
.



201


SENAI-PE



Eventos mostrados na Fig.12:

1) I
C2

> I
C1


V
CE2
< V
CE1
.

2) Como V
CE2
est aplicado sobre R
B1
, a corrente I
B1
diminui em relao ao seu
valor inicial, tornando-se inferior a I
B2
.
3) A diminuio de I
B1
produz uma diminuio na corrente I
C1
=|
1
I
B1
.

4) Como resultado a tenso V
CE1
aumenta.
5) Como V
CE1
est aplicado sobre R
B2
, a corrente I
B2
aumenta em relao ao seu

valor inicial, tornando-se ainda maior do que I
B1
.

6) Esse ltimo efeito produz um acrscimo ainda maior na corrente de coletor
I
C2
e o ciclo se repete a partir do evento discriminado no item (1).

A seqncia de eventos (1) a (6) pode ser representada de acordo com o
seguinte diagrama:



I
B2
=I
B1



I
C2
>I
C1



V
CE2
<V
CE1




I
C2
|



V
CE2
+




I
B1
+






I
B2
|

:

V
CE1
|


:

I
C1
+


A seqncia cclica representada no diagrama prossegue at o momento
em que I
C2
atinge o valor de saturao e I
C1
diminui para um valor praticamente
nulo. Quando essa condio atingida, o transistor T
2
satura e o transistor T
1
entra no regime de corte, e essa situao permanece estvel, na ausncia de um
estmulo externo.

A partir da anlise descrita anteriormente, pode-se extrair a seguinte
concluso:


Ao ser alimentado, um multivibrador biestvel assume um
estado estvel. Esse estado corresponde saturao do transistor de
maior ganho ou, alternativamente, ao corte do transistor de menor
ganho.



202


SENAI-PE


Uma forma de alterar o estado do multivibrador biestvel seria curto-
circuitar momentaneamente a base e o emissor do transistor saturado.
Assumindo T
2
inicialmente saturado, essa condio produziria a seqncia de
eventos representada no diagrama a seguir:



V
BE2
+




I
B2
+



I
C2
+




I
B2
+



I
C2
+



V
CE2
|







V
CE1
+


:

I
C1
|

:

I
B1
|



O ciclo representado no diagrama prossegue at que T
1
sature e T
2
entre no

regime de corte, e o circuito permanece estvel nesse novo estado.

Conforme ficou demonstrado na anlise, o circuito multivibrador
denominado de biestvel por apresentar dois estados estveis . Uma vez que o
circuito assuma um determinado estado, nele ir permanecer na ausncia de um
estmulo externo.



MTODOS DE DISPARO DO BIESTVEL

O multivibrador biestvel no teria aplicao prtica se no houvesse uma
forma de alterar o seu estado atravs de impulsos eltricos. Existem algumas
maneiras atravs das quais se podem trocar os estados do circuito, ou seja, fazer
com que se invertam as situaes de corte e saturao dos transistores. Essa
troca de estados denominada de transio ou disparo.


Transio ou disparo a denominao empregada para a troca
de estados em um dispositivo eletrnico.










203






SENAI-PE


Existem vrios mtodos que podem ser empregados para provocar uma transio
em um multivibrador biestvel. Dois desses mtodos sero analisados:

- Disparo pelo emissor.
- Disparo pela base.




DISPARO PELO EMISSOR


A transio do multivibrador biestvel pode ser provocada atravs dos
emissores dos transistores, acrescentando-se um capacitor ao circuito original,
conforme mostrado na Fig.13. Atravs do capacitor so aplicados os pulsos que
provocaro as transies.





















Fig.13 Configurao do multivibrador biestvel para disparo pelo emissor.

Como se pode observar na Fig.13, o circuito formado pelos componentes
C e R
E
um diferenciador que dar origem a picos de tenso nos emissores dos
transistores, quando for aplicado um trem de pulsos na entrada.




















204
























SENAI-PE




Para compreender
como os picos de tenso
provocam a transio no
biestvel, admite-se que o
estado do multivibrador
esteja inicialmente com
T
1
saturado e T
2
no
regime de corte.


Como mostrado na
Fig.14, quando se aplica
uma transio positiva ao
capacitor, a corrente de
carga circula atravs do
resistor R
E
. Com o
acrscimo da corrente do
capacitor, a tenso V
E
no
resistor sofre um rpido






Fig.14 Corrente de carga no resistor R
E
do
multivibrador.
aumento e como resultado a tenso V
BE1

do transistor saturado diminui.



Dependendo da amplitude do pico
de tenso no emissor, a tenso V
BE1
pode
diminuir de tal forma a levar o transistor
T
1
ao estado de corte. Essa condio leva
obrigatoriamente o transistor T
2

saturao. Os grficos mostrados na
Fig.15 ilustram a dependncia temporal
dos sinais eltricos no circuito.

Conclui-se portanto que:




Um pulso de transio positiva
provoca a troca de estados ou
disparo do multivibrador biestvel.








205
Fig.15 Sinais eltricos no
multivibrador biestvel.












SENAI-PE


A transio de descida do pulso de entrada descarrega o capacitor,
provocando um pico de tenso negativa no resistor de emissor. Esse decrscimo
na tenso dos emissores no altera o estado do multivibrador, porque provoca
um aumento na tenso base-emissor do transistor que est saturado, o que no o
tira da condio de saturao.




Um pulso de transio negativa aplicado atravs do capacitor
do circuito diferenciador de um biestvel no altera o estado do
circuito.

Os grficos mostrados na Fig.16 ilustram os sinais gerados em um
biestvel a partir da aplicao de um trem de pulsos na entrada do circuito
diferenciador.


























Fig.16 Formas de onda geradas no multivibrador a partir da aplicao
de um trem de pulsos na entrada do circuito diferenciador.

A operao ideal do multivibrador deveria ocorrer de forma que as
tenses V
CE1 e
V
CE2
, mostradas na Fig.16, exibissem transies com tempos de
subida e de descida praticamente nulos. Entretanto, quando um dos transistores
est saturado, acumula uma grande quantidade de portadores na base. Para que o
transistor entre no regime de corte, necessrio remover as cargas acumuladas,
o que requer um certo intervalo de tempo. Esse intervalo de tempo corresponde
ao tempo de descida na borda do pulso de tenso gerado no transistor saturado e




206




SENAI-PE


ao tempo de subida na borda do pulso de tenso do transistor que est no regime
de corte, conforme ilustrado na Fig.17.


















Fig.17 Formas de onda levando em conta a existncia de tempos
no-nulos para ocorrncia das transies de estados.
Os tempos de transio podem ser diminudos acrescentando-se
capacitores em paralelo com os resistores de base, conforme ilustrado na Fig.18.
Esses capacitores so denominados de capacitores de acelerao ou
comutao.
































Fig.18 Multivibrador biestvel com capacitores de comutao.






207








SENAI-PE






Os capacitores de comutao provocam a retirada rpida das cargas
armazenadas na base do transistor saturado, causando uma diminuio nos
tempos de subida e de descida das transies.







Os capacitores de comutao permitem uma transio mais
rpida entre os estados do multivibrador biestvel.






DISPARO PELA BASE


O circuito de disparo pela base utiliza uma malha diferenciadora acrescida
de um diodo conectado base de cada transistor, conforme ilustrado na Fig.19.






































208







SENAI-PE


Fig.19 Multivibrador biestvel com malha diferenciadora e diodos conectados
s bases dos dois transistores.

O circuito de disparo composto pelos capacitores C
3
e C
4
, diodos D
1
e
D
2
e resistores R
D1
e R
D2
, mostrados na Fig.19. Admite-se a condio inicial
mostrada na Fig.20, com T
1
saturado e T
2
cortado e os parmetros eltricos do
circuito dados por:





V
CC
= 12 V, V
E
= 1 V
transistor T
1
: V
C1
= 1,3 V, V
B1
= 1,7 V

transistor T
2
: V
C2
= 12 V, V
B2
= 1,3 V





Da Fig.20, nota-se que a
tenso no coletor de T
1
est
presente no ctodo de D
1
e a
tenso no coletor de T
2
est
presente no ctodo de D
2
. Sob
essas condies, o diodo D
1
est submetido a uma tenso
de 0,4 V, estando portanto na
iminncia de entrar em
conduo e o diodo D
2
est
em bloqueio. Essa ltima
condio impede que qualquer
pico de tenso no ctodo de D
2
seja transferido para o terminal
de base de T
2
, sendo portanto
direcionado apenas para a base
do transistor T
1
.



















Fig.20 Condio inicial para o multivibrador
biestvel da Fig.19.



Nos circuitos de disparo pela base, a tenso de disparo sempre
dirigida base do transistor que est saturado.

necessrio analisar como o transistor saturado reage ao pico de tenso
de disparo. Assumindo uma transio positiva na tenso aplicada ao terminal A
do capacitor, gera-se no ctodo de D
1
um pico de tenso positiva, conforme
ilustrado na Fig.21.




209






SENAI-PE
























Fig.21 Efeito produzido por uma variao positiva de
tenso no terminal A do capacitor C
3
.
O diodo D
1
que est na
iminncia de entrar em
conduo, ao receber um pico
de tenso positiva no ctodo,
torna-se, momentaneamente,
inversamente polarizado, o que
no modifica as condies de
operao do transistor T
1
.


Conforme ilustrado na
Fig.22, na transio negativa
da tenso aplicada ao terminal
A do capacitor, o potencial do
ctodo de D
1
diminui, o que o
coloca no regime de conduo.
Como em conduo, a queda




Fig.22 Efeito produzido por uma variao
negativa de tenso no terminal A do
capacitor C
3
.
de tenso no diodo permanece fixada em aproximadamente 0,6 V, a tenso no
nodo do diodo, ou equivalentemente, no terminal de base de T
1
, diminui, o que
coloca T
1
no regime de corte. Isso faz que o transistor T
2
saia da condio de
corte para a condio de saturao.


Cada transio negativa do pulso de disparo leva condio de
corte o transistor que estiver inicialmente saturado.






210




















SENAI-PE




A Fig.23 mostra as
formas de onda de tenso
produzidas no multivibrador
biestvel a partir da aplicao de
um trem de pulsos no terminal A
do circuito da Fig.20.

Um exame da Fig.23
indica que 4 pulsos de disparo
provocam 2 pulsos de tenso no
coletor de T
1
e dois pulsos de
tenso no coletor de T
2
. Dessa
forma, a sada de cada coletor
fornece um trem de pulsos cuja
freqncia exatamente a
metade da freqncia do trem de
pulsos de disparo.

A freqncia do trem


























Fig.23 Formas de onda geradas em um
multivibrador biestvel submetido a
uma seqncia de pulsos de disparo.
de pulsos gerado no coletor de cada transistor do multivibrador, a
metade da freqncia do trem de pulsos de disparo. Assim, o
multivibrador biestvel se comporta como um circuito divisor de
freqncias.



Uma aplicao freqente do multivibrador biestvel o circuito divisor de
freqncias de uma oitava, ilustrado na Fig.24.

























211






SENAI-PE




























Fig.24 Multivibrador biestvel utilizado como divisor de freqncias de uma
oitava.








































212
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Em um circuito transistorizado polarizado por corrente de base, sob que
condies se estabelecem os regimes de corte e saturao?

2. Quais so os modelos de circuito de um transistor operando nas condies de
corte e saturao?

3. De que forma o transistor geralmente utilizado em circuitos analgicos? E
em circuitos digitais?

4. O que um multivibrador biestvel?

5. Se um multivibrador biestvel possui transistores de ganhos distintos, qual
dos dois satura ao se ligar a fonte de alimentao?

6. O que se entende por disparo de um circuito eletrnico?

7. Que mtodos de disparo so empregados normalmente no multivibrador
biestvel?

8. Cite uma aplicao tpica do multivibrador biestvel.



































213








SENAI-PE


Multivibrador
monoestvel



O multivibrador monoestvel um circuito que possui um estado estvel e
outro semi-estvel que dura apenas um determinado intervalo de tempo. Um dos
estados permanece estvel na ausncia de um estmulo externo. A aplicao de
um pulso de disparo de curta durao leva o circuito a um estado semi-estvel
que dura certo intervalo de tempo, aps o qual o circuito retorna ao seu estado
estvel, conforme ilustrado na Fig.1.
























Fig.1 Tenso gerada em um multivibrador
monoestvel submetido a um pulso de disparo.

O tempo t
ativado
indicado na Fig.1 corresponde ao tempo de permanncia
no estado semi-estvel, e depende dos parmetros eltricos dos elementos de
circuito.














214












SENAI-PE


A Fig.2 mostra um tipo
de multivibrador monoestvel
alimentado apenas por uma
fonte cc. importante
observar que esse circuito
possui apenas um elo de
realimentao resistivo, entre
o coletor de T
2
e a base de T
1
.
O outro elo de realimentao
feito atravs de um
capacitor.


O capacitor C
1
mostrado

na Fig.2 um elemento
fundamental do monoestvel,
conforme discutido a seguir.



Fig.2 Diagrama de circuito de um
multivibrador monoestvel.



PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO


ESTADO DE REPOUSO




A princpio no
possvel determinar o estado
inicial do multivibrador
monoestvel. Portanto, para
analisar o comportamento
do circuito, admite-se
inicialmente a existncia do
estado estvel, com T
2
saturado e T
1
no regime de
corte, e os parmetros
eltricos indicados na Fig.3.


Fig.3 Exemplo de um multivibrador
monoestvel operando no estado estvel.









215






SENAI-PE


Admite-se que as condies de operao do circuito da Fig.3 resultam em
uma queda de tenso de 1 V no resistor R
E
. Dessa forma, para que o transistor T
2
esteja saturado, e T
1
no regime de corte, as condies listadas na Tabela 1
devem ser satisfeitas.

Tabela 1 Potenciais eltricos nos terminais dos transistores da Fig.3.
Potencial Transistor T
1
Transistor T
2

V
E
1,0 V 1,0 V
V
B 1,3 V 1,7 V
V
C 10 V 1,3 V
V
BE
= V
B
V
E
0,3 V (corte) 0,7 V (saturao)
V
CE
= V
C
V
E
9,0 V (corte) 0,3 V (saturao)


Na Fig.3, o capacitor C
1
est carregado, bloqueando portanto o fluxo de
corrente entre os seus terminais. Como a tenso V
BE1
= 0,3 V no transistor T
1

muito pequena para provocar a conduo na juno base-emissor daquele
transistor, o transistor T
1
permanece no regime de corte. Dessa forma a corrente
de base I
B2
necessria para a saturao de T
2
flui inteiramente atravs de R
B2
,
conforme se pode observar na Fig.3, o que configura a condio de estabilidade
do circuito.

O estado estvel permanece inalterado enquanto no houver um estmulo
externo. Alguns autores denominam o estado estvel do multivibrador
monoestvel de estado de repouso.




Um multivibrador
monoestvel permanece
no estado de repouso
enquanto no receber um
pulso de disparo externo.



Os grficos mostrados
na Fig.4 ilustram a
dependncia com o tempo das
tenses existentes nos dois
transistores durante o estado
estvel.











Fig.4 Tenses nos transistores da Fig.3
durante a permanncia do circuito no
estado estvel.






216




SENAI-PE



DISPARO DO MONOESTVEL

Um pulso de disparo de curta durao, adequadamente aplicado, capaz
de produzir a passagem do circuito monoestvel para o estado semi-estvel.

Para analisar o comportamento do circuito perante um estmulo externo,
fundamental notar que o capacitor C
1
est inicialmente carregado e submetido a
uma tenso de 8,3 V, conforme indicado na Fig.5. Como pode ser a observado,
essa condio mantm o terminal a do capacitor a um potencial de 10 V, que
8,3 V superior ao potencial de 1,7 V do terminal b.





















Fig.5 Poro simplificada do circuito da Fig.3.



Existem vrias maneiras possveis de disparar o monoestvel, incluindo:


- A aplicao de um pico de tenso positiva no emissor de ambos os
transistores.

- A aplicao de um pico de tenso negativa na base do transistor saturado.

Um pico de tenso positiva nos emissores dos transistores pode ser obtido
atravs de um circuito diferenciador, de forma semelhante quela adotada para
disparar um multivibrador biestvel.


A Fig.6 mostra um circuito diferenciador, formado pelo capacitor C
E
e o
resistor R
E
, utilizado para provocar o disparo do monoestvel, atravs dos
emissores dos dois transistores.






217








SENAI-PE





























Fig.6 Multivibrador monoestvel, com circuito diferenciador de disparo.






Na transio positiva do pulso
de entrada, mostrado na Fig.6, o
diferenciador provoca um pico de
tenso positiva nos emissores dos
dois transistores. O rpido aumento
no potencial do terminal do emissor
do transistor T
2
provoca uma sbita
diminuio da tenso V
BE2
, que atinge
um valor praticamente nulo. A Fig.7
mostra os sinais gerados nos
terminais de T
2
, a partir da aplicao
do pulso de disparo.

Essa sbita diminuio em
V
BE2
faz que o transistor T
2
passe
rapidamente da condio de
saturao para a condio de corte, o
que provoca brusco aumento na
tenso V
CE2
.
Fig.7 Sinais inicialmente gerados no
transistor T
2
por um pulso de
disparo.



218








SENAI-PE


Como resultado, o alto valor do potencial do terminal de coletor de T
2
provoca grande aumento na corrente I
B1
que flui para o terminal de base de T
1
que o leva rapidamente condio de saturao, conforme ilustrado na Fig.8. O
circuito dessa forma troca de estado, com o transistor T
1
saturando e o transistor
T
2
entrando no regime de corte.































Fig.8 Estado produzido no multivibrador, imediatamente aps a aplicao de
um pulso de disparo na entrada do circuito.



Como o pico de tenso de disparo de curta durao, em princpio o
circuito tenderia a voltar imediatamente ao seu estado estvel. Entretanto, ao
saturar, o transistor T
1
, que agora se comporta como uma chave fechada,
praticamente curto-circuita o terminal a do capacitor ao terminal E, comum aos
dois emissores, conforme se pode observar na Fig.8.

Uma vez que o capacitor no pode descarregar-se instantaneamente, a
tenso entre seus terminais tende a permanecer no valor inicial de 8,3 V. Com
base na Fig.8, a condio de saturao de T
1
implica V
CE1
~ 0,3 V, de forma que
o terminal b do capacitor fica submetido a um potencial eltrico 8,0 V
inferior ao terminal E do circuito, como indicado na Fig.8.






219












SENAI-PE









Como o terminal b do
capacitor est conectado base de
T
2
, tem-se que

V
BE1
= V
b
V
E
= 8 V


indicando que a juno base-
emissor do transistor T
2
fica
momentaneamente submetida a uma
tenso negativa. As alteraes
induzidas em T
2
pelo pulso de
disparo esto representadas na
Fig.9.









Fig.9 Tenses induzidas sobre T
2
,
durante a transio do pulso de
disparo.





importante notar que o valor
negativo da tenso V
BE2
no altera a
condio de corte do transistor T
2
, aps o
trmino da transio do pulso de entrada.
Dessa forma, o circuito permanece
ativado em um estado semi-estvel,
conforme ilustrado na Fig.10.





Fig.10 Sinais induzidos no
multivibrador.




220






SENAI-PE


O tempo que o monoestvel permanece ativado, depende dos valores da
capacitncia C
1
e da resistncia R
B2
, porque assim que T
1
satura, a armadura
negativa de C
1
comea a acumular a carga resultante da corrente que flui atravs
de R
B2
, conforme ilustrado na Fig.11.



















Fig.11 Fluxo de corrente atravs do capacitor C
1
do multivibrador.

A corrente de carga do capacitor comea a aumentar o potencial do
terminal b de C
1
, provocando o mesmo efeito no terminal da base de T
2
,
conforme ilustrado na Fig.12.




















Fig.12 Dependncia temporal da tenso V
BE1
, resultante do processo de carga do
capacitor C
1
do multivibrador.

Como se pode observar na Fig.12, aps algum tempo, o potencial do
terminal b do capacitor torna-se novamente positivo, at que a tenso V
BE2
atinja
novamente o valor de 0,7 V, suficiente para promover T
2
condio de
saturao, o que corresponde a transio do transistor T
1
de volta ao regime de
corte.



221


SENAI-PE


O tempo que o sistema permanece ativado pode ser determinado a partir
de uma anlise da dinmica de carga do capacitor da Fig.11. Dessa anlise,
conclui-se que, para um valor qualquer da tenso de alimentao V
CC
, o tempo
de permanncia do sistema no estado ativado dado por


2V V

t = R C

ln

CC


(
1
)

ativado B2 1

V
CC
V



onde V

a tenso base-emissor que satura o transistor T
2
, e que vale 0,7 V para
transistores de silcio.


Para o caso da Fig.11, V
CC
= 10 V, satisfazendo a condio V
CC
>>V

.
Sendo essa a situao que ocorre na prtica, podem-se fazer as seguintes
aproximaes:


2V
CC
V

V
CC
V




e a Eq.(1) assume a forma aproximada
~ 2V
CC
~ V
CC




t
ativado
= R
B2
C
1
ln 2




ou equivalentemente,



t
ativado
= 0,693R
B2
C
1


(2)



importante notar da Eq.(2) que nessa aproximao, o tempo de
permanncia do sistema no estado ativado praticamente independente do valor
da tenso de alimentao do monoestvel.


Imediatamente aps o corte do transistor T
1
, o capacitor C
1
comea a se
carregar atravs do resistor R
C1
, conforme indicado na Fig.13. Nesse processo, a
tenso no coletor de T
1
aumenta at atingir o valor da tenso de alimentao. O
tempo de recuperao do sistema t
rec
, corresponde a aproximadamente cinco
constantes de tempo da malha do circuito indicada na Fig.13, ou seja,


t
rec
= 5R
C1
C
1
(
3
)



222
















SENAI-PE




















Fig.13 Processo de carga do capacitor C
1
durante a recuperao do estado
estvel do multivibrador.




A Fig.14 mostra as formas de
onda geradas no multivibrador a
partir da aplicao do pulso de
disparo nos terminais emissores dos
transistores do circuito.

O multivibrador monoestvel
muito utilizado, por exemplo, na
implementao de circuitos de
acionamento temporrio de
lmpadas de corredor em edifcios
residenciais ou comerciais. As
lmpadas so acionadas quando um
indivduo toca no boto do
interruptor, o que produz o pulso de
disparo de curta durao para o
circuito monoestvel. Nesses
sistemas, as lmpadas permanecem
acesas durante um tempo
tipicamente no superior a 1
minuto, tempo em geral suficiente
para que o indivduo j se tenha
retirado do corredor. Fig.14 Tenses induzidas no
monoestvel pela aplicao de
um pulso de disparo.





223
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Faa o diagrama bsico de circuito de um multivibrador monoestvel.

2. Qual a diferena fundamental entre os circuitos multivibradores biestvel e
monoestvel?

3. Admitindo que os elementos de circuito da Fig.3 sejam dados por R
B2
=10
kO, R
C1
=1 kO e C
1
=10F, e assumindo a aplicao de um pulso de disparo
no multivibrador, determine:

(a) o valor exato do tempo que o circuito permanece no estado ativo.

(b) o valor aproximado correspondente.

(c) o tempo de recuperao do estado estvel do sistema.













































224






SENAI-PE


Multivibrador astvel

O multivibrador astvel um circuito que possui dois estados semi-
estveis. Em outras palavras, o circuito exibe uma alternncia de estados como
funo do tempo, mesmo na ausncia de estmulos externos.

A Fig.1 mostra um circuito tpico do multivibrador astvel, onde se pode
notar a existncia dos capacitores C
1
e C
2
conectados s bases dos dois
transistores. Esses capacitores so elementos essenciais para manter o circuito
alternando entre seus dois estados possveis, conforme examinado a seguir.























Fig.1 Circuito tpico de um multivibrador astvel.



PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

No possvel prever o estado inicial do multivibrador astvel
imediatamente aps a aplicao da tenso externa de alimentao. Uma forma
de analisar o princpio de funcionamento do circuito admitir um determinado
estado inicial. Para isso, considera-se que o circuito esteja inicialmente no
estado indicado na Fig.2, que corresponde a:
- T
1
saturado e T
2
no regime de corte.
- Capacitores C
1
e C
2
descarregados.









225












SENAI-PE
























Fig.2 Multivibrador astvel submetido a um dado estado inicial.

O transistor T
2
estando no regime de corte, comporta-se como um
interruptor aberto. O terminal d do capacitor C
1
est conectado ao plo positivo
da fonte atravs de R
C2
e o lado c ao terra atravs da juno base-emissor de T
1
.
Assim, o capacitor C
1
comea a carregar-se. A Fig.3 mostra o caminho
percorrido pela corrente de carga de C
1
, com T
2
sendo representado por um
interruptor aberto.




















Fig.3 Incio do processo de carga de
C
1
no multivibrador astvel.

Como os resistores de coletor
so geralmente de baixa resistncia
(tipicamente centenas de ohms a
alguns kiloohms), e com a juno
Fig.4 Processo de carga de C
1
e
evoluo no tempo da tenso V
CE2
.


226




SENAI-PE


base-emissor em conduo exibindo baixa resistncia, o processo de carga de C
1
ocorre rapidamente. Assim, a tenso V
CE2
atinge rapidamente o valor da tenso
V
CC
, conforme ilustrado na Fig.4.

Considerando-se a situao indicada na Fig.4, em que V
CC
= 10 V, o
potencial do terminal c do capacitor C
1
se torna 9,3 V inferior ao potencial do
terminal d.

O transistor T
1
saturado, por sua vez, mantm o potencial do terminal a de
C
2
prximo ao potencial de terra, conforme indicado na Fig.5. Como o terminal
b de C
2
alimentado atravs de
R
B2
, inicia-se um processo de carga
sobre C
2
. Como a resistncia R
B2
tem valor alto (tipicamente
dezenas ou centenas de kiloohms),
o processo de carga de C
2
ocorre
lentamente, conforme mostrado na
Fig.5.


medida que o tempo
passa, o terminal b do capacitor vai
lentamente se tornando positivo
em relao ao terminal a. Como o
terminal b est conectado base de
T
2
, quando a tenso no capacitor
atingir cerca de 0,5 V, T
2
estar na
iminncia de sair do regime de
corte para o regime de saturao
conforme ilustrado na Fig.6















Fig.5 Processo de carga e evoluo no
tempo da tenso sobre C
2
.





















227










SENAI-PE


Fig.6 Evoluo no tempo das tenses V
BE2
e V
CE2
durante a carga de C
2
.




Com base na Fig.2,
medida que T
2
satura, o
terminal d do capacitor C
1
se
torna cada vez mais prximo do
potencial de terra.


Como o terminal c de C
1
tem um potencial 9,3V inferior
ao terminal d, a tenso V
BE1
=
V
c
torna-se cada vez menor a
medida que V
d
0, tornando-se
eventualmente negativa,
conforme mostrado na Fig.7.


Com a tenso V
BE1
tornando-se negativa, T
1
que
estava saturado entra
rapidamente no regime de corte
e com a troca de estados dos
dois transistores os resistores de
carga dos capacitores se
alteram, conforme ilustrado na
Fig.8.










Fig.7 Evoluo no tempo de V
BE2
, V
CE2
e
V
BE1
durante a saturao de T
2
.

















Fig.8 Processos de carga dos capacitores do multivibrador astvel durante a
permanncia dos estados semi-estveis.








228
































SENAI-PE





A corrente de carga
rpida de C
2
atravs de T
2
completa o processo de
saturao de T
2
elevando a
tenso V
BE2
ao valor de 0,7V,
enquanto o potencial negativo
na base de T
1
o mantm no
regime de corte.




A Fig.9 mostra a
evoluo no tempo das
tenses base-emissor e
coletor-emissor em ambos os
transistores.



Durante o processo de
carregamento lento de C
1
, a
tenso negativa V
BE1
que
mantm T
1
no regime de corte
aumenta at se tornar
positiva, conforme ilustrado
na Fig.10. Como pode ser a
observado, quando a tenso
na base de T
1
se torna
positiva e atinge o valor de
0,5V, T
1
entra no regime de
conduo, eventualmente
atingindo o estado de
saturao.



Isso faz que a base de
T
2
fique submetida ao
potencial negativo acumulado
no terminal b do capacitor C
2
,
conforme j discutido
anteriormente.









Fig.9 Evoluo no tempo das tenses base-
emissor e coletor-emissor nos
transistores do multivibrador astvel.


Fig.10 Evoluo no tempo da tenso V
BE1
.


229
















SENAI-PE




A Fig.11 ilustra as formas de onda associadas s tenses V
BE1
e V
BE2
.
































Fig.11 Dependncia temporal das tenses base-emissor no
multivibrador astvel.

O processo descrito anteriormente evolui periodicamente, sem a
necessidade de um estmulo externo. As formas de onda geradas pelo circuito
esto mostradas em mais detalhe na Fig.12.

























230








SENAI-PE











































Fig.12 Grficos detalhados das formas de onda produzidas pelo
multivibrador astvel.





O tempo que cada transistor permanece no regime de corte depende da
resistncia e capacitncia associadas sua base. As formas de onda tero tempos
idnticos de corte e saturao, se os resistores e capacitores satisfizerem
condio


R
B1
C
1
= R
B2
C
2

(1)

Sob essa condio, as tenses V
CE1
e V
CE2
evoluem no tempo, conforme
ilustrado na Fig.13.







231
SENAI-PE























Fig.13 Evoluo no tempo das tenses V
CE1
e V
CE2
, em um
multivibrador astvel tendo R
B1
C
1
= R
B2
C
2
.

Se a condio expressa pela Eq.(1) no for satisfeita, os tempos de corte e
de saturao se tornam distintos. A Fig.14 ilustra as formas de onda geradas em
um multivibrador exibindo R
B1
C
1
> R
B2
C
2
.






















Fig.14 Evoluo no tempo das tenses V
CE1
e V
CE2
, em um
multivibrador astvel tendo R
B1
C
1
> R
B2
C
2
.



O tempo de corte de cada transistor pode ser calculado pelas expresses:


Transistor T
1
:



t
1
= 0,69R
B1
C
1



(2)



232
(
=
=
SENAI-PE


Transistor T
2
:



t
2
= 0,69R
B2
C
2



(3)


Como um ciclo da forma de onda corresponde a um perodo T = t
1
+ t
2
, a
freqncia associada forma de onda pode ser determinada pela expresso


f =
1
4
)

0,69(R C + R C )

B1 1 B2 2


ou equivalentemente



1,45

f
R
B1
C
1
+ R
B2
C
2



(5)


Se os valores de resistncia e capacitncia estiverem expressos,
respectivamente, em megaohms e microfarads, as Eqs.(4) ou (5) fornecem a
freqncia em hertz.

Se o multivibrador obedecer condio R
B1
C
1
= R
B2
C
2
, a Eq.(5) pode ser
simplificada para


0,725 0,725

f =
(
6
)

R
B1
C
1
R
B2
C
2





CORREO DA BORDA DE SUBIDA DOS PULSOS



A borda de subida da forma de onda referente a cada tenso coletor-
emissor no circuito original do multivibrador astvel arredondada, porque
corresponde ao processo de carga dos capacitores atravs dos resistores de
coletor.

O tempo de subida da tenso coletor-emissor de cada transistor pode ser
minimizado acrescentando um diodo e um resistor a cada malha de base do
circuito, conforme mostrado na Fig.15.








233








SENAI-PE






















Fig.15 Multivibrador astvel com a incluso de diodos e resistores para
minimizao do tempo de subida das tenses coletor-emissor.

Com base na Fig.15, quando T
1
, por exemplo, vai para o regime de corte,
o potencial do ctodo torna-se superior ao potencial do nodo de D
1
. Sob essas
condies, o diodo D
1
entra em bloqueio.

A Fig.16 mostra a condio obtida logo aps o corte de T
1
, com D
1
e T
1

sendo representados por interruptores abertos.





















Fig.16 Circuito equivalente do multivibrador astvel imediatamente aps a
entrada de T
1
no regime de corte.

Conforme ilustra a Fig.16, a corrente de carga de C
2
no circula mais
atravs do resistor R
C1
, mas sim atravs de R. Com isso, a tenso V
CE1
aumenta
para um valor prximo a V
CC
assim que T
1
entra no regime de corte.





234




SENAI-PE







A Fig.17 ilustra o
aspecto qualitativo das formas
de onda geradas nos coletores
dos transistores a partir da
incluso dos diodos e resistores
indicados na Fig.16.


A forma de onda
quadrada, mostrada na Fig.17,
freqentemente utilizada em
circuitos digitais, onde recebe
o nome de relgio ou clock do
circuito.









Fig.17 Formas de onda relativas s tenses
coletor-emissor do multivibrador
astvel na configurao da Fig.15.


comum, tambm, encontrar multivibradores astveis com um resistor de
emissor comum aos dois transistores, como ilustrado na Fig.18. O resistor
utilizado para propiciar uma transio mais rpida entre os estados de saturao
e corte de cada transistor do circuito.

























Fig.18 Configurao alternativa de um multivibrador astvel, utilizada para
obteno de transies rpidas entre os estados do circuito.




235
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Qual a caracterstica principal de um multivibrador astvel?

2. Como devem ser dimensionados os resistores R
B1
, R
C1
, R
B2
e R
C2
de um
multivibrador astvel para que ele opere adequadamente?

3. Que condio deve ser satisfeita pelos elementos R
B1
, R
B2
, C
1
e C
2
de forma
que um multivibrador astvel gere uma seqncia de pulsos simtricos?

4. Cite uma aplicao do multivibrador astvel em circuitos digitais.



















































236









SENAI-PE


O disparador Schmitt


O disparador Schmitt ou Schmitt trigger, como tambm conhecido,
um tipo de circuito biestvel largamente empregado nos circuitos eletrnicos
digitais. Sua diferena bsica em relao ao multivibrador convencional reside
nas condies de disparo.


Se por um lado a troca de estados no circuito convencional requer uma
transio rpida aplicada entrada, como ilustrado na Fig.1a, a troca de
estados no disparador Schmitt ocorre no momento em que o sinal de entrada
atinge um determinado nvel, independentemente de sua forma de variao
no tempo, conforme ilustrado na Fig.1b.





























Fig.1 (a) Troca de estados em um multivibrador biestvel convencional, a partir
da aplicao de uma transio abrupta na entrada. (b) Troca de estados em
um disparador Schmitt submetido a uma variao arbitrria de tenso na
entrada.
Conforme mostra a Fig.1b, a sada do disparador Schmitt se mantm em
um estado estvel at que a tenso de entrada atinja o valor limite V
0
no
instante de tempo t = t
0
. Quando isso ocorre, a tenso de sada muda
abruptamente de valor, o que corresponde mudana de estado do disparador.





237
















SENAI-PE




Esse tipo de caracterstica,
inerente ao disparador Schmitt,
permite sua aplicao na
converso de um sinal analgico,
que pode assumir qualquer nvel
de tenso ao longo do tempo, em
um sinal digital de apenas dois
nveis distintos.


Em diagramas de circuito, o
disparador Schmitt geralmente
representado pelos blocos
mostrados na Fig.2.



Fig.2 Duas formas de representao do
disparador Schmitt.

A Fig.3 mostra o circuito bsico do disparador Schmitt, onde se pode
notar que a diferena em relao ao multivibrador biestvel convencional ocorre
na ausncia de realimentao do coletor de T
2
para a base de T
1
.




























Fig.3 Circuito bsico do disparador Schmitt.











238









SENAI-PE




PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

CASO 1: SEM SINAL DE ENTRADA


O funcionamento do disparador Schmitt pode ser analisado considerando
a entrada do circuito inicialmente desligada.

Com a base desligada, o transistor T
1
est no regime de corte. A Fig.4a
ilustra essa condio, com T
1
sendo representado por um interruptor aberto. Isso
equivale ao transistor T
1
estar ausente no circuito. Dessa forma T
2
fica
polarizado por divisor de tenso, a partir da tenso V
C1
, indicada na Fig.4.

































Fig.4 (a) Disparador Schmitt com T
1
no regime de corte. (b) Circuito
equivalente.

No disparador Schmitt as resistncias associadas a R
B2
e R
B3
so
dimensionadas de forma que, com T
1
no regime de corte, a corrente de base em
T
2
seja muito maior que aquela necessria para sua saturao.








239








SENAI-PE


Tomando como base um disparador Schmitt padro, as tenses no
circuito, medidas em relao ao terra do circuito, assumiriam os valores tpicos
indicados na Fig.5.


























Fig.5 Valores tpicos das tenses em alguns pontos do circuito de um disparador
Schmitt convencional.

Com base na Fig.5, V
BE2
= 0,7 V e V
CE2
= 0,3V, o que implica a saturao
de T
2
. Enquanto persistir a condio V
B1
= 0 V, a tenso de sada ser mantida
no valor V
C2
= 1,3V.

A Fig.6 ilustra a dependncia temporal da tenso de sada para V
B1
= 0 V.


















Fig.6 Dependncia temporal da tenso de sada na condio V
ent
= V
B1
= 0 V.






240


R
SENAI-PE


Na condio de saturao de T
2
, a corrente I
E2
, indicada na Fig.5, pode ser
determinada pela expresso


V
CC
V
CE,sat

I =

(1)

E2
C2
+ R
E



onde V
CE,sat
= 0,3V para transistores de silcio.


CASO 2: COM SINAL DE ENTRADA

O estado do circuito mostrado na Fig.5 estvel e s pode ser alterado
pela aplicao de um determinado valor de tenso na base de T
1
. Esse valor de
tenso pode ser obtido, por exemplo, com o emprego de um potencimetro
conectado base de T
1
, conforme ilustrado na Fig.7.



























Fig.7 Emprego de um potencimetro para se obter
uma variao de tenso na base do transistor T
1
.

Se a tenso V
ent
, derivada do potencimetro da Fig.7 satisfaz condio

V
ent
< 1,5 V


obtm-se uma tenso base-emissor no transistor T
1
satisfazendo condio

V
BE1
= V
ent
V
E
< 1,5 V 1 V

V
BE1
< 0,5 V




241








SENAI-PE




A condio V
BE1
< 0,5 V mantm o transistor T
1
no regime de corte, e
conseqentemente, o circuito permanece estvel com T
2
saturado, e com uma
tenso de sada V
C2
= V
s
= 1,3 V. Ou seja:


V
ent
< 1,5 V

V
BE1
< 0,5 V

V
C2
= V
s
= 1,3 V



No momento em que a tenso de entrada atinge o valor V
ent
= 1,5 V, tem-
se que V
BE1
= V

= 0,5 V. O parmetro V

= 0,5 V se refere ao valor limite da
tenso base-emissor de um transistor de silcio que o coloca na iminncia de
conduo. Um exame da Fig.8 indica que, a iminncia de conduo de T
1
produz dois efeitos:






























Fig.8 Efeitos produzidos no circuito da Fig.7 na iminncia de conduo de T
1
.


- A corrente no resistor R
E
aumenta devido ao aumento da corrente I
E1
proveniente de emissor de T
1
. Ocorre, portanto, um pequeno aumento na
tenso V
E
indicada na Fig.8.

- Aumenta a corrente de coletor I
C1
o que provoca um acrscimo na tenso
sobre o resistor R
C1
. Dado que V
C1
=V
CC
R
C1
I
C1
, a tenso V
C1
diminui.







242
SENAI-PE


Uma vez que o regime de operao de T
2
determinado pelas tenses V
E
e
V
C1
, medida que V
E
aumenta, V
C1
diminui, o que provoca um decrscimo na
tenso V
BE2
, conforme ilustrado na Fig.8. O transistor T
2
permanecer saturado
enquanto a corrente de base I
B2
for superior ao valor de saturao.

Com base na Fig.8, quando a tenso de entrada atingir um valor tal que T
1

conduza mais fortemente, o que ocorre para V
BE1
~ 0,6 V, a tenso V
C1
comea
a diminuir rapidamente, provocando um rpido decrscimo na corrente I
B2
, o
que a torna insuficiente para manter T
2
saturado. Isso faz que T
2
comece a sair
da saturao em direo ao regime de corte, o que provoca uma rpida
diminuio na corrente I
E2
e conseqentemente na tenso V
E
. Com a reduo na
tenso V
E
, aumenta o valor de V
BE1
o que coloca T
1
ainda mais no regime de
conduo.

Essa seqncia de eventos leva rapidamente T
2
ao regime de corte e T
1

saturao, conforme ilustrado no diagrama seguinte.


V
BE1
>0,6 V I
C1
| V
C1
+
I
E1
| V
E
|





































243












SENAI-PE


V
E
+ V
BE1
| V
BE2
+



I
E2
+ : I
C2
+ : I
B2
+



O ciclo de realimentao
indicado no diagrama anterior
prossegue at que T
1
esteja plenamente
saturado, com V
BE1
~ 0,7 V e T
2
, no
regime de corte com V
CE2
~ 0,3 V.

Dessa forma, o circuito se
mantm estvel mesmo que a tenso de
entrada continue aumentando,
conforme ilustrado na Fig.9.


Antes de prosseguir na anlise,
necessrio observar um aspecto
importante na escolha dos elementos
de polarizao dos dois transistores do
disparador Schmitt, mostrado na
Fig.10.






Fig.9 Tenses de entrada e sada no
circuito da Fig.8.


























Fig.10 Circuito do disparador Schmitt.





244

R

SENAI-PE


Em geral, a resistncia do resistor R
C1
4 a 5 vezes maior que aquela do
resistor R
C2
. Dessa forma, nos dois estados possveis do circuito, tem-se que:

T
1
saturado e T
2
no regime de corte


Denotando-se a corrente e a tenso no resistor R
E
por I
E12
e V
E12
,
respectivamente, da Fig.10 tem-se que:



I
C1
~ I
E1
=
V
CC
R

V
CE,sat
+ R

C1 E


I
E2
~ 0




I
E


I
E12

= I
E1
+ I
E2

V
CC

~
R

V
CE,sat
+ R

C1 E


V V

V V

= R I

= R
CC CE,sat


E E12 E E12 E

R
C1
+ R
E





T
2
saturado e T
1
no regime de corte



Denotando-se a corrente e a tenso no resistor R
E
por I
E21
e V
E21
,
respectivamente, da Fig.10 tem-se que:



I
C2

~ I
E2

V
CC

=
R

V
CE,sat
+ R

C2 E


I
E1
~ 0




I
E


I
E21
= I
E1
+ I
E2
~
V
CC
R

V
CE,sat
+ R

C2 E


V V

V V

= R I

= R
CC CE,sat


E E21 E E21 E
C2
+ R
E





Os dois resultados obtidos anteriormente implicam a seguinte concluso:


245












< R

R

SENAI-PE






R
C1
>R
C2


V V


V V

R
CC CE,sat



CC CE,sat


E

R

C1
+ R
E


E
C2
+ R
E


V
E12
<V
E21



Assim, para R
C1
> R
C2
, a queda de tenso no resistor R
E
assume seu menor
valor com T
1
saturado e T
2
no regime de corte.

A Fig.11 mostra um exemplo de valores de tenso que poderiam estar
presentes em alguns pontos do disparador Schmitt no estado correspondente a T
1
saturado e T
2
no regime de corte. Nesse exemplo, V
E
= 0,3 V, o que corresponde
a um valor cerca de 3 vezes inferior quele indicado na Fig.5.



























Fig.11 Exemplo de valores tpicos de tenso em pontos do circuito da Fig.10
aps a transio de T
1
do corte saturao.






246




SENAI-PE


Para que o circuito volte ao estado inicial, com T
2
saturado, necessrio
que a tenso de entrada diminua o suficiente para levar o transistor T
1
ao regime
de corte. Isso implica a obteno de uma tenso V
BE1
< 0,5 V. Com base nos
valores indicados na Fig.11

V
ent
= V
BE1
+ V
E

V
BE1
= V
ent
V
E
= V
ent
0,3 V



de modo que



V
BE1
< 0,5 V



V
ent
0,3 V < 0,5 V


V
ent
< 0,8 V






Dessa forma, a partir do instante de tempo em que a tenso de entrada se
torna inferior a 0,8 V, o transistor T
1
entra rapidamente no regime de corte, o
que provoca a saturao de T
2
. A Fig.12 ilustra o tipo de sinal obtido na sada do
disparador Schmitt, para variaes lineares da tenso de entrada como funo do
tempo.

CURVA DE TRANSFERNCIA


A Fig.13 mostra a curva
de transferncia do circuito, que
representa a dependncia da
tenso de sada com relao
tenso de entrada. A seta para
cima por sobre a linha tracejada
indica que um aumento na tenso
V
ent
alm do valor limite de 1,6 V
provoca a transio de estados,
que corresponde a uma mudana
brusca na tenso de sada de 1,3
V para 12 V. A seta para baixo
indica que uma reduo na tenso
V
ent
abaixo do valor limite de 0,8
V provoca a segunda transio de
estados, que corresponde a uma
mudana brusca na tenso de
sada de 12 V para 1,3 V.























Fig.12 Sinal de sada do disparador
Schmitt, para variaes lineares
no tempo da tenso de entrada.





247








SENAI-PE






























Fig.13 Curva de transferncia de um disparador Schmitt.

Existe uma peculiaridade na curva de transferncia mostrada na Fig.13,
uma vez que o simples conhecimento do nvel de tenso na entrada no
suficiente para determinar o valor da tenso de sada.

Por exemplo, para a tenso de entrada de 1,2V indicada na Fig.14, a sada
poderia ser 1,3 ou 12 V. Se fosse conhecido, por exemplo, que a tenso de
entrada foi variada de um valor inicial de 0,7 V at o valor de 1,2 V, poder-se-ia
afirmar, com segurana, que a tenso de sada no circuito seria de 1,3 V. Se por
outro lado, fosse j conhecido que a tenso de entrada estivesse diminuindo de
um valor de 2 V, at atingir o valor de 1,2 V, a resposta com certeza seria uma
tenso de sada de 12 V.




















248






SENAI-PE

























Fig.14 Incerteza na determinao da tenso de sada do disparador Schmitt, para
uma tenso de entrada de 1,2 V.

Esse exemplo serve para demonstrar que o disparador Schmitt tem
memria, ou seja, o tipo de resposta do sistema depende da histria passada
do sinal de entrada.

Pode-se, portanto, dividir a caracterstica de transferncia mostrada na
Fig.14, em trs regies:


- V
ent
> 1,6 V V
s
= 12 V;

- V
ent
< 0,8 V V
s
= 1,3 V;

- 0,8 V < V
ent
< 1,6 V V
s
poder assumir dois valores, cuja determinao s
poder ser feita, conhecendo-se a histria passada do sinal de entrada.

Quando mais de um nvel de entrada provoca troca de estados em um
sistema, conforme evidenciado na caracterstica de transferncia do disparador
Schmitt, diz-se que o sistema exibe histerese.
















249








SENAI-PE




ALTERAO DO CICLO DE HISTERESE NO
DISPARADOR SCHMITT

Em muitas ocasies a existncia de histerese em um sistema pode ser
indesejvel, tornando-se necessrio reduzi-la ao mximo.


Uma das formas de reduzir a histerese no disparador Schmitt alterando o
ganho do circuito atravs do resistor de coletor de T
1
. Entretanto, esse
procedimento pode tornar o circuito instvel.

Uma outra possibilidade consiste em acrescentar um resistor em srie com
o emissor de apenas um dos transistores. A Fig.15 mostra uma possvel
configurao do disparador Schmitt, tendo um resistor em srie com o emissor
de T
1
.


























Fig.15 Configurao alternativa do disparador Schmitt para reduo da histerese
do circuito.

Na forma indicada na Fig.15, o resistor adicional no altera o
comportamento de T
2
. Permanece assim inalterado o valor V
1
da tenso de
entrada que promove a transio de T
2
da saturao ao corte.
J o nvel de tenso V
2
que promove a transio de T
1
da saturao ao
corte torna-se maior com o acrscimo do resistor, resultando em uma reduo da
histerese.





250
















SENAI-PE


A Fig.16 ilustra a alterao na histerese de um disparador Schmitt,
resultante da adio de um resistor em srie com o emissor de T
1
.





















Fig.16 Alterao da histerese de um disparador Schmitt a partir da modificao
indicada na Fig.15.

Pode-se tambm diminuir o efeito da histerese pela adio de um resistor
em srie com o emissor de T
2
, conforme indicado na Fig.17.























Fig.17 Disparador Schmitt com a adio de um resistor em
srie com o emissor de T
2
para reduo da histerese.
Nessa situao V
2
permanece inalterada, ao passo que V
1
diminui,
conforme mostrado na Fig.18.







251




SENAI-PE






















Fig.18 Alterao da histerese de um disparador Schmitt a partir da modificao
indicada na Fig.17.

O valor de resistncia R
h
do resistor srie adicionado ao circuito, pode ser
determinado aproximadamente a partir da expresso,


AV
original
AV
desejado

R
h
=
I

(2)
E
onde:


- AV
original
a largura da histerese, obtida da caracterstica de transferncia do
circuito original.
- AV
desejado
o valor desejado da largura da histerese.
- I
E
a corrente de emissor associada ao transistor cujo emissor conectado ao
resistor R
h
.

Exemplo 1: Determinar o valor da resistncia R
h
de forma a alterar a histerese
de um disparador Schmitt, de acordo com as informaes contidas na Tabela 1.

Tabela 1 Dados referentes ao Exemplo 1.
Parmetro Circuito original Circuito com resistor R
h

V
1
2,5 V 2,5 V
V
2 1,8 V 2,3 V
I
E 3 mA
De acordo com os dados da Tabela 1, V
1
permanece inalterado, e
conseqentemente R
h
deve ser adicionado em srie com o emissor de T
1
. A
corrente I
E
indicada na Tabela 1 corresponde, portanto, corrente de emissor de
T
1
. Com esses dados, tem-se que:



252




=
SENAI-PE




AV
original
= 2,5 1,8 = 0,7 V

AV
desejado
= 2,5 2,3 = 0,2 V


e utilizando a Eq.(2), obtm-se


0,7 0,2 0,5
R = = 166 O

h
0,003 0,003


virtualmente impossvel eliminar completamente a histerese, devendo-
se, no mximo, procurar a melhor soluo possvel. Se os valores desejados
fossem V
1
= V
2
=2,5 V, o valor da resistncia R
h
seria


0,7 0

0,7

R
h
= = = 233 O
0,003 0,003


Neste ltimo caso, o arredondamento no valor de R
h
deve ser realizado
para menos, de forma a garantir uma histerese mnima e evitar instabilidades no
circuito.



APLICAES DO DISPARADOR SCHMITT

O disparador Schmitt utilizado principalmente na converso de sinais
analgicos em digitais. Considere-se, por exemplo, um disparador Schmitt
exibindo a curva de transferncia mostrada na Fig.19.

















Fig.19 Disparador Schmitt e sua curva de transferncia.
Se fosse aplicada na entrada do disparador uma tenso ca com V
mx
= 3 V,
com base na curva de transferncia mostrada na Fig.19, a sada do disparador
forneceria uma seqncia de pulsos retangulares, conforme indicado na Fig.20.
Verifica-se que para V
ent
> 2,3 V, gerado um pulso de 10 V na sada. Quando a


253








SENAI-PE


entrada inferior a 1,5 V a sada se mantm em 1 V. Como se pode observar na
Fig.20 o trem de pulsos tem a mesma freqncia do sinal de entrada.









































Fig.20 Sinal gerado na sada do disparador Schmitt da Fig.19, para um sinal
senoidal aplicado entrada.




Para proteger a entrada do circuito quando a tenso de entrada se torna
negativa, pode-se utilizar um retificador de meia onda na entrada do disparador,
conforme ilustrado na Fig.21.












254




SENAI-PE


























Fig.21 Uso de um retificador de meia onda para proteo do disparador Schmitt.

O circuito mostrado na Fig.21 muito utilizado para servir como gerador
de pulsos para relgios eletrnicos, que utilizam a rede eltrica de 60 Hz. O
mesmo circuito pode ser utilizado para disparar em valores mais altos da tenso
de entrada utilizando um divisor de tenso, na forma indicada na Fig.22.















Fig.22 Circuito da Fig.21 com a adio de um divisor de tenso para permitir o
disparo do circuito em nveis mais altos da tenso de entrada.



A adio dos resistores do divisor de tenso da Fig.22 no altera as
tenses de disparo V
1
e V
2
. No entanto, os nveis de tenso de entrada para
provocar os disparos dependem da relao entre R
2
e R
1
.

O disparador Schmitt pode tambm ser utilizado no acionamento de rels,
largamente empregados no controle de cargas de alta potncia. A Fig.23 mostra
um disparador Schmitt com um rel substituindo o resistor de coletor de T
2
.



255






SENAI-PE

























Fig.23 Disparador Schmitt utilizado para o acionamento de um rel.

No circuito da Fig.23, enquanto T
2
est saturado a corrente I
C2
circula
atravs da bobina do rel que fica acionado. Aplicando um determinado valor
de tenso de entrada, T
1
satura e T
2
entra no regime de corte. A corrente I
C2

torna-se praticamente nula, desativando o rel.

A vantagem no uso do rel reside no fato de seus contatos estarem
isolados eletricamente da bobina, conforme ilustrado na Fig.23. Isso possibilita
que o rel seja acionado por um circuito eletrnico em cc e controle cargas em
ca.

A Fig.24 mostra um disparador Schmitt utilizado para controlar uma
lmpada incandescente e os grficos de comportamento da tenso V
C2
em funo
das variaes da tenso de entrada.

Um aspecto importante a se observar nos circuitos das Figs.23 e 24 a
presena do diodo em paralelo com a bobina do rel. Esse diodo utilizado para
proteger o transistor das sobretenses geradas, por auto-induo, toda vez que a
bobina do rel desenergizada. O diodo, que normalmente est polarizado
inversamente, conduz apenas quando a auto-induo d origem a uma fora
contra-eletromotriz na bobina, impedindo que o transistor seja danificado.













256






























SENAI-PE




Toda vez que um indutor for operado em chaveamento por um
transistor mandatrio o uso do diodo de proteo.
























































Fig.24 Disparador Schmitt utilizado para o acionamento de uma lmpada
incandescente.





257




SENAI-PE


A Fig.25 mostra as formas corretas de conexo do diodo em paralelo com
o indutor, para o caso de transistores npn e pnp.
























Fig.25 Formas corretas de conexo de um diodo em paralelo com o indutor para
circuitos empregando transistores npn e pnp.






































258
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Qual a caracterstica de circuito que diferencia um disparador Schmitt de
um multivibrador biestvel?

2. Faa um diagrama ilustrativo da curva de transferncia de um disparador
Schmitt.

3. Para um disparador Schmitt tendo a curva de transferncia mostrada na
Fig.13, determinar a tenso de sada nos seguintes casos:

(a) V
ent
= 0,5 V.

(b) V
ent
= 3,0 V.

(c) V
ent
= 1,4 V.

(d) Admitindo que V
ent
tenha aumentado de um valor inicial nulo at o valor
final de 1,4 V.

(e) Admitindo que V
ent
tenha diminudo de 3,0 V at o valor final de 1,4 V.

4. Qual a caracterstica principal de um sistema que exibe histerese?

5. Que tcnica empregada para modificao da histerese de um disparador
Schmitt?

6. Cite algumas aplicaes do disparador Schmitt.





























259
SENAI-PE


Fotodetectores e
sensores de temperatura



O termo sensor geralmente utilizado para designar um dispositivo capaz
de transformar variaes de uma determinada grandeza fsica em variaes
correspondentes de uma grandeza eltrica. Muitas propriedades fsicas dos
materiais so utilizadas na construo de sensores dedicados a uma larga gama
de aplicaes, tais como:

- Sensores para deteco e medio de acelerao, ou acelermetros.
- Sensores de viscosidade de lquidos.
- Sensores de presso.
- Sensores de umidade.
- Sensores para deteco e medio de luz, ou fotodetectores.
- Termistores, para medio de temperatura.

Devido abrangncia do tema, e ao importante papel desempenhado pelos
fotodetectores e termistores na rea da Eletrnica, as sees seguintes se limitam
anlise das propriedades dessas duas classes de dispositivos.



FOTODETECTORES



Um dispositivo fotosensvel ou fotodetector, aquele que produz uma
corrente eltrica quando exposto radiao na regio do espectro
eletromagntico compreendida entre as pores do infravermelho prximo e
ultravioleta. Esses dispositivos so geralmente fabricados com materiais
semicondutores, cuja condutividade alterada sob a ao de um fluxo luminoso.





Fotodetectores so utilizados em vrias aplicaes, tais como:

- Deteco de luz: sensores de presena em sistemas de alarme, contagem de
objetos em processos industriais etc.

- Medio do nvel de iluminamento: fotmetros em processos fotogrficos.





260


SENAI-PE



- Caracterizao da variao de iluminamento: sistemas de controle
automtico de iluminao em rodovias, sensores de proximidade de cmaras
fotogrficas de focalizao automtica etc.

A caracterizao dessa classe de dispositivos requer a especificao de
suas caractersticas eltricas e pticas.

Duas caractersticas de importncia associadas aos fotodetectores so:

- Responsividade.

- Resposta em freqncia.



RESPONSIVIDADE


Uma corrente eltrica produzida pelo fotodetector sob iluminao. A
relao entre a corrente gerada I e o fluxo luminoso u detectado pelo dispositivo
define a responsividade r do fotodetector, ou seja,


r =
I

P
(2)


A corrente gerada pelo fotodetector, e portanto a responsividade do
dispositivo, dependente do comprimento de onda da luz nele incidente. Dessa
forma, a corrente gerada em um fotodetector iluminado, por exemplo, por luz
verde pode ser bem diferente daquela obtida para luz vermelha, mesmo que o
fluxo luminoso incidente no fotodetector seja o mesmo em ambas as situaes.

O folheto de especificaes tcnicas do fotodetector fornece uma curva
de sensibilidade espectral que representa a variao relativa da responsividade
do dispositivo com respeito ao comprimento de onda.

A Fig.6 mostra a curva de sensibilidade espectral para um fotodetector
fabricado com o semicondutor CdS (sulfeto de cdmio). Como pode ser a
observado, o dispositivo exibe mxima responsividade para ~ 680 nm, que
corresponde luz vermelha. Verifica-se tambm que a responsividade relativa
do dispositivo inferior a 30% para < 500 nm (verde a azul) e para > 820
nm (infravermelho).










261






























SENAI-PE




Em geral, admite-se como regio
ideal de funcionamento a faixa de

comprimentos de onda na qual o
dispositivo tem um mnimo de 70% de
responsividade relativa. Para o caso da
curva de sensibilidade espectral da Fig.6
essa faixa estaria localizada na regio
540nm < <760nm, cujos limites
correspondem s cores verde e vermelho,
respectivamente.






RESPOSTA EM FREQNCIA


Quando um fotodetector
submetido a variaes de
intensidade luminosa, a
responsividade do dispositivo
tende a decrescer com o
aumento da taxa de variao
da intensidade. Uma forma de
caracterizar esse efeito
assumir que o fluxo luminoso
incidente no dispositivo varie
senoidalmente com o tempo a
uma dada freqncia f
0
,
conforme ilustrado na Fig.7.
Fig.6 Curva de sensibilidade espectral
para um fotodetector de CdS.



















Fig.7 Fluxo luminoso que varia senoidalmente
com o tempo na freqncia f
0
.


O tipo de variao mostrado na Fig.7 produziria uma alterao contnua
de iluminao com o tempo, entre os limites de mxima claridade e mxima
escurido. Aumentar a freqncia f
0
dessas variaes equivale a aumentar a taxa
de variao do fluxo luminoso sobre o fotodetector. Com isso a responsividade
do dispositivo tende a diminuir.

A dependncia com a freqncia f
0
da responsividade de um fotodetector
pode ser representada graficamente por uma curva de resposta em freqncia,
do tipo mostrado na Fig.8. Como pode ser a observado, a responsividade
mxima se o fluxo luminoso sobre o fotodetector for constante, ou seja, para
f
0
=0. Se as variaes de intensidade luminosa forem muito rpidas, o que




262










SENAI-PE


equivale a aumentar o valor do
parmetro f
0
, a responsividade do
dispositivo tende a diminuir
substancialmente, e eventualmente
o dispositivo torna-se insensvel
presena da luz nele incidente.






Para caracterizar a
regio de operao ideal do
dispositivo, define-se a
freqncia de corte f
c
,
como aquela a partir da
qual a responsividade do
fotodetector se torna
inferior a 70% do valor
mximo. A Fig.9 mostra a
localizao da regio de
operao ideal no diagrama
de resposta em freqncia
de um fotodetector.

Nas sees seguintes,
feito exame mais
detalhado de alguns tipos
de fotodetectores de uso
freqente na Eletrnica.
Fig.8 Curva de resposta em freqncia
de um fotodetector.


















Fig.9 Regio de operao ideal de um
fotodetector no diagrama da resposta em
freqncia do dispositivo.
























263




SENAI-PE




FOTORESISTORES


O fotoresistor ou LDR (do ingls light dependent resistor) um
componente constitudo base de material semicondutor cuja condutividade
alterada sob iluminao. O LDR recebe tambm a denominao de fotoclula
ou clula fotoeltrica.
Uma estrutura simplificada
de um LDR mostrada na Fig.10.
Ela feita com um semicondutor
intrnseco, de alta resistncia, com
dois contatos metlicos. Os
pontos de contato so submetidos
a uma tenso constante V. A
iluminao da superfcie do
semicondutor produz um
acrscimo no nmero de
portadores de carga, o que
provoca um aumento de
condutividade com conseqente
diminuio da resistncia eltrica
do dispositivo. Como a tenso
aplicada constante, a corrente
que circula no circuito aumenta.
Dessa forma, o LDR submetido a
uma tenso constante responde a
variaes de fluxo luminoso com
variaes correspondentes da
corrente que flui atravs de seus
terminais.

A Fig.11 mostra o aspecto
de um LDR e os smbolos
comumente utilizados para sua
representao em diagramas de
circuito.





Fig.10 Estrutura simplificada de um LDR.










Fig.11 Aspecto tpico de um LDR e
smbolos correspondentes.














264






























SENAI-PE




Os LDRs apresentam
resistncia elevada quando colocados
no escuro, e sofrem reduo de
resistncia medida que a intensidade
da luz incidente sobre o componente
aumenta. A resistncia do LDR varia
no-linearmente de alguns megaohms
em ambientes escuros a algumas
centenas de ohms sob iluminao,
conforme ilustrado na Fig.12.

A resistncia eltrica de um
LDR varia no-linearmente com
a intesidade luminosa incidente
sobre o dispositivo.
















Fig.12 Variao tpica da resistncia
eltrica de um LDR.


A Fig.13 mostra as curvas de sensibilidade espectral dos fotoresistores de
CdS e PbS. Como pode ser a observado, o LDR de sulfeto de cdmio
apropriado para operao na regio visvel, ao passo que o LDR de sulfeto de
chumbo mais adequado para operao no infravermelho.






















Fig.13 Curvas de sensibilidade espectral para LDRs de CdS e PbS.













265






SENAI-PE




O LDR pode ser configurado
para produzir uma tenso
dependente do fluxo luminoso nele
incidente. Um circuito divisor de
tenso, do tipo mostrado na Fig.14,
permite esse tipo de operao.


O circuito mostrado na Fig.14,
utilizado em conjunto com um
disparador Schmitt, na forma
ilustrada na Fig.15, forma um
circuito de controle para o
acionamento de uma lmpada, que
s ligada quando a iluminao
natural do ambiente diminui. Essa
uma aplicao tipicamente utilizada
no controle de iluminao de
rodovias, cujas lmpadas so acesas
no incio da noite.















Fig.14 LDR configurado como parte
de um divisor de tenso.























Fig.15 Circuito de acionamento de lmpada controlado por um LDR.

O exame do circuito mostrado na Fig.15 indica que, embora a tenso
produzida pelo LDR varie vagarosamente medida que o ambiente escurece ou
clareia, o disparador Schmitt se encarrega de chavear corretamente o rel que
aciona a lmpada.






266




SENAI-PE



FOTODIODO


O fotodiodo constitudo por um diodo
especialmente encapsulado de forma a permitir a
exposio da juno pn do dispositivo luz
ambiente. O encapsulamento geralmente
metlico e possui uma lente que concentra a luz
sobre a regio ativa do dispositivo, conforme
ilustrado na Fig.16.


A indicao do nodo ou ctodo do
dispositivo varia entre diferentes tipos de
encapsulamento, e a identificao dos terminais
pode ser feita atravs do catlogo do fabricante
ou do teste com multmetro.





Fig.16 Fotodiodo tpico.


O fotodiodo configurado para operar com polarizao inversa, conforme
indicado na Fig.17. Na ausncia de iluminao, flui uma pequena corrente de
fuga atravs de seus terminais.


Quando o dispositivo exposto
luz, pares eltron-lacuna so
gerados na regio de depleo da
juno pn do dispositivo. Devido ao
alto campo a existente, os eltrons e
lacunas so acelerados para fora da
regio de depleo, o que provoca um
aumento na corrente inversa atravs
do diodo. Nesse tipo de fotodetector,
at um limite mximo de fluxo
luminoso, a corrente inversa varia
proporcionalmente com a intensidade
luminosa incidente sobre o
dispositivo.








Fig.17 Forma de polarizao de um
fotodiodo.






Em um fotodiodo inversamente polarizado, a corrente inversa
proporcional intensidade luminosa incidente sobre o dispositivo.







267


















SENAI-PE







A Fig.18 mostra
curvas caractersticas tpicas
de um fotodiodo na regio de
polarizao inversa. Como
pode ser a observado, a
localizao de cada curva
caracterstica dependente do
nvel de
iluminamento incidente
sobre o dispositivo. A
corrente de fuga do
dispositivo, obtida na
ausncia de iluminao
muito pequena e recebe a
denominao de corrente de
escuro.



















Fig.18 Curvas caractersticas de um fotodiodo.



A Fig. 19a mostra a forma de obteno da corrente gerada no fotodiodo
como funo da intensidade luminosa incidente sobre o dispositivo. Como pode
ser a observado, fixando-se o valor V
i
da tenso de polarizao inversa, obtm-
se um conjunto de pontos sobre as curvas caractersticas, que ocorrem nas
intersees dessas curvas com a reta V=V
i
.

A representao grfica da dependncia da corrente com a intensidade
luminosa est mostrada na Fig.19b, que mostra uma relao linear entre essas
duas grandezas. importante notar que essa relao linear praticamente
independente do valor da tenso inversa aplicada sobre o fotodiodo, uma vez
que a corrente inversa varia muito pouco para um dado nvel de iluminamento,
como se pode observar a partir de um exame da Fig.19a.




















268

































SENAI-PE
















Fig.20 Circuito a fotodiodo cuja tenso
de sada proporcional ao
iluminamento.








Fig.19 (a) Pontos de interseo da reta V=V
i
com as curvas caractersticas de
um fotodiodo. (b) Grfico da relao entre corrente gerada e intensidade
luminosa para V=V
i
.



Para o tipo de fotodiodo caracterizado pela curva mostrada na Fig.19b a
corrente inversa se situa na faixa de microampres para os nveis de
iluminamento a indicados. Para que essa pequena variao de corrente possa
dar origem a variaes significantes de tenso, faz-se necessrio utilizar o
fotodiodo em srie com resistores de resistncia elevada, na faixa de dezenas a
centenas de kiloohms, conforme ilustrado na Fig.20.
Um aspecto importante a ser considerado que a corrente de fuga tambm
depende da temperatura do fotodiodo, o que pode causar erros na medio do
nvel de iluminamento quando o dispositivo utilizado em locais submetidos a
variaes significantes de temperatura.

A Fig.21 mostra a curva de sensibilidade espectral de um fotodiodo de
germnio, que atinge sua mxima responsividade no comprimento de onda de
1.450 nm, situado no infravermelho prximo. Com o emprego de diversos tipos
de materiais semicondutores, fotodiodos podem ser implementados para atingir
mxima responsividade em diferentes regies do espectro eletromagntico.









269
Fig.22 Fototransistor tpico.










SENAI-PE























Fig.21 Curva de sensibilidade espectral de um fotodiodo de germnio.



FOTOTRANSISTOR


O fototransistor constitudo por um
transistor especialmente encapsulado de forma
a permitir a exposio da estrutura
semicondutora do dispositivo luz ambiente.
A Fig.22 ilustra um tipo comum de
encapsulamento do fototransistor.
Conforme mostrado na Fig.23,
a representao de circuito do
fototransistor semelhante quela do
transistor convencional, com exceo
das setas indicativas da sensibilidade
do dispositivo luz nele incidente.





Fig.23 Representao de circuito do
fototransistor.















270





















(3)













































































































SENAI-PE




Conforme mostrado na Fig.24, em um fototransistor, geralmente o
terminal base desconectado do circuito. Nessas condies, e na ausncia de
iluminao, circula uma corrente de fuga I
CEO
entre coletor e emissor, e a
corrente de coletor pode ser obtida da relao


I
C
= I
CEO


O terminal do coletor tem um
potencial ligeiramente superior quele
do terminal da base, tornando a juno
base-coletor inversamente polarizada.
Quando luz incide na regio prxima
juno base-coletor, os portadores a
gerados produzem uma corrente de
fuga adicional I
l
na juno base-
coletor. Como qualquer corrente de
fuga nessa juno amplificada por
um fator (|+1), a corrente de coletor,
sob iluminao, passa a ser

I
C
= I
CEO

+ (| + 1)I
l

Fig.24 Fototransistor sob polarizao
externa.


A Eq.(3) mostra que a corrente gerada na juno base-coletor
amplificada por um fator (|+1) no terminal do coletor do transistor. Como a
corrente I
l
proporcional intensidade luminosa, uma relao de linearidade
existe entre a corrente de coletor e a intensidade de luz incidente sobre o
dispositivo, como indicado pela
Eq.(3).


A corrente de coletor em
um fototransistor varia
linearmente com a intensidade
luminosa incidente sobre o
dispositivo.



A Fig.25 mostra as curvas
caractersticas de um fototransistor
tpico. Como pode ser a observado, a


Fig.25 Curvas caractersticas tpicas de
um fototransistor.



271



Fig.26 Circuito a fototransistor com
base conectada fonte atravs de
um resistor.






SENAI-PE



intensidade luminosa influencia a relao I
C
V
CE
de forma semelhante quela
exercida pela corrente de base no transistor convencional.




Em alguns casos se torna necessrio alterar a tenso V
CE
para um
determinado nvel de iluminamento. Isso pode ser realizado pela injeo de uma
corrente de base no dispositivo atravs de um resistor conectado fonte de
alimentao, conforme indicado na
Fig.26. Esse mtodo, contudo,
reduz a sensibilidade do circuito.



Existem fototransistores
fabricados especialmente para
trabalhar em conjunto com os
LEDs, na forma ilustrada na
Fig.27. Esses dois componentes
formam um par casado, e o
comprimento de onda emitido pelo
LED escolhido no ponto de
mxima sensibilidade do
fototransistor. Esse tipo de
aplicao permitiu a fabricao de
dispositivos optoacopladores,
encapsulados em um nico circuito
integrado.




















Fig.27 Diagrama de circuito de um
optoacoplador.


A inexistncia de conexo eltrica entre o LED e o fototransistor faz que
o optoacoplador tenha uma altssima isolao eltrica. Isso permite o emprego
desse tipo de componente no bloqueio de cc entre estgios amplificadores ca
operando sob polarizaes distintas.



TERMISTORES

A dependncia com a temperatura da condutividade eltrica dos materiais
semicondutores permite a fabricao do sensor de temperatura denominado de
termistor. Neste tipo de dispositivo, uma variao de temperatura modifica sua
resistncia eltrica. Essa modificao pode ser detectada, por exemplo, como




272










SENAI-PE


uma modificao da corrente atravs do
dispositivo quando adequadamente
polarizado por uma tenso externa.

Dependendo da forma como a
resistncia do dispositivo alterada pela
temperatura, os termistores podem ser do
tipo PTC ou NTC. A Fig.28 mostra o
aspecto tpico de um termistor e as
representaes de circuito geralmente
utilizadas.











Fig.29 Dependncia com a temperatura
da resistncia eltrica de um
termistor PTC tpico.




Fig.28 Aspecto tpico de um termistor e representaes de circuito.




TERMISTOR PTC


O termistor tipo PTC (positive temperature coefficient), exibe coeficiente
de temperatura positivo, ou seja, sua resistncia eltrica aumenta com a elevao
de temperatura.

Para cada tipo de termistor PTC existe uma faixa de temperaturas de
operao, onde existe grande variao da resistncia eltrica do dispositivo.
A Fig.29 ilustra a dependncia com a temperatura da resistncia eltrica
de um termistor PTC tpico. Como pode ser a observado, para esse dispositivo
a faixa de temperaturas de operao est situada entre 50C e 120C.














273































































































SENAI-PE




TERMISTOR NTC


O termistor tipo NTC (negative temperature coefficient), exibe coeficiente
de temperatura negativo, ou seja, sua resistncia eltrica diminui com a elevao
de temperatura. A Fig.30 ilustra a variao com a temperatura da resistncia
eltrica de um termistor NTC.


APLICAES


O termistor, tanto NTC como
PTC, pode ser utilizado em um
circuito ou equipamento, de duas
formas distintas:

- Apenas como sensor da
temperatura do equipamento.

- Como atuador sobre as
condies de operao do
equipamento.












Fig.30 Dependncia com a temperatura
da resistncia eltrica de um
termistor NTC tpico.


O termistor NTC pode ser utilizado, por exemplo, para manter constante o
ponto de operao de um transistor perante variaes na temperatura de
operao, conforme ilustrado na Fig.31. Nesse circuito um aumento de
temperatura tende a provocar aumento na corrente de coletor, como resultado do
acrscimo da corrente de fuga I
CBO
. Por outro lado, o aumento de temperatura
tambm provoca reduo na resistncia eltrica do termistor NTC, reduzindo
assim a tenso base-emissor do transistor.
Com isso diminui a corrente de base e o
ponto de operao volta ao seu estado
original.


Uma outra aplicao importante dos
termistores se refere aos circuitos de
controle de temperatura. Um circuito de
controle de temperatura tpico est
ilustrado na Fig.32. Um breve exame do
circuito indica que qualquer variao na
temperatura do termistor provoca variao
na tenso aplicada entrada do disparador
Schmitt. Atravs do rel acoplado ao



274













Fig.31 Emprego de um termistor
NTC em um circuito
transistorizado.


SENAI-PE


disparador se pode comandar resistncias de aquecimento ou aparelhos de
refrigerao.

























Fig.32 Circuito de controle baseado em um termistor acoplado a um disparador
Schmitt para controle de temperatura.



Em algumas aplicaes o termistor utilizado de forma que a corrente de
carga, ou parte dela, circule atravs do termistor. Nesse tipo de aplicao a
prpria dissipao de potncia no termistor provoca seu aquecimento, resultando
em uma variao na sua resistncia.


Nos aparelhos de TV em cores, por exemplo, utiliza-se uma bobina para a
desmagnetizao do tubo de imagem. Ao ligar-se o aparelho, essa bobina deve
produzir um campo magntico intenso que deve praticamente desaparecer aps
alguns segundos. Para que esse efeito seja obtido, a bobina de desmagnetizao
conectada em srie a um termistor PTC, conforme ilustrado na Fig.33.




















275




SENAI-PE






















Fig.33 Diagrama simplificado do
circuito de controle do campo
magntico de uma bobina.


Com base na Fig.33, ao ligar-se a alimentao, o termistor est frio e com
baixa resistncia. Assim, a corrente circulante intensa, produzindo o campo
desmagnetizante. Durante o tempo de circulao da corrente no circuito, a
dissipao de potncia no termistor aumenta sua temperatura. Isso provoca o
aumento na resistncia eltrica do termistor, reduzindo a corrente, e por
conseguinte, o campo magntico na bobina. Aps alguns segundos, o sistema
atinge o equilbrio com o termistor exibindo alta resistncia, o que praticamente
elimina o campo desmagnetizante.






























276
SENAI-PE




QUESTIONRIO

1. Qual a velocidade de propagao da radiao eletromagntica produzida
por uma fonte de microondas operando a uma freqncia de 10 GHz?

2. Qual seria o resultado obtido na questo anterior, se a radiao fosse emitida
em uma freqncia de 1 kHz?

3. Determine os comprimentos de onda associados radiao eletromagntica
emitida nas seguintes freqncias:

a) f = 1 kHz.

b) f = 10 GHz.
c) f = 1 THz.
4. Qual a faixa de comprimentos de onda em que a radiao eletromagntica
se torna visvel ao olho humano?

5. Se o fluxo luminoso incidente em uma rea de 10 cm
2
1.500 lm, qual a
intensidade luminosa sobre a rea iluminada?

6. Faa uma pesquisa e tente descobrir qual o valor tpico do iluminamento
produzido pelo sol na superfcie da Terra. Tente caracterizar, por exemplo,
valores tpicos em diferentes regies do pas.

7. Como se define a responsividade de um fotodetector?

8. Descreva o princpio de operao de um LDR.

9. Descreva o princpio de operao de um fotodiodo.

10.Descreva o princpio de operao de um fototransistor.

11.Cite uma aplicao tpica do fototransistor.

12.O que so termistores PTC e NTC?

13.Cite duas aplicaes para os termistores.











277
SENAI-PE




BIBLIOGRAFIA

ARNOLD, Robert & BRANDT, Hans. O sinal e o seu uso na tcnica de
comando; componentes eletrnicos especiais. So Paulo, E.P.U., 1975. 46p. il.
(Eletrnica Industrial, 3).

_____.Tiristores componentes fotoeletrnicos. So Paulo, E. P. U., 1975. 43p.
il. (Eletrnica Industrial), 4)


MELLO, Hilton A. & INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores.
3ed. Rio de Janeiro, LTC, 1978. 283p. il.
BOLETIM TCNICO INFORMATIVO ICOTRON. s. l. 6 (36) jun/jul, 1981.
REZENDE, Srgio Machado, A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos,
Recife, Editora da UFPE, 1996.

CREDER, Hlio, Instalaes eltricas, Rio de Janeiro, Livros Tcnicos e
Cientficos, 1978.


SINGH, Jasprit, Semiconductor optoelectronics, Nova York, McGraw-Hill, Inc.,
1995.

ARNOLD, Robert & BRANDT, Hans, Transistores, segunda parte, So Paulo,
EPV (1975).

MILLMANN, Jacob & TAUB, Herbert, Circuitos de pulsos, digitales y de
commutacion, Mxico, Libros Mc Graw Hill do Brasil, (1977).

STRAUS, Leonard, Wave generation and shaping, 2
a
. edio, Nova York,
McGraw-Hill, 1970.

MILLMAN, Jacob e TAUB, Herbert, Pulse, digital, and switching waveforms,
Nova York, McGraw-Hill, 1965.



DEGEM SYSTEMS, Circuitos transistorizados formadores de pulso, Israel,
Eletrnica modular (1976).

LANDO, Roberto Antnio & ALVES, Srgio Rios, Amplificador operacional,
So Paulo, rica, 1983.





278
SENAI-PE


MALVINO, Albert Paul, Eletrnica, So Paulo, Mc Graw Hill do Brasil, 1986.

CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos, 7
a
. edio, rica, So
Paulo (1983).

SENAI/DN. Reparador de Circuitos Eletrnicos; Eletrnica Bsica II. Rio de
Janeiro. (Coleo Bsica SENAI, Mdulo 2)

SENAI/DN. Transistores, por Antnio Abel Correia Villela. Rio de Janeiro,
Diviso de Recursos Humanos, 1977. 81p. (Publicaes Tcnicas, 7)

FIGINI, Gianfranco. Eletrnica industrial; circuitos e aplicaes. So Paulo,
Hemus, c 1982. 336p.

MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Chistos C. Eletrnica: dispositivos e
circuitos.
Trad. Eldio Robalinho e Paulo Elyot Meirelles Villela.. So Paulo, McGraw-
Hill do Brasil, 1981. il. v.2



ELETRNICA MODULAR PANTEC. O transistor; princpios bsicos. s.n.t.
(curso bsico, 4).

MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and
digital circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.

TUCCI, Wilson Jos. Introduo Eletrnica. 7.ed. So Paulo, Nobel, 1983.
349p.

























279

SENAI-PE

280

Coleo Eletrnica Bsica II SENAI



Diagramao
Anna Daniella C. Teixeira



Editorao
Diviso de Educao e Tecnologia - DET