Introduo

Existem diversas tcnicas para observao de detalhes ampliados de superfcies, como, por
exemplo, com lentes, usando um microscpio tico, inventado no sculo XVIII. Neste
sculo, foram desenvolvidos mtodos de visualizao baseados em feixes de ons ou de
eltrons mas a idia dos microscpios de sonda totalmente diferente.
Os instrumentos ticos possuem a limitao do comprimento de onda da luz visvel dada
pelo critrio de difrao de Rayleigh. Ele descobriu que um sistema tico, seja o olho,
sejam as lentes de um microscpio, capaz de resolver duas fontes pontuais se os
correspondentes diagramas de difrao esto suficientemente separados para serem
distinguidos. Estudando os diagramas de duas fontes luminosas Rayleigh concluiu que elas
podem ser resolvidas se o mximo principal (ou central) de uma coincide com o primeiro
mnimo da outra. Isto equivalente condio de que a distncia entre os centros dos
diagramas deve ser igual ao raio do disco central. Calculando numericamente chega-se a
que s podem ser resolvidos objetos de 200 a 350 nm, ou seja, da metade do comprimento
de onda da luz visvel.
Um microscpio eletrnico de varredura SEM (Scanning Electron Microscope), apenas
capaz de trabalhar em vcuo, pode resolver escalas nanomtricas (1 nm = 10
-9
m) mas, em
geral, com efeitos destrutivos para a amostra. Alm disso, um SEM no capaz de dar uma
boa informao sobre profundidade.
Um microscpio de varredura por sonda, ou SPM (Scanning Probe Microscope) na
realidade um grupo de instrumentos compostos basicamente de sonda sensora, cermicas
piezeltricas para posicionar o objeto amostra e fazer varreduras, circuitos de realimentao
para controlar a posio vertical da sonda e um computador para mover os scanners de
varredura, armazenar dados e os converter em imagens por meio de softwares especficos
para esse fim.
H diversos tipos de microscpios de sonda: o de tunelamento ou STM (Scanning
Tunneling Microscope), o de fora ou AFM (Atomic Force Microscope), o de campo
prximo ou SNOM (Scanning Near-Field Optical Microscope) e todos os derivados.
O componente essencial do SPM o sensor, com o qual consegue-se sondar as amostras e
obter as imagens com magnificaes muito altas, de forma tal que podem ser medidas
distncias com resoluo de at 0,1 ngstrom (1 =10
-10
m).
Os sensores usados neste tipo de aparelhos so: para o microscpio de tunelamento, uma
ponta metlica para fazer tunelamento entre ela e a amostra; para o microscpio de fora
atmica, um sensor de fora em forma de ponta condutora ou isolante e para o SNOM uma
fibra tica.
O STM foi inventado por Gerd Binnig e Heinrich Rohrer, da IBM de Zurich, em 1981 e
foi o primeiro instrumento capaz de gerar imagens reais de superfcies com resoluo
atmica. Em 1986 os inventores ganharam por ele, o Prmio Nobel de Fsica.
A partir de uma modificao do microscpio de tunelamento, combinado com um
profilmetro Stylus (aparelho para medir rugosidade em escala microscpica) Binnig,
Quate e Gerber
1
, desenvolveram o AFM em 1986.
No STM, o sensor de tunelamento mede a corrente i que passa entre a amostra e a sonda
metlica, posicionada quase tocando a superfcie da amostra (que deve ser condutora).
Quando a distncia sonda-amostra aproximadamente de 10, os eltrons da amostra
comeam a tunelar na direo da sonda ou vv. dependendo da polaridade de uma voltagem
aplicada entre a sonda e a amostra. A corrente varia com a distncia entre elas, sendo
diretamente proporcional voltagem V aplicada (alguns milivoltios de contnua) e
exponencialmente proporcional distncia d de separao entre a amostra e a sonda: i = V
exp{-cte.!
1/2
d}, onde ! a altura da barreira de potencial, funo dos materiais com que
esto feitas a sonda e a amostra, e que representa a diferena entre o nvel de energia de
tunelamento e o nvel de energia mximo do sistema sonda-amostra.
Com o STM podem ser estudadas a topografia de materiais em escala atmica e as foras
que agem entre a sonda e a amostra. Podem ser feitas ainda muitas outras investigaes
derivadas do potencial de medida das duas anteriores.
O SNOM, ou microscpio tico de campo prximo, que grosso modo poderamos
considerar como sendo uma combinao de microscopia de varredura por sonda com
microscopia tica convencional e que surgiu como uma modificao de um microscpio de
tunelamento (a pesar de que a teoria do seu funcionamento j era conhecida h muito
tempo) supera o limite de difrao. Costuma-se dizer que o SNOM foi "reinventado" por
Pohl
2
e colaboradores, j que a teoria deste microscpio tinha sido proposta por Synge
3
em
1928. Para pr em prtica naquela poca a idia teria sido necessrio possuir tcnicas
operacionais da ordem dos nanmetros e, portanto, a proposta caiu rapidamente no
esquecimento. O SNOM melhora a resoluo da tica convencional em pelo menos uma
ordem de grandeza. Ele pode alcanar uma resoluo espacial de at 25 nm, o que bem
menor que a resoluo de um microscpio de fora atmica ou de um de tunelamento, mas
acrescenta informao que s accessvel com contraste tico. por isso que esta tcnica
se utiliza como complementar ao AFM. O princpio simples. A amostra a ser resolvida
varrida com uma fibra tica, que tem uma abertura muito estreita de algumas centenas de
ngstroms de dimetro na sua extremidade e que est recoberta por uma pelcula metlica
opaca. Pela fibra passa luz visvel, que refletida pela amostra, ou passa atravs dela para
um detector. A intensidade do sinal tico detectado em cada ponto da varredura constitui
um conjunto de dados que iro reproduzir uma imagem da superfcie da amostra com
resoluo entre 25 e 50 nm, com a nica condio de que a distncia entre a fonte de luz e a
amostra seja da ordem de 50. Com o SNOM obtm-se imagens ticas de uma amostra
que, para efeitos de anlises dos dados, podem ser comparadas com imagens topogrficas
adquiridas, simultaneamente, pelo mtodo de controle de foras, que pode ser descrito da
seguinte forma. A fibra tica utilizada para varrer a amostra posta para oscilar em
ressonncia, prxima da superfcie. A amplitude e a fase ou freqncia de oscilao so
utilizadas por um sistema de realimentao para controlar a distncia entre a fibra e a
superfcie. Quando a ponteira se aproxima da amostra, as foras que agem entre elas
diminuem a amplitude de vibrao e modificam a fase. A voltagem necessria para
controlar o movimento da cermica piezeltrica que mantm a amplitude constante
detectada e transformada, por meio de um software, em uma imagem topogrfica, da
mesma forma que em um microscpio de fora atmica. Para a obteno de imagens ticas,
a luz que sai da abertura da fibra ilumina uma pequena parte da superfcie. Esta luz
espalhada em dois tipos de ondas: as homogneas, utilizadas por um microscpio
convencional e as evanescentes, que decaem rapidamente com a distncia, mas que podem
ser coletadas pela fibra que est muito perto da amostra. O sinal ento direcionado para
uma fotomultiplicadora ou um contador de ftons que o repassam para o computador, que
por sua vez o transforma em imagem. As informaes que podem ser obtidas com um
SNOM referem-se observao de uma ampla variedade de propriedades ticas dos
materiais, como por exemplo:
-Monitorando a intensidade de luz podem ser feitas imagens que resultem em dados do tipo
transmissividade, reflexividade, polarizao e ndice de refrao.
-O contraste do comprimento de onda ou fluorescncia, permite observar luminiscncia e
fazer espectroscopia para, por exemplo, identificao qumica.
Na figura 1, vemos alguns exemplos da versatilidade dos meios de magnificao.
Aumento meio imagem danos
microsc. tico 10
3
ar, lquidos 2-D nenhum
varredura laser 10
4
ar 2-D mnimos
feixe de ons 10
5
vcuo 2-D graves
SEM 10
6
vcuo 2-D alguns
SPM 10
9
liq.,ar, vcuo 3-D
mnimos ou
nenhum
Figura 1: Tabela comparativa dos meios de magnificao existentes.



1. G.Binnig, C.F.Quate and Ch.Gerber. Phys.Rev.Lett.56 (9), 1986.
2. D.W.Pohl, W.Denk and M.Lanz. Appl.Phys.Lett.44, 1984.
3. E.H.Synge. Phil.Mag.6, 1928.

O Microscpio de Fora Atmica
O AFM, ou microscpio de fora atmica, ou ainda, SFM (Scanning Force
Microscope), pode ser operado de diversos modos. Entretanto, seu princpio fundamental
a medida das deflexes de um suporte (de 100 a 200 m de comprimento) em cuja
extremidade livre est montada a sonda. Estas deflexes so causadas pelas foras que
agem entre a sonda e a amostra. As diferentes tcnicas fornecem diversas possibilidades
para fazer imagens de diferentes tipos de amostras e para gerar uma ampla gama de
informaes. Os modos de fazer as imagens, tambm chamados modos de varredura ou de
operao, referem-se fundamentalmente distncia mantida entre a sonda (que
chamaremos ponteira) e a amostra, no momento da varredura, e s formas de movimentar a
ponteira sobre a superfcie a ser estudada. A deteco da superfcie realiza-se visando
criao de sua imagem. H um contnuo de modos possveis de fazer imagens, devido s
diferentes interaes em funo da distncia entre a ponteira e a amostra, assim como ao
esquema de deteco utilizado. A escolha do modo apropriado depende da aplicao
especfica que se deseja fazer.
O AFM opera medindo as foras entre a ponteira e a amostra que dependem de diversos
fatores como, por exemplo, dos materiais que compem a amostra e a ponteira, da distncia
entre elas, da geometria da ponteira e de qualquer tipo de contaminao que houver sobre a
superfcie da amostra.
Quando a ponteira se aproxima da amostra, primeiramente atrada pela superfcie,
devido a uma ampla gama de foras atrativas existentes na regio, como as foras de van
der Waals. Esta atrao aumenta at que, quando a ponteira aproxima-se muito da amostra,
os tomos de ambas esto to prximos que seus orbitais eletrnicos comeam a se repelir.
Esta repulso eletrosttica enfraquece a fora atrativa medida que a distncia diminui. A
fora anula-se quando a distncia entre os tomos da ordem de alguns ngstroms (da
ordem da distncia caracterstica de uma unio qumica). Quando as foras se tornam
positivas, podemos dizer que os tomos da ponteira e da amostra esto em contato e as
foras repulsivas acabam por dominar.
A grande vantagem do AFM sobre o STM que permite estudar no apenas materiais
condutores, mas tambm todo tipo de material isolante, j que o mtodo no utiliza corrente
de tunelamento para produo de imagens.

Foras a distncias microscpicas
Para entender o funcionamento de um AFM devemos ento ter conhecimento das foras
que agem entre os sistemas microscpicos a distncias muito pequenas e cuja interao o
princpio que o microscpio utiliza para funcionar. Na figura 2, esto representadas as
foras que agem entre a ponteira e a amostra em funo da distncia que as separa.

Figura 2: Foras entre a ponteira e a amostra em funo da distncia entre elas.
Na rea abaixo da linha de fora nula, as foras so atrativas. Acima da linha do zero, as
foras so repulsivas. Este tipo de fora proveniente do potencial de interao entre dois
ou mais tomos (que pode ser Lennard-Jones, ou seja, A/r
12
- B/r
6
, ou qualquer outro
potencial de interao entre tomos, com uma dependncia desse tipo em r, sendo r a
posio da ponteira em relao superfcie).
A tentativa de classificao de foras bem extensa. Por exemplo, as foras
intermoleculares podem ser classificadas em trs categorias: foras de origem puramente
eletrostticas (foras coulombianas entre cargas, dipolos permanentes ou quadrupolos),
foras de polarizao (provenientes dos momentos dipolares induzidos nos tomos e nas
molculas por campos eltricos de cargas vizinhas e/ou dipolos permanentes) e foras de
natureza mecnica quntica, que do lugar s ligaes covalentes incluindo as interaes
de transferncia de cargas e s interaes repulsivas de intercmbio (devidas ao princpio
de excluso de Pauli) e que so as que equilibram as foras atrativas a distncias muito
curtas. Esta classificao no rgida e, por exemplo, nela no esto includas as foras
magnticas pois, se comparadas com as anteriores dentro de sua regio de interao so
muito fracas.
Certas foras, como as de van der Waals, no se enquadram dentro deste tipo de
classificao e fala-se delas, como de foras intermoleculares atrativas de longo alcance e
repulsivas de curto alcance.
Para dois corpos eletricamente neutros e no magnticos, mantidos a distncias entre
uma e algumas dezenas de nanmetros, predominam estas foras de atrao a "grandes"
distncias. Em 1873 van der Waals postulou a existncia das foras intermoleculares, que
ficaram conhecidas pelo seu nome. Fritz London
1
descreveu a natureza delas e as atribuiu
ao movimento dos eltrons dentro das molculas. As interaes das foras de van der
Waals devidas especificamente s flutuaes dos eltrons em molculas ficaram conhecidas
com o nome de London, de flutuao de cargas, eletrodinmicas, ou de disperso, esto
presentes at em molculas polares permanentes e so, em geral, a maior contribuio para
as foras intermoleculares. por isso que elas tm um papel muito importante em
fenmenos diversos tais como adeso, tenso superficial e muitos outros. Este tema muito
extenso e pode ser visto no livro Intermolecular and Surface Forces de Jacob Israelachvili
Academic Press, London (1995).
A interao repulsiva de distncias curtas origina-se no princpio de excluso de Pauli: dois
frmions no podem estar no mesmo estado, isto , com o mesmo spin, o mesmo momento
angular, a mesma componente z do momento angular e a mesma localizao espacial.
As foras de van der Waals agindo entre dois tomos ou molculas podem ser
classificadas em foras de orientao, de induo e de disperso, representadas na figura
3.
As foras de orientao resultam da interao entre duas molculas polares com
momentos dipolares permanentes (ver Fig.3a). As foras de induo se devem interao
de uma molcula polar e uma no polar, onde a polar induz uma polaridade nas vizinhanas
da outra. O campo eltrico da molcula polar destri a simetria da distribuio de cargas da
molcula no polar, resultando em uma atrao semelhante registrada entre molculas
polares (ver figura 3b).

Figura 3: Foras de van der Walls. a) Foras de orientao; b) Foras de induo; c) Foras de
disperso.
As molculas no-polares possuem dipolos flutuantes finitos e momentos multipolares
grandes em intervalos de tempo muito curtos, os quais interagem, dando lugar a foras de
disperso entre eles. Para as molculas no polares, a distribuio eletrnica , em mdia,
simtrica. Mas, a cada instante, uma parte da molcula possui mais eltrons que outra.
Assim, cada molcula (ou tomo) se comporta como polar, mas esta "polarizao" varia
constantemente em grandeza e direo. Temos, ento, momentos flutuantes (ver figura 3c).
As foras de disperso geralmente so maiores que as de orientao e de induo, exceto no
caso de molculas polares muito fortes como as de gua. As foras de disperso ou, em
geral, as foras de van der Waals so normalmente atrativas e crescem rapidamente quando
as molculas, tomos ou corpos se aproximam uns dos outros. A relao fora-distncia
para a parte atrativa descrita normalmente por uma potncia da distncia s:
F
vdW
(s) " - 1/s
7
.
Quando as separaes s so maiores que alguns nanmetros, as foras de disperso
sofrem retardo de origem relativista, levando a um decaimento mais rpido das foras com
a distncia, que pode ser descrito por
F
ret
vdW
(s) " -1/s
8
.
Este efeito pode ser explicado da seguinte maneira. Quando dois tomos esto separados
por uma certa distncia, o tempo que leva o campo eltrico de um para chegar no outro e
voltar pode ser da mesma ordem do perodo da prpria flutuao do dipolo. Isto se deve a
que a distncia percorrida pela luz durante uma rotao de um eltron num tomo de Bohr
da ordem de
C/f
e
# 3x10
8
(m/s)/3x10
15
(c/s) $ 10
-7
m = 100 nm.
A freqncia da rbita de um eltron num tomo de Bohr de 3,3 x 10
15
c/s. Assim, na
sua volta, o campo encontra o dipolo instantneo, com uma direo diferente da original e
menos favorvel para uma interao atrativa. Como conseqncia do aumento da
separao, a energia de disperso entre os dois tomos comea a decair mais rapidamente
que r
-6
, chegando a r
-7
para r > 100 nm. Isto o que chama-se efeito de retardo e, por isso,
as foras de disperso entre molculas e partculas a "grandes distncias" chamam-se foras
retardadas. Para duas molculas no espao livre, os efeitos de retardo comeam a uma
distncia entre elas de aproximadamente 5 nm e, portanto, no so de muito interesse.
Entretanto, num meio onde a velocidade da luz menor, os efeitos comeam a distncias
menores e tornam-se importantes se a interao num meio lquido. Note-se que apenas a
energia de disperso sofre efeitos de retardo; as energias de induo ou de orientao, a
freqncia zero, no sofrem este efeito a nenhuma distncia, de forma tal que, quando a
separao aumenta, as contribuies inicialmente fracas, acabam dominando a interao.
Isto significa que, medida que a distncia aumenta, a dependncia da energia de van der
Waals entre duas molculas varia como -1/r
6
% -1/r
7
% -1/r
6
.
As foras de disperso retardadas, isto , a distncias "muito grandes" so conhecidas
pelo nome de foras de Casimir. As no-retardadas, levam o nome de foras de London.
As foras de van der Waals atrativas que agem entre dois corpos macroscpicos podem
ser calculadas em primeira aproximao, desprezando as retardadas e supondo que so
aditivas
2
. Para uma esfera (ou paraboloide) de raio R mantida a uma distncia s da
superfcie, integrando-se sobre todas as foras das molculas que compem a ponteira
suposta esfrica, chega-se a que
F
vdW
(s) = -HR/6s
2
,
onde H a constante de Hamaker, dependente das propriedades ticas dos materiais. Para a
maioria dos slidos, seu valor varia entre 0,4x10
-19
e 4x10
-19
Joules.
As foras de van der Waals j foram estudadas experimentalmente durante muito tempo
antes da inveno dos microscpios de varredura com sonda. Para isto, foram utilizados
aparelhos como o surface force apparatus, instrumento mecnico que utiliza
interferometria para medir distncias e cuja resoluo chega a 10
-8
N. Para este tipo de
medidas, o AFM capaz de conseguir resoluo de 10
-10
N.
Em condies ambiente (em ar, a temperatura ambiente), existir sempre uma pequena
camada de contaminao, como se mostra na figura 4, cobrindo a superfcie da amostra. Ela
composta por contaminantes do ar ambiente e/ou restos produzidos durante a preparao
da amostra, os quais preenchem as irregularidades da superfcie. A espessura desta camada
pode variar entre 25 e 500 , dependendo da umidade ambiente.
Quando a ponteira se move na direo da superfcie da amostra contaminada, numa certa
altura ela puxada fortemente para dentro da camada, por atrao de capilaridade. Portanto,
as foras atrativas so muito mais fortes quando existe camada de contaminao do que
quando no h. O efeito disto pode tambm ser visto quando a ponteira retrada da
superfcie. A atrao de capilaridade tende a segurar mais fortemente a ponteira. Ento, a
uma dada distncia, as foras podem ser menores quando a ponteira se move na direo da
amostra, do que no sentido contrrio.

Figura 4: Contaminao sobre uma amostra e ponteiras dentro dela.
O aspecto da ponteira fundamental para fazer uma imagem, pois, na realidade, a imagem
ser a resultante das formas da ponteira e da amostra. Uma ponteira grossa, de raio grande e
baixa relao entre comprimento e raio ou dimetro (aspect ratio) ter uma grande rea de
interface com a camada de contaminao, resultando em foras atrativas muito grandes.
Uma ponteira fina, de alta relao, ter uma rea menor de interface com a camada de
contaminao e, portanto, atrao menor de capilaridade da amostra. Uma ponteira fina
poder, ainda, entrar e sair mais facilmente da camada de contaminao, como observado
na parte inferior da figura 4.
A amostra tambm afeta a adeso entre ela e a ponteira. Algumas amostras so mais
suscetveis a uma maior contaminao do que outras. preciso levar em conta ainda que
algumas amostras desenvolvem com facilidade cargas eltricas estticas. Eletricidade
esttica sobre a superfcie da amostra pode ter efeito significativo sobre sua interao com a
ponteira, dificultando a produo de uma boa imagem.
A relao entre fora e distncia tambm pode depender da dureza da amostra. Uma
amostra mole pode deformar-se como resultado das foras exercidas pela ponteira.

1. E.Eisenschitz and F.London, Zs.Phys.60, 491(1930):Teoria Quntica para as Foras de van der Waals.
2. Ao contrrio das foras gravitacionais ou das coulombianas, as foras de van der Waals no so aditivas por pares, j que a fora entre duas
molculas afetada pela presena de todas as outras molculas vizinhas.

Suporte da sonda
A ponteira apoiada num suporte chamado cantilever que pode ter forma de V ou de
haste, em geral retangular. A fora que a amostra exerce sobre a ponteira determinada
pela deflexo do cantilever, dada pela lei de Hooke F = -k x , sendo x o deslocamento do
cantilever e k a sua constante de mola prpria, determinada pelas caractersticas de
construo. O cantilever possui duas propriedades importantes: a constante de mola e sua
freqncia de ressonncia. A primeira determina a fora entre a ponteira e a amostra
quando esto prximas e determinada pela geometria e pelo material utilizado na
construo do cantilever. Veremos mais tarde que, por exemplo, no modo de AFM contato,
usam-se cantilevers muito leves e com baixas constantes de mola.
O componente mais importante do AFM , sem dvida, o cantilever. So necessrias
grandes deflexes para atingir alta sensibilidade. Portanto, a mola deve ser to macia
quanto possvel. Por outro lado, preciso uma alta freqncia de ressonncia para
minimizar a sensibilidade a vibraes mecnicas, especialmente quando se est fazendo a
varredura. Como a freqncia de ressonncia do sistema da mola dada por
&
0
= (k/m)
1/2
,
onde m a massa efetiva que carrega a mola, claro que um grande valor de &
0
para uma
mola relativamente mole (k pequeno) pode ser conseguido mantendo pequena a massa m e,
portanto, a dimenso do sensor deve ser to pequena quanto possvel. Estas consideraes
levam diretamente idia de utilizao de tcnicas de micro fabricao para produo de
cantilevers.
Na figura 5 vemos uma imagem obtida com o SEM da COPPE (UFRJ) de um cantilever
de fabricao comercial usado no nosso laboratrio e a sua ponteira. Trata-se de um
cantilever de Si
3
N
4
de aproximadamente 210 m de comprimento no eixo maior, com
ponteira piramidal integrada.

Figura 5: Cantilever com ponteira
Visando um bom funcionamento do equipamento, tambm devem ser levados em conta
os fatores externos ao aparelho: os ambientais, como umidade e temperatura, e as vibraes
provenientes do entorno onde est localizado o aparelho, que podem vir a causar
interferncias. Algumas freqncias tpicas de fontes de instabilidades so:
Mquinas: 10-200 c/s
Trnsito na rua: 5-100 c/s.
Vibraes acsticas: ~ 20 c/s.
Equipamentos com motor: 10-50 c/s.
Ressonncias dos primeiros andares e/ou trreo: 5-50 c/s
Balano dos prdios altos: 0,1-5 c/s.
A ponteira no cantilever pode ser colada ou solidria, isto , o cantilever pode ser
diretamente fabricado com uma ponteira aguada em sua extremidade. A constante de mola
deve ser to pequena quanto possvel, visando a deteco de foras bem pequenas. Como j
mencionado, a freqncia de ressonncia deve ser bem alta, para minimizar a sensibilidade
s vibraes mecnicas. O ngulo de abertura da ponteira deve ser to pequeno quanto
possvel, para facilitar a penetrao quando se varrem reas relativamente grandes e
rugosas.
Vejamos alguns valores tpicos: para resoluo atmica, seria razovel ter um k da mola
tpico de acoplamento interatmico em slidos, que da ordem de
k
at
= &
at
2
m
at
$ 10 N/m ,
para freqncias de vibrao atmica tpicas (&
at
$ 10
13
Hz) e massas atmicas tpicas (m
at

$ 10
-25
kg).
Um cantilever com uma constante de mola menor que k
at
pode ser facilmente fabricado
com folha de alumnio. Um pedao de 4 mm de comprimento, 1 mm de largura e 10 m de
espessura, ter um k de aproximadamente 1 N/m, de acordo com a relao
k = (E/4) wt
3
/l
3
,
onde E o mdulo de Young (relao entre a fora e a deformao) e l, w e t so o
comprimento, a largura e a espessura do cantilever, respectivamente.
Uma fora de cerca de 10
-10
N torcer um cantilever como este em 1 , o que pode ser
facilmente medido. Pareceria, ento, que est tudo resolvido. Entretanto, esse tipo de
cantilever possui freqncia de ressonncia de apenas 1 kHz, muito baixa para operar em
AFM. Para aument-la, a massa deve ser reduzida consideravelmente. por isso que os
cantilevers, hoje em dia, so feitos de xido de silcio (SiO
2
), nitreto de silcio (Si
3
N
4
), ou
silcio puro, utilizando tcnicas de fotolitografia, com ponteiras piramidais ou cnicas, para
as quais conseguem-se raios menores de 300 .
Essa produo em srie possui a vantagem de fornecer muitos cantilevers com as
mesmas caractersticas, coisa essencial para reproduzir uma experincia. Cantilevers
microfabricados, com dimenses laterais tpicas da ordem de 100 a 200 m de
comprimento, de 10 a 40 m de largura e espessuras de aproximadamente 0,3 a 2 m,
possuem constantes de mola entre 0,1 e 1 N/m e freqncias de ressonncia entre 10 e 100
kHz. Os cantilevers em forma de V tm baixa resistncia mecnica s deflexes verticais e
alta resistncia s tores laterais.
Uma alta freqncia de ressonncia tem como conseqncia no sistema de AFM que ele
se torne insensvel s vibraes mecnicas de baixa freqncia, pois a transmisso de
vibraes externas de freqncia &, atravs de um sistema mecnico de freqncia
ressonante &
0
d-se atravs do fator (&/&
0
)
2
. Alm disso, uma alta freqncia de
ressonncia do cantilever permite velocidades de varredura razoavelmente altas, pois, para
a eletrnica do aparelho, possvel medir mais rpido, quanto maior for a freqncia. Isso
ocorre porque o sampling (tempo de medio da amostragem) do aparelho inversamente
proporcional freqncia.
Os cantilevers em forma de V possuem uma dureza lateral grande, se comparados com
os de forma retangular. Isso reduz a sensibilidade a foras laterais de atrito que poderiam
resultar em sria degradao das imagens, especialmente de superfcies topogrficas com
variaes grandes em altura e inclinao.
Quando um cantilever tirado da sua posio de equilbrio, aps se soltar, oscilar com
sua freqncia natural de ressonncia, determinada por suas propriedades mecnicas. Um
cantilever duro, com alto k, ir ressonar a freqncia mais alta do que outro mole, de baixo
k. Ainda mais, essa ressonncia no depende apenas do material e das dimenses do
cantilever, mas tambm das foras que agem na ponteira. Finalmente, a freqncia de
ressonncia depende tambm fortemente da massa na ponta do cantilever, isto , da
ponteira que ele suporta. Valores tpicos das freqncias prprias dos cantilevers utilizados
em AFM variam de 15 a mais de 500 kHz.
A curva de deflexo de um cantilever pode ser obtida movendo a ponteira na direo de
superfcie da amostra e medindo essa deflexo. Na figura 6, mostrada uma curva tpica de
deflexo para a ponteira se aproximando e se afastando da amostra.

Figura 6: Curva tpica de deflexo de um cantilever.

Ponteiras
As imagens de SPM derivam da combinao da superfcie da amostra e da ponteira
utilizada. Um bom entendimento da interao amostra-ponteira importante para saber
avaliar as imagens resultantes. Para isto, no apenas necessrio conhecer o material do
qual a amostra feita, mas tambm a geometria e a composio da ponteira.
1. -Ponteiras piramidais. Como j vimos, a ponteira mais comum em AFM uma
pirmide de nitreto de silcio, cuja base um quadrado de aproximadamente 5 m
de lado. O aspect ratio aproximadamente 1:1 e o raio da ponteira da ordem de
1000 . Existem tambm ponteiras piramidais de base triangular.
2. -Ponteiras por deposio qumica de vapor. Ponteiras muito finas e de alto aspect
ratio podem ser feitas com um feixe de eltrons combinado com deposio qumica
de vapor. Estas ponteiras so crescidas na extremidade de uma ponteira standard
piramidal e possuem diamante em sua composio, o que as torna muito rgidas.
Dimenses tpicas so: 1,5 a 2 m de comprimento, aspect ratio > 10:1 e raio de
100 .
3. -Ponteiras piramidais gravadas. So vendidas comercialmente, no feitio
piramidal, mas trabalhadas com cido de forma que suas extremidades fiquem
muito agudas. O aspect ratio delas de 2 a 3:1.
4. -Ponteiras cnicas de silcio. O silcio freqentemente utilizado para fazer
ponteiras sobre cantilevers ressonantes, isto , para usar com modulao em no
contato. Em contato, as ponteiras cnicas quebram mais facilmente que as
piramidais. As ponteiras assim feitas possuem raios na base do cone de 3 a 6 m e
alturas de 10 a 20 m, resultando em aspect ratios de 3:1. Os raios das
extremidades so de aproximadamente 200 . Estas ponteiras feitas de silcio tm a
vantagem ainda de que podem ser dopadas para faz-las condutoras tornado-as mais
versteis. Elas podem ser utilizadas, por exemplo, para fazer microscopia de fora
eltrica ou para prevenir cargas no desejadas na ponteira e/ou na amostra.
Resoluo e Forma da Ponteira
A resoluo lateral em uma imagem de AFM est determinada pelo espaamento da
medida e pelo raio mnimo da ponteira. O espaamento entre dois pontos nos quais se faz a
medida chama-se medida do passo e est determinado pelo tamanho da varredura e pelo
nmero de pontos por linha que varrida. Esta medida pode variar de algumas dcimas de
ngstroms at 100 m para um nmero de pontos por linha de 64 a 512. Em geral, nos
equipamentos comerciais o nmero de pontos por linha igual ao nmero de linhas da
varredura. Considerando uma imagem que tenha 500 x 500 pontos de dados para uma
varredura de 1 m x 1 m teremos uma medida de passo e, portanto, uma resoluo lateral
de 1 m/500 = 10
4
/500 = 20. A ponteira mais fina que pode ser encontrada no mercado
pode ter um raio da ordem de 50. Devido a que a rea de interao entre a ponteira e a
amostra uma frao do raio da ponteira, este tipo de ponteira fornece uma resoluo
lateral de 10 a 20. Ento, a resoluo das imagens de AFM maiores que 1 m x 1 m est
geralmente determinada no pela ponteira e sim pela medida do passo. Na realidade, a
melhor resoluo em AFM depende de como ela definida. Como j dissemos, em tica
convencional, dois pontos se consideram resolvidos se a imagem satisfaz o critrio de
Rayleigh. Em SPM a interpretao deste critrio requer que a diferena entre um vale e um
cume existentes entre duas rugosidades contguas seja no mnimo de 19% da altura total da
imagem. Para determinar a resoluo lateral experimentalmente faz-se o mesmo que com as
fontes luminosas, isto , se aproximam as rugosidades at chegar aos 19% entre picos. A
mnima separao entre duas rugosidades determina a melhor resoluo. Com esta
definio e com uma ponteira bem fina, se atingem resolues de 10 a 20. Isto est em
aparente contradio com o que dissemos que conseguamos imagens de resoluo de rede
atmica. Vejamos primeiro o STM, que consegue verdadeira resoluo atmica. A corrente
de tunelamento uma exponencial da distncia entre a ponteira e a amostra; portanto, s
interagem os tomos mais prximos. No AFM, a dependncia da deflexo do cantilever,
com a distncia ponteira-amostra mais fraca (no exponencial) e portanto, vrios tomos
da ponteira interagem simultaneamente com vrios tomos da amostra. No AFM cada
tomo da ponteira que participa na imagem "v" a amostra como uma rede peridica.
Devido a que os tomos da ponteira esto localizados lateralmente em forma diferente, a
rede vista por cada tomo diferente. E mais, cada tomo da ponteira est a uma altura
diferente com relao a amostra e a grandeza do sinal visto por cada tomo enfraquece com
a distncia. Quando todas as contribuies de todos os tomos participantes na ponteira so
combinadas instantaneamente e o resultado somado durante o tempo em que a ponteira
varre a superfcie peridica, a imagem resultante peridica, tendo a simetria e o
espaamento corretos. Entretanto, se estiver faltando um tomo, o lugar em que est
faltando no ser detectado pois a imagem uma superposio de muitas imagens. Para ter
uma real resoluo atmica deveramos poder detectar um tomo. Portanto, gerar uma
imagem em escala atmica com um AFM no significa que obtivemos resoluo atmica.

Operao do AFM sem modulao
O AFM mede as foras entre a amostra e a ponteira, visando a gerao de imagens da
superfcie da amostra. H dois mtodos para medir estas foras, que dependem de se o
cantilever est sendo modulado ou no. No AFM sem modulao, um sensor detecta a
deflexo do cantilever. A fora aplicada sobre a amostra pela ponteira calculada pela lei
de Hooke.

Figura 7: Mtodo de deteco sem modulao.
Na figura 7, est representado o sistema de deteco com luz de laser, refletida pela parte
de cima do cantilever e detectada por um fotodetector de quatro segmentos (dos quais s
vemos dois). A fora que o raio de luz exerce sobre o cantilever desprezvel.
Este mtodo muito sensvel a asperezas na superfcie da amostra. Entretanto, tem a
desvantagem de que o cantilever pode esquentar, mudando sua reflexo. Por isso, usa-se,
em geral, laser de HeNe que garante aquecimento desprezvel. Quando o cantilever se
move, devido a mudanas na topografia da amostra, a luz que ele reflete se move sobre o
fotodetector. O quanto o cantilever se moveu pode ser calculado a partir da diferena na
intensidade de luz nos setores do fotodetector.
As mudanas na sada do fotodetector so utilizadas para ajustar uma cermica
piezeltrica na direo vertical z, cujo valor registrado em funo das coordenadas (x,y),
para depois ser traduzido em topografia z(x,y). As coordenadas x,y tambm so
monitoradas atravs de voltagens aplicadas nas cermicas piezeltricas colocadas nos
drives x e y do scanner, assim como em z.
O controle de movimentos em distncias to pequenas possvel graas ao uso de
cermicas piezeltricas. Em estes materiais ocorre uma mudana em suas dimenses
quando aplicado um campo eltrico. As cermicas so fabricadas em uma grande
variedade de formas, em geral de um conglomerado de pequenos cristais de titnio,
zircnio e chumbo. Para torn-las piezeltricas, necessria a aplicao de uma voltagem
muito alta para alinhar os momentos eltricos de regies espontaneamente polarizadas.
Assim, as cermicas passam a possuir momento dipolar lquido e respondero linearmente
pelo menos em princpio a um campo eltrico ou a um stress, sempre que estes
estmulos no estejam por cima daqueles utilizados para polariz-las.
Cada tipo de cermica possui um nico coeficiente de expanso que permite calcular a
distoro produzida pela aplicao de um potencial. Os coeficientes variam de 1 a 3000
/Volt. Assim, as cermicas permitem a localizao exata da ponteira. Por exemplo, se o
coeficiente 1 /V, a cermica ir se expandir 0,1 se aplicarmos 100 mV. O processo
realizado por meio de um circuito de realimentao acoplado s cermicas, com o objetivo
de obter um mecanismo de posicionamento. A figura 8 mostra um esquema do circuito.

Figura 8: Circuito de realimentao para posicionamento de um piezeltrico.
Com um circuito como este, o sensor (no caso, a ponteira) pode ser mantido a uma
distncia fixa da superfcie. Quando a ponteira se move na direo da superfcie, aumenta a
sada da eletrnica a ela acoplada. O amplificador diferencial compara o valor aumentado
com o valor de referncia e envia uma sada de correo de voltagem que excita o
piezeltrico para contra-lo e, assim, afast-lo da superfcie. O integrador (basicamente um
capacitor) serve para "suavizar" a realimentao, pois a correo seria um pulo ou "golpe"
de voltagem sobre o piezo. O processo denominado mtodo de fora constante e
anlogo ao que ocorre em um sensor de tunelamento. Neste caso, quando a ponteira se
move na direo da superfcie, a corrente cresce e o circuito faz que a cermica se contraia,
mantendo a ponta a uma distncia fixa da superfcie.

Figura 9: Esquema de um microscpio de varredura.
Com um sistema de realimentao como esse, o funcionamento do nanoscpio torna-se
simples. Esquematicamente, um microscpio de sonda de varredura sem modulao como
o mostrado na figura 9.
Um "rastreador" movimenta a ponteira no plano x,y. A eletrnica da ponteira realiza a
realimentao e mantm constante a distncia ponteira-amostra de forma tal que a fora
permanea constante. Um computador armazena e processa os dados, alm de capturar o
sinal de erro que opera o mecanismo de posicionamento.
As imagens da superfcie so geradas passando o sensor sobre ela, armazenando os sinais
de sada dos drivers que movimentam os piezeltricos no computador, que finalmente os
transforma em imagens.
O piezeltrico usado na varredura, deve ser otimizado com relao a vrios itens. Para
uma operao estvel de varredura, os piezeltricos devem ser sensveis e estveis. Existem
diferentes tipos de scanners que diferem na forma e, logicamente, nas propriedades: h os
que tm forma de tubo, com altas freqncias de ressonncia e desenho mais rgido e os em
forma de tripoide que possuem maior alcance de varredura mas so menos estveis. Altas
freqncias de ressonncia so requeridas com o propsito de aumentar a velocidade de
varredura sem o risco de apario de vibraes esprias.
Os drives dos piezeltricos, por sua vez, devem possuir alta sensibilidade e conseguir
grandes reas de varredura para uma mesma voltagem aplicada. Grandes reas de varredura
so teis, tanto para ver estruturas superficiais de grande escala, quanto para checar o quo
representativas so as estruturas superficiais observadas em pequena escala. Por outro lado,
se no houver necessidade de grandes reas de varredura, a voltagem de sada da eletrnica
para os drives do piezeltrico pode ser diminuda, obtendo-se, assim, maior sensibilidade.
Existem vrios outros fatores que contribuem para a estabilidade e a sensibilidade de
operao de um nanoscpio.
O acoplamento dos movimentos dos piezodrives x, y e z, mais conhecido por cross-talk,
deve ser o menor possvel. Entre as trs direes ortogonais de movimento, o cross-talk
est sempre presente nos scanners, independentemente de sua geometria (tripoides ou
tubos). Esse efeito pode tornar-se significativo quando se varrem grandes reas, j que
introduz distores nas imagens.
A histerese, a no linearidade e o creep, so outros fatores que introduzem distores e
portanto devem ser minimizados. A histerese do piezeltrico pode causar distores muito
significativas nas imagens, quando se varrem grandes reas. Baixa histerese dieltrica
significa que a contrao e dilatao devem ser efetuadas praticamente pelo mesmo
caminho. Isto pode ser visualizado desenhando um grfico de deslocamento dieltrico D
(proporcional polarizao), em funo do campo eltrico E. As no linearidades aparecem
quando se aumenta a voltagem (diminui a sensibilidade) do piezeltrico para varrer reas
maiores. Ser linear significa ter a mesma relao dilatao/contrao, em funo da
voltagem aplicada e para qualquer voltagem.
O creep uma deformao da superfcie. Os elementos piezeltricos mostram um lento
creep logartmico aps uma mudana rpida de voltagem. Este creep causado por um
lento reordenamento de domnios ferroeltricos. A cermica continua a deformar-se depois
de acabado o estmulo. Se L o comprimento do piezeltrico, o creep dado por 'L/L = a
+ b ln t , onde a e b so constantes e t o tempo. Ento, o creep do piezeltrico introduz
distores nas imagens a mais longo tempo que os efeitos anteriores, devido dependncia
logartmica com t. As distores causadas por histerese e creep podem ser reduzidas por
uma escolha apropriada das cermicas piezeltricas, ou eletronicamente, introduzindo
elementos capacitivos. Como alternativa, as distores podem ser eliminadas por uma
correo da varredura por software, posterior aquisio da imagens. O assunto, entretanto,
ser abordado com mais detalhes no captulo sobre artefatos.

Mtodos com modulao
Modular significa introduzir modificaes de alguma propriedade ou grandeza,
utilizando um sinal de uma certa freqncia (em geral, alta). Nesta tcnica, modula-se a
freqncia do cantilever, geralmente, montando na sua base uma cermica piezeltrica, a
qual submetida a uma voltagem de corrente alternada capaz de causar oscilao. A
relao entre a oscilao da entrada e a do cantilever depende de sua freqncia de
oscilao ressonante. Na figura 10 mostra-se a amplitude e o deslocamento de fase da
oscilao de um cantilever em funo da freqncia de oscilao de entrada. Quando
aplicada uma freqncia mais baixa que a freqncia de ressonncia do cantilever, seu
movimento dado pela oscilao de entrada, como se mostra na figura 10a. Quando a
freqncia aumenta, aproximando-se da ressonncia, o cantilever oscila para cima e para
baixo a uma amplitude maior, para a mesma voltagem aplicada ao piezeltrico, como
mostrado na figura 10b. Passando a freqncia de ressonncia, o cantilever se atrasa em
relao ao sinal de entrada.

Figura 10: Amplitude e deslocamento de fase em funo da freqncia de oscilao
Por exemplo, quando a cermica piezeltrica atinge o topo de uma oscilao e comea a
descer, o cantilever est ainda subindo.
O atraso na oscilao do cantilever em relao entrada um phase shift que, a freqncias
ainda maiores, pode chegar a 180 . A amplitude, por sua vez, pode diminuir a nveis muito
baixos. Isto mostrado na parte c da figura 10. A amplitude e o deslocamento de fase como
funo da freqncia esto apresentados na figura 10d.
A oscilao do cantilever tambm depende da distncia at a amostra. Em outras palavras,
depende da fora que age sobre ele, pois quanto mais perto da amostra, menor a
freqncia de ressonncia, isto , o cantilever comporta-se como se a sua massa aumentasse
com a

Figura 11: Mudana de freqncia de ressonncia nas proximidades da amostra.
proximidade da amostra. Ou seja, quando a ponteira se aproxima da superfcie, a fora
entre ela e a amostra causar um deslocamento da freqncia de ressonncia, como
mostrado na figura 11. Esta variao de freqncia, em fase ou amplitude, utilizada na
medio da fora (e/ou para controlar a realimentao) quando se modula o cantilever.

Mtodos de realimentao
O circuito de realimentao do AFM controla o movimento da cermica piezeltrica na
direo z (perpendicular superfcie), assim como a aquisio de dados nessa direo. H
basicamente dois mtodos de realimentao em AFM: aquele no qual o cantilever no
oscila e aquele em que se utiliza o deslocamento de fase e/ou a variao

Figura 12: Loop de realimentao sem oscilao.
da amplitude. No primeiro, a sada do sensor utilizada para ajustar a cermica
piezeltrica z e gerar dados nessa direo, como se mostra na figura 12.
A variao na fase ou na amplitude associada com a oscilao do cantilever perto da
amostra pode ser utilizada para controlar o loop de realimentao em AFM. Nesse caso, o
cantilever oscila, e a sada oscilante do fotodetector comparada com a oscilao de
entrada atravs de um loop de phase-lock. A sada proporcional variao na amplitude
ou na fase, e utilizada para controlar a realimentao que vai cermica, assim como para
gerar os dados na direo z. O circuito para realizar esta operao mostrado na figura 13.

Figura 13: Circuito de realimentao para o cantilever oscilante.

Modos de fazer imagens em AFM
Como j dissemos, o AFM pode ser operado de diversos modos, os quais fornecem
grande variedade de opes para a construo de imagens de diferentes tipos de amostras,
gerando diferentes tipos de informao.
Globalmente, os modos de fazer imagens podem ser classificados em dois tipos
operao em contato ou em no-contato dependendo das foras lquidas entre a ponteira e
a amostra. Quando o aparelho operado na regio atrativa, o mtodo chama-se no-
contato. Nesta regio, o cantilever de AFM se enverga na direo da amostra. A operao
na regio repulsiva chama-se contato e o cantilever se dobra, afastando-se da amostra. Na
figura 14 mostrada a deflexo do cantilever em ambos modos. No modo de no-contato
ele atrado pelas foras de capilaridade da camada de contaminao ou pelas foras de
van der Waals, quando a amostra limpa. No modo de contato, v-se como a deflexo do
cantilever na direo oposta da amostra.

Figura 14: Deflexo do cantilever operando em no-contato e em contato.

Figura 15: Regimes de operao.
Na figura 15 esto representadas as duas regies que determinam os modos de operao
do AFM.

Modo D.C. Contato
Este o mtodo mais utilizado para fazer imagens em AFM. Possui as seguintes
caractersticas:
A fora repulsiva e o cantilever, em geral em V, mole, para conseguir uma boa flexo
sem deformar a amostra. As constantes de mola dos cantilevers moles mais usados variam
entre 0,02 e 0,05 N/m. Eventualmente, podem ser utilizados cantilevers duros. Entretanto,
devem ser operados a altas foras. Neste caso, durante a aproximao da ponteira, o
cantilever puxado fortemente para a superfcie, podendo distorc-la ou danific-la se a
amostra for mole. As constantes de mola dos cantilevers duros mais utilizados variam entre
20 e 80 N/m.
A realimentao por deslocamento da ponteira. Na operao standard, este deslocamento,
que produzido pela deflexo do cantilever respondendo topografia da amostra,
utilizado pelo loop de realimentao para ajustar a cermica piezeltrica z, de forma tal que
a fora entre a ponteira e a amostra se mantenha constante. A voltagem requerida
utilizada como dado na direo z para fazer a imagem. Como j dissemos, este o modo de
fora constante que tambm chama-se de varredura lenta. Se a varredura for muito
rpida ou se o loop da realimentao for desligado, a cermica no conseguir seguir a
forma da superfcie da amostra. Neste caso, a sada do sensor (que reproduz da deflexo do
cantilever) utiliza-se diretamente para gerar a topografia. Este modo chama-se de fora
varivel ou de varredura rpida, ou ainda, de altura constante.
O modo de fora constante til para uma ampla variedade de aplicaes. Pode ser
utilizado tanto com amostras duras quanto com moles, embora as amostras moles
requeiram o uso de cantilevers moles e foras fracas.
A fora constante utilizada quando existem mudanas significativas na altura da amostra
sobre a rea varrida. A fora varivel utilizada em reas muito pequenas, com amostras
muito planas, tais como corrugaes atmicas. Este modo muito eficiente tambm para a
construo de imagens de amostras submersas. Quando uma amostra est em um meio
lquido, no h menisco de contaminao entre a ponteira e a superfcie. Logo, pode ser
feita uma imagem com foras muito fracas. O processo til para preservao de amostras
mais moles.

nterpretao das superfcies medidas por microscopia de fora
constante
A inveno e desenvolvimento do AFM com a conseqente capacidade de resoluo
atmica no modo de contato levou certamente a uma nova percepo das foras
interatmicas que agem em sistemas que devem ser tratados por mecnica quntica.
Historicamente, e em certa medida, o conceito de fora na Fsica e na Qumica Qunticas
foi deixado de lado. Do ponto de vista da teoria quntica, isto deve-se ao fato de que as
foras no so constantes de movimento, pois no comutam com os Hamiltonianos. Em
conseqncia, as foras so, na maioria dos casos, tratadas como gradientes das funes de
energia potencial, as quais sim, so consideradas fundamentais.
Do ponto de vista experimental, sempre foi mais difcil medir foras do que nveis de
energia para sistemas microscpicos. A inveno do microscpio de fora contribuiu, sem
dvida, para o aumento do interesse pelas foras agindo nesses sistemas.
A relao fundamental entre fora e energia, dada pelo teorema de Hellmann-
Feynman
1
. A expresso obtida para a fora atmica possui duas componentes. A primeira,
F
ion
, se origina na repulso coulombiana entre caroos de ons. A segunda, F
el
, devida
interao dos eltrons de valncia com os caroos dos ons. Para pequenas separaes entre
a ponteira e a superfcie, a fora repulsiva F
ion
maior que a F
el
(em mdulo) e varia mais
rapidamente com a posio do tomo mais externo da ponteira do que F
el
. Ento, se espera
que o AFM operado no modo de contato repulsivo seja muito sensvel interao
coulombiana repulsiva entre os caroos de ons da ponteira e os da superfcie da amostra.
Em conseqncia, espera-se tambm que o AFM explore diretamente a posio dos caroos
de ons, o que no acontece, por exemplo, no STM. Neste caso, o contraste observado
dominado pela estrutura eletrnica superficial local, perto do nvel de Fermi, a qual pode
diferir significativamente do arranjo geomtrico dos caroos de ons.
Quando se aumenta a separao entre a ponteira e a amostra, (F
el
(

decai mais
lentamente que (F
ion
(

e F
total
= F
ion
+ F
el
muda de sinal, resultando numa fora lquida
atrativa. Neste regime, o AFM sondar principalmente a distribuio da densidade de carga
total na superfcie da amostra, em vez da repulso on-on.
Grande parte dos estudos por AFM so realizados na regio de fora repulsiva forte.
Entretanto, a fora repulsiva medida sobre o tomo mais externo da ponteira , em geral,
menor que a esperada, pois as foras atrativas de van der Waals de longo alcance sentidas
pelos tomos mais internos da ponteira (que esto mais longe da amostra) podem contribuir
significativamente para a fora total que age sobre a ponteira. Ento, a fora repulsiva
parece menor do que realmente . Inclusive, quando a ponteira possui raio grande, de cerca
de 1000 , a contribuio destas foras atrativas de longo alcance pode ser at maior que
10
-8
N (da ordem das repulsivas). Pode ocorrer ainda que quando nos afastarmos da
superfcie, enquanto a fora total da ponteira deveria ser atrativa devido distncia
ponteira-amostra, os tomos mais externos da ponteira, podem ainda estar em um regime de
fora repulsiva forte, levando eventualmente a uma deformao local da superfcie,
especialmente no caso de materiais elsticos moles.
Em resumo, se espera que as medidas com AFM no regime de contato explorem
fundamentalmente as foras de repulso on-on, que decaem rapidamente com o aumento
da separao ponteira-superfcie.
A forte dependncia com a distncia das foras repulsivas on-on, fornece a chave para a
grande resoluo espacial atingida pela microscopia de fora de contato.

1. Quantum Theory of Molecules and Solids. John C.Slater. McGraw-Hill,1963. Biblioteca do CBPF: 530.4 s631

Resoluo espacial em microscopia de contato
Experimentalmente j foi mostrado que a periodicidade em escala atmica pode ser
resolvida por AFM no modo de contato para diversos tipos de materiais, como grafite, BN,
metais de transio dicalcognicos, mica, cristais inicos como LiF, NaCl, AgBr, KBr e
metais como Au. Para materiais em camadas, tais como grafite, a periodicidade em escala
atmica foi resolvida com foras de carga de 10
-8
a 10
-7
N.
Supondo uma ponteira de extremidade monoatmica, foi mostrado teoricamente que as
foras repulsivas de aproximadamente 10
-8
N tm capacidade de produzir uma deformao
compressiva elstica da superfcie do grafite e que foras maiores podem levar destruio
da superfcie pois a ponteira monoatmica pode furar a superfcie.
Nas figuras 16, 17, 18 e 19, mostram-se diversas imagens de resoluo atmica.

Figura 16: Resoluo da rede atmica dos tomos de grafite (carbono ordenado
exagonalmente) em duas dimenses.


Figura 17: Resoluo atmica em trs dimenses, de um filme de NH
12
.

Figura 18: Resoluo atmica em trs dimenses, de Cu[L-alamina2].


Figura 19: Resoluo atmica de tomos de Silcio.
Para explicar as imagens de resoluo atmica de AFM obtidas com foras de carga da
ordem de 10
-7
N ou maiores, supe-se que, na realidade, a extremidade da ponteira
composta por vrios tomos. Em particular, foi sugerido que a ponteira de AFM poderia
arrancar uma lasca do grafite, a qual poderia ser arrastada pela superfcie enquanto est
acontecendo a varredura. Neste caso, o AFM no faria a imagem de tomos individuais mas
sim dos vrios mximos de repulso entre os tomos da parte arrancada pela ponteira de
grafite e os da clula unitria da superfcie de grafite. O procedimento levaria a melhorar a
imagem, pois aumentaria a fora. Ainda mais, para ponteiras multiatmicas, a fora por
tomo pode ser suficientemente pequena e no causar danos na superfcie. Tal mecanismo
de fazer imagens, poderia tambm explicar os resultados obtidos para outros materiais em
camadas, como nitreto de boro e mica, onde s a periodicidade da clula unitria
resolvida, em vez da estrutura atmica ou molecular dentro da clula unitria.
Alternativamente, foi proposto que para BN, o AFM apenas sensvel aos tomos N,
mais "duros" e, portanto, no faz a imagem dos tomos de B , mais "macios", apesar de eles
serem de maior tamanho. De qualquer forma, para uma fora de carga de 2x10
-7
N, medida
experimentalmente sobre BN, ela parece estar distribuda sobre vrios tomos e o
argumento de fazer imagens preferencialmente de stios N, no se aplica.
Os estudos por AFM de cristais inicos provam que a periodicidade em escala atmica
observvel tambm para materiais que no so em camadas, nos quais o contraste em
escala atmica no pode mais ser explicado pelo arraste contra a superfcie da amostra de
uma lasca colada na ponteira. As imagens de AFM de superfcies de cristais inicos
somente mostram tambm a periodicidade de clula unitria. Isto foi explicado em funo
da feitura de imagens preferencialmente de stios ocupados pelos ons negativos fortemente
carregados, como o caso de F
-
, Cl
-
e Br
-
.
Para uma demonstrao conclusiva da habilidade de resoluo atmica da microscopia
de contato, muito importante a observao de defeitos na superfcie, como veremos mais
adiante. A fora de interao deve estar altamente localizada no espao, oferecendo a
possibilidade de explorar stios de um tomo (como feito em STM). De qualquer maneira,
deve ser sempre levado em conta que a resoluo em um SPM est determinada por
diferentes fatores, j que este microscpio aumenta nas trs direes. A resoluo no eixo z
est limitada pelo nvel de vibraes entre a ponteira e a superfcie. H j diversos
mecanismos para estabilizar estas vibraes at uma frao de ngstrom. No plano x,y, a
mxima resoluo alcanada depende da geometria da ponteira.


Figura 20: Caracterizao de uma ponteira.

Quando varremos superfcies muito planas, a resoluo determinada pelo dimetro do
tomo (ou tomos) da extremidade da ponteira. Esta medida, mostra-se como sendo d na
figura 20. L/W o aspect ratio.
A estrutura macroscpica da ponteira no ento crtica quando fazemos resoluo
atmica. Por outra parte, quando se trata de ver grandes superfcies, a qualidade da imagem
depende da geometria da sonda, como pode ser visto na figura 21. O dimetro e o aspect
ratio da ponteira so crticos.

Figura 21: Imagem resultante do tipo de ponteira utilizado na varredura.
Pelo nmero de parmetros que intervm na feitura de uma imagem, vemos claramente que
difcil definir o que seja resoluo em um microscpio de varredura por sonda. Vejamos
um exemplo disto na figura 22.
A amostra consiste em um par de agulhas bem finas, separadas por uma distncia d. A
imagem delas feita com uma ponteira parablica de raio R na extremidade. J que a
amostra mais afiada do que a sonda, a imagem resultante uma dupla de ponteiras
invertidas. A interseo destas superfcies define uma pequena cavidade de profundidade
'z entre as agulhas, que est determinada pela forma e medida da ponteira, alm da
distncia de separao d entre as agulhas.

Figura 22: Resoluo dependente das formas da ponteira e da amostra.
Uma definio de "resoluo" a mnima separao d para a qual a cavidade 'z maior
que o rudo do instrumento. Isto o anlogo mais prximo da definio de Rayleigh de
resoluo em microscopia tica.
A dificuldade de definir uma idia simples como aparenta ser a de resoluo mostrada
na parte b. Quando a diferena em altura entre as duas agulhas cresce, a profundidade da
cavidade diminui, de forma tal que as duas agulhas, "resolvidas" quando suas alturas so
aproximadamente iguais, podem no estar resolvidas quando possuem alturas diferentes.
Este exemplo mostra que a resoluo em AFM, diferentemente da microscopia tica, uma
funo da diferena de alturas entre objetos adjacentes e, portanto, deve ser definida de
acordo com o objeto do qual se quer fazer a imagem. Isto conseqncia da natureza no
linear da aquisio de imagens em AFM.
Usando a definio precedente, a separao mnima resolvida d, que resulta para uma
cavidade 'z, para agulhas cujas alturas diferem em 'h e so varridas por uma ponteira
parablica, dada por
d = (2R)
!
('z
!
+ 'z
!
+ 'h),
para d > (2R'h)
!
. Para objetos da mesma altura, uma ponteira parablica com um raio na
extremidade de 10 nm e uma profundidade de cavidade detectvel de 0,5 nm resulta uma
separao mnima resolvida d = 6,4 nm. Se a diferena de alturas fosse de 2 nm, a
separao mnima resolvida seria em torno de 12,5 nm.
Devemos salientar que a definio utilizada para estes clculos s serve para superfcies
rgidas. Na prtica, a amostra tende a se deformar sob a presso da ponteira e a resoluo
verdadeira pode ser melhor ou pior que a dada pela frmula anterior, dependendo da
geometria da amostra e de suas propriedades elsticas.

Microscopia de fora lateral
O LFM (Lateral Force Microscopy) uma modificao do modo standard DC-contato de
fazer imagens, com a qual a imagem feita a partir da medio das foras laterais sobre a
amostra movendo o cantilever de forma tal que a varredura na direo perpendicular ao
eixo principal dele. Assim, visualizam-se variaes de atrito na superfcie e tambm
aumenta-se o contraste nas bordas. Este modo chama-se tambm microscopia de fora de
atrito (FFM, Frictional Force Microscopy).
O regime de fora e os cantilevers utilizados em LFM so similares queles usados na
forma convencional de fazer imagens topogrficas por contato: A fora repulsiva e o
cantilever relativamente mole.
A microscopia de fora lateral trabalha com um princpio similar ao de fora varivel, no
qual os movimentos do cantilever, em resposta a variaes na topografia da superfcie, so
detectados por variaes na corrente do fotodetector. O que se usa para fazer a imagem de
fora lateral a variao da corrente de sada do detector. J a topografia feita em fora
constante e usa-se a voltagem para manter a distncia ponteira-amostra. Isto feito a partir
da medio da diferena entre a sada das metades superior e inferior do fotodetector de
quatro setores. Quando o cantilever entortado no eixo z, as quantidades relativas de luz
que batem nas metades superior e inferior mudam, fornecendo assim dados topogrficos.
Os dados de fora lateral so obtidos com o monitoramento da diferena entre os sinais dos
lados esquerdo e direito do fotodetector. Quando o cantilever se move (toro ao redor do
seu eixo principal) devido a variaes na fora lateral sobre a ponteira de AFM, a
quantidade relativa de luz que bate sobre essas metades muda, fornecendo os dados de
LFM para fazer as imagens. Como a sada dos quatro setores pode ser detectada simultnea
e separadamente, os dados de topografia e fora lateral podem ser obtidos durante a mesma
varredura. O valor da fora de carga calculado a partir dos dados de sada das metades
superior e inferior do fotodetector que fornecem a deformao da cermica piezeltrica z.
Quando o LFM utilizado em conjunto com o modo de topografia, mostra variaes no
material e aumenta o contraste nas bordas. Ento, ele pode ser usado para ajudar na
interpretao de imagens, assim como para estudos de tribologia (efeitos de contato).

Atrito
O estudo da capacidade de controlar o atrito e reduzir o desgaste de um material
comeou com Leonardo da Vinci no sculo XV. Isto deve-se necessidade de aumentar a
eficincia de partes mveis de mquinas e equipamentos. O desgaste durante o contato de
duas superfcies se produz pela deformao plstica das rugosidades. Nesse contato, h uma
fora devida adeso, com ou sem carga, e outra devida atrao entre os materiais,
mesmo sem movimento; isto pode ser classificado como atrito esttico. O atrito dinmico
ocorre quando dois corpos em contato se pem em movimento relativo entre eles. O que
est claro at hoje em relao ao atrito entre duas superfcies que ele no depende apenas
do material do qual so feitas as superfcies atritantes mas de diversos outros fatores entre
os quais esto o material da interface, o tempo de contato, a velocidade relativa entre as
superfcies e a temperatura e umidade do ambiente.
A teoria de atrito regida pelas velhas leis de Amonton (1706) que dizem que a fora de
atrito F
at
proporcional fora de carga F
c
e independe da rea aparente de contato:
F
at
= F
c
,
onde o coeficiente de atrito.
Para explicar esta relao, devemos considerar as propriedades estruturais da interface de
contato. Como as superfcies em geral possuem rugosidade, pelo menos em escala
microscpica, a rea real de contato limitada a pontos discretos da interface entre os dois
corpos. Parece ento razovel supor que a fora de atrito proporcional rea real de
contato A:
F
at
= f A ,
onde a constante de proporcionalidade f (shear strength) a "fora" (tem unidades de
presso) compartilhada da juno, que tem como resultado que duas superfcies em contato
escorreguem paralelamente ao plano de contato entre elas.
Foi mostrado que para uma superfcie rugosa com uma distribuio normal de alturas de
rugosidades, a rea real de contato, quando uma superfcie pressionada contra outra
superfcie plana e suave, deve ser sempre proporcional carga, qualquer que seja a lei de
deformao ou a forma das asperezas:
A " F
c
.
Combinando as duas equaes anteriores, obtemos a proporcionalidade da fora de atrito
com a fora normal de carga.
Macroscopicamente, para derivar esta lei partiu-se de uma descrio estatstica da
rugosidade da superfcie para os dois corpos em contato. Microscopicamente, se usarmos
uma ponteira apropriada, em contato com a superfcie a ser estudada, podemos esperar
atingir um conhecimento experimental dos fenmenos de atrito em funo das foras
agindo no sistema e das reas envolvidasescala nanomtrica. A geometria oferecida pelo
AFM idealmente apropriada para esta finalidade.

Figura 23: Ao das foras sobre o cantilever.
Alm de medidas de fora normal superfcie da amostra, por deteco da deflexo do
cantilever nesta direo, ento tambm possvel estudar as foras laterais ou de atrito,
detectando a toro causada ao cantilever pela varredura. Na figura 23, mostram-se a
deflexo e a toro do cantilever.
Existem vrios mtodos de deteco, mas o procedimento mais utilizado atualmente o
j explicado mtodo de medio da variao de quantidade de luz que chega aos quatro
quadrantes do fotodetector.

Figura 24: Imagens de uma amostra padro. Na parte superior topografia e na inferior fora
lateral.
Na figura 24 mostram-se duas imagens feitas da mesma amostra, uma no modo de
topografia e a outra em fora lateral. Nestas varreduras pode ser vista a grande diferena
que aparece nas bordas da amostra, ressaltadas pelo mtodo de operao.

Stick-slip
Atrito em escala atmica foi observado por primeira vez com uma ponteira de tungstnio
varrendo uma superfcie de grafite. Viu-se que o processo de deslizamento da ponteira
sobre a superfcie no em geral uniforme, mostrando um comportamento de stick-slip,
isto , "cola-desliza". Este movimento um dos grandes fatores de desgaste das superfcies.
O stick-slip pode ser irregular ou ter um comportamento peridico mas a fora de atrito
sempre maior na parte esttica, isto quando as duas superfcies esto coladas. Quando a
fora restauradora do cantilever entortado se faz grande o suficiente para ultrapassar o
atrito esttico, a ponteira comea a deslizar sobre a superfcie, em incrementos discretos. O
deslizamento ocorre instantaneamente dentro da escala de tempo resolvida
experimentalmente de 200 s, enquanto que, entre um deslizamento e outro, a ponteira se
move solidria com a superfcie. No caso da ponteira de tungstnio sobre grafite foi
observado que os deslizamentos mostram a mesma periodicidade espacial que a superfcie
de grafite, levando concluso de que a estrutura superficial atmica influencia as
propriedades de atrito da interface ponteira-amostra.
Observaes similares foram feitas em mica e viu-se que a fora de atrito varia com a
periodicidade da camada hexagonal das unidades de SiO
4
. Os fenmenos de stick-slip
foram tambm estudados em simulaes moleculares dinmicas de um sistema ponteira-
substrato do mesmo material (silcio), varrido um contra outro em condies de fora
constante.
O coeficiente de atrito microscpico medido, entre a ponteira de tungstnio e a amostra
de grafite da ordem de 0,01 e aumenta pouco quando se aumenta a fora de carga. Este
comportamento, que tem uma relao no linear entre a fora de atrito e a de carga, foi
explicado dentro da teoria de primeiros princpios para atrito em escala atmica, em 1990,
por Zhong e Tomnek
1
.
Por outro lado, estudos tericos recentes levam concluso de que, para uma dada fora
de carga, o coeficiente de atrito e, portanto, tambm a fora de atrito, dependem fortemente
do potencial de interao entre os dois materiais em contato e, situao ainda mais crtica,
dependem da constante intrnseca k de mola do cantilever. A mola efetiva deve ser
suficientemente macia para que no acontea atrito por baixo de um valor crtico k
crit
para
uma dada fora de carga. Assim, a fora de atrito medida depende dos parmetros de
construo do equipamento de LFM. Entretanto, para uma dada constante de mola, a fora
de atrito nula, a menos que se exera um mnimo de fora de carga.
A figura 25 mostra um sistema bsico de duas superfcies em contato e o circuito
mecnico equivalente. importante salientar a diferena entre F e F
0
, pois a fora
detectada F, e no a verdadeira fora de atrito F
0
. Elas esto acopladas de forma tal que
dependem da construo mecnica do sistema como, por exemplo, as rodas de um carro,
que esto ligadas ao motor por um eixo. Na parte de cima da figura, o acoplamento se faz
via o material que suporta a superfcie superior, o que pode ser assimilado a uma mola de
massa M e constante K, como se v na parte inferior. A fora F
0
gerada entre as
superfcies, mas medida em outro lugar, como sendo F=(x-x
0
)K.

Figura 25: Esquema de duas superfcies se atritando.
O processo de stick-slip da maior importncia em tribologia pois, como j dissemos, ele
o principal responsvel por danos e desgaste em partes mveis. Este processo mais
comum do que se pensa e a sua manifestao de maior destaque a sonora com, por
exemplo, nas cordas de um violino, numa porta barulhenta ou mesmo num terremoto.
Na parte 1 da figura 26, vemos o modelo tradicional para este processo
2
e que vale para
materiais cuja dureza elstica no muito grande. Deslizamentos rpidos podem acontecer
sempre que uma aspereza em uma das superfcies passa pelo topo de uma aspereza sobre a
outra superfcie.

Figura 26: Foras de atrito real (F
0
) e medida (F) e suas dependncias com a velocidade V
0
na
superfcie.
Como se mostra na figura, o comprimento do slip depende da altura da aspereza e de sua
inclinao, da velocidade do deslizamento e da condescendncia elstica das superfcies.
Em todos os casos de movimento stick-slip, a velocidade V de varredura pode ser
constante, mas o movimento resultante nas superfcies dado pela velocidade V
0
, pode
apresentar grandes deslizamentos, como se mostra no grfico interior da figura anterior.
Este tipo de stick-slip leva apenas a flutuaes do tipo rudo, provenientes de imperfeies
nas superfcies e no de interao intrnseca entre as duas superfcies. Na realidade, em
nvel atmico, as corrugaes (atmicas) das superfcies podem dar como resultado um
movimento peridico de stick-slip que pode ser medido por AFM como j foi visto quando
discutimos a resoluo atmica.
O segundo mecanismo, tambm clssico (ou tradicional) est representado na parte
inferior da figura 26. Ao contrrio do anterior, o atrito depende da velocidade. Na figura,
mostra-se o deslocamento x
0
da superfcie, a uma velocidade V
0
=dx
0
/dt, onde h uma fora
de atrito F medida em funo do tempo t, para superfcies cuja fora real de atrito F
0
, em
geral funo de x
0
, V
0
e t. No exemplo, a fora de atrito real F
0
cresce monotonamente (A),
permanece constante (B) ou decresce (C), em funo de V
0
. Somente quando F
0
(V
0
) tem
uma inclinao negativa (caso C), o movimento resultante do tipo stick-slip, caracterizado
por movimentos muito diferentes.
Este ltimo o tipo de stick-slip mais estudado e, at pouco tempo atrs, era considerado
o nico mecanismo intrnseco. Se a fora de atrito decresce com o aumento da velocidade
de deslizamento, a fora F
s
necessria para iniciar o movimento ser maior que a fora
F
k
necessria para manter o movimento. Tal situao o caso C da figura, onde a fora de
atrito intrnseca F
0
diminui com o aumento da velocidade de deslizamento V
0
. Como
resultado disto, a superfcie que desliza (bloco M), o faz numa forma peridica, onde, a
cada ciclo, uma rpida acelerao seguida de uma rpida desacelerao (curvas para x
0
e
V
0
na figura). Quando a varredura continua a uma velocidade constante V, as superfcies
continuam se movendo em forma peridica, com paradas e recomeos bruscos, cujas
freqncia e amplitude dependem no s da funo F
0
(V
0
) mas tambm da dureza K, da
massa M da parte em movimento e das condies iniciais em t=0. Mais precisamente, o
movimento entre as superfcies pode ser determinado resolvendo a seguinte equao
diferencial:
M )
2
x
0
/)t
2
= F
s
= F
0
-F = F
0
- (x
0
-x)K
ou M )
2
x
0
/)t
2
+ (x
0
-x)K - F
0
= 0 ,
onde F
0
=F
0
(x
0
,)x
0
/)t,t) a fora de atrito intrnseca, real, na juno das superfcies, F a
fora, medvel, aplicada externamente sobre a mola e F
s
=(F
0
-F) a fora sobre a massa M.
Para resolver a equao, devemos tambm conhecer as condies iniciais em t=0 e as
estacionrias a um tempo t finito. Por exemplo, neste sistema, x=0 para t<0, x=Vt para t>0,
com V=cte. (poderia tambm ser F=cte, ou quaisquer outras condies, dependendo do
sistema).
Um modelo de stick-slip mais recente o mostrado na prxima figura 27 e apareceu
como resultado de simulaes computacionais
3
. Quando o atrito acontece entre filmes
finos, eles se comportam como se sofressem uma transio de fase de primeira ordem entre
estados tipo slido (esttico) e tipo lquido (dinmico) durante o deslizamento.

Figura 27: Modelo de transio de fase.
Pesquisadores sugerem que tal processo responsvel pelo comportamento stick-slip de
lquidos isotrpicos entre duas superfcies cristalinas slidas. Assim, o stick-slip apareceria
como resultado de uma mudana brusca nas propriedades de fluidez de um filme numa
transio, em vez de causado por mudanas graduais ou contnuas que ocorrem segundo a
teoria clssica.
Na figura 27, vemos o modelo de "transio de fase", no qual um filme fino de lquido
"gela" e "derrete" alternativamente. Este filme representado por molculas esfricas
confinadas entre duas superfcies cristalinas slidas. A diferena entre este e o modelo
tradicional que aqui supe-se que a fora de atrito intrnseca F
0
muda abruptamente na
transio, em vez de continuamente. Temos uma fora de atrito "esttica" F
s
e uma
"cintica" F
k
. O stick-slip resultante ento diferente. Por exemplo: os picos so mais
pontudos e o stick-slip pode desaparecer a uma certa velocidade crtica V
c
, a partir da qual
o movimento continua normalmente. Este tipo de atrito observado, em geral, entre
superfcies suaves, na presena de lquidos lubrificantes.
Resumindo, temos trs modelos bsicos de atrito onde aparece stick-slip (e que se aplicam
inclusive em modelos de terremotos, avalanches de areia, etc.):
Mecanismo para superfcies rugosas: o stick-slip irregular e errtico e vale para o
caso em que a dureza elstica do sistema no muito grande. A amplitude do deslizamento
diminui com a velocidade V e a freqncia do stick-slip aumenta com ela.
Mecanismo de atrito dependente da velocidade: o stick-slip regular e peridico e
depende da velocidade de varredura. A amplitude e a freqncia do deslizamento so
variveis mas no h velocidade crtica. Neste modelo o stick-slip continua
indefinidamente a qualquer velocidade de deslizamento.
Mecanismo de transies de fase: o stick-slip regular e peridico, a amplitude do
deslizamento independe de V, at que V=V
c
e a sua freqncia cresce com V, at que
V=V
c
. Para uma velocidade de varredura maior que a velocidade crtica, o stick-slip
desaparece bruscamente e o movimento continua numa forma suave. Esta velocidade crtica
caracterstica apenas deste modelo e o mecanismo aparece no atrito entre superfcies
suaves, em geral na presena de um lubrificante.

1. Zhong, W. and Tomnek, D. Phys.Rev.Lett.64, 3054, 1990.
2. Rabinowicz,E. Friction and Wear of Materials; J. Wiley: NY, London, 1965; ch.4.
3. Gee,ML.; McGuiggan,P.M.; Israelachvili,J.N.; Homola,A.M. J.Chem.Phys. 93,1895, 1990.
Thompson,P.A.; Robbins,M.O. Science 250,792, 1990.
Robbins,M.O.; Thompson, P.A. Science 253,916, 1991.

Espectroscopia de Fora
Queremos saber agora qual a informao que pode ser obtida a partir da dependncia
com a distncia das foras medidas. O estudo da relao entre fora e distncia chama-se
espectroscopia de fora.
Espectroscopia de fora local
Nesta espectroscopia, determina-se a curva de fora em funo da distncia em um local
determinado sobre a superfcie da amostra. Experimentalmente, mede-se a deflexo z
c
do
cantilever como funo do movimento z
a
da amostra na direo z, perpendicular
superfcie da amostra, obtendo-se assim um grfico z
c
(z
a
). A fora F ento obtida
multiplicando a deflexo do cantilever pela constante de mola
F = k z
c
.
Desprezando deformaes elsticas da amostra e da ponteira, em especial no regime de
contato, a distncia s de interao entre a ponteira e a amostra, dada por:
s = z
c
- z
a
.
Portanto, os grficos z
c
(z
a
) medidos, podem ser diretamente traduzidos em curvas fora-
distncia.
Na figura 28, mostra-se um grfico experimental de z
c
(z
a
) , isto , da aproximao
ponteira- amostra, para uma dada dependncia F(s) mostrada na figura 2.

Figura 28: Deflexo do cantilever em funo do movimento vertical da amostra.
Quando a amostra se aproxima da extremidade do cantilever, este se dobra na direo da
amostra (z
c
negativo) devido fora atrativa (sinal negativo).
No ponto 1, o gradiente da fora atrativa supera a constante k do cantilever, o que leva a
uma instabilidade que resulta em um pulo ao contato, no ponto 2.
A maior deflexo do cantilever na direo para a frente no ponto 1, multiplicada pela
constante de mola, a mxima fora atrativa F
at
existente no sistema. Se a amostra continua
a ser movida na direo da ponteira at atingir uma fora de carga F
c
predeterminada, o
cantilever sente as foras repulsivas do contato e se flexiona na direo contrria anterior.
Se agora a direo do movimento da amostra invertida, ou seja, a amostra se afasta da
ponteira, chega um momento em que a direo do movimento do cantilever tambm muda.
Nessa volta, no ponto 3, ocorre uma segunda instabilidade pois o gradiente de fora
novamente iguala a constante efetiva de mola e a ponteira pula para fora do contato. O
ponto 3, portanto, corresponde posio de mxima fora F
ad
de adeso. Em geral, o
mdulo da mxima fora adesiva no ponto 3 maior que o mdulo da mxima fora
atrativa no ponto 2.
A importncia deste grfico, ou igualmente, a importncia das curvas F(s), reside no fato
de que o pesquisador pode fazer a imagem da amostra em um determinado ponto por ele
escolhido [ao longo da curva F(s)] conhecendo de antemo, e com razovel preciso, a
fora aplicada durante a feitura da imagem. Esta informao importante, pois as imagens
feitas com o microscpio de fora podem depender da fora de carga aplicada.
Alm de determinar o ponto de contato com o propsito de fazer uma imagem, as curvas
de aproximao e de fora versus distncia fornecem outro tipo de informaes de valor:
1. A mxima fora atrativa F
at
e a mxima fora adesiva F
ad
podem ser localmente
determinadas.
2. A inclinao da curva depois que o contato foi feito, pode fornecer informao a
respeito das propriedades mecnicas locais, foras superficiais e geometria local da
ponteira e da amostra.
3. A quantidade de histerese na curva F(s) pode indicar que h uma resposta inelstica
no sistema ponteira-amostra.
Mas h tambm problemas. Infelizmente, nem sempre pode ser feita uma interpretao
nica das curvas F(s), pelas seguintes razes:
1. Se os estudos so feitos em ar ambiente, podem aparecer instabilidades no
cantilever devido formao de um menisco ao redor da ponteira, como resultado
da condensao por capilaridade, que empurra a ponteira contra a amostra. A
presena de foras de capilaridade adicionais complica consideravelmente a anlise
quantitativa da interao ponteira-amostra. A influncia das foras de capilaridade
pode ser mostrada comparando z
c
(z
a
) obtidos em ar e gua. Se o cantilever estiver
totalmente imerso na gua, no h foras de capilaridade. Nestas condies, a
menor fora de interao entre a ponteira e a amostra pode ser reduzida em duas
ordens de grandeza, se comparada com condies ambiente. Portanto, amostras
frgeis e moles que requerem foras de carga extremamente baixas para obter
imagens boas, devem ser estudadas sob lquido.
2. A histerese nas curvas F(s) pode no ser necessariamente resultado de deformaes
plsticas e, sim, resultante de histerese e creep das cermicas piezeltricas.
3. A falta de conhecimento da geometria detalhada da ponteira freqentemente impede
uma anlise quantitativa das curvas F(s).
Apesar destas dificuldades de interpretao, as curvas F(s) medidas em atmosfera de
nitrognio seco e filtrado tm fornecido informao de valor sobre as foras superficiais em
filmes moleculares. A anlise das curvas pode tambm levar a uma estimativa da espessura
de filmes depositados sobre substratos slidos. Mais ainda, os microscpios de fora podem
ser utilizados para medir nanoindentao de alta sensibilidade usando o regime repulsivo da
curva F(s). Finalmente, como possvel escolher as cargas aplicadas de forma tal que sejam
muito menores que aquelas comumente usadas para medidores de dureza em indentao
convencional, os microscpios de fora tm tambm um grande potencial para medidas de
nanodureza.
Como j dissemos, a partir das curvas de deflexo do cantilever em funo da
aproximao da amostra, podemos determinar as curvas F(s), de fora em funo da
distncia entre a ponteira e a superfcie da amostra, para cada ponto. Ento, querendo
estudar uma propriedade fsica em particular, extrada das curvas locais F(s), os dados
podem ser representados graficamente em funo da localizao na superfcie, fornecendo
assim um mapa resolvido espacialmente para tal propriedade. Isto feito muito bem com a
tcnica de imagens por camadas que veremos na prxima seo.

Imagens por camadas
O mtodo de camadas uma forma de fazer imagens que mostra propriedades da
amostra do tipo adeso e condescendncia elstica. uma tcnica de AFM de contato na
qual so feitas vrias medidas da deflexo do cantilever em cada pixel da imagem. Cada
uma das medidas precedida por um degrau de variao na distncia ponteira-amostra.
Aps cada degrau, realizada uma medida, que armazenada na memria. Quando todas
as medidas desejadas para um determinado pixel estiverem feitas, o processo repetido
para um prximo pixel e assim sucessivamente para toda a rea de varredura desejada.
Os dados tridimensionais resultantes podem ser pensados como um conjunto de
"camadas" de imagens. Cada camada horizontal uma imagem representativa das medidas
feitas atravs da rea varrida a uma altura z dada. Como so feitas muitas medidas em cada
pixel, o conjunto de dados pode tambm ser processado verticalmente para a obteno da
curva de fora-distncia em cada pixel.
Fazer imagens por camadas permite registrar a deflexo do cantilever medida em que
este se move sobre parte ou sobre toda a curva de fora-distncia, para cada pixel, em uma
imagem. A deflexo monitorada para cada posio da camada e os dados de fora e de
distncia se armazenam para cada camada.
H vrios tipos de informao que podem ser derivados da curva fora-distncia.
Observando a figura 29, no segmento ab, a amostra e a ponteira no esto em contato, mas
a ponteira est se aproximando da amostra. Quando no h foras repulsivas ou atrativas de
longo alcance, no h informao.

Figura 29: Deflexo ideal do cantilever em funo da sua posio vertical.
O segmento bc o chamado "mergulho ao contato" e resultante do puxo atrativo
sentido pelo cantilever. Quando se opera em ar, as foras capilares (provenientes da
camada de contaminao) so as mais importantes nesta atrao e levam a que a ponteira e
a amostra entrem em contato. Entretanto, no devemos esquecer que h tambm nesta
atrao contribuies provenientes de cargas eltricas e que as foras de van der Waals
esto sempre presentes nesta regio.
O segmento cd representa o movimento para cima do cantilever, em resposta ao
incremento da voltagem no piezo z. O que est sendo registrado neste momento a resposta
do sensor que mede o deslocamento do cantilever. A forma do segmento cd indica se a
amostra est deformando-se em resposta fora do cantilever e sua inclinao pode ser
utilizada para derivar informao sobre a dureza da superfcie em estudo. O segmento no
necessariamente uma linha reta. Variaes na inclinao do segmento indicam uma
resposta diferente da amostra a diferentes foras de carga. Esta inclinao a chave da
informao para estudos de dureza.
O segmento de corresponde ao segmento cd, invertido o movimento. Se o segmento de
ficar direita do cd, isto pode significar que h histerese ou inclinao (bowing) induzida
por atrito do cantilever quando ele abandona a superfcie. Se de ficar esquerda de cd, a
diferena pode dar informao sobre a deformao elstica ou plstica, que tem uma
resposta em tempo mais lenta para a retirada da ponteira.
O segmento ef registra o movimento do cantilever a partir de sua posio de deflexo
neutra, enquanto ele defletido para baixo (representando, portanto, as foras de adeso)
at que a fora de restaurao da mola dele se iguale adeso.
O segmento fg mostra o pulo do cantilever para fora da amostra quando sua fora excede
as adesivas. A fora no ponto f a fora de adeso total entre a ponteira e a amostra. Esta
a chave para a informao necessria a estudos de adeso. A quebra aguda no
comportamento no ponto f no uma resposta universal. Se a interao de adeso
viscosa, a ponteira no consegue deixar a superfcie abruptamente e, portanto, ir produzir
uma resposta mais gradual e arredondada. No segmento gh a ponteira no mais est em
contato com a amostra e ambas esto se afastando.

Modulao de Fora (z modulation)
Mapas espaciais de elasticidade superficial
Como alternativa para a determinao das curvas F(s) da fora em funo da distncia
ponteira-amostra, em cada ponto pixel, foi introduzido um modo de modulao de fora ou
FMM (force modulation microscopy) para estudar as variaes espaciais na elasticidade
superficial local, em funo das variaes nas caractersticas de fora/distncia na amostra
durante a varredura. Este mtodo espectroscpico baseado na modulao da altura z da
amostra em uma quantidade fixa 'z
a
. A aproximao da amostra resulta na deflexo do
cantilever. Se introduzirmos uma modulao, ele se curvar periodicamente, em uma
quantidade 'z
c
. Para uma dada fora de carga aplicada, uma parte mole da amostra ir
deformar-se mais que uma parte dura. Conseqentemente, o 'z
c
do cantilever ser menor
sobre uma regio mole da amostra. Fazendo a representao grfica da grandeza
normalizada 'z
c
/'z
a
em funo da localizao na superfcie, pode ser obtido um mapa
espacial da sua elasticidade.
Para atingir um contraste razovel nas imagens de elasticidade da superfcie, a constante
de mola do cantilever deve ser bem escolhida. Supondo que o material da ponteira seja
muito mais duro do que o da amostra, uma deflexo 'z
c
do cantilever, causada por um
movimento 'z
a
da amostra, indicar uma deformao da superfcie numa quantidade ('z
a
-
'z
c
). A resposta da superfcie da amostra a uma variao de fora 'F pode ser descrita por
uma constante de mola efetiva (da amostra) dada por
k
a
= 'F/('z
a
- 'z
c
) ,
onde k
a
seria a "medida" da resistncia da amostra fora de carga e 'F a variao da fora
normal. Ento, quando a deformao pequena (denominador da frmula), temos um k
a

grande, ou seja, a amostra comporta-se como dura. Como 'F = k 'z
c
, com k, constante
efetiva de mola do cantilever, obtm-se a seguinte relao
'z
a
/'z
c
= (k/k
a
) + 1 .
Se a constante efetiva da mola do cantilever for escolhida muito menor que a constante
de mola efetiva da superfcie da amostra (k<<k
a
), a grandeza normalizada 'z
c
/'z
a
(razo
entre o 'z
c
que o cantilever se deforma devido aproximao 'z
a
da amostra e a medida do
movimento da amostra 'z
a
)

medida ser sempre da ordem de 1, e assim, no conseguiremos
ver as variaes espaciais de k
a
quando medirmos o valor 'z
c
/'z
a
. Portanto, uma escolha
apropriada da constante de mola efetiva do cantilever depender da constante de mola
efetiva da amostra a ser estudada, ou seja, do que queremos ver. A figura 30 mostra uma
comparao entre uma imagem topogrfica e outra, tomada simultaneamente com
modulao de fora. Para obter um grande contraste no "mapa" de elasticidade
superficial, se utilizou um cantilever com k=3000N/m, valor bem maior do que aquele que
normalmente se usa em fora de contato.

Figura 30: Imagens de uma fibra de carbono e epoxi, em ar. Superior: Fora constante; inferior:
Modulao de fora.
Ento, quando o modo de z-modulation usado simultaneamente com topografia fornece
dados adicionais. Com ele possvel identificar diferenas na elasticidade ou dureza de
uma superfcie j que ele utiliza justamente estas diferenas para melhor distinguir
pequenas diferenas topogrficas devidas, por exemplo, a diferentes materiais que
compem a amostra.
No modo de contato convencional, a ponteira varrida sobre a amostra (ou vv.) com um
raster x-y. O loop de realimentao mantm a fora constante e, conseqentemente, a
deflexo do cantilever tambm se mantm constante. Na tcnica de modulao de fora, o
conjunto amostra-ponteira (pois esto em contato) varrido com uma pequena oscilao
vertical (modulao z sobre o scanner ou usando um piezeltrico embaixo da amostra) bem
mais rpida que a varredura da superfcie. A fora sobre a amostra modulada ao redor do
seu setpoint durante a varredura de modo tal que o valor mdio da fora sobre a amostra
equivalente quele do contato. No momento em que a ponteira entra em contato com a
amostra, uma superfcie mais dura resistir mais oscilao e, assim, o cantilever sofrer
uma toro maior. Dito de outra forma, sob a mesma fora aplicada, uma rea dura na
amostra ir se deformar menos que uma mole, isto , as superfcies mais duras fazem maior
resistncia oscilao vertical e em conseqncia, curvam mais o cantilever.
A variao na amplitude da deflexo do cantilever uma medida relativa da dureza da
amostra. A informao topogrfica coletada simultaneamente para comparao, j que a
feitura de imagens com modulao de fora, feita com uma modulao de freqncia
relativamente baixa, a qual filtrada na sada dos dados de topografia durante a produo
da imagem por AFM normal. Assim, a fora entre a ponteira e a amostra varia, permitindo
que a inclinao da curva fora versus distncia, isto , o gradiente da fora, seja calculado
a partir de dados ponto a ponto. Na figura 31, vemos como a amplitude do sinal cresce
quando a ponteira encontra uma regio mais dura.

Figura 31: Esquema do princpio de modulao de fora.
De acordo com o exposto temos as seguintes caractersticas de operao:
-A fora sempre repulsiva. O z do scanner modulado para variar a fora, mas sempre
dentro da regio repulsiva. Neste modo devemos, como j foi dito, encontrar uma
otimizao para o valor da constante de mola do cantilever, j que ele estar sendo utilizado
simultaneamente em fora constante.
-A modulao do sistema cantilever-amostra feita a aproximadamente 5 kHz, bem abaixo
da freqncia de ressonncia do cantilever. Como a ponteira est sempre em contato com a
amostra, ela no vibra, mas impe uma fora oscilante sobre a superfcie da amostra. Com
esta variao de fora possvel medir a inclinao dF/ds da curva F(s) em cada ponto.
-O deslocamento do cantilever utilizado no apenas para determinao da inclinao da
curva fora/distncia mas tambm para realizao da topografia da superfcie. O circuito
correspondente mostrado na figura 32.

Figura 32: Realimentao e controle para topografia e dF/ds simultaneamente.
A modulao de fora utilizada como auxiliar na anlise de imagens topogrficas e
fornece tambm um aumento no contraste para superfcies nas quais h mudanas na
dureza da amostra e/ou bordas aguadas. Ela portanto muito til para amostras nas quais
h mudanas de material, tais como vidros estriados, como se mostra na figura 33. Nela,
vemos as imagens de topografia, modulao de fora e fora lateral. H uma regio que
parece ser feita de um material diferente, possivelmente devido a contaminao, no canto
inferior direito. As duas ltimas imagens mostram variaes na superfcie que no
aparecem na imagem topogrfica.

Figura 33: Vidro estriado.
Note-se que esta tcnica pode ser realizada de forma que o cantilever seja levantado da
superfcie nos intervalos de tempo entre a aquisio de dados e durante a translao ao
prximo ponto a ser estudado. Tal modo de "contato intermitente" reduz os efeitos de
sujeira (que s vezes tornam as amostras pegajosas) que poderiam ocorrer em certos
materiais enquanto so varridos a contato contnuo. Isto foi aperfeioado ao que atualmente
chama-se Tapping Mode.

AC contato intermitente
Neste modo de operao o cantilever obrigado a oscilar a uma freqncia prxima de
sua freqncia de ressonncia enquanto feita a varredura sobre a amostra. A ponteira
aproximada da amostra at que ela comece a fazer contato intermitente (Tap) sobre a
superfcie. Este modo tem a vantagem de permitir a feitura de imagens de amostras de
materiais que no aderem muito bem ao substrato pois com ele pode-se reduzir (e at
eliminar) a influncia das foras laterais aplicadas amostra operando em contato.
Ocontato intermitente causa diminuio da amplitude de oscilao como se mostra na
figura 34.

Figura 34: Variao da amplitude de oscilao em funo da aproximao ponteira-amostra.

Figura 35: Curva da fora sentida pelo cantilever quando da aproximao da amostra.
O clculo dos efeitos de uma fora externa sobre o movimento oscilatrio do cantilever
feito sabendo que ele se comporta como um oscilador harmnico clssico amortecido.
Suponhamos ento que movemos a amostra na direo da ponteira, at que as foras de
interao comecem a produzir uma deflexo no cantilever. Vendo a figura 35, a equao
para o oscilador :
F(z) + k(z
0
-z) = m (d
2
z/dt
2
) + (m&
0
/Q)(dz/dt),
onde z a distncia ponteira-amostra, z
0
a posio do cantilever antes da interao, F(z)
a fora total que age sobre o cantilever e que atrativa no comeo (antes do contato) e k a
constante do cantilever dada pela freqncia de ressonncia &
0
= 2*f
0
= (k/m)
1/2
. O ltimo
termo da equao o amortecimento viscoso e depende do fator Q de qualidade do
cantilever. Resolvendo a equao para uma modulao peridica externa A cos(&t), na
posio z
0
, a amplitude e a fase do movimento [em x = z-z
0
= x
0
cos(&t-!)] resultante da
ponteira, so dadas por
x
0
=A/{[1-(&
2
/&
0
2
)]-f]
2
+(&
2
/&
0
2
Q
2
)}
1/2

e
tg! =(& /Q&
0
)/[1-(&
2
/&
0
2
)-f] ,
onde f=(1/k)[dF(z)/dz] o gradiente da fora de interao em unidades de k e A a
amplitude de modulao aplicada no cantilever.
Longe da superfcie f=0 pois no h deflexo mas, perto dela, pode chegar a ser igual a 1
(isto dF/dz=k). Se isto acontecer, o sistema torna-se instvel e a ponteira "mergulha" ao
contato pois o cantilever no tem suficiente fora restauradora para voltar. por isso que
em no-contato usam-se cantilevers duros, com k entre 100 a 350 N/m.
Supondo que trabalhamos perto da freqncia de ressonncia podemos pr na equao &
~ &
0
e a amplitude ser
x
0
(z) # A/{(-f)
2
+(1/Q
2
)}
1/2
=AQ/[Q
2
f
2
+1].
Quando a ponteira est muito longe (+ ) da amostra, f(z)=0 pois no h deflexo e portanto
X+(z) # AQ.
Ento, X
0
(perto) # X+ (longe)/[Q
2
f
2
+1], mas este denominador muito maior que 1 e,
portanto, a amplitude decresce com a aproximao ponteira-amostra como queramos
mostrar.
Na figura 36, podemos ver um diagrama prprio para este modo de operao.

Figura 36: Esquema prprio para operar no modo tapping.
Com uma cermica piezeltrica colada ao cantilever, o nvel de oscilao posto por baixo
da amplitude livre de oscilao em ar.
O controlador um sistema que realiza a realimentao ajustando a separao entre a
ponteira e a amostra para manter a amplitude de oscilao constante durante a varredura.
Como o contato com a amostra apenas intermitente, a ponteira faz um atrito desprezvel
sobre a amostra e, portanto, no h danos provenientes de foras laterais, o que timo
para materiais biolgicos. Alm disso, a amplitude de oscilao fixada suficientemente
alta (10-100 nm) de forma tal que quando a ponteira bater na superfcie, o cantilever tenha
suficiente fora restauradora (devida deflexo) para impedir que a ponteira fique presa na
camada de contaminao (pelas foras de menisco ou eletrostticas). A fora da batida no
tapping menor do que poderia ser imaginado, pois a amostra necessita apenas absorver a
energia adicional que o cantilever ganha durante cada ciclo. Com os cantilevers e as
freqncias utilizados normalmente para trabalhar em no-contato, consegue-se que a
variao da amplitude seja quase desprezvel, isto , da ordem de 0,01 nm, suficientemente
pequena para no produzir danos a uma grande variedade de amostras moles. Na Biologia,
o tapping em lquidos o modo de operao mais utilizado.
A cada ciclo, a ponteira toca a amostra. As mudanas na amplitude e fase do cantilever
causadas por esta interao so utilizadas para produzir a imagem.
Como j foi dito, a amplitude da oscilao decai medida em que a ponteira se aproxima
da amostra, e isto acontece mesmo levando em conta que existe um grande amortecimento
produzido pelo atrito viscoso.
A figura 37
1
, um grfico da deflexo do cantilever em funo do tempo, medida em que
a amostra se aproxima da ponteira. No ponto A elas esto longe e a deflexo pico a pico
da ordem de 20 nm. Quando comea a interao (ponto B), a amplitude decai
monotonamente at que a ponteira toca efetivamente a superfcie (ponto C).

Figura 37 : Deflexo do cantilever em funo do tempo de aproximao da ponteira.
Os danos causados nas amostras em uma varredura de tapping podem ser calculados pelo
trabalho feito durante o perodo de contato e pela energia dissipada sobre a amostra. Os
resultados so, de certa forma, intuitivos: as grandezas dependem fundamentalmente das
mudanas na amplitude de oscilao, da extremidade da ponteira e da dureza do cantilever.
Em concluso, quanto mais fina a ponteira e mais duro o cantilever, maiores so os danos
nas amostras.

1. Bustamante,C. and Keller,D. Physics Today. Dezember 1995, p32-38.

Ressonncia de Baixa Amplitude
Neste modo, o cantilever oscila a sua freqncia de ressonncia com baixa amplitude
(em geral, de 2 a 100 ). A ponteira permanece dentro da camada de contaminao e a
produo de imagens pode ser feita em qualquer ponto sobre a curva de fora (atrativa ou
eventualmente repulsiva). Ela , em geral, feita na regio atrativa. possvel operar este
modo tal que haja contato intermitente com a superfcie, como j foi dito; este o tapping
de nosso equipamento. Nele, o ajuste da altura manual.

Figura 38: Ponteira ressonando. Superior: baixa amplitude; inferior: alta amplitude.
A fora atrativa e o cantilever duro ou semi-duro.
A oscilao feita em ressonncia (50-500 kHz) a baixa amplitude.
A realimentao se faz atravs da deteco de variaes de deslocamento de fase ou
mudanas de amplitude.
A parte de cima da figura 38, mostra a ponteira ressonando a baixa amplitude dentro da
camada de contaminao.
Este modo promissor para a realizao de imagens de amostras que poderiam sofrer
danos causados pelas foras entre a ponteira e a amostra durante o modo de contato. As
imagens feitas neste modo dependem das foras provocadas pela camada de contaminao
e podem modificar-se quando a camada muda (isto , devido a aquecimento da amostra,
variaes na umidade, na forma da superfcie, etc.).

Ressonncias de grande amplitude (HAR)
Neste modo, o cantilever oscila a sua freqncia de ressonncia, com amplitude muito
alta. A amplitude das oscilaes suficientemente grande para que a ponteira entre e saia
rapidamente da camada de contaminao. Em alguns casos, a ponteira pode entrar no
regime de contato (ou repulsivo) durante as oscilaes.
A fora atrativa (ou eventualmente repulsiva). O cantilever duro, pois um cantilever
mole iria "flamejar" sem controle a grande amplitude.
A oscilao em ressonncia est dentro da faixa de 50-500 kHz, com amplitude de 100-
1.000 .
A realimentao por deslocamento de fase ou variao de amplitude.
Devemos notar que, embora a condio de ressonncia possa influenciar a qualidade da
imagem, isto no funciona assim obrigatoriamente. Uma feitura de imagem de alta
qualidade pode ser realizada acima ou abaixo da freqncia de ressonncia do cantilever.
Na parte inferior da figura 38, mostra-se o cantilever oscilando rapidamente a grande
amplitude, neste modo de operao.
Em HAR, a imagem no afetada pela camada de contaminao, pois a ponteira a
penetra rapidamente. Em condies extremas, a ponteira poderia realmente tocar a amostra.
Se isto acontecesse, certo que devido dureza do cantilever, ocorreriam danos na
superfcie da amostra e tambm na ponteira.
Este modo pode ser usado para feitura de imagens de amostras muito macias ou de
amostras que no aderem muito bem ao substrato.

Modo AC No-Contato
Vejamos, ento, como se mede no modo que realmente de no-contato, isto , no qual a
ponteira no toca a superfcie da amostra. Devemos salientar que neste caso a amostra deve
ter o mnimo possvel de camada de contaminao pois se assim no for, corre-se o risco de
obter imagens muito distorcidas ou mesmo de fazer a imagem da camada.
Na microscopia de contato as foras interatmicas de curto alcance so estudadas
medindo as deflexes quase estticas do cantilever que tem uma constante de mola
conhecida. Apesar de as foras de van der Waals de longo alcance estarem tambm
presentes no modo de contato, elas no contribuem para fazer a imagem em escala atmica.
Aumentando a separao entre a ponteira e a amostra para 10 a 100 nm, permanecem s as
foras de interao de longo alcance, isto , as de van der Waals propriamente ditas,
eletrostticas e foras dipolares magnticas. Como a grandeza das foras de longo alcance,
para separaes relativamente grandes , em geral, bastante menor que aquela das foras
interatmicas de curto alcance, o mtodo de deteco de fora de interao no modo de
operao de no-contato normalmente diferente do de contato. Obrigando o cantilever a
vibrar perto de sua freqncia de ressonncia por meio de um piezeltrico, em vez de medir
as deflexes quase estticas dele medem-se as variaes na freqncia de ressonncia que
resultam da interao das foras entre a ponteira e a amostra.
O mtodo de deteco a.c. mais sensvel aos gradientes de fora do que as prprias
foras de interao. A presena de um gradiente de fora F= )F
z
/)z, resulta numa
modificao da constante efetiva de mola do cantilever de acordo com
k
ef
= k - F ,
onde k a constante de mola do cantilever na ausncia de interao ponteira-amostra
1
. Uma
fora de interao com gradiente F> 0 ir ento "amaciar" a mola efetiva (k
ef
< k) enquanto
uma interao com gradiente F< 0 ir "endurecer" a mola efetiva (k
ef
> k). A variao da
constante efetiva da mola causar por sua vez um deslocamento da freqncia de
ressonncia & do cantilever, de acordo com
& = (k
ef
/m)
1/2
= [(k - F)/m]
1/2
= (k/m)
1/2
([1 - (F/k)]
1/2
= &
0
x [1 - (F/k)]
1/2
,
onde m a massa efetiva e &
0
a freqncia de ressonncia do cantilever em ausncia de
um gradiente de fora. Se F pequeno comparado com k, a equao anterior pode ser
aproximada por
& # &
0
[1 - (F/2k)]
e, portanto,
'& = & - &
0
# - &
0
F/2k .
Um gradiente F> 0 resultar, ento, numa diminuio da freqncia de ressonncia (& <
&
0
), enquanto que uma fora com F< 0 aumentar a freqncia (& > &
0
). Existem dois
mtodos diferentes normalmente utilizados para medir o deslocamento da freqncia de
ressonncia.

1. Os cantilevers usados no modo de no-contato tm em geral altas constantes de mola, da ordem de 10 a 100 N/m ou mais. Isto significa que
sobre a amostra ser exercida uma grande fora de carga se a ponteira entrar em contato com ela. Portanto, o contato deve ser evitado para no
prejudicar nem a amostra nem a ponteira.

Gradiente de fora constante
No mtodo de deteco da inclinao o cantilever movimentado por um elemento
piezeltrico a uma amplitude tpica da ordem de 1 a 10 nm, a uma freqncia fixa, perto da
freqncia de ressonncia. A variao da amplitude ou o deslocamento de fase da vibrao,
resultante da interao ponteira amostra, mede-se com um sensor de deflexo (em geral um
interfermetro tico) e um amplificador lock-in. Um loop de realimentao ajusta a
separao entre a ponteira e a amostra mantendo sempre um gradiente de fora constante.

Gradiente de fora varivel
Na deteco por modulao de freqncia (FM) a amplitude de oscilao do cantilever
mantida por um loop de realimentao, usando o sinal do sensor de deflexo. As mudanas
na freqncia de oscilao, resultantes da variao do gradiente de fora, so diretamente
medidas por um contador de freqncia ou um discriminador de FM. O equipamento do
laboratrio de Nanoscopia do CBPF no tem possibilides de fazer este tipo de medida.
Para cantilevers com k pequeno, o mnimo gradiente de fora detectvel est
determinado pela amplitude de vibrao trmica do cantilever. Esta amplitude de rms pode
ser derivada do teorema de equipartio:
(k/2) <('z)
2
> = k
B
T/2 ;
[<('z)
2
>]
1/2
= (k
B
T/k)
1/2

onde T a temperatura e k
B
a constante de Boltzman. Para uma constante de mola de 1
N/m, a menor amplitude de vibrao trmica medvel temperatura ambiente, resulta
aproximadamente 0,6 .
Para o mtodo de deteco por FM, o mnimo gradiente de fora detectvel F
min
dado
por
F
min
= (1/A)(4k k
B
TB/&
0
Q)
1/2
,
onde A a amplitude rms da oscilao do cantilever, Q o fator de qualidade do cantilever
e B a largura de banda de deteco. Para atingir a mais alta sensibilidade de deteco
possvel para uma dada amplitude de oscilao A e uma dada largura de banda de deteco
B, da equao anterior podem ser deduzidas as seguintes regras gerais.
1. O cantilever deveria ter uma constante k pequena e uma alta freqncia de
ressonncia &
0
. Isto requer uma minimizao da massa e, portanto, do tamanho do
cantilever, resultando na necessidade de um mtodo de microfabricao.
2. desejvel um grande valor de Q para o cantilever, que com a microfabricao
fcil de atingir, se os cantilevers so utilizados em vcuo, onde podem ser atingidos
valores de Q da ordem de 10
4
ou maiores.
3. So preferveis, medidas a baixas temperaturas.
temperatura ambiente, o mnimo gradiente de fora detectvel, resulta da ordem de 10
-
4
a 10
-5
N/m. Supondo uma lei de foras inversamente proporcional ao quadrado da
distncia e com sinal negativo, temos
( F(s)( = sF(s)/2.
Para uma separao ponteira-amostra s = 10 nm (100 nm), um gradiente de fora F= 10
-
4
N/m (10
-5
N/m) corresponder a uma fora de 5 x 10
-13
N. Usando um cantilever com k =
1 N/m, esta fora causar uma deflexo esttica de apenas 5x10
-3
, que ser difcil de
detectar com a maioria dos sensores de deflexo, ou seja, no influir na deteco. Isto
mostra que o mtodo de deteco ac baseado na vibrao do cantilever oferece uma
vantagem significativa em relao sensibilidade de deteco, se comparado com as
medies das deflexes quase estticas do cantilever, quando se estudam foras de longo
alcance.

Resoluo em no-contato
Neste modo, a resoluo espacial depende das dimenses da ponteira e da distncia
entre a ponteira e a amostra. bom estudar a melhor situao possvel, isto , a resoluo
obtida usando uma ponteira "infinitamente" fina e uma amostra pontual, na regio atrativa
das foras de van der Waals. O que realmente medido em no-contato o gradiente da
fora na direo perpendicular superfcie da amostra. Na figura 39 vemos um modelo
ideal para esta situao. Se a extremidade da ponteira fina est a uma altura h acima da
superfcie, o gradiente da fora a uma distncia lateral r do ponto a ser explorado
1

)F(r,h)/)z = -(,- / *
2
.
1
.
2
h
7
) {[6 / (r/h)
2
]/[(r/h)
2
+

1]
9/2
}


onde .
1
e .
2
so as densidades da ponteira e da amostra, , o nmero de tomos por
unidade de comprimento da ponteira e - a constante de Hamaker, que depende das
propriedades de refrao e dieltricas da ponteira e da amostra e tambm do meio que as
rodeia.

Figura 39: Ponteira fina sobre amostra pontual.
Definindo a resoluo como duas vezes a distncia r qual a fora de interao cai
metade do mximo, a expresso anterior prediz que a resoluo melhor no modo de no-
contato r = 0,8h. Ento, para ter uma resoluo de 10 a 20, uma ponteira bem aguda
deve ser varrida a uma altura de 12 a 24 (r = 0, 8h = 10 a 20 0 h = 12-25). Ento,
com uma ponteira ideal e condies ideais de fazer a imagem (sem rudo e com alta
sensibilidade) a resoluo no modo de no-contato limitada, em ltima instncia, pela
medida da distncia ponteira-amostra.

1. Bustamante, C. and Keller, D. Physics Today. Dezember 1995, p.32-38.

Microscopia de fora de van der Waals
Se a ponteira e a amostra esto limpas, so eletricamente neutras e no so magnticas,
as foras de van der Waals so a nica fonte de interao entre elas, no regime de no-
contato. As foras de van der Waals, em geral atrativas e de longo alcance, podem ser
detectadas para uma separao ponteira-amostra de at 100 nm ou mais, e podem ser
usadas como em geral so no modo de no-contato, para perfilar amostras moles sem
danificar a superfcie de, por exemplo, materiais biolgicos, para os que as foras de carga
no podem ultrapassar os 10
-11
N. A resoluo espacial atingvel com microscopia de van
der Waals depende criticamente da geometria da ponteira e da separao entre ela e a
amostra. Como regra geral, para resolver no plano (x,y) estruturas de uma medida lateral a,
o raio efetivo da ponteira R e a separao ponteira-amostra s, devem ser menores que a. A
grandeza das foras de van der Waals no est apenas determinada por R e s mas tambm
pela permissividade dieltrica da ponteira, da amostra e do meio pois, como vimos, estas
foras dependem da polarizao das molculas. A imerso em lquidos polares, reduz em
muito as foras de van der Waals e pode causar tambm uma transio das foras de
interao, de atrativas para repulsivas.
Da teoria das foras de van der Waals
1
, pode ser deduzido que,
1. As foras de van der Waals medidas em vcuo, so sempre atrativas.
2. Se a amostra e a ponteira so feitas do mesmo material, as foras de van der Waals
so sempre atrativas, no dependendo do meio. Entretanto, podem tornar-se
repulsivas quando os materiais so diferentes, mas somente se o meio tem um
ndice de refrao efetivo n
m
entre o da ponteira n
p
e o da amostra n
a
, isto , n
p
< n
m

< n
a
ou n
a
< n
m
< n
p
. Em particular, com uma escolha apropriada do meio de
imerso, as foras de van der Waals podem ser reduzidas em mais de duas ordens de
grandeza, para pequenas separaes ponteira-amostra, o que desejvel para fazer
imagens de amostras moles e delicadas. A camada de contaminao tambm pode
ter influncia significativa nas medidas destas foras, dependendo da separao
ponteira-amostra. Uma contaminao de pequeno tamanho na superfcie, pode
dominar a interao van der Waals levando inclusive a mudanas de sinal das
foras.
3. As foras medidas se mantm as mesmas quando se trocam os materiais da ponteira
e a amostra.
4. Os contornos de fora constante medidos por microscopia de fora de no-contato
no necessariamente correspondem topografia das superfcies, mas sim a perfis de
resposta dieltrica constante. Portanto, a microscopia de fora van der Waals tem o
potencial de fornecer informao sobre a resposta dieltrica de vrios meios, em
funo de suas constantes de Hamaker.
O desenvolvimento de microscopias de fora de no-contato, com uma melhor
sensibilidade de deteco de fora, ir incentivar as pesquisas sobre a interao ponteira-
amostra do tipo van der Waals de longo alcance, incluindo efeitos retardatrios.
Sobre este tema, tem um trabalho pioneiro, de Jeffrey L. Hutter e John Bechloefer, do
Departamento de Fsica da Universidade Simon Fraser de Burnaby, na Columbia Britnica
(Canad)
2
. Nele os autores conseguem medir foras de van der Waals por AFM e elimin-
las, por imerso em um lquido.

1. Hartman Phys.Rev. B 42, 1541, 1990.
2. J.Appl.Phys. 73 (9), 1993.

"Artefatos" em SPM
Um microscpio ideal geraria uma imagem direta da superfcie de uma amostra tal que
as medidas feitas seriam uma reproduo aumentada e exata dela. Como o SPM aumenta
em trs dimenses, um SPM ideal forneceria medidas exatas em todas as direes. Chama-
se "artefato" a qualquer alterao na imagem de uma superfcie, seja ela resultante da
interpretao da medida ou do equipamento utilizado. Todas as tcnicas analticas contm
artefatos. Historicamente, medida que as tcnicas de um aparelho so desenvolvidas e
melhoradas, os artefatos so melhor compreendidos e minimizados fazendo modificaes
no aparelho, na metodologia de utilizao ou na interpretao dos dados. Se os artefatos
no so entendidos, os dados no podem ser interpretados corretamente, levando a
conseqncias indesejveis tais como incapacidade de avaliao do verdadeiro desempenho
do instrumento ou uso indevido de resultados analticos. Quando os artefatos so bem
entendidos, os dados de SPM podem ser interpretados corretamente e a informao obtida
usada com segurana.
A procedncia dos artefatos diversa: as cermicas piezeltricas se utilizam, como j
dissemos, para gerar e controlar o movimento dos scanners. A diferena entre o
desempenho ideal e real destes materiais muito importante para o microscpio, no s em
termos de design, mas tambm de interpretao de imagens. No caso ideal, uma cermica
se deforma de uma maneira linear quando se aplica uma voltagem ou ainda quando se
aumenta ou diminui esta voltagem. Na prtica, o comportamento no esse e a cermica
no ideal tem um comportamento no linear devido principalmente a creep e histerese.
Devemos lembrar que uma cermica piezeltrica em geral feita basicamente de PZT
(chumbo, titnio e zircnio) em p, pressionado at obter um bloco slido policristalino e
depois sinterizado. Os dipolos naturais ficam distribudos aleatoriamente. Durante o poling,
aplica-se uma voltagem de contnua e um aquecimento a aproximadamente 200
0
C. Em
algumas horas, a maioria dos dipolos esto alinhados. Quando isto acontece, a cermica
ento resfriada para fixar os dipolos no estado alinhado. Se a cermica aquecida a mais de
150
0
C comea a se despolarizar. Isto no deve ser esquecido quando se quer operar a altas
temperaturas pois nesses casos, os scanners devem ser muito bem isolados termicamente.

Histerese
Trata-se, como j mencionamos, de um tipo de comportamento no linear, no qual, a
resposta resultante numa deformao mecnica da cermica retardada em relao
esperada de acordo com a voltagem aplicada. Ainda mais, quando se aplica uma voltagem
varivel, a cermica em geral no volta a seu comprimento original. Isto depende muito da
natureza do material piezeltrico e da estrutura da cermica.
A histerese produz-se devido a que se gasta energia para inverter os dipolos durante uma
mudana de campo eltrico.

Figura 40: Loop de histerese.
Na figura 40 a rea do loop representa a energia dissipada dentro do material em forma de
calor.
Para no-ferroeltricos, o resultado do grfico D (deslocamento dieltrico) versus E
(campo aplicado) uma reta, enquanto que para ferroeltricos, gera-se um loop. A
polarizao P uma medida real do grau de ferroeletricidade e o D/E do loop uma medida
dela. Cermicas "duras" que tm pontos de Curie (temperatura de inverso, por cima da
qual o material no mais polar) altos, tm menos histerese que as cermicas macias e
conjuntos de vrias cermicas feitas de p prensado tm menos histerese que uma cermica
macia.
Para fazer um grfico de um loop de histerese em funo da voltagem aplicada no
scanner vamos supor que comeamos com V=0 e aumentamos a voltagem at algum valor
finito. Na figura 41 mostra-se a extenso da cermica em funo desta voltagem aplicada.

Figura 41: Extenso e contrao da cermica em funo da voltagem aplicada.
A curva do tipo da anterior, onde os caminhos de ida e volta no so coincidentes.
A histerese mede-se como a razo entre a mxima divergncia entre as curvas e a
mxima extenso que a voltagem produz no scanner, isto , 'y/y
Max
e ela pode ser at
maior do que 20%.
Para entender melhor isto, voltemos ao funcionamento geral do sistema de varredura. O
AFM provisto de uma eletrnica para o scanner, que permite uma varredura sempre no
mesmo sentido, como se mostra na figura 42 ou ainda ida e volta. No primeiro caso, o
scanner se move na primeira linha de esquerda direita, at atingir a extenso da varredura
proposta, faz um passo na direo

Figura 42: Movimento de um scanner durante uma varredura de SPM.
perpendicular, volta e varre a segunda linha na mesma direo anterior. Desce e volta
novamente, etc. Isto significa que no h varredura numa das direes horizontais (no caso
da figura, de direita para esquerda). No segundo caso, o movimento o mesmo, mas a
varredura feita tambm de direita para esquerda.
A varredura vertical chamada lenta e a horizontal rpida. O espao entre os pontos nos
quais se faz a aquisio de dados, chama-se medida do passo. Esta medida determinada
pela medida total da varredura do scanner e pelo nmero de pontos de dados por linha. A
medida da varredura varivel, dependendo dos scanners, desde alguns ngstroms at
pouco mais de 100 m e de 100 a 1000 pontos por linha. O nmero de linhas varridas em
geral igual ao nmero de pontos por linha. Quando os dados so adquiridos sempre na
mesma direo, so minimizados os erros introduzidos por histerese no plano (x,y).
A histerese na direo perpendicular z causa perfis distorcidos. Se, por exemplo, temos
um degrau na amostra, a imagem ser como mostrado na figura 43.

Figura 43: Imagem de um degrau distorcida pela histerese.
Quando o scanner est subindo na direo z, requerida certa voltagem para contra-lo.
Quando ele desce o degrau, o scanner deve esticar-se. Se voltarmos figura de histerese,
veremos que a voltagem para esticar o scanner maior que para contra-lo na mesma
extenso. Ento, se produz o erro.

Creep
Este um efeito pelo qual uma cermica continua a deformar-se depois de uma rpida
variao de voltagem, como se mostra na figura 44, e devido a um reordenamento de
domnios.
Este efeito tambm mais pronunciado em cermicas macias e macias. H tambm um
excesso (overshoot) no deslocamento depois da aplicao da voltagem, seguido de uma
"ressonncia" (ringing) da cermica.

Figura 44 : Deformao das cermicas com o tempo, em funo da voltagem aplicada.
Vejamos como isto se traduz em funo das imagens. Quando se aplica no material
piezeltrico uma voltagem, ele no muda de dimenses imediatamente. A mudana ocorre
em dois passos: o primeiro acontece em menos de milisegundos e o segundo em muito mais
tempo. Na figura 45, esse segundo passo o indicado por 'x
c
e define o creep
propriamente dito.

Figura 45 : Creep de um scanner.
Quantitativamente o creep a razo entre a segunda variao dimensional e a primeira,
isto 'x
c
/'x. O creep expresso como uma percentagem e geralmente dado em funo do
intervalo de tempo caracterstico T
CR
durante o qual ocorre. Valores tpicos so de 1 a 20%
em tempos que variam de 10 a 100 segundos.
O tempo gasto para fazer a varredura coloca o movimento lateral do scanner na parte
curvada do grfico da resposta na figura anterior. Como resultado disto, duas varreduras
feitas a diferentes velocidades iro mostrar diferentes medidas se houver creep.
Outro efeito do creep no plano (x,y) que ele pode interferir na localizao de uma parte
da amostra quando se quer fazer um zoom. Querendo por exemplo caracterizar um defeito
sobre uma amostra, em geral se comea por fazer uma ampla varredura para localizar esse
defeito.

Figura 46 : Creep na direo z.
A seguir, se faz uma varredura de maior resoluo, com o defeito centrado nela. Para fazer
este zoom, o microscpio aplica uma voltagem visando mover o scanner at a posio
desejada. Devido a essa voltagem, se houver creep, pode-se perder a localizao do defeito
(isto chama-se drift).
Na direo z, os efeitos do creep podem ser vistos na figura 46.
Quando a ponteira passa sobre o degrau, de baixo para cima, o scanner sofre uma
contrao com a voltagem aplicada, que corresponde altura total do degrau. Entretanto,
nos prximos segundos, o scanner continua a se contrair lentamente a medida que acontece
o creep. Para manter a ponteira em contato com a amostra o sistema deve aplicar uma
voltagem na direo contrria para compensar o creep. Quando a ponteira percorre o
degrau de cima para baixo, ocorre a mesma coisa. O scanner se dilata para se acomodar ao
degrau, e depois continua a "se arrastar" (creep): novamente o sistema dever aplicar uma
voltagem na direo oposta, para manter o contato.

Envelhecimento
O coeficiente de expanso dos materiais piezeltricos varia exponencialmente com o
tempo de utilizao. Na figura 47 est graficado o envelhecimento de um scanner para as
duas possibilidades de uso: alta e baixa utilizao.

Figura 47: Envelhecimento do scanner, com o uso e inativo.
A razo de envelhecimento medida pela mudana no coeficiente de expanso por
tempo. Quando o scanner no est sendo usado, o envelhecimento das cermicas pode
produzir com o tempo uma diminuio nos coeficientes de expanso laterais e, portanto,
um erro nas medidas de comprimento obtidas das imagens de SPM.
Quando um scanner usado regularmente, a deformao atingida para uma dada
voltagem aumenta lentamente, com o uso e com o tempo.
Estes dois fenmenos so parte do mesmo processo. Lembrando que as cermicas so
conglomerados policristalinos, cada um dos pequenos cristais que compe o scanner tem
seu prprio momento dipolar. A aplicao repetida de uma voltagem na mesma direo, tal
como a voltagem aplicada durante a varredura, causa um alinhamento progressivo dos
dipolos ao longo do eixo do scanner. O valor da deformao atingida para uma dada
voltagem depende de quantos dipolos esto alinhados. Ento, quanto mais o scanner
utilizado, mais ele ir se deformar. Por outra parte, se o scanner no se utiliza, os
momentos dipolares dos cristais gradualmente voltaro a sua orientao aleatria. Como
resultado disto, s alguns dipolos contribuem para a deformao.
Quando se compra um scanner, ele est recm polarizado, ou seja, foi posto quase ao
mximo de sua capacidade de deformao. A dependncia dela com o tempo e com o uso
significa exatamente que o scanner ir se deformar em forma diferente que quando foi
calibrado por primeira vez. Como resultado disto, quando se faz uma medida sobre uma
imagem, os valores das dimenses laterais e verticais podem estar errados.

Acoplamento cruzado
Este termo, mais conhecido por cross talk, refere-se tendncia que existe nos
movimentos em x e y de terem uma componente espria do movimento em z, como se
mostra na figura 48.

Figura 48: Movimento do scanner com acoplamento cruzado.
Este movimento bastante complexo e provm de diferentes fontes. Por exemplo, da no
uniformidade do campo eltrico ao longo do scanner. O efeito de interferncia dos
movimentos em diferentes direes no constante e tem uma expresso tensorial. O maior
efeito geomtrico e se produz devido maneira em que o scanner construdo, em forma
tripoide ou tubular.
O movimento em x e y do tubular produzido quando um dos seus lados se encolhe e o
outro se expande. Como resultado disto, o scanner varre em arco e no num plano. A
voltagem aplicada para mover um tubo ao longo dos eixos x e y, isto , paralelo superfcie
da amostra, deve fazer que o scanner se estique ou se contraia ao longo do eixo z, isto ,
perpendicularmente amostra, pois necessrio manter a ponteira em contato com a
amostra.
Num tripoide, desenhado na forma de trs barras perpendiculares, tambm h cross talk
devido a que essas trs barras esto coladas juntas, em uma das extremidade do scanner.
Quando a barra x se deforma causa uma rotao nas barras y e z.
O acoplamento cruzado num SPM pode resultar em que uma superfcie seja vista em
forma de bacia, em vez de plana, como mostra a figura 49, para o caso de um degrau.

Figura 49: Efeitos do acoplamento cruzado sobre um degrau.
Para interpretar esta figura, devemos lembrar que uma imagem de SPM adquirida a
partir da voltagem necessria para compensar a curvatura gerada pelo arco do scanner. A
forma de bacia pode nem sempre ser muito evidente pois o background curvado pode ser
retirado processando a imagem por software. A melhor forma de determinar se o scanner
tem cross talk usar uma amostra com um raio de curvatura conhecido (por exemplo uma
lente).
A imagem de um degrau, com todas estas deformaes, poderia parecer com a mostrada
na figura 50.

Figura 50: Efeitos de histerese, creep e cross talk sobre um degrau.
Tradicionalmente o comportamento no linear dos piezeltricos tem sido contornado
usando software. Atualmente existem tambm solues por hardware as quais praticamente
eliminam os problemas em vez de corrigi-los. O melhor usar os dois mtodos em
conjunto.

Como acabar com a falta de linearidade das cermicas
Tcnicas de loop aberto e fechado
A falta de linearidade nos piezeltricos pode ser minimizada de diversas maneiras. Na
tcnica chamada de loop aberto o sistema de SPM programado de forma tal que o
comportamento no linear das cermicas corrigido por meio de software, seja durante a
varredura, seja aps a aquisio da imagem. Existem vrios mtodos de loop aberto. O mais
simples usar voltagens no lineares sobre as cermicas dos scanners. O efeito causar um
deslocamento das cermicas tornando-as aproximadamente lineares com o tempo, assim
como conseguir uma conseqente varredura tambm linear. Este mtodo j conhecido e
usado h muito tempo mas tem a desvantagem de que deve ser feita uma correo diferente
para cada tamanho e/ou ngulo de varredura, inclusive para cada velocidade de varredura.
Outro mtodo corrigir a imagem aps a sua aquisio, medindo uma amostra conhecida e
calculando os parmetros que dariam uma imagem "verdadeira". Usando os mesmos
parmetros de varredura sobre uma amostra desconhecida, o computador os usaria para
corrigir a imagem.
As solues por software so simples e relativamente fceis de serem implementadas. A
principal desvantagem delas que s corrigem parcialmente a falta de linearidade. Existem
solues por hardware utilizando um controle externo com sensores. Estes mtodos so
muito eficazes e com eles a falta de linearidade reduzida a menos de 1%.
Na tcnica do loop fechado usa-se um sensor para medir o movimento real do scanner e
levar a cermica a produzir deslocamentos lineares dele. Os mtodos normalmente usados
para correo por loop fechado incluem correo tica, isto , uma luz passa atravs de
uma fenda montada sobre o scanner, e medida em um fotodetector de duas sees. O
sinal do fotodetector proporcional ao movimento do scanner.
H tambm solues que incluem medidas de capacitncia, nas quais placas capacitoras
so postas sobre o scanner e numa posio perto dele. Quando o scanner se move, a
variao da capacitncia entre essas duas placas medida e relacionada com o
deslocamento do scanner.
Por ltimo, usam-se medidas com medidores de esforo (strain gauge) que so
montados nas cermicas x, y e z do scanner. Quando as cermicas se deformam para fazer
a varredura, os medidores fornecem um sinal que proporcional ao deslocamento. Este
sinal usado para produzir movimentos lineares do raster piezeltrico.
Scanners.
Os scanners de SPM so desenhados para diferentes amplitudes mximas de varredura.
A amplitude apropriada escolhida dependendo da medida do que se quer ver. Como j
dissemos, existem diferentes tipos de scanners. Os mais comuns so os tripoides e os
tubulares. Os tripoides consistem justamente na montagem de trs cermicas piezeltricas
nessa geometria, num arranjo ortogonal. Na figura 51 vemos dois tipos de scanners.
Os instrumentos TopoMetrix tm uma verso modificada da forma tripoide, com um
acoplamento mecnico entre as cermicas x, y e z. O piezo z controlado separadamente
dos outros e no est limitado pelas dimenses fsicas das cermicas x e y. O desenho do
tripoide modificado tem as seguintes vantagens:
Tamanho compacto. Com um scanner compacto podem ser varridas grandes reas devido
ao efeito do suporte mecnico das cermicas x e y, que empurra para cima o ponto pivot
que segura a cermica z.

Figura 51 A: Scanner tripoide

Figura 51B: Scanner tubular.
Movimento simples. A amostra traa uma figura circular previsvel enquanto varrida. A
distoro resultante, ou "bowing" (inclinao) para fora do plano da amostra
relativamente pequena e fcil de corrigir.
Tempo de resposta. As cermicas juntas deste design tm uma resposta temporal muito
rpida. Isto permite velocidades de varreduras mais rpidas, as quais minimizam os efeitos
no lineares.
Dureza mecnica. O design bsico do scanner tripoide, combinado com suas medidas
compactas, resulta em uma estrutura mecnica extremamente dura, que essencial para o
controle dos pequenos movimentos de um SPM.
Desacoplamento do eixo z (das amplitudes de varredura x e y). J que se utilizam
diferentes cermicas para varrer o eixo z e o plano (x,y), a falta de linearidade dos
piezeltricos, produzida pelo raster x, no distorce os movimentos em y e/ou em z. Os trs
piezos separados tambm permitem que a amplitude em z seja independente da extenso da
varredura no plano (x,y).
Os scanners tubo operam por deformao do prprio tubo. Os movimentos na direo z
so feitos por estiramento e na direo x e y por deformao. Em um tubo h eletrodos para
o movimento em x e em y (ver figura 51B) colocados ao redor da parte externa dele. Para
dobrar o tubo na direo x, se energiza a cermica +x para dilatar um lado dele. A cermica
-x contrada. Isto causa a deformao do tubo na direo x. O mesmo princpio usado
para gerar movimento na direo y. Estes dois movimentos so proporcionais voltagem
aplicada e ao quadrado do comprimento do tubo. O movimento na direo z gerado por
energizao de um eletrodo localizado no centro do tubo. O resultado um estiramento do
tubo como um todo, que proporcional ao comprimento do tubo e voltagem aplicada.
As vantagens de um scanner tubo so:
Desenho simples. Como os movimentos nas trs direes so controlados individualmente,
o desenho muito simples.
Rigidez. Outra vantagem que a estrutura tubular rgida devido ao prprio design.
Linearidade. Ele muito linear em pequenas amplitudes de varredura.
Entretanto, o tubo tem diversas desvantagens:
Ele deve ser grande em tamanho, para varrer grandes amplitudes, j que, quanto maior a
varredura requerida, maior deve ser o tubo. Isto resulta numa menor estabilidade mecnica,
se compararmos com a do tripoide.
Movimento muito grande fora do plano. Quando a amplitude da varredura muito
grande, a toro do tubo causa movimentos relativamente grandes fora do plano da
amostra. A grandeza e o aspecto desta distoro variam com a amplitude da varredura.
Movimento complexo. O movimento de toro do tubo relativamente complexo se o
compararmos com o arco simples de um tripoide. A correo s distores de curvatura
quando o tubo se move nas direes x e y, tais como bowing fora do plano da amostra,
difcil.
Amplitude em z limitada. A amplitude de movimento na direo z proporcional ao
comprimento do tubo, enquanto que as amplitudes em x e y so proporcionais ao quadrado
do comprimento. Como resultado disto o scanner pode no ter suficiente amplitude na
direo z como para medir grandes alturas. Este problema mais agudo quando a amostra
no est colocada exatamente perpendicular ao tubo.
Resposta temporal. Os tubos so feitos de cermicas macias as quais tm uma resposta
temporal relativamente lenta. Em particular, isto mais notvel quando se fazem grandes
varreduras, pois nelas, so necessrias grandes variaes de voltagem sobre as cermicas e
isto um fator de no linearidade. Inclusive, para rotar a direo de varredura requerem-se
mudanas rpidas de voltagem que resultam em varreduras no lineares.

Como identificar os defeitos introduzidos pelos scanners
Os artefatos devidos aos scanners podem ser identificados pelas distores que eles
produzem no plano (x,y) e na vertical (z).
Distores horizontais
1. No linearidade intrnseca. H vrias manifestaes da no linearidade de um
piezeltrico no plano horizontal. A mais notvel aquela pela qual as linhas que so
retas na amostra aparecem curvas na imagem. Para testar isto no plano (x,y) s
fazer a imagem de uma grade de calibrao.
2. Histerese. O sintoma que quando se fazem varreduras em diferentes direes
aparecem deslocamentos diferentes nas imagens da mesma estrutura. Para testar isto
s necessrio fazer varreduras do mesmo lugar em sentidos diferentes. Se as
imagens no so idnticas, h histerese.
3. Creep. O sintoma que quando se muda de regio para fazer uma segunda
varredura, a imagem parece se mover durante algum tempo, at adquirir uma
posio fixa. Isto se deve a que o scanner precisa de um tempo para relaxar. Para
testar isto, deve ser feita uma varredura sobre algum ponto reconhecvel, se possvel
numa esquina da imagem. Tirando uma segunda imagem dez vezes menor (isto ,
aumentando 10 vezes a magnificao) na regio onde est o ponto, se houver creep,
o sistema no centrar exatamente o ponto, mas fazendo repetidas varreduras sobre
ele, acabaremos com o ponto centrado, indicando que o scanner atingiu sua posio
de equilbrio.
4. Envelhecimento. O sintoma que a calibrao lateral muda com o tempo. O teste
provar a estabilidade das medidas laterais com o tempo, usando uma grade de
espaamento conhecido.
5. Cross talk entre as cermicas x e y, resulta em que, linhas horizontais e verticais
que deveriam aparecer perpendiculares, vem-se com ngulos diferentes ou
aparecem superfcies curvas, onde pensamos ter superfcies planas. O teste
novamente usar uma amostra padro para observar a deformao.
Comentrio: Como o SPM gera dados quantitativos, a qualidade deles estar em relao
direta com uma boa calibrao do sistema que gera esses dados.
Distores verticais
Os dados na direo vertical z esto sujeitos a alguns dos mesmos artefatos que no plano
(x,y). Entretanto, o design bsico do scanner (tubo ou tripoide) de maior importncia
neste caso.
1. No linearidade intrnseca. Se suspeitarmos da introduo de erros no valor das
alturas medidas, tambm existem grades padro, como para o plano, com alturas
bem determinadas.
2. Histerese. Os sintomas so que as inclinaes das paredes laterais das amostras,
iro depender de se o scanner est se movendo para cima ou para abaixo. Um teste
para identificar isto seria medir um degrau e comparar as inclinaes das bordas.
3. Creep. Pode ser visto em varreduras rpidas e amplas em altura. Um grande degrau
exemplo disto: o cume de uma parede profunda aparecer inclinado mostrando um
decaimento exponencial devido a que a cermica continua a se distorcer depois que
j se chegou ao topo. O teste para saber se isto est acontecendo fazer uma
imagem de um degrau de caractersticas conhecidas.
4. Envelhecimento. O sintoma que a calibrao da altura muda com o tempo. Para
testar, necessrio estudar a estabilidade com o tempo das medidas em altura,
usando amostras de altura conhecida.
Podemos resumir todos estes artefatos na figura 52.

Figura 52: Perfil de um degrau mostrando histerese, creep e cross talk s na direo z.
Vendo a figura, a histerese causa inclinaes diferentes nas paredes quando se varre para
acima ou para abaixo, devido a que as voltagem requeridas para isto so diferentes para a
contrao e a dilatao. O creep causa o decaimento exponencial que por sua vez resulta
em que o lado esquerdo do topo do degrau aparea mais alto que o direito. O acoplamento
cruzado acrescenta curvatura a todo o perfil.
Bowing. Uma distoro vertical comum a inclinao que ocorre devido a que o scanner
se move fora do plano da amostra durante a varredura. Isto acontece por dois fatores: a
geometria do scanner e o ngulo entre a ponteira e a amostra.
Artefatos dinmicos. As cermicas tm uma amplitude fisicamente limitada. Se a altura
das rugosidades excede esta medida em z, devido inclinao, a dobras ou mesmo ao
tamanho da superfcie, os dados coletados no tero sentido e isto aparecer como um
ponto aplanado (flat spot) sobre a amostra.
Calibrao. Como no caso horizontal, as medidas verticais esto sujeitas a erros de
calibrao e para evit-los existem critrios e provas padro de calibrao tanto vertical
quanto horizontal.

Artefatos de ponteira/cantilever
As imagens de SPM so uma combinao do feitio da ponteira e da amostra. Ento,
importante que seja usada a ponteira apropriada imagem que se quer obter. Diferentes
geometrias de ponteiras so usadas para obter diferentes tipos de imagens, mas se a
ponteira mais aguda que a corrugao a ser vista teremos, em geral, uma imagem real da
amostra. Entretanto, se a ponteira no consegue delinear as rugosidades da amostra por elas
serem mais finas, teremos a chamada convoluo da ponteira. A interao entre a
geometria da ponteira e a superfcie da amostra pode ser esquematizada como se mostra na
figura 53.

Figura 53: Imagem dependente do feitio da ponteira.
Os artefatos devidos ponteira resultam em geral de uma escolha errada dela em relao
amostra que se quer ver.
Distores de amostras com degraus ou cncavas. Quando se tenta fazer
imagens de uma superfcie com inclinaes muito pronunciadas, a geometria da ponteira
importantssima, como pode ser visto da figura anterior. Uma ponteira de grande raio
comear a interagir com as irregularidades da superfcie bem antes de que o eixo central
da ponteira alcance elas. Assim que a ponteira comea a interagir, ela traa uma figura
arredondada e no uma borda aguda. Se usarmos uma ponteira piramidal, por exemplo,
para ver um degrau, a imagem dele ir aparecer como tendo um ngulo, igual ao ngulo da
ponteira, como se mostra na figura 54.

Figura 54: Imagem influenciada pelo ngulo da ponteira.
Ento, para fazer imagens deste tipo de amostras, o aspect ratio crtico. Quanto maior o
aspect ratio, mais perto da real superfcie estar a imagem obtida.
Distores de amostras convexas. Quando fazemos a imagem de uma estrutura
convexa, uma ponteira bem aguda na extremidade ter um grande efeito na largura da
imagem. Uma ponteira de grande raio comear a interagir com a superfcie bem antes do
que o eixo central da ponteira alcance a amostra. Ento, a imagem ser mais larga que a
real, como se mostra na figura 55.

Figura 55: Imagem alargada pelo grande raio da ponteira.
Note-se que a altura da amostra ser medida corretamente, independente da geometria da
ponteira.
Assimetria da ponteira. Se a ponteira no for uniforme, tambm produzir artefatos na
imagem. Por exemplo, uma ponteira piramidal com paredes de 45
0
em todos os lados far
que rugosidades profundas na amostra paream ter 45
0
nos dois lados. Se as rugosidades da
amostra forem muito maiores que a ponteira, isto no acontecer, como se mostra na figura
56.

Figura 56: Na parte superior v-se a imagem distorcida pelo ngulo da ponteira. Na parte inferior, a
imagem correta.
Entretanto, se a ponteira tiver um lado perpendicular amostra, a aparncia desta ser de
profundidade em um dos lados e de 45
0
no outro, como vemos na figura 57.

Figura 57: Imagem devida diferente inclinao das paredes da ponteira.
Flexo da ponteira. Quando se usam ponteiras compridas e agudas, elas podem
flexionar-se numa rugosidade mais pronunciada. A imagem parecer menos profunda do
que a superfcie realmente , como se mostra na figura 58.

Figura 58: Imagem devida flexo da ponteira.
Outra ocorrncia possvel produzida quando uma ponteira muito fina entra numa parede
mais pronunciada. Neste caso, a ponteira pode torcer-se no momento em que toca a borda
da parede. Se isto acontecer, o cantilever se flexiona mais do que deveria. Na imagem,
aparece como se tivesse um canal ou uma fenda, na base da parede. Isto pode ser eliminado
ajustando os parmetros de realimentao da varredura, varrendo a velocidades menores ou
numa direo diferente.
Cantilever backlash. Quando a velocidade de varredura nos dois sentidos e muito
rpida, o cantilever pode sofrer uma flexo violenta (backlash) no momento em que a
ponteira muda de direo e comea a varrer outra linha. Isto pode resultar em artefatos que,
entretanto, no aparecem se no levarmos em conta a imagem das bordas da amostra.
Reprodutibilidade da ponteira. Como as imagens de SPM dependem da ponteira
utilizada para faz-las, com a finalidade de que os resultados sejam reproduzveis, as
ponteiras tambm devem s-lo. Isto muito importante especialmente quando se trata de
aplicaes na metrologia. Os resultados analticos devem ser interpretados com o
entendimento do que acontece quando se muda de ponteira.
Contaminao. Se a ponteira est contaminada, por exemplo, com fiapos de uma
amostra, a imagem no ser a verdadeira. Em alguns casos, observa-se um "riscado" ao
longo da direo de varredura; em outros, a contaminao pode at melhorar a imagem. Por
exemplo, como j foi mencionado, quando se faz resoluo atmica em grafite, a ponteira
pode pegar uma lasca e produzir interao entre os tomos da lasca de carbono presa
ponteira e os da amostra, o que melhora a resoluo.
Ponteira dupla. Um dos problemas crticos em relao ponteira saber determinar qual
a parte dela que interage com a superfcie. s vezes, pode ocorrer que a ponteira fique com
duas extremidades ou corrugaes na ponta. Neste caso, a imagem resultante ter dois
cumes correspondendo apenas a uma superfcie, como se mostra na figura 59. As bordas
laterais das corrugaes, tampouco sero bem reproduzidas j que, sobre a parede esquerda,
descendo o topo da corrugao, far contato a extremidade esquerda da ponteira dupla e
sobre a parte direita do vale da corrugao, o contato ser feito pela extremidade direita
da ponteira.

Figura 59: Imagem distorcida pela extremidade dupla da ponteira.
ngulo ponteira-amostra. Se o ngulo entre o eixo perpendicular ao plano da amostra e
o eixo vertical da ponteira for diferente de zero, a imagem ser distorcida e poder parecer
que um lado da amostra mais alto que outro. Ento, necessrio que a ponteira esteja
estritamente perpendicular superfcie da amostra.

Artefatos provenientes da mecnica do aparelho e do design da
eletrnica
Vibrao. Como j dissemos, o controle das vibraes muito importante pois se elas
existirem entre a ponteira e a amostra no poderemos obter uma realimentao estvel, o
que resultar em oscilaes com a freqncia das vibraes e, por exemplo, poderamos
confundir tomos com simples vibraes. Isto pode ser diferenciado variando a velocidade,
a amplitude e o ngulo da varredura e observando as mudanas correspondentes na
imagem.
Instabilidade trmica. Mudanas na temperatura podem causar expanso ou contrao
trmica dos componentes mecnicos do aparelho. Isto introduzir movimentos entre a
ponteira e a amostra que resultaro em artefatos. Para evitar isto, s estabelecer uma
temperatura estvel no ambiente e mant-la durante a experincia.
Controle de realimentao. Se o loop de realimentao no for otimizado poderemos
obter imagens nas quais iro aparecer ondulaes, rudo ou outros artefatos. A otimizao
da realimentao necessria para medir corretamente rugosidade e para obter boas
imagens de coisas aguadas. Quando a realimentao no estiver funcionando bem, a sada
do sensor no ser o valor correspondente corrugao e a voltagem aplicada s cermicas
no ir corresponder real topografia da superfcie.
Nvel de rudo do instrumento. O rudo da fonte de alimentao do SPM introduz
rudo nas voltagens aplicadas s cermicas. Como o rudo tambm uma voltagem, ele
convertido em movimento mecnico pelas cermicas, e ir aparecer na imagem resultante
como se fosse um sinal correspondente a corrugao. Este efeito mais notvel em
superfcies mais lisas.

Artefatos resultantes da manipulao de dados
As tcnicas usadas para melhorar as imagens de SPM podem tambm distorcer os dados
e levar a interpretaes erradas.
Correo de inclinao e de nvel. A menos que o aparelho de SPM incorpore um
mecanismo computacional de controle de nivelamento da amostra, ela ficar inclinada em
relao ao plano x,y do scanner. Em muitos casos, a inclinao ser muito grande em
relao medida da parte da amostra da qual se quer fazer a imagem. Este problema pode
ser facilmente corrigido ajustando o plano da amostra com um software apropriado.
Filtro passa-banda. Esta tcnica usada s vezes para remover alguns tipos especficos
de freqncia . Pode ser feito em dados previamente adquiridos, mas alguns instrumentos
fazem a filtragem durante a aquisio, de forma tal que os dados armazenados j esto
processados e a fila de dados no filtrados no acessvel para inspeo.
Fast Fourier Transform (FFT). A transformada de Fourier (TF) de uma imagem de
SPM apropriada para amostras que tm um aspecto peridico. Ela utilizada para
eliminar freqncias peridicas diferentes daquelas da periodicidade da amostra e que
introduzem rudo coerente. Mas a TF pode tambm introduzir artefatos se no for usada
corretamente, especialmente em amostras de aspecto aperidico. Isto acontece pois a TF
utiliza um algoritmo baseado em funes peridicas. Entretanto, os dados obtidos podem
conter diversos componentes de freqncias que no tm uma relao inteira com o perodo
bsico da TF e portanto podem ser automaticamente considerados erros e apagados da
imagem.
A TF uma das ferramentas matemticas mais importantes no processamento e anlise de
imagens. Foi inventada por Jean-Baptiste Fourier em 1807 e tem sido usada para muitas
aplicaes. Em funo da matemtica numrica, podemos dizer que seu grande boom s se
manifestou a partir de 1965 quando Cooley e Tukey
1
criaram um algoritmo para usar com
computadores, chamado Fast Fourier Transform (FFT), ou seja, transformada de Fourier
rpida. Este algoritmo reduz consideravelmente a quantidade necessria de operaes
matemticas. A TF decompe uma funo F(r) em componentes do nmero de onda k ou
da freqncia f. A decomposio chama-se espectro da funo. A TF no plano dada pela
seguinte equao:
V(k) = (1/2* ) 1 F(r) e
-ik.r
dr,
onde os limites de integrao so + . Tanto a funo quanto a sua transformada, contm a
mesma informao e a ltima pode ser considerada como uma representao diferente da
primeira. A TF inversa definida por
F(r) = (1/2* ) 1 V(k) e
ik.r
dk ,
onde os limites de integrao so tambm + .
Lidando com clculos discretos, a integral transforma-se na seguinte soma (no plano)
V(k
x
,k
y
)= (XY)
-1/2
2 2 F(x,y) {cos[(k
x
x/X)+(k
y
y/Y)] + sen[(k
x
x/X)+(k
y
y/Y)]},
F(x,y) = (XY)
-1/2
2 2 V(k
x
x,k
y
y) 3 exp{i[(k
x
x/X)+(k
y
y/Y)]},
onde as primeiras somas so sobre y=0 at y=Y-1 e as segundas sobre x=0 at x=X-1,
sendo X e Y os limites da imagem . As solues da FFT levam em conta as propriedades
especficas das funes a serem transformadas como, por exemplo, que uma imagem
contm apenas dados reais. Portanto, a funo entrada para a FFT real e no complexa.
Neste caso, pode ser usada a FHT, ou Fast Hartley Transform, para calcular o espectro de
uma imagem. Existe uma relao simples entre a FFT e a FHT. A diferena fundamental
que esta ltima s trabalha com dados de entrada e sada reais.
As transformadas de Fourier so usadas para filtrar em geral imagens de estruturas
peridicas. Erros sistemticos e/ou perturbaes podem ser corrigidos com transformadas
que correspondem a uma multiplicao complexa no espao de Fourier (domnio da
freqncia ou dos k) onde a TF da imagem uma componente e a outra a assim chamada
funo transferida. De acordo com as propriedades desta ltima funo podemos distinguir
diferentes tipos de filtros. Quando a supresso de nmeros de onda pequenos (altas
freqncias), estamos utilizando um filtro passa-baixos. Um filtro passa-altos suprime
grandes nmeros de onda (baixas freqncias). A combinao de ambos um filtro passa-
banda. Mas necessrio ter cuidado, pois o uso indevido de um filtro passa-banda,
dependendo da amostra, pode fazer aparecer um artefato mostrando na imagem uma
periodicidade no existente.
Mesmo assim, a TF de uma imagem muito utilizada, pois de ela pode ser obtida
praticamente toda a informao contida na imagem espacial e que, em condies normais,
no trivialmente visvel. Em particular, isto verdade para amostras com estruturas
peridicas, pois com uma TF de suas imagens, mais fcil ver e caracterizar suas
propriedades de simetria e suas constantes de rede.
"Amaciante". Os algoritmos para "suavizar" a aparncia das imagens podem tambm
introduzir artefatos, pois eles operam fazendo a mdia dos dados, com o que podem ser
perdidos detalhes da amostra. Isto , as imagens so "suavizadas" calculando a mdia
pesada de cada valor de z nelas.
Sombreamento. O sombreamento utiliza-se com freqncia para ressaltar o contraste em
z. Esta tcnica, pela qual uma fonte de luz simulada aplicada na imagem da amostra,
particularmente importante devido resoluo muito alta que possvel obter no eixo
vertical. Como a extenso no plano maior que a resoluo vertical, pode ser difcil
visualizar pequenos detalhes verticais tais como gros superficiais, sem sombrear a
amostra. O sombreamento reala as variaes na direo z, mas ele deve ser bem entendido
para evitar ms interpretaes dos dados. tambm importante saber a direo na qual est
sendo iluminada a imagem para poder determinar sem ambigidade se as rugosidades que
aparecem so para acima ou por debaixo do plano da amostra.
Aumentos em x, y e z, independentes. Uma das coisas importantes das tcnicas de
SPM a habilidade para aumentar o contraste em z das imagens, mas isto tambm pode
resultar em imagens enganosas. Como a magnificao em z pode ser representada
independentemente daquelas em x e y, as alturas poderiam ser exageradas. Ento,
essencial que os instrumentos de SPM sejam bem desenhados para no introduzir artefatos
mecnicos (ou manuais) e mais, as ferramentas em forma de softwares, devem ser usadas
em forma apropriada para que isto no acontea. ento essencial o conhecimento tanto do
instrumento quanto das ferramentas que ele tem para no produzir modificaes
indesejveis nos dados adquiridos.

1. J.W.Cooley and J.W. Tukey: An algorithm for machine calculation of complex Fourier series, Mathematics of Computation (1965).

Artefatos criados pelas amostras
Contaminao. Fora as consideraes j feitas sobre a contaminao das ponteiras, a
contaminao das amostras tambm pode introduzir artefatos mas isto mais provvel em
STM onde uma camada de contaminantes isolantes, podem acabar com a imagem.
Partculas sobre a superfcie da amostra. Partculas perdidas sobre a superfcie da
amostra podem causar artefatos quando se trabalha no modo de contato, j que elas podem
ficar presas ponteira causando um listrado na imagem, proveniente de um risco na
amostra. Tambm pode se apresentar o efeito de parecer que a imagem pula, medida que
as partculas se colam ou se soltam da ponteira. Isto pode ser reduzido ou eliminado usando
alternativamente outro modo de operao e, principalmente, s trabalhando com amostras
muito bem limpas.
Curvatura. Se a amostra tem curvatura, especialmente combinada com uma certa
inclinao, isto ir certamente produzir artefatos. Se esta combinao ultrapassar a
amplitude da varredura em z, a poro da amostra que fique fora do alcance, no aparecer
na imagem. Ainda mais, se a curvatura for maior do que a medida da superfcie que se quer
ver - gros, por exemplo - eles podem no aparecer na imagem a menos que se use
sombreamento ou algum outro recurso para aumentar o contraste.
Maciez. No modo de operao em contato podem aparecer artefatos devidos deformao
de uma amostra mole causada pela ponteira. Isto aparece como um listrado na amostra, ou
ainda, a amostra pode parecer mais baixa do que realmente . Este artefato pode ser
reduzido ou eliminado, diminuindo a fora aplicada ou usando outros modos de operao
como j foi dito.
Adeso ponteira-amostra. Durante uma varredura em contato, a ponteira e a amostra
podem ficar coladas. Esta adeso tambm pode resultar em artefatos, pois ela provoca uma
toro indevida no cantilever medida que as rugosidades vo sendo varridas. Este tipo de
artefato pode ser aproveitado para obter informao (como j mencionado anteriormente)
sobre o tipo de ligao entre a ponteira e a amostra. Ainda mais, se a ponteira estiver
revestida de algum material que seletivamente tenha uma ligao com alguma rea em
particular da amostra, este fenmeno pode ser usado para identificar justamente essa rea.
Corrugaes mais profundas que o comprimento de ponteira. Este efeito
proveniente de uma escolha no boa da ponteira, j foi mencionado como artefato de
ponteira, mas cabe lembrar que, se existir na amostra uma cavidade mais profunda que a
ponteira, o cantilever pode bater na borda da corrugao de forma tal que o que aparece na
imagem tem a ver com a forma da ponteira e no com a corrugao da amostra, como j
vimos. Uma boa preparao e caracterizao prvia da amostra essencial para que isto
no ocorra.
Concluses. A microscopia de varredura por sonda uma tcnica poderosa que fornece
um tipo de informao que no pode ser conseguida com nenhuma outra tcnica similar.
por isso que torna-se essencial o entendimento da instrumentao para fazer uma correta
interpretao das imagens. Os softwares existentes so fundamentais nisto, mas o critrio e
a prudncia do pesquisador na interpretao dos dados essencial para obter imagens
representativas e de qualidade confivel.
Sempre que houver dvidas sobre o aparecimento de artefatos numa imagem, as
seguintes operaes devem ser realizadas:
1. Repetir a varredura para ver se a segunda imagem igual primeira.
2. Fazer uma nova imagem com uma direo de varredura diferente primeira.
3. Mudar a amplitude da varredura para ter certeza de que a calibrao das escalas
correta.
4. Rotar a amostra e fazer outra imagem. Com este procedimento possvel distinguir
se h convoluo entre a ponteira e a amostra.
5. No caso em que a imagem mostre uma superfcie peridica ou quase peridica,
mudar a velocidade de varredura e fazer outra imagem. Com isto consegue-se
distinguir se a superfcie realmente peridica como parece ou apenas um artefato
o que se est vendo.

Nanotribologia
O termo tribologia relativamente novo e refere-se ao estudo de todas as propriedades de
materiais que tm a ver com interao de interfaces em movimento relativo. Estas
propriedades em geral so diferentes quando se trata de materiais de tamanhos
macroscpico e microscpico.
Com a inveno dos microscpios de fora, tornaram-se possveis o estudo e a anlise de
superfcies em escala atmica, seja de materiais cristalinos, amorfos ou de sistemas
orgnicos.
Atrito, lubrificao, desgaste resultante de asperezas microscpicas e adeso, so
fenmenos do dia a dia provenientes do movimento relativo de duas superfcies, que podem
ser medidos com um nanoscpio, assim como dureza, rigidez e rugosidade, como vimos
anteriormente para o caso especfico do atrito.
Com o AFM podemos estudar todo tipo de propriedades mecnicas de superfcies. A
importncia da inveno do AFM para medidas de tribologia, reside em que ele tem a
sensibilidade necessria para permitir a aplicao de foras fracas o suficiente para no
produzir o deslocamento de tomos de sua posio, durante o contato. Neste contexto,
bom sempre ter em mente a ordem de grandeza da fora que pode levar a ruptura das
unies qumicas.

Dureza
As pesquisas sobre dureza em filmes ultrafinos, isto , da ordem de 10 a 30 nm, so de
interesse no que se refere a recobrimento com camadas de proteo, para aumentar a
durabilidade, por exemplo, de discos magnticos. Macroscopicamente, a dureza est
determinada pela carga normal aplicada, dividida pela rea superficial. Isto o chamado
nmero de dureza de Rockwell ou de Vickers. Tambm pode ser definida pela carga
normal aplicada dividida pela rea de contato projetada, entre o indentador e a amostra. Isto
o chamado nmero de dureza de Knoop ou de Berkovich
1
.
A ponteira, para indentar, deve penetrar apenas o 10% da espessura do filme para evitar
qualquer influncia do substrato. Para camadas de proteo de espessura da ordem de 30nm
esta regra muito importante pois se ela no for seguida, corre-se o risco de estar medindo
camadas internas da amostra e substrato.
As medidas de dureza em filmes ultra finos em escala micromtrica requerem aparelhos
muito sensveis pois a dureza do material no s determinada pela grandeza das foras
interatmicas, mas tambm pelos mecanismos de deformao utilizados. O valor da dureza
pode variar tambm com os espaos vazios que o material possa ter, com as impurezas,
defeitos, textura, etc. A dureza intrnseca de filmes ultra finos pode ser medida
corretamente s depois de uma exaustiva avaliao das influncias da prpria indentao e
do substrato. A ponteira usada para indentar deve no apenas penetrar na amostra alguns
nanmetros, como tambm realiz-lo de uma forma que seja completamente reproduzvel.
Isto requer um controle de carga bastante rigoroso. A caracterizao da dureza de filmes de
menos de 100 nm s pode ser feita com um aparelho do tipo do AFM, j que com ele se
tem a possibilidade de medir a rea indentada diretamente. Conhecendo a constante de
mola do cantilever e o movimento em z da amostra, temos a carga aplicada. O quociente
entre a carga aplicada e a rea de indentao, determina a dureza da amostra. Dentro deste
contexto se pode medir ainda rigidez, definida como a fora de carga dividida pela
profundidade da penetrao. As dimenses utilizadas para dureza so GPa (Pascal =
Newtons/m
2
) e as de rigidez N/m.
Os componentes importantes na tcnica de medir dureza so os sensores de fora e a
ponteira, a qual deve possuir uma geometria apropriada para indentao e uma dureza
maior que a da amostra a ser estudada. Por exemplo, para indentar filmes metlicos, as
ponteiras de silcio so recobertas com carbono ou, em geral, com compostos contendo
diamante. Na prtica utilizam-se indentadores piramidais Berkovich de trs lados, que
possuem a vantagem de ter extremidade bem aguada, ou Vickers, de quatro lados, que so
mais resistentes em relao aos danos provenientes da fora de carga , ou ainda, ponteiras
esfricas, que tm uma distribuio de stress mais uniforme.
Outro elemento que muito importante nestas experincias o sistema de
posicionamento e localizao pois, uma vez indentada a amostra, necessrio achar
exatamente o local da indentao para fazer a varredura. Uma tcnica muito utilizada
fazer muitas indentaes iguais em diversos locais da amostra para no ter o problema de
localizao. Na figura 60 vemos os componentes do nanoindentador e o clculo da
profundidade p de penetrao, em funo da deflexo d do cantilever e do deslocamento z
do piezo: p=z-d. As foras de carga utilizadas neste tipo de experincia so da ordem 0,1 a
10 mN dependendo do material a ser estudado.

Figura 60: Nanoindentador.
As prximas trs figuras, 61, 62 e 63 mostram as imagens feitas em nosso laboratrio, da
indentao de filmes e do perfil do buraco produzido.


Figura 61: Indentao de um substrato de Silcio. Ezquerda, imagem bidimensional; direita,
imagem tridimensional e embaixo, imagem tridimensional invertida.


Figura 62: Indentao de um filme composto de 80% de carbono e 20% de hidrognio. Perfil do furo.





Figura 63: Indentao do mesmo filme de carbono e hidrognio da figura anterior. Imagens do furo
normal e invertido.

1. B.Bhushan: Tribology and Mechanics of Magnetic Storage Devices. Springer, Berlin, Heidelberg,

Rugosidade
At recentemente, a indstria no tinha dado muita ateno microrugosidade.
Atualmente, o seu controle tornou-se importante devido ao necessrio incremento da
qualidade dos materiais. Em 1990, com a apario do AFM, comearam as medies de
nanorugosidade em silcio. Uma das experincias mais correntes hoje em dia medir a
variao da rugosidade com a temperatura
1
.
Os nanoscpios j tem um software apropriado para estas medies. Ele funciona da
seguinte maneira: feita a imagem da superfcie a ser medida, define-se uma mdia
aritmtica Z como a soma de todos os valores da altura nessa direo, dividida pelo nmero
N de pontos utilizados no perfil:
<Z> = (1/N) 2 Z
i

onde a soma de i=0 at N. O parmetro mais freqentemente utilizado para a rugosidade
o Ra: mdia aritmtica dos desvios em altura do valor mdio acima. Este valor dado por
Ra = (1/N)2 | Z
i
- <Z>| ,
onde a soma de i=1 at N.
Considerando a estatstica de alturas mximas dos picos, definem-se os parmetros Rp e
Rt. Rp a altura mxima do perfil acima da linha mdia e Rt a altura mxima do pico ao
vale, no perfil.
Rp = Z
max
- <Z> e Rt = Z
max
- Z
min
.
O perfil como um todo, pode ser melhor representado pelos valores mdios das grandezas
anteriores:

<Rp> = (1/Y) 2 Rp
i
; <Rt> = (1/Y) 2 Rt
i
,
sendo as somas de i=1 at Y. O algoritmo do software para as medidas de perfis de
superfcies deste tipo, utiliza o valor Y=20, que leva em conta os 20 pontos mais altos do
perfil.

1. R.Prioli, S.I.Zanette, A.O.Caride, M.Lacerda, F.L.Freire. Diamond and Related Materials, 8 (6), p. 933 (1999).

Nanotecnologia
Com o desenvolvimento da microeletrnica nos defrontamos cada vez mais com
estruturas em escalas por baixo de 100nm. A transio da microtecnologia (dimenses
laterais de 0,1 a 100 m) para a nanotecnologia (dimenses laterais de 0,1 a 100nm) requer
a habilidade de fabricar estruturas menores, assim como a capacidade de explorao e
aplicao de fenmenos fsicos novos que acontecem em escalas nanomtricas. Algumas
coisas interessantes dentro deste contexto so:
1. -Nanoposicionamento e nanocontrol de processos.
2. -Mecanismos de nanopreciso.
3. -Descobrimento e/ou fabricao de superfcies super lisas.
4. -Fabricao de estruturas em escalas nanomtricas.
5. -Anlise das estruturas nessa escala.
6. -Entendimento das propriedades fsicas da matria em escala nanomtrica.
7. -Por ltimo, essencial conseguir uma relao clara entre o mundo macroscpico e
o nanoscpico.
Como vimos no decorrer de estas notas, a maioria dos itens acima relacionados, j so
realidade, graas s tcnicas de SPM. Os instrumentos de varredura por sonda permitem a
fabricao e manipulao de estruturas em escalas nanomtricas podemdo-se at construir
uma estrutura por arrumao de tomos. Ainda mais, a nanotecnologia verstil o
suficiente como para que, com pequenas modificaes, seja aplicvel a diferentes tipos de
problemas.
Estudo e Fabricao de estruturas em escala nanomtrica. O primeiro item que
deve ser levado em conta a no destruio da amostra em estudo. Para isto, como j
vimos, as foras de interao devem ser mantidas dentro do valor apropriado, e isto feito
por ajuste dos parmetros experimentais. Quando aumentamos a interao ponteira-amostra
por cima destes valores limites, obtemos como resultado modificaes locais, em geral
sobre a superfcie da amostra. So estas modificaes (indesejveis durante uma operao
normal de feitura de imagens), que permitem a fabricao de pequenas estruturas em escala
nanomtrica.
Para trabalhar especificamente em nanoindentao, necessrio conseguir distinguir o
que se est indentando ou "escrevendo" sobre a superfcie. Para isto, a primeira condio
que ela seja extremamente lisa, o que quer dizer que ela deve ter rugosidade
consideravelmente menor que a indentao. Neste contexto, o substrato muito importante.
Ele deve ser em geral feito de materiais em camadas (para obter uma clivagem apropriada).
Por exemplo, utilizam-se como substratos, grafite, mica, xidos de cobre em camadas,
semicondutores (Si, Ge) ou metais monocristalinos (Au, Pt, Ni) preparados em condies
de ultra alto vcuo, filmes metlicos finos (Au sobre mica), materiais amorfos
(semicondutores ou metais) depois de removido o xido da superfcie, etc.
Em um processo de indentao, so parmetros importantes, a medida das estruturas
escritas, o erro no processo de escrita, a velocidade da escrita e as condies ambientais
durante o processo, que podem afetar a estabilidade da escrita.
Quando se faz litografia com feixe de eltrons, utilizam-se filmes resistentes aos eltrons,
como por exemplo PMMA (polimetilmetacrilato) que isolante. Os eltrons de alta energia
penetram vrios micrmetros no substrato slido dos filmes, gerando "chuveiros" de
eltrons secundrios que se espalham no volume e que "escrevem" em regies no
desejadas na experincia.
Na litografia por STM utilizam-se eltrons de baixa energia e portanto no necessrio o
uso de filmes resistentes. Com o AFM o problema mencionado tambm no se apresenta
pois no h corrente envolvida no processo.
Modificaes mecnicas das superfcies. Usando as foras de interao ponteira-
amostra podemos fazer modificaes superficiais locais por STM ou por AFM.
Dependendo do valor da fora aplicada e do modo de operao, as modificaes podem ser
desde escala submicromtrica at escala atmica.
Varrendo a ponteira no modo de contato, podem ser desenhadas linhas de largura
submicromtrica sobre a amostra, apenas furando a superfcie. Tambm podem ser feitos
pontos sobre a amostra. Tudo isto com muita preciso j que o AFM permite a medio e o
controle direto da fora de interao ponteira-amostra. A primeira vez que isto foi feito
1
, foi
por remoo local de um filme de fosfato de octadecil (C
18
P) previamente depositado sobre
mica. Isto foi realizado aumentando acima de 10
-6
N a fora aplicada enquanto se fazia a
varredura. A resoluo lateral do processo de escrita da ordem de 10nm.

1. Albrech, T.R. Ph.D. Thesis, Stanford University, Standford, California.

Elasticidade e Plasticidade
Em 1992(1) foram desenhadas linhas de 70 nm de largura e 10 nm de profundidade sobre
um substrato policarbonado. Nessa experincia, a fora aplicada usando um cantilever de
Si
3
N
4
foi posta acima de 5x10
-8
N. Assim, foi estudado o limite de deformao plstica
local da amostra, que depende da geometria da ponteira e das propriedades de elasticidade e
plasticidade do substrato policarbonado.
Na figura 64 mostra-se o comportamento em resposta indentao, de duas amostras
ideais.
Na parte superior, a indentao de um material elstico ideal e a figura mostra o
incremento da carga sobre a amostra em funo da profundidade de penetrao. No h
histerese na curva, nem quando se volta a carga nula, com a retrao do indentador. Isto
no acontece com um material plstico ideal, como se mostra na parte inferior. As curvas
para aumento e diminuio da carga, no so coincidentes.

Figura 64: Curvas de indentao para um material idealmente elstico (parte superior) e plstico
(parte inferior).
O comportamento dos materiais reais uma mistura de ambas respostas anteriores. As
propriedades elasto-plsticas podem ser determinadas diretamente das curvas de carga e
descarga.
A geometria do indentador determina a dependncia funcional da curva de carga para
materiais elsticos. Na figura anterior, a carga tem uma dependncia com o quadrado da
profundidade de penetrao. Isto acontece em geral com indentadores cnicos. Existem
trabalhos(2) estudando as solues para a dependncia funcional entre a carga e a
penetrao, para indentadores de geometrias diversas. Por exemplo, para um indentador
esfrico e pequenas profundidades de penetrao, a carga proporcional potncia 3/2 da
profundidade e para um indentador cilndrico, com extremidade plana, a dependncia
funcional da carga linear com a profundidade.
O mdulo de elasticidade E*, diretamente proporcional ao mdulo de Young E, pode ser
determinado a partir da curva de indentao para um material elstico. Entretanto, como a
maioria dos materiais so elasto-plsticos, E deve ser calculado a partir da contribuio
elstica na curva. Por exemplo, para uma ponteira com extremidade esfrica de raio R
(suposta de deformao desprezvel) e supondo uma amostra de propriedades elsticas
homogneas e isotrpicas(3) , a penetrao em funo da carga p
3
= 4 F
c
2
. Neste caso, 4
=9*
2
/16 E*
2
R, onde E*= *E/(1-5
2
) e 5 o quociente de Poisson.
A dureza pode ser tambm determinada das curvas, sem considerar a parte elstica, como
a mxima carga dividida pela rea projetada de contato entre o indentador e a amostra, aps
a amostra ter-se recuperado elasticamente.
Antes de janeiro de 1989, alguns autores reportaram ter feito indentadores em
laboratrio, com resoluo em fora de 100 nN mas, o melhor sem dvidas, o reportado
por Burnham e Colton(4), usando, claro, um AFM, com uma resoluo de fora de 1 nN e
de profundidade de 0,02 nm.
Nessa experincia, os parmetros medidos so os que determinam as propriedades elasto-
plsticas, isto , mdulo de elasticidade, rigidez, dureza, as foras superficiais associadas
interao ponteira-amostra e a fora adesiva, isto , a fora adicional necessria para
separar duas superfcies depois de elas terem entrado em contato. A grandeza das foras de
adeso depende das propriedades dos materiais, tanto da ponteira quanto da amostra, assim
como do material da interface.
Mede-se ainda, fora de carga em funo da profundidade de penetrao ou em funo
da posio da amostra.
As foras de superfcie so extremamente importantes nos contatos nanoscpicos. O
primeiro que acontece quando duas superfcies entram em contato uma deformao
elstica. As foras de interao ponteira-amostra so determinadas na forma convencional,
medindo a deflexo do cantilever. Fora nula definida como a posio de cantilever
quando a amostra est muito longe. Fora positiva sobre a amostra definida quando o
cantilever curvado para acima, e negativa quando ele se curva na direo da amostra. A
posio nula para a amostra definida como a voltagem de realimentao necessria para
pr o cantilever na sua posio zero, ou de repouso. A posio da amostra negativa
quando ela se encontra suficientemente longe do cantilever e positiva logo aps ela ter
puxado o cantilever e t-lo feito abandonar sua posio de equilbrio. A profundidade de
penetrao p definida, como j dissemos anteriormente, como a diferena entre a
distncia z
a
que se moveu a amostra, e o deslocamento z
p
sofrido pela ponteira. Foi
escolhida uma ponteira de extremidade cnica, feita de arame de tungstnio de 0,25 mm de
dimetro, pois o tungstnio tem um alto mdulo de elasticidade: 420 GPa. Assim, se
consegue minimizar a deformao da ponteira durante a indentao. Uma imagem feita por
SEM mostrou que o raio de curvatura da ponteira tinha entre 100 e 200 nm, e o ngulo era
da ordem de 10
0
. Esta ponteira foi moldada separadamente e colada ao tungstnio com
pintura de prata. Isto permite mudar a extremidade dissolvendo a pintura em metanol. O
instrumento foi operado em ar e em condies ambiente. Para minimizar os efeitos do
ambiente, as amostras foram escolhidas por serem bastante inertes: grafite altamente
orientado, ouro, e borracha. Tambm foi levado em conta que as amostras deveriam ter
comportamentos caractersticos de materiais plsticos e elsticos. O grafite e a borracha so
elsticos e o ouro, plstico. Antes da experincia, o grafite foi esfoliado com fita adesiva e
o ouro preparado com produtos qumicos. A borracha no sofreu nenhuma preparao.
Os resultados da nanoindentao so mostrados na figura 65.

Figura 65: Profundidade da indentao. (a) Material elstico; (b) Material plstico.
Na parte superior, esto as curvas para os materiais elsticos. V-se que a borracha se
comporta quase idealmente. As foras aumentam linearmente com a profundidade da
indentao at uma carga de 1,1 N. Nesse ponto, o indentador penetrou 450 nm na
superfcie da amostra. O grafite tambm mostra um comportamento linear. A uma
profundidade mxima de penetrao de 85 nm, a carga de 4,2 N. Entretanto, h um
pouco de histerese quando a carga diminui e a ponteira fica a aproximadamente 12 nm a
fora nula. Isto normalmente seria interpretado como a profundidade plstica. Todavia,
como depois de vrias indentaes, os resultados so os mesmos, os autores acham que a
histerese devida adeso entre a ponteira e o grafite, inclusive porque o grafite e a
ponteira interagem muito fortemente via foras de superfcie.
Como no se conhece exatamente a forma da ponteira e como a carga varia linearmente
com a profundidade de penetrao, se supe que a indentao melhor descrita pela
soluo de Sneddon correspondente a um indentador rgido, cilndrico e de extremidade
plana, teoricamente no adesivo. A relao para tal dada por
F = 2Erp/(1-v
2
),
onde F a fora de carga aplicada, r o raio da rea de contato e p a profundidade da
penetrao.
O raio da rea de contato na superfcie desconhecido e portanto supe-se que seja igual
ao raio da ponteira. Ento, usando um r de 100 nm e valores de v de 0,45 e 0,30 para a
borracha e o grafite respectivamente, o valor de E calculado resulta 10 MPa para a borracha
e 225 MPa para o grafite. Apesar de que na literatura no foram achados valores reportados
para o mdulo de borracha e grafite comuns, como os usados na experincia, existem
valores reportados de 0,35 a 21 MPa para borracha de isoprene e de 3,5 a 28 GPa para
grafites carbnicos e industriais(5).
Note-se a diferena de valores; isto pode ser explicado pensando que os valores
reportados em 1979 no foram obtidos com experincias nanomtricas, sendo esta mais
uma evidncia de que, como j dissemos, o comportamento dos materiais em escala
nanomtrica, em geral, difere daquele macroscpico.
Na parte inferior da figura 65 vemos que as curvas de carga e descarga para uma folha
grossa de ouro se comportam como aquelas correspondentes a um material plstico ideal.
Para uma fora de 20,3 N a penetrao 103 nm. No h componente elstica na
descarga. Usando 100 nm para o raio da ponteira, visando estimar o raio da rea de contato,
a dureza calculada 0,65 GPa. O valor aceito para o bulk 0,5 GPa. Todavia, j foi
mostrado(6) que para pequenas reas de contato, a dureza aparente maior que os valores
do bulk. Deve levar-se em conta sempre que as foras reais que agem nesta experincia
podem ser maiores que as reportadas pois o contato ponteira-amostra pode mudar a rigidez
do sistema.
Uma limitao nas medidas tradicionais de indentao a necessidade de fazer a imagem
da superfcie aps a indentao, com o objetivo de determinar a rea do material deformado
plasticamente. Isto no acontece com o AFM pois a profundidade de indentao pode ser
medida diretamente e, mais ainda, a imagem pode ser feita sem problemas, como foi
mostrado anteriormente (ver figuras 61 a 63).
Devido a que a folha de ouro plstica, os autores no conseguiram fazer a imagem com
contato sem causar danos na superfcie, mas a do grafite foi feita, conseguindo-se resoluo
atmica, inclusive com altas cargas de at 10 N. Com este valor de fora o grafite se
deforma em at 200 nm.
Antes da ponteira tocar a amostra, o cantilever atrado pelas foras de superfcie. A
interao pode ser bem entendida dos diagramas de fora (ou aqui neste caso, energia
potencial) que j conhecemos. O cantilever, pela lei de Hooke, ter um potencial dado por
U
1
=(1/2)kz
2
. O potencial da interao ponteira-amostra U
2
e tem termos atrativos e
repulsivos tal que apresenta um mnimo de potencial perto da superfcie da amostra (
distncia aproximada de um tomo). O potencial total do sistema ponteira-amostra
U
t
=U
1
+U
2
. Como uma bola colocada no fundo de um poo, a ponteira ficar em um
mnimo do potencial de interao total. Esse mnimo mudar em funo da distncia de
interao.
As figuras 66 e 67 mostram duas interaes diferentes entre ponteira e amostra, sendo
que a primeira representa um potencial de interao superficial forte e a segunda um fraco.
A interao ponteira-amostra U
2
representada por um potencial atrativo mais um
repulsivo (forte na primeira figura) da forma -4 /(z-a)
2
+ 6 (z-a)
3
; a(t) representa a
separao ponteira-amostra em funo do tempo e 4 e 6 so parmetros que controlam a
relativa fora dos potenciais.

Figura 66: Energia potencial de interao forte entre a ponteira e a amostra.
Na parte (a) da figura 66, U
t
tem trs extremos locais na distncia entre a posio de
repouso do cantilever e a superfcie da amostra. A ponteira ficar perto do z=0 at que o
mximo em U
t
desaparea como acontece na parte (b). Quando a curvatura (segunda
derivada de U
t
em relao a z) perto do mximo de U
t
se torne positiva, haver apenas um
mnimo em U
t
. Neste ponto, o cantilever se move bruscamente tal que a ponteira fica na
profundidade do mnimo perto da amostra (parte (c) ). O efeito total das foras fortes sobre
o cantilever que elas fazem-no pular para o contato quando a amostra se aproxima. O
comportamento inverso esperado quando a amostra se retrai, mas ele acontece a um valor
diferente de a(t).

Figura 67: Energia potencial de interao fraca entre ponteira e amostra.
Na figura 67, o processo o mesmo que o anterior, mas o potencial de interao U
2

fraco.
Neste caso, U
t
s tem um extremo ao longo da distncia de interao. Quando a(t)
decresce, o mnimo de U
t
se move suave e continuamente perto da superfcie. A ponteira
entra e sai (deslizando) do contato.
Na figura 68 mostram-se exemplos de como a ponteira entra e sai do contato. A fora
associada com a interao ponteira-amostra representada em funo da posio da
amostra. Os nmeros dados para a posio da amostra no so as separaes reais da
ponteira. Essa separao no conhecida exatamente pois haver uma quantidade pequena,
desconhecida, de deformao elstica da superfcie, quando a ponteira faz contato.
A fora nula definida na posio de repouso do cantilever, quando no h interao
detectvel. A posio zero da amostra aquela que devolve o cantilever sua posio de
repouso. A medida que a amostra se aproxima e comea a entrar na regio atrativa, o
cantilever se move na direo da amostra (fora negativa). No contato, o cantilever inverte
a direo de deflexo. A amostra continua a mover-se para a frente, empurrando o
cantilever para atrs. A amostra tem ento uma carga positiva aplicada sobre sua superfcie.
deste quadrante no grfico, que so feitas as curvas de carga/descarga para a indentao.
Quando a direo da amostra invertida, a carga sobre ela vai diminuindo at que se
quebra o contato.

Figura 68: Fora associada interao da ponteira de tungstnio. (a) Com grafite; (b) Com ouro.
Na parte (a) mostra-se a interao entre a ponteira de tungstnio e a superfcie de grafite.
Quando a amostra e a ponteira se aproximam, a ponteira pula ao contato. A inclinao da
curva correspondente ao pulo na parte (a) desta figura 68 e nas partes (a) e (b) da prxima
69 (que a mesma anterior, mas para pequenas cargas, devidas apenas a foras superficiais
e no provocadas) atribuda a uma constante de tempo finita do sistema de controle de
realimentao.

Figura 69: Fora associada interao da ponteira. (a) e (b) com grafite; (c) com ouro.
A curva de carga para grafite, semelhante quelas ideais, linear e elstica. No h
histerese quando diminumos a carga, at o ponto em que feito o contato inicial. Quando
se sai do contato, a ponteira est mais longe da amostra que quando estava prestes a entrar
em contato. A fora adicional necessria para romper o contato atribuda a adeso e a
foras superficiais entre a ponteira e a amostra.
Na parte (b) da figura 68, mostra-se a interao ponteira-amostra, entre uma ponteira de
tungstnio e um filme de ouro evaporado sobre vidro, de 100 nm de espessura. Nela vemos
que neste caso, a ponteira "desliza" ao contato. As curvas de carga e descarga no so
lineares e h uma parte plstica. Mais ainda, h evidncias de adeso. O comportamento
elasto-plstico da amostra de filme difere um pouco dos resultados reportados para o bulk
na parte (b) da figura 65. A diferena consiste em que poderia haver alguma recuperao
elstica devida utilizao de vidro como substrato. Como j dissemos, o substrato pode
causar efeitos indesejveis quando a penetrao maior que o 10%.
A maior diferena entre as partes (a) e (b) da figura 68, est na regio atrativa. No caso do
grafite, a ponteira pula ao contato e desliza para fora dele. No ouro, a ponteira desliza para
dentro e para fora do contato. A distncia qual as foras superficiais so observveis
tambm muito diferente para os dois casos. Isto pode ser explicado com um modelo
apropriado de interao.
Comparando as figuras 66 e 67, para potencial U
2
forte a ponteira no apenas pula ao
contato, mas se move uma distncia maior em z que para o potencial U
2
fraco. As escalas
utilizadas nas figuras para U e z foram escolhidas representativas de uma ponteira de raio
de curvatura de 100 nm. A ponteira utilizada para os dados mostrados na figura 68 era de
maior tamanho, mas no pde ser caracterizada.
O deslocamento do piezeltrico da amostra pode ser controlado o suficiente como para no
aplicar carga ou aplicar cargas muito pequenas. Na regio atrativa, a interao ponteira-
amostra devida somente a foras superficiais. O cantilever no contribui com carga
nenhuma e, portanto, no h danos na amostra. Na figura 69 se mostra a interao da
ponteira de tungstnio com a superfcie de grafite, para uma carga muito pequena sobre a
amostra. Comparando a parte (a) dela, com a parte (a) da figura 68, vemos que, ainda que a
forma da curva na regio atrativa praticamente a mesma, as distncias para as quais a
ponteira pula ao contato ou sai dele, so muito diferentes.
A ponteira utilizada na experincia mostrada na figura 69(a) era de muito menor
tamanho que a outra (a interao atrativa deve ser menor, quanto menor o tamanho da
ponteira).
A idia agora desenvolver um modelo simples para as foras de superfcie, que considere
o comportamento do cantilever na regio atrativa e o valor da distncia D
j
qual seria
razovel que ele pulasse ao contato. Em primeira aproximao, a parte repulsiva do
potencial, no ser levada em considerao. Se a ponteira considerada esfrica e a
superfcie plana, ento, a parte atrativa do potencial de interao ponteira-amostra pode ser
expressada por(7)
U
a
= - HR/6D,
onde R o raio da esfera, D a distncia entre a esfera e a superfcie e H a constante de
Hamaker que, como j foi dito, est relacionada com a densidade dos materiais, a interao
dipolar e o meio no qual esto os materiais. Para a maioria dos slidos, o valor de H varia
entre 0,4 e 4x10
-9
joules.
A equao anterior pode ser usada para estimar H para o sistema grafite-tungstnio, em ar,
temperatura ambiente. Fazendo a primeira derivada do potencial em relao distncia,
temos que a fora superficial dada por
F = -dU
a
/dD = -HR/6D
2
.
A deflexo do cantilever em direo amostra uma medida direta da fora atrativa e
dada por -kz
t
. Na superfcie da amostra, com R=100 nm, D=0,2 nm, k=50 N/m e z
t
=2,7
nm, H resulta 3,2x10
-19
J. O cantilever pular na amostra se a curvatura de U
a
exceder a de
U
1
ou, em outras palavras, se o gradiente da fora de U
a
, excede o gradiente de U
1
. Ambos
so a segunda derivada do potencial em relao distncia e representam o ponto no qual o
potencial total tem s um mnimo (ver figura 66(b)). Fazendo a segunda derivada da
equao anterior, obtemos
d
2
U
a
/dD
2
= -HR/3D
3
,
onde o valor desta segunda derivada deve ser no mnimo -50 N/m para que o cantilever
pule. Com os valores utilizados, calcula-se que o pulo d-se distncia D
j
=0,6 nm.
Apesar de se entender o porqu da ponteira pular ao contato, como se mostra na figura
69(a), a figura 66 indica que ela tambm deveria sair pulando do contato quando a retrao
da amostra atingir um certo valor suficiente para isso. Na verdade, pode haver quatro tipos
de comportamentos diferentes. Eles so: pulo para dentro e para fora do contato,
deslizamento para fora e para dentro, deslizamento para dentro, pulo para fora e vv. Os dois
primeiros so explicados com a ajuda das figuras 66 e 67. O deslizamento para dentro, pulo
para fora, foi observado somente depois da aplicao de uma carga muito grande sobre o
material. Nesse caso, a deformao da amostra, ou a adeso, possivelmente agem para fazer
crescer o potencial de interao criando o comportamento de pular para fora. O pulo dentro,
deslizamento fora, foi observado somente em grafite. O potencial de interao forte causa o
pulo. Se as foras de superfcie so suficientemente grandes como para deformar a amostra,
quando o suporte dela retrado, a superfcie pode deformar-se tal que permanea prxima
ponteira. Ou seja, a superfcie do grafite se expande para manter a forte interao
ponteira-amostra. A deformao elstica do grafite induzida pelas foras de interao entre
a ponteira e a superfcie, foi usada para explicar as corrugaes gigantes que aparecem em
algumas imagens de grafite feitas com STM.
A fora que age sobre a superfcie -HR/6D
2
. Quando a ponteira est a 5 nm acima da
superfcie, a fora calculada de 0,2 nN e a 0,2 nm de 133 nN. A rigidez da superfcie do
grafite pode ser estimada tomando a primeira derivada da fora em relao penetrao:
dF/dp = 2Er/(1-v
2
) que resulta em um valor da ordem de 50 N/m. Supondo que a amostra
tem uma constante de mola desse valor, a deformao da superfcie causada por uma fora
de 0,2 nN ser 0,2 nN/50(N/m) # 0,004 nm. Uma fora de 133 nN deforma a amostra em
2,7 nm. Vemos portanto que, para as interaes ponteira-amostra a distncias atmicas, a
deformao da superfcie de grafite pode ser significativa. Ento, medida que a amostra
afastada, a sua superfcie se deforma, tentando seguir o cantilever na direo de sua posio
de repouso, aps o que, pode ocorrer eventualmente que a amostra se separe da ponteira e o
cantilever pule uma pequena distncia, at a sua posio de repouso. Na figura 69(a) vemos
que isto acontece quando a amostra est na posio perto de -60 nm e, na figura 68(a) ,
perto de -150 nm.
O pulo ao contato e o deslizamento para fora em grafite reproduzvel: a aproximao
da ponteira a mesma para centos de tentativas. De fato, o comportamento pode ser visto
at depois de ser aplicada uma carga muito pequena, ou ainda sem carga. Portanto, a
modificao no comportamento da ponteira, deve ser via foras de superfcie.
Um bom controle da posio da amostra permite estudar o regime de foras de carga
muito pequenas. Vejamos agora a parte da curva da figura 69(a), exatamente onde a
ponteira entra em contato com a superfcie. Isto mostra-se novamente na figura 69(b) para
grafite, onde a deflexo do cantilever, depois de fazer contato, menor que 0,25 nm. Na
parte (c) da figura 69 v-se a mesma coisa para o ouro. Nela, a fora de carga totalmente
proveniente de foras superficiais j que o cantilever flexionado na direo da amostra.
As partes (b) e (c) da figura 69, podem ser interpretadas como as curvas de indentao da
figura 65, levando-se em conta que o eixo x nelas a posio da amostra em vez da
profundidade de penetrao. A limpeza na superfcie da amostra no foi controlada nesta
experincia, mas espera-se que a fora adesiva dependa no apenas da preparao da
amostra como tambm das condies ambientais.
Consideraes gerais:
-A resoluo em fora destas curvas menor que 1 nN.
-A figura 69(b) mostra o grafite como sendo praticamente elstico. A fora necessria para
comear a separar a ponteira da amostra depois que foi retirada a carga de 11 nN, de 2 nN
(adeso).
-Na figura 69(c) , a ponteira interage com ouro de uma forma elasto-plstica. Aps a
aplicao de uma fora de carga de 4 nN (que corresponde a uma variao na deflexo do
cantilever de 0,08 nm para um nvel de rudo de 0,01 nm) necessrio adicionar 10 nN
para comear a separar a ponteira da amostra. Esta fora necessria, maior para o ouro, se
deve provavelmente a mudanas causadas tanto por plasticidade quanto por adeso.

1. Jung,T.A.,Moser,A.,Hug,H.J.,Brodbeck,D.,Hofer,R.,Hidber,H.R. and
Scharz,U.D.(1992).Ultramicroscopy 42-44,1446.
2. I.N.Sneddon, Int.J.Eng.Sci.3,47 (1965)
3. M.Radmacher, R.W.Tillmann, M.Fritz, H.E.Gaub. Science 257, 1900 (1992).
4. N.A.Burnham and R.J.Colton,J.Vac.Sci.Technol.A, vol7,N.4 (1989)
5. Mater. Eng. 90(6), C120 (1979).
6. M.D.Pashley,J.B.Pethica,and D.Tabor,Wear 100,7 (1984)
7. Yu.N.Moiseev,V.M.Mostepanenko,V.I.Panov,andI.Yu.Sokolov,Phys.Lett.A 132, 354 (1988).

Microscopia de Fora ELetrosttica (EFM)
Um microscpio para detectar fora eltrica, ou EFM (electrostatic force microscope)
uma modificao do microscpio de fora atmica utilizado no modo de operao de no-
contato. Com ele pode-se estudar a distribuio de cargas eltricas sobre uma superfcie,
determinar o sinal dessas cargas, medir capacitncias, etc.
Quando duas superfcies entram em contato, em geral trocam cargas e, se depois se
separam, ficam carregadas com cargas opostas. Isto se observa nos eventos mais
corriqueiros do dia a dia, como em partculas de gelo das nuvens, a sola de sapato no
carpete e as partculas de toner nas copiadoras e impressoras eletrofotogrficas. Apesar
disto, os fenmenos de triboeletrificao esto ainda por serem bem explicados. A
eletrificao por contato classificada em trs categorias: contato metal-metal, metal-
isolante e isolante-isolante. No contato metal-metal, que o nico que se conhece bem, foi
mostrado que h corrente de eltrons at que os dois nveis de Fermi(1) se equilibrem. As
outras duas categorias no tm sido at agora bem entendidas e h dados conflitantes, como
por exemplo, que no contato metal-isolante com vrios metais, a carga do isolante s
depende do ltimo metal utilizado para o contato. Outras opinies, mantm a idia de que o
isolante acumula a carga de cada contato, para cada metal independentemente.
Identificando os stios de carga com resoluo atmica, isto pode ser melhor entendido.

1. Maior nvel de energia ocupado temperatura zero.

Deteco de cargas
A microscopia de fora eletrosttica permite pesquisar as propriedades eltricas na
superfcie da amostra. O princpio simples: considerando o sistema amostra-cantilever, se
houver alguma carga na superfcie, ela induzir outra igual e de sentido contrrio numa
ponteira metlica. Isto ter como conseqncia que, uma fora atrativa, proporcional
carga (e inversamente proporcional ao quadrado da distncia) faa o cantilever sofrer uma
deflexo no sentido da superfcie, como se houvesse um buraco nela. Fazendo diversas
varreduras, por exemplo por camadas, o que significa a diferentes distncias ponteira-
amostra, podemos determinar se trata-se realmente de topografia ou de carga j que a fora
eltrica dominante para distncias entre 30 e 300nm.
A experincia de deteco de cargas na superfcie foi feita por primeira vez por Martin et
al(1) da IBM de NY, no final de 1987 e depois por Stern et al(2) em 1988 e por Terris et
al(3) em 1989.
Aplica-se uma voltagem bias de alterna, V
0
sen(&
2
t) entre a ponteira e um eletrodo
localizado embaixo da amostra dieltrica. A voltagem de alterna produz uma carga de
oscilao Q
e
sobre o eletrodo, e uma carga igual e de sinal contrrio sobre a ponteira. Uma
carga esttica local Q
s
sobre a superfcie da amostra induzir adicionalmente uma carga
imagem igual e de sinal contrrio sobre a ponteira, tal que a carga total sobre ela seja Q
t
= -
(Q
e
+ Q
s
) . Supondo um modelo simples de carga pontual, Terris et al derivaram uma
expresso para a fora resultante entre a ponteira e o eletrodo e, conseqentemente, para o
gradiente de fora que medido experimentalmente. Devemos lembrar que no modo de
no-contato, medimos gradientes: variao da amplitude a gradiente de fora constante ou
variao do gradiente de fora devida mudana da freqncia de oscilao do cantilever
(FM).

1. Appl. Phys. Lett 52 (13), 1988.
2. Appl.Phys.Lett. 53 (26), 1988.
3. Phys.Rev.Lett.63 (24), 1989.

Deposio de cargas e deteco de foras
Vejamos primeiro como se carregam as amostras utilizadas.
Amostras isolantes tais como de PMMA (polimetil metacrilato), limpo com solvente, ou
de monocristais de safira, ou outras, podem ser carregadas in situ, isto , aplicando
ponteira um pulso de alta voltagem (tipicamente 100 volts durante alguns mili-segundos) o
que produz uma descarga localizada com uma voltagem limiar determinada pelo potencial
de quebra do ar para uma geometria particular ponteira-amostra. O sinal da carga
superficial depositada est determinado pela polaridade do pulso de voltagem.
J com a superfcie carregada, como resultado da interao atrativa entre a carga
superficial local e a carga imagem induzida sobre a ponteira, o gradiente de fora varia
(cresce) a medida que a ponteira se aproxima da superfcie carregada. Monitorando a
voltagem de realimentao e mantendo a ponteira aterrada, varre-se a amostra,
conseguindo-se a imagem dos contornos do gradiente de fora constante.
Neste sistema h trs contribuies ao gradiente de fora: 1) a fora eletrosttica sobre a
ponteira devida distribuio de cargas na superfcie; 2) a fora eletrosttica devida
voltagem aplicada entre a ponteira e o eletrodo embaixo da amostra; 3) a fora de van der
Waals entre a ponteira e a amostra. Ento, se a superfcie no estiver carregada e no se
aplica a voltagem no eletrodo, a ponteira s detectar o gradiente da fora atrativa de van
der Waals. Entretanto, com uma carga na superfcie, o gradiente da fora aumentar
medida que a ponteira varrer a regio carregada pois haver uma interao atrativa entre a
carga da superfcie e a carga induzida na ponteira. O aumento do gradiente da fora causar
uma retrao da amostra (como se houvesse uma rugosidade) atravs do sistema de
realimentao, programado para manter esse gradiente constante.

Figura 70: Contornos de gradiente de fora constante.
Fazendo uma varredura de linha sobre a regio carregada, isto aparecer na imagem como
uma "lombada" sobre a regio carregada, ou ainda, fazendo a imagem bidimensional,
aparecer um ponto brilhante. Isto pode ser visto na figura 70, que mostra os contornos de
gradiente de fora tomados a intervalos de trs minutos no centro de uma regio de carga
depositada sobre PMMA e, no quadro interno, a imagem bidimensional.
A altura inicial do pico corresponde a um aumento de 0,5 m na separao ponteira-
amostra, medida a partir da regio sem carga onde se inicia a varredura. Na figura se
observa que o contraste decai com o tempo, dando assim evidncia da mobilidade da carga
superficial. A constante de tempo de decaimento depende criticamente do tipo de isolante
que foi carregado para a experincia.
O decaimento das cargas neste estudo nanoscpico muito mais rpido que o das
experincias macroscpicas feitas nos mesmos materiais. Isto mais uma evidncia de que
os mecanismos em nvel nanoscpico so em princpio bastante diferentes de aqueles em
nvel macroscpico.
Usando um EFM de alta sensibilidade possvel monitorar o decaimento de carga,
inclusive com resoluo monoeletrnica
3
. Aps o depsito de cargas sobre filmes isolantes
de Si
3
N
4
, por aplicao de um pulso de voltagem na ponteira, foi observada uma
"escalinata" descontnua no grfico do sinal de fora em funo do tempo, mostrando assim
uma resoluo de portadores de carga como se v na figura 71.

Figura 71: Fora em funo do tempo, para dois decaimentos de carga
2
.
Nela temos a representao grfica da fora em funo do tempo para um filme de Si
3
N
4

carregado positivamente, de espessura de 20 nm. Mostram-se dois exemplos de
decaimentos sucessivos da fora, que tm praticamente a mesma forma. A distncia entre a
ponteira e a superfcie de 25 nm (no limite de deteco de cargas) e o raio da ponteira de
4020 nm. O campo eltrico aplicado E = (1,50,4)x10
8
V/m. Para os dois exemplos, a
voltagem de descarga foi de +8V. Os decaimentos das cargas parecem descontnuos,
apresentando plats. O eixo f = F
1
/eE uma escala para o tamanho esperado de um degrau
resultante do decaimento de um portador de carga no campo E. 'f a medida do degrau e
no constante pois depende da posio relativa entre as cargas e a extremidade da
ponteira. No final da curva (a) h um degrau marcado com uma seta, o qual parece subir em
vez de descer. Aparentemente isto no devido ao campo eltrico, pois tais degraus
aparecem tambm sem excitao, e experimentalmente v-se que a altura do degrau
diminui se aumentarmos a distncia entre a ponteira e a amostra. Uma causa possvel desta
anomalia pode ser atividade trmica.
Como alternativa tcnica de pulsos para carregar superficial e localmente uma amostra, a
ponteira e a superfcie podem ser postas em contato enquanto so aplicados alguns volts
sobre a primeira. O sinal da carga superficial depositada determinado pela polaridade da
voltagem aplicada ponteira e, quanto maior a voltagem, mais carga transferida. Por
outra parte, a quantidade de carga transferida quase independente do tempo de contato
entre a ponteira e a amostra e do nmero de contatos feitos.

Figura 72: Imagem de cinco regies de cargas, trs positivas e duas negativas
1
.
Na figura 72 vemos o resultado desta experincia: a imagem da carga de 5 regies de
cargas depositadas, trs positivas (regies brancas) e duas negativas (pretas) sobre
superfcies policarbonadas.

1. Appl. Phys. Lett 52 (13), 1988.
2. Appl.Phys.Lett. 53 (26), 1988.
3. Schonenberg and Alvarado. Phys.Rev.Lett. 65 (25), 1990.

Triboeletrificao. Cargas de polarizao
O EFM pode tambm ser usado para estudar eletrificao de contato ou
triboeletrificao, na qual a superfcie tribocarregada pondo a ponteira em contato sem
aplicar uma voltagem externa (isto tambm foi feito por Terris et al no trabalho
mencionado anteriormente). Aps tribocarregar uma superfcie de PMMA com uma
ponteira de Ni, foram achadas tambm regies de cargas tanto positivas quanto negativas,
ainda que o sinal predominante da carga depositada era positivo, de acordo com medidas
macroscpicas, feitas usando um voltmetro eletrosttico. A transferncia de carga bipolar
foi inesperada e evidencia o potencial do EFM para estudar aspectos microscpicos da
eletrificao de contato.
Outro importante campo de aplicao do EFM a feitura direta de imagens no espao
real dos domnios e das paredes dos domnios em ferroeltricos. A carga de polarizao
superficial 7
p
associada polarizao ferroeltrica P induz uma carga imagem Q
t
sobre a
ponteira. Quando a ponteira passa sobre a parede do domnio, a polarizao P muda de
sinal e passa por zero. A variao espacial resultante da interao da fora eletrosttica
entre a carga de polarizao superficial e a carga imagem induzida sobre a ponteira, pode
ser detectada por EFM. Na figura 73 mostra-se a varredura de uma linha do sinal de carga
atravs de uma parede de um domnio ferroeltrico em Gd
2
(MoO
4
)
3
, feita com um
microscpio de fora atmica, modificado para medir a parte eltrica.

Figura 73: Varredura de uma linha do sinal de carga atravs da parede de um domnio ferroeltrico
(Saurenbach,F. and Terris, B.O.
1
).
Como era esperado, o sinal da carga muda quando a ponteira passa sobre a parede do
domnio ferroeltrico. A largura da transio do sinal da carga atravs da parede do
domnio principalmente determinada pela separao ponteira-superfcie e pelo tamanho
da ponteira mais do que pela largura intrnseca da parede do domnio ferroeltrico, que se
espera que seja de dimenses atmicas. De qualquer forma, com refinamentos da tcnica de
EFM, possvel investigar mais detalhadamente a distribuio espacial das cargas de
polarizao e os campos eltricos nas superfcies ferroeltricas.
Nosso nanoscpio, vem provisto de uma ponteira revestida de platina, com o propsito
de que os campos eletrostticos na superfcie da amostra, interajam tambm com a ponteira.
Como j foi dito, a regio em que as foras eletrostticas dominam, aquela determinada
por uma distncia ponteira-amostra de 30 e 300 nm, mas a imagem gerada pelo EFM
incluir sempre (ou quase sempre) um componente no eletrosttico proveniente das foras
de van der Waals que, bom lembrar, dominam totalmente para distncias menores que 10
nm e se sentem at 100 nm. Como dissemos, o software de EFM permite a medida
simultnea e independente da imagem topogrfica e dos campos eltricos na superfcie da
amostra. Para cada dado correspondente a um ponto na imagem, faz-se uma medida
topogrfica bem perto da superfcie, estabelecendo contato nela ou oscilando o cantilever.
Aps isto, a ponteira retrada para a regio na qual as foras eltricas so dominantes.
Usando este mtodo, so adquiridos dados topogrficos e de foras eletrostticas na mesma
varredura, e a informao sobre o gradiente de fora pode ser obtida a diversas alturas em
relao superfcie (camadas).

1. Appl.Phys.56, 1703 (1990)

Distribuio espacial de cargas. Medidas de capacitncia
Na seguinte experincia feita em 1989 por Terris et al (1) faz-se a imagem da
distribuio espacial de cargas proveniente de um contato nico. A tcnica usada, seria,
com alguns refinamentos, teoricamente capaz de fazer a imagem de uma nica carga, assim
como de localizar os stios das cargas. O aparelho utilizado tem o circuito mostrado na
figura 74. O mtodo diferente do utilizado no microscpio comercial da TopoMetrix, j
que, tendo um lock-in a mais no circuito, no necessrio utilizar o mtodo de operao
por camadas.

Figura 74: Diagrama de um microscpio de fora para EFM.
A ponteira utilizada feita de um arame de Ni tratado quimicamente para agu-lo,
dobrado a 90
0
para fazer a extremidade. A constante de mola deste cantilever da ordem de
0,2 N/m e a sua freqncia de ressonncia, da ordem de 25 kHz.
medida que a ponteira varre a superfcie, haver mudanas no gradiente de fora entre a
ponteira e a superfcie, que por sua vez iro modificar a constante efetiva da mola do
cantilever, mudando assim sua freqncia de ressonncia e sua amplitude de oscilao. A
mudana da amplitude de oscilao do cantilever detectada usando o primeiro
amplificador lock-in e o sensor tico. O loop de realimentao ajusta a distncia ponteira-
amostra como resposta a esta variao da amplitude, mantendo o gradiente de fora a um
valor constante.
Este mtodo de fazer imagens responde muito bem a cargas e pode distinguir o sinal delas
com apenas uma varredura linear.
Aplica-se uma voltagem de alterna, V
0
sen(&
2
t), entre a ponteira e um eletrodo localizado
sob a amostra dieltrica, obtendo-se assim uma fora eletrosttica adicional entre a ponteira
e a amostra, sendo que &
1
>> &
2
> & , onde & a freqncia de resposta do loop de
realimentao e &
1
a freqncia de oscilao do cantilever, justo por cima de sua
ressonncia. O valor desta freqncia deve estar sempre acima do valor de ressonncia para
evitar que a ponteira bata na superfcie. Isto se deve a que, como j vimos, a presena de
um gradiente de fora f ' modifica o k do cantilever, e se f ' = k, como a freqncia de
ressonncia varia segundo &
0
' = &
0
(1/ f '/k)
!
, o cantilever pra de ressonar. Tambm por
este motivo, atualmente s se utilizam cantilevers duros para os quais nunca f ' = k .
A voltagem de alterna induz uma carga oscilante sobre o eletrodo, de valor Q
e
= CV
0

sen(&
2
t), sendo C a capacitncia entre a ponteira e o eletrodo. Assim, induzida uma carga
sobre a ponteira, de igual valor e de sinal contrrio. Se houver cargas estticas locais Q
s

sobre a superfcie da amostra, elas tambm iro induzir sobre a ponteira cargas imagens
iguais, e de sinal contrrio. Portanto, a carga total sobre a ponteira ser
Q
t
= -(Q
s
+ Q
e
).
Para calcular a fora sobre a ponteira, supe-se que a fora ponteira-superfcie devida a
cargas pontuais e que a fora ponteira-eletrodo como a de um capacitor. Ento, a fora
eletrosttica sobre a ponteira, pode ser aproximada por
F
z
$ (Q
s
Q
t
/4*8
0
z
2
) + (1/2)[V
0
2
sen
2
(&
2
t)] ()C/)z) ,
onde z a distncia entre a ponteira e a superfcie. Temos ento que o gradiente de fora
dado por:
F9 )F
z
/)z = (1/2) [V
0
2
sen
2
(&
2
t)]()
2
C/)z
2
) +
+ (1/2*8
0
z
2
) Q
s
V
0
sen(&
2
t) [(C/z) - (1/2)()C/)z)] + Q
s
2
/2*8
0
z
3
.
Se a superfcie no estiver carregada, Q
s
=0 e s o termo em seno quadrado no nulo;
neste caso, o gradiente de fora oscilar a 2&
2
. Esta oscilao do gradiente de fora far que
a oscilao da ponteira a &
1
seja modulada a 2&
2
.
Para superfcies carregadas, o gradiente de fora tem um termo em sen(&
2
t) e ento &
1
ser
modulada a &
2
. O sinal desta freqncia (chamado "sinal de carga") detectado na sada do
amplificador lock-in no loop de realimentao com o segundo amplificador lock-in. A fase
do sinal detectado indicar o sinal da carga. Para verificar isto, foram feitas imagens de
microregies de cargas positivas e negativas depositadas intencionalmente sobre uma
superfcie policarbonada. Para obter esta carga, foi aplicada uma voltagem na ponteira,
aps o que, fez-se contato com a superfcie. Assim foram depositadas cargas de ambas
polaridades, sendo que o sinal da carga est determinado pela polaridade da voltagem
aplicada.
Nas imagens, as cargas positivas aparecem em branco e as negativas em preto como j foi
mostrado na figura 72.
A tcnica de fazer imagens de cargas foi usada tambm para estudar eletrificao metal-
isolante, por contato: a superfcie tribocarregada aproximando-a lentamente da ponteira,
permitindo que as foras de van der Waals atrativas, puxem a ponteira para a superfcie.
Neste caso, no foi aplicada nenhuma voltagem ponteira. O prximo passo foi retrair a
ponteira e utiliz-la para fazer a imagem da carga resultante depositada. O tempo de contato
foi da ordem de alguns segundos e a superfcie era PMMA de 1 mm de espessura. Tudo foi
realizado temperatura ambiente e condies ambiente de laboratrio. O PMMA da
qualidade de disco tico e dele foi removida a capa plstica protetora justo antes de p-lo
no microscpio. A voltagem de ac usada para fazer a imagem foi de 8 volts p-p. Aps a
ponteira tocar a superfcie, na imagem de carga foi vista uma regio carregada de 10 m de
dimetro, contendo cargas positivas e negativas, de um tamanho muito maior do que a rea
de contato esperada. Tanto a rea carregada quanto os detalhes da distribuio de cargas
variam de amostra para amostra, sendo que algumas amostras s apresentam cargas de um
sinal. Isto pode ser devido camada de contaminao de gua, que diferente para cada
amostra, j que as experincias foram feitas em ar. O sinal predominante observado para a
carga positivo, o que est de acordo com as medidas feitas com um voltmetro
eletrosttico sobre o prprio PMMA, depois de ser contatado com um pedao de arame de
Ni do qual foi feita a ponteira. Os diagramas de cargas mudam com o tempo, sendo que as
variaes para as regies positivas e negativas, tm taxas de decaimento diferentes. Depois
de alguns dias as cargas desaparecem.
A teoria "especulativa" para explicar a fonte do esquema bipolar das cargas, a seguinte: a
transferncia bipolar de cargas poderia ser possvel se houvesse simultaneamente estados
donor e acceptor sobre a superfcie. Entretanto, isto no explicaria a extenso espacial da
carga. Se a condutividade da superfcie suficientemente alta para permitir um
espalhamento da carga, ento deveria ser esperada uma recombinao da carga, o que
dificultaria a compreenso da observao de carga bipolar. Uma explicao alternativa
que poderia haver uma quebra eltrica perto da ponteira quando ela se separa da superfcie.
Isto tenderia a descarregar a superfcie, mas poderia tambm resultar no efeito contrrio, de
forma tal que as reas de cargas de duas polarizaes, permaneam. Este processo poderia
ser dependente da densidade de carga inicial, da taxa de retrao da ponteira e da forma
exata dela.
A deposio e permanncia de carga bipolar era desconhecida at a publicao do trabalho
de Terris et al.
Outra experincia realizada neste campo a seguinte. Fazendo contato com uma esfera
metlica em vrios pontos da superfcie de um polmero foi estudada a variao ponto a
ponto da carga depositada no polmero. Foi achada uma ampla distribuio de nveis de
carga, em geral bipolar.
Nas imagens de carga da superfcie de PMMA, depois de feito um contato com uma
ponteira de Ni, as regies de cargas aparecem muito maiores que a resoluo lateral do
instrumento (locais da ordem de 5 m) e portanto necessrio produzir regies de cargas
menores. Para tal, bombardeia-se a superfcie com pequenas partculas isolantes. Isto foi
feito sobre uma superfcie de Si, com seu xido original. Ela foi bombardeada com esferas
de poliestereno de 0,3 m de dimetro. Obtiveram-se pontos de cargas com menos de 0,2
m. A correspondente imagem da voltagem de realimentao indica que as esferas no
aderem superfcie.
Quantas cargas podem ser detectadas? Usando o mtodo de camadas, foi estimado um
limite de deteco de aproximadamente 100 cargas eletrnicas a uma altura de varredura de
500 . Com o segundo lock-in foi estimada uma sensibilidade maior em, pelo menos, uma
ordem de grandeza. Ela pode ser calculada aplicando uma voltagem de contnua entre um
substrato condutor e a ponteira do microscpio. A mnima voltagem de dc detectvel
resultou ser de 0,02 V. Ela pode ser convertida a uma carga equivalente a partir da
capacitncia entre a ponteira e a amostra.
Para calcular a capacitncia, supe-se uma esfera de raio R sobre um plano metlico, cuja
capacitncia dada por
C = 4*8
0
R senh! 2 (senh n4)
-1
,
onde a soma de n=1 at infinito, 4 = cosh
-1
(L/R) e L = R + z a distncia da superfcie ao
centro da esfera carregada. Os dois parmetros, R e z, foram achados igualando o gradiente
de fora correspondente a esta capacitncia, com o gradiente de fora medido no
microscpio. O gradiente de fora medido foi representado graficamente como funo de z,
para dois valores de voltagem aplicada. Na figura 75 mostra-se o gradiente de fora,
normalizado ao quadrado da voltagem de dc, e representado em funo da distncia
ponteira-amostra.

Figura 75: Gradiente de fora normalizado a V
2
de dc em funo de distncia ponteira-amostra
1
.
A figura mostra os dados para duas voltagens, 2 e 5 Volts; as linhas que ligam os pontos
so apenas para visualizar melhor as curvas. A linha slida o gradiente de fora calculado
a partir de um modelo de capacitncia entre uma esfera e um plano. Como esperado para
este tipo de capacitor, o gradiente de fora varia como o quadrado da voltagem.
O gradiente de fora foi determinado a partir do deslocamento .f da freqncia, de acordo
com F= 2k .f/f
0
, onde f
0
a freqncia de ressonncia da ponteira. A constante k do
cantilever foi calculada de sua geometria, resultando 0,2 N/m. O melhor ajuste dos dados
foi obtido para um raio de ponteira de 1.500 500 , que est em bom acordo com as
estimativas feitas das medidas por SEM. Foi acrescentada uma distncia de 900 300
correspondente ao espao entre a ponteira e a amostra(2). Usando estes parmetros de
ajuste, e uma distncia entre a ponteira e a amostra de 500 , foi calculada uma
capacitncia entre elas de 2,26 x 10
-17
F. Ento, a mnima voltagem de dc detectvel, que
de 0,02 V, corresponde a uma carga equivalente de 3 1,5 eltrons. Poderia ser conseguida
maior sensibilidade, varrendo mais perto da amostra, ou seja, em princpio, poderia ser
detectado at um eltron!
Ento, com o EFM podemos tambm medir capacitncias com alta resoluo graas alta
sensibilidade com que o aparelho faz imagens das propriedades eltricas superficiais de
uma amostra, detectando foras eletrostticas da ordem de 10
-10
N.
A mnima capacitncia detectvel de 8x10
-22
F. Isto foi mostrado em 1987 por Martin et al
, na mesma experincia de deteco de cargas, usando uma ponteira de tungstnio
posicionada a 50 da superfcie de uma amostra de Si e detectando as foras de van der
Waals.
Quando se aplica uma voltagem ponteira, aparece uma fora devida capacitncia que
depende da separao ponteira-amostra, e que dada por
f = (!)V
2
)C/)z.
Mede-se ento C detectando a variao da amplitude de oscilao em funo de z, atravs
do gradiente f.
A sensibilidade destas medidas deve-se a que o AFM pode detectar um gradiente de fora
de at 3x10
-16
N/m, que corresponde a uma segunda derivada mnima detectvel dada por
)
2
C
m
/)z
2
= 2f
min
/V
2
. Em um capacitor de placas paralelas, de rea A e constante dieltrica
8, o gradiente de fora dado por f = C
3
V
2
/(8A)
2
. Ento, resolvendo a equao para a
mnima capacitncia detectvel, temos
C
min
= {f
min
(8A/V)
2
}
1/3
.
Para um modelo de uma esfera e um plano condutor, chega-se mesma expresso da
capacitncia em funo da distncia z, sendo que z deve ser muito maior que o dimetro da
ponteira. Temos ento a mesma frmula anterior, bastando substituir A pela rea do
hemisfrio que a extremidade da ponteira. Valores tpicos desta experincia so: rea =
(0,1 m)
2
; 8/8
0
= 1 e V = 25 V de bias, com os quais estima-se uma sensibilidade de
medio de capacitncia (para as medidas feitas com dc) de 4x10
-20
F, correspondendo a
uma distncia ponteira-amostra to grande como 2,5 m.
A sensibilidade de deteco da capacitncia com as medidas dadas de 4x10
-20
F.
Um mtodo mais conveniente para medir a capacitncia entre a ponteira e a amostra
aplicar uma voltagem de alterna de freqncia &
1
ponteira, e detectar a oscilao
induzida. A distncia z nesta experincia, fixa pela realimentao, foi ajustada mudando o
set point, que determina a amplitude de oscilao freqncia de ressonncia &
0
,
aumentando a estabilidade da medida.
A experincia foi realizada com uma voltagem de 2,5 V p-p na ponteira, a uma freqncia
de 40 kHz, bem por baixo da primeira ressonncia (109 kHz). A amplitude de vibrao
induzida variou de 0,1 a 5 , com k = 19 N/m para o cantilever.
Capacitncias muito pequenas podem ser detectadas, escolhendo a freqncia &
1
da
voltagem de bias no valor de ressonncia da ponteira (mas diferente daquela usada no loop
de realimentao), aumentando assim a amplitude de oscilao induzida [atravs de Q, j
que 'z(&
1
) = (F/k)Q]. A menor oscilao detectvel est limitada pela excitao trmica do
cantilever que causa movimento. Para um cantilever de Si, com k = 2,5 N/m, &
1
= 35 MHz
e Q = 200, a mnima capacitncia detectvel em uma largura de banda de 1Hz,
temperatura ambiente, de 8x10
-22
F. Esta sensibilidade realmente muito boa. Para ambos
mtodos de deteco, por dc e ac, o sinal depende somente da parte da capacitncia que
varia com o espao entre ponteira e amostra, mas o mtodo de corrente alternada tem a
vantagem de fornecer medidas independentes e simultneas da capacitncia e da topografia.

1. Phys.Rev.Lett.63 (24), 1989.
2. O espao adicional entre a ponteira e a amostra pode provir de pelo menos duas fontes: a primeira
um reflexo do fato de que a ponteira mais um paraboloide do que uma esfera. Ento, devido
natureza alongada da ponteira, o centro das cargas seria deslocado da superfcie da amostra. Em
segundo lugar, a posio da ponteira relativa superfcie da amostra determinada movendo a
amostra at que a ponteira faa contato e portanto nesse momento a amplitude de oscilao a &
1
vai a
zero. Qualquer deflexo esttica do cantilever no ento contada, o que pode resultar numa
subestimao da verdadeira distncia.

Deteco de Ferroeletricidade

A ferroeletricidade foi descoberta em sal de Rochelle por J.Valasek1 em 1921; este
material perde suas propriedades ferroeltricas se a sua composio levemente
modificada; ento, foi deixada de lado e tomada apenas como uma curiosidade. A
ferroeletricidade ocorre numa grande variedade de materiais, a saber: nas cermicas
policristalinas de estruturas do tipo da perovskita como, por exemplo, cristais de LiNbO
3
e
LiTaO
3
. A perovskita tem uma estrutura ABO
3
, onde A mono ou divalente e B um
metal tetra ou pentavalente. Os tomos de A so as esquinas de um clula cbica, da qual
os tomos de B esto no centro e os de oxignio esto no centro das faces. Como os tomos
de B esto fechados em um octaedro O
6
, esta estrutura chamada tambm BO
6
. Quando a
estrutura cbica perfeita no se observa ferroeletricidade. o caso da perovskita SrTiO
3
.
Entretanto, quando a estrutura ABO
3
feita de tomos ionizados, um campo eltrico ir
produzir um deslocamento destes ons, o que dar lugar a um momento eltrico. Ento, este
efeito ir aumentar o deslocamento total e portanto a suscetibilidade eltrica 8=:
r
1.
A origem dos domnios ferroeltricos que nada mais so que uma
arrumao ou nucleao de dipolos em clusters no bem conhecida. Isto tambm
acontece com a estrutura dos domnios e a forma de mudana de orientao dos dipolos nas
vizinhanas das paredes que separam os domnios. Supe-se que a separao de cargas se
deva a foras qumicas.
Da orientao da polarizao nos materiais ferroeltricos dependem vrias
propriedades fsicas deles, tais como, a inverso da polarizao, a piezoeletricidade, os
efeitos eletro-pticos e a histerese nas caractersticas da relao D/E e que tem a ver com a
memria que o material guarda sobre sua polarizao anterior quando variamos o campo
externo aplicado visando mudar essa direo da polarizao.

1 Phys.Rev.15, 537 (1920); Phys.Rev.17, 475 (1921).
O interesse nos materiais ferroeltricos nos ltimos anos devido
possibilidade de mudar a orientao da polarizao esttica o que os torna muito apreciados
para aplicaes em equipamentos eletrnicos como transdutores eletro-qumicos, eletro-
pticos e acsticos2.
Tradicionalmente a estrutura de domnios ferroeltricos tem sido estudada por
microscopia ptica de polarizao3, etching da superfcie4, decorao da superfcie por
deposio5 ou por evaporao a vcuo6 e microscopia eletrnica7. Os primeiros trs
mtodos tm baixa resoluo (~1m) e causam modificaes ou danos superfcie da
amostra. A observao direta dos domnios j foi feita com microscpio eletrnico de
varredura, SEM (scanning electronic microscope) e com microscpio eletrnico de
transmisso TEM (transmission electronic microscope) cujas resolues so
nanomtricas. Porm, esses equipamentos tm a desvantagem de que o feixe de eltrons
utilizado afeta a carga da amostra, na maioria das vezes modificando-a. Ainda mais, a
preparao da amostra no muito rpida nem fcil de ser feita. Finalmente, exceo feita

2 Ver por exemplo Ferroelectric Transducers and Sensors de J.M.Herbert, Gordon e
Breach. N.Y., 1982.
3 T. Mitsui and J.Furuichi, Phys. Rev. 90, 193 (1953).
4 J. A. Hetano and W. J. Merz, Phys. Rev 98, 409 (1955).
5 G. L. Pearson and W. L. Feldman, J. Phys. Chem. Solids, 9, 28 (1959).
6 G.I.Distler, V.P. Konstantinova, Y. M. Gerasimov and G. A. Tolmacheva, Nature, 218,
762 (1968)
7 D. Hesse and K. P. Meyer, Electron Microscopy in Solid State Physics, p. 496-531. Ed.
H. Bethge and J. Heydenreich (Elsevier, Amsterdam, 1987).


microscopia de polarizao, todos esses mtodos para estudo de superfcies tm de ser
operados no vcuo tornando os experimentos mais caros e difceis.
A microscopia de fora atmica (AFM) junto com suas variantes de fora eltrica
(EFM) e fora lateral (LFM) um instrumento promissor para estudo em escala
microscpica de superfcies carregadas e estrutura de domnios de materiais ferroeltricos
sem qualquer dano superfcie, com alta resoluo das imagens e fcil preparao das
amostras, permitindo a repetio da experincia exatamente nas mesmas condies.
J no sculo XVIII sabia-se que os cristais de certos minerais geravam cargas eltricas
quando aquecidos. Isto chama-se piroeletricidade e a propriedade apresentada por certos
materiais de ter polarizao espontnea dependente da temperatura. Em 1880, os irmos
Jacques e Pierre Curie descobriram outro fenmeno relacionado com a piroeletricidade.
Eles mostraram que certos cristais eram capazes de gerar cargas eltricas quando
submetidos a stress mecnico. Este efeito a piezoeletricidade, ou criao de eletricidade
como resultado de uma presso mecnica. A inversa da piezoeletricidade a criao de
uma distoro mecnica em um cristal, pela aplicao de um campo eltrico.
Os Curie mostraram que o quartzo e o sal de Rochelle (tetrahidrato tartrato de sdio
e potsio) eram piezeltricos, mas muitos outros materiais tm esta propriedade.
A temperatura e/ou a presso determinam a fase estrutural de um cristal. Em geral, a
altas temperaturas um cristal mais simtrico. A ferroeletricidade um dos efeitos
causados pela assimetria de um material, portanto, ela est estreitamente ligada
cristalografia.
A compreenso do conceito de piezoeletricidade nos slidos comea com a
compreenso da estrutura interna do material. Um cristal tem uma composio qumica
definida, cujos tomos so obrigados a ocupar posies na estrutura repetitiva que constitui
uma rede. A menor unidade repetitiva da rede chamada de clula unitria e a simetria
especfica dela determina se possvel existir piezoeletricidade no cristal.
Os cristais ferroeltricos possuem eixos polares com polarizao espontnea, isto ,
momento dipolar por unidade de volume, que pode ser mudada pela aplicao de um
campo eltrico externo.
Pela sua estrutura cristalina os materiais podem ser divididos em centro-simtricos e
no centro-simtricos. Eles se enquadram, de acordo com suas simetrias, dentro dos 32
grupos cristalogrficos existentes. Dentre eles, 11 tm centro de simetria e 21 no so
centro-simtricos, condio necessria para que o cristal seja piezeltrico. Desses 21, 20
caracterizam materiais piezeltricos. Dez deles so piroeltricos e outros 10 no o so.
Dentre os 10 piroeltricos h ferroeltricos e no ferroeltricos.
Os materiais ferroeltricos mais populares tm a estrutura da perovskita, isto ,
ABO
3
, onde A um cation metlico grande e B um cation metlico pequeno. Exemplos
disto so BaTiO
3
, BaSrTiO
3
(BST), PbTiO
3
(PT) e PbTi
x
Zr
1x
O
3
(PZT).
Como vimos, a polarizao espontnea proveniente de uma pequena
deformao da rede cbica, quando produzida abaixo da uma temperatura caracterstica do
material, chamada temperatura de Curie T

c
. A ferroeletricidade usualmente desaparece
acima desta temperatura de transio e o material se torna paraeltrico.
Um cristal ferroeltrico tem geralmente uma estrutura de domnios ou regies
dentro das quais a polarizao toda na mesma direo. Entretanto, em domnios
adjacentes s polarizaes mostram diferentes direes. A polarizao total de um cristal
depender ento das diferentes polarizaes dentro dos domnios. Se a polarizao dentro
dos domnios for igual a pares, em direes diferentes e medirmos as cargas sobre eletrodos
cobrindo os limites do material, teremos uma material aparentemente no polarizado, j que
o resultado da medida ser nulo.
Aplicando um campo eltrico possvel mover as paredes dos domnios
modificando o tamanho e a forma das regies mas o movimento das paredes em alguns
ferroeltricos no simples. Por exemplo, no titanato de brio a largura caracterstica dos
domnios de 10
-4
a 10
-2
cm e a espessura dos limites entre domnios pode ser de uma
constante de rede. Este material tem normalmente paredes de 180
0
, o que significa que as
regies vizinhas tm polarizaes opostas. Quando da aplicao de um campo, a parede no
se move perpendicularmente a ela mesma como um todo mas sim em forma diversa, com
um movimento que parece por passos ao longo da parede, o que resultado de uma
nucleao repetida por flutuaes trmicas. Ou seja, a forma de nucleao o fator que
controla a propagao da parede.
Curva de Polarizao 3 Campo Aplicado
O nome ferroeltrico foi adotado porque a relao entre a polarizao P e o campo
eltrico E destes materiais muito similar relao entre B e H dos materiais
ferromagnticos, que tambm possuem uma temperatura de Curie e tm estrutura interna de
domnios, no caso, magnticos.
Uma curva de polarizao por campo aplicado, a mais importante medida que
pode ser feita sobre um material ferroeltrico para se caracterizar seu comportamento
eltrico.
Uma quantidade considervel de informao pode ser obtida de uma curva de
histerese. Comparando curvas de diferentes materiais podemos observar se o material
apresenta memria ou no; um valor elevado na polarizao permanente revela uma
elevada polarizabilidade interna, tenso, acoplamento eletromecnico e atividade eletro-
ptica; para um dado material, a variao do campo coercitivo E
c
, isto , o campo
necessrio para anular a polarizao, uma indicao do tamanho dos gros de um dado
material, isto , menor E

c
significa maior tamanho de gro e maior E

c
menor tamanho de
gro.

Loop de histerese

Em este grfico, P nonlin a polarizao, P
sat
a polarizao de saturao (a polarizao
que corresponde mxima contribuio do momento dipolar) e P
Rem
a polarizao
remanescente (polarizao que fica aps a anulao do campo eltrico).
Aplicaes
Similarmente maioria dos materiais, o sucesso da aplicao prtica das cermicas
piezeltricas e dos filmes piroeltricos, ferroeltricos, eletrotrictivos e eletro-pticos
altamente dependente da facilidade com que eles podem ser adaptados a dispositivos. Sua
simplicidade, tamanho compacto, baixo custo e alta utilidade so algumas das suas
caractersticas. Sempre haver uma demanda para este tipo de dispositivos. certo que a
indstria tender a utilizar dispositivos em forma de filmes ferroeltricos devido sua
estrutura compatvel com a tecnologia de silcio, a sua fcil fabricao e baixo custo para
integrao.
Devido a um largo nmero de aplicaes, as cermicas ferroeltricas esto
associadas a muitos dispositivos e tem havido um aumento na tendncia de aplicao de
alguns destes materiais na forma de filmes finos. Alm da vantagens bvias, como tamanho
menor e maior integrao com a tecnologia de circuitos integrados, os filmes ferroeltricos
oferecem benefcios adicionais como menor voltagem de operao, maior velocidade, e a
possibilidade de se fabricar uma nica micro estrutura. Igualmente importante, o fato que
muitos materiais que so difceis, se no impossveis de fabricar como cermicas densas,
so fceis de fabricar como filmes. Alm disso, a temperatura de sintetizao dos filmes
centenas de graus celsius menor que para materiais volumosos, e isto pode ser um fator
decisivo para uma aplicao bem sucedida.



Neste captulo, mostramos que o AFM na modalidade EFM pode detectar com muita
exatido foras eltricas, cargas e capacitncias muito pequenas. Esta sensibilidade pode
tambm ser usada para fazer imagens de mudanas na constante dieltrica da amostra. As
medidas de ferroeletricidade tm inmeras aplicaes, tanto na indstria quanto na fsica
bsica.

Microscopia de Fora Magntica (MFM)
A tcnica de deteco de fora magntica realiza-se com outra variante do microscpio
de fora atmica.
Para amostra e ponteira magnticas, quando a ponteira se aproxima da superfcie da
amostra dentro de uma distncia de 10 a 500 nm, possvel perceber a interao magntica
da ponteira com o campo que emana da amostra. A interao dipolar magntica de longo
alcance e detecta-se usando o mtodo de ac, ou seja, mede-se gradiente de fora. Portanto,
tambm para um MFM (magnetic force microscope) o mtodo operacional no-contato e
o circuito basicamente o mesmo que aquele do EFM.
Como as foras magnticas (F
mag
) podem ser atrativas ou repulsivas, podem ocorrer
problemas com a estabilidade do sistema de realimentao no modo de no-contato e a
ponteira pode bater na superfcie. Para solucionar isto, se requer uma fora atrativa
adicional F
servo
, chamada fora "servo", cuja grandeza aumente quando a ponteira se
aproxime da superfcie da amostra. As foras de van der Waals de curto alcance, que esto
sempre presentes, poderiam servir como foras servo, mas s vezes no funcionam, talvez
devido condensao de lquidos entre a ponteira e a amostra. Entretanto, o problema
resolvido introduzindo uma fora eletrosttica atrativa adicional controlvel F
el
induzida
pela aplicao de um potencial de bias da ordem de 1 a 10 V entre a ponteira e a amostra.
Desta forma, a fora aumenta com a diminuio da distncia entre a ponteira e a amostra. O
gradiente total de fora F, medido pelo mtodo de deteco de ac, dado pelo gradiente da
fora que age sobre o cantilever:
F = F
mag
+ F
servo
= F
mag
+ F
vdW
+ F
el
.
Ento, contornos de gradiente de fora constante podem refletir no apenas contraste
magntico mas tambm depender da dependncia em z de F
servo
.
Devido natureza de longo alcance das foras dipolares magnticas, uma caracterstica
clara do contraste magntico o seu aumento com o aumento da separao entre a ponteira
e a amostra, como se mostra na figura 76 publicada em 1988 por Martin et al
1
.

Figura 76: Varredura de linha em MFM ao longo de um domnio simples para vrias distncias
ponteira-amostra.
Este grfico foi obtido varrendo uma linha sobre um domnio magntico circular. V-se
que as mudanas medidas no sinal z correspondem a deslocamentos ponteira-amostra de at
500 (escala das ordenadas). O deslocamento muito grande se comparado com a deflexo
esttica estimada para o cantilever. Isto se deve fora magntica que age sobre a ponteira.
Assim, pode-se concluir que a ponteira segue essencialmente linhas de gradiente de fora
constante. Na figura temos estas linhas com os valores dos gradientes estimados a partir de
um grfico experimental de fora e gradiente de fora, em funo da distncia ponteira-
amostra para regies dentro e fora do domnio magntico circular da amostra estudada, que
um filme fino de TbFe sobre o qual os domnios foram "escritos" usando um laser em
combinao com um campo magntico.
Nota-se tambm da figura 76 que, como j dissemos, as variaes no gradiente de fora
so maiores para espaamento maior entre a ponteira e a amostra, o que resulta num
contraste maior. Entretanto, este aumento no contraste s custas da diminuio da
resoluo espacial (diminuio do contraste topogrfico) e da relao sinal-rudo, j que o
gradiente de fora se torna cada vez menor. Devemos salientar que para o segundo maior
contraste, o valor de F duas vezes maior que para o primeiro. Mas justamente isto serve
para distinguir, medindo a diferentes distncias, a parte topogrfica da parte magntica.
Valores tpicos so: de 20 a 50 nm para topografia e 100nm para fora magntica.
O problema no est resolvido se pensarmos que para atingir alta resoluo em uma
imagem magntica, o campo que emana da amostra deve ser medido a distncias perto da
superfcie (da ordem de 20 nm).
A separao completa dos contrastes magntico e topogrfico hoje conseguida, fazendo
medidas da fora e sua derivada simultaneamente. J em 1990, Schonenberger et al
2
foram
bem sucedidos nesta experincia usando um cantilever de k=1N/m, com o qual
conseguiram detectar foras magnticas de 10
-11
N. A derivada F da fora de interao com
relao normal superfcie, foi medida modulando a posio da amostra a uma
freqncia dada, que tambm foi usada para controlar a distncia d entre a ponteira e a
amostra.
Da expresso anterior para o gradiente de fora, e desprezando a fora de van der Waals,
temos,
F(d) = F
servo
(d) + F
mag
(d) = K (a)
onde K um valor de referncia constante, ajustado pelo experimentador.
A fora coulombiana pode ser expressa na forma
F
c
(d) = F
servo
= A/d
k
,
onde A e k so constantes que, s para superfcies idealmente planas, independem da
posio lateral (x,y). Para pequenas distncias entre a ponteira e a amostra, a fora sobre o
cantilever dominada pelo termo coulombiano. Isto se deve simplesmente a que a fora
coulombiana tende a divergir para pequenas distncias de interao, enquanto a fora
magntica atinge um valor finito perto de superfcie, pois a magnetizao s pode mudar
sobre um comprimento finito, por exemplo, a largura da parede de um domnio. Isto se
mostra esquematicamente na figura 77 onde esto representadas as foras magnticas e
coulombianas, em funo da distncia.

Figura 77: Foras coulombiana e magntica em funo da distncia ponteira-superfcie.
Ento, a fora magntica tem um limite superior (F
mag
)
max
e os gradientes de fora
magntica envolvidos so da ordem de (F
mag
)
max
/, , sendo , um comprimento caracterstico
que, por exemplo, no caso de uma trilha magntica, a largura dos bits escritos nela.
Como F
mag
(d) na equao (a) apenas uma pequena correo, define-se uma distncia
de referncia d
0
, usando o gradiente da fora coulombiana:
F
c
(d
0
) = K.
As variaes em distncia 'z = d - d
0
, devidas a mudanas 'F
mag
na derivada da fora
magntica, so dadas por
'z = d
0
'F
mag
/[kF
c
(d
0
)] (b).
Para mostrar isto, tomamos F
c
= A/z
k
. Ento,
F
c
)
z=d0 = -kA/z
k+1
)
z=d0 = -(k/d
0
) F
c
(d
0
),
mas
F
c
+ F
mag
= K donde F
mag
= K F
c
,
ou 'F
mag
/'z = -'F
c
/'z,
ou ainda,
'F
mag
/'z = ('/'z)[(k/d
0
)F
c
] == (k/d
0
)('F
c
/'z) = (k/d
0
)F
c
,
donde vem a expresso (b) para 'z.
O 'z diminui para pequenas distncias devido ao grande aumento da derivada da fora
coulombiana F
c
(d
0
). Ento, o contraste observado distncia d medida, governado pela
fora coulombiana a pequenas distncias, e reflete s a parte topogrfica (e dieltrica).
A fora total, a uma distncia experimental d, pode ser agora escrita como
F(d) = F
mag
(d) + F
c
(d
0
) + F
c
(d
0
)'z,
onde os dois ltimos termos so F
c
(d).
Estima-se que para esta experincia o ltimo termo menor que 10
-11
N e pode ser
desprezado perante F
mag
(d
0
)]
max
que da ordem de 2x10
-10
N.
Ento, uma boa aproximao para a fora
F(d) = F
mag
(d) + F
c
(d
0
), (c)
onde F
c
(d
0
) constante (s para superfcies idealmente planas) e representa a topografia
sempre presente.
O primeiro termo a topografia magntica, que domina as deflexes do cantilever.
Portanto, a fora medida sempre ir refletir em certo grau a topografia. esperado que este
efeito seja pronunciado sobre reas que tm uma grande rugosidade local, em particular,
nas vizinhanas de degraus sobre a superfcie. Entretanto, a experincia mostra que o
contraste magntico [na equao (c)] domina as variaes locais da fora de Coulomb.
Resumindo, a fora magntica medida via deflexo esttica do cantilever, isto ,
fazendo a mdia sobre a freqncia de modulao, enquanto que a topografia da superfcie
feita por meio do deslocamento da amostra requerido para satisfazer a equao (a).
A tcnica apresentada consegue detectar a fora de interao e sua derivada.
Usando a fora coulombiana para estabilizar a distncia ponteira-amostra tem-se nas
mos um outro parmetro a ser usado nas medies, que a voltagem aplicada entre a
ponteira e a amostra. Como alternativa, os autores propem uma outra tcnica que permite
a separao total dos efeitos magnticos e topogrficos. Em vez de usar F para controlar a
distncia mdia, a voltagem de bias aplicada modulada de forma tal que V
T
= V
0
+
V
1
cos(&t). A fora Coulombiana proporcional ao quadrado da voltagem
F
c
(d) = V
2
A(d),
onde A(d) depende apenas de fatores geomtricos. Esta fora causa uma oscilao do
cantilever freqncia do segundo harmnico 2& , como j foi visto para EFM. A
amplitude desta oscilao pode ser utilizada no loop de realimentao, para controlar a
distncia entre a ponteira e a amostra, mantendo-a a uma fora (mdia) coulombiana
constante. Ento, as deflexes do cantilever iro refletir somente as foras de van der Waals
e as magnticas.
O movimento do piezo na direo z, necessrio para manter constante esta amplitude de
oscilao, leva obteno de um sinal topogrfico, pois, como sabemos, os contornos de
fora eletrosttica constante so quase equivalentes aos contornos de separao constante
ponteira-amostra. Simultaneamente, a fora de dc pode ser medida detectando as deflexes
quase estticas do cantilever. As variaes espaciais desta fora so principalmente devidas
a variaes espaciais na interao magntica, pois a ponteira segue a superfcie da amostra
a uma distncia aproximadamente constante.
Os autores conseguem com isto uma completa separao das foras topogrficas e
magnticas, independentemente da distncia mdia qual trabalham.
No mesmo ano de 1990, poucos meses depois do referido trabalho, Rugar et al
3

publicaram um trabalho onde fazem o mesmo tipo de medidas, de uma maneira mais
prtica, isto , eles tm duas sadas no microscpio. O circuito correspondente similar ao
da figura 74 de EFM, com as seguintes caractersticas. No tem um segundo lock-in mas,
em seu lugar est a primeira sada, logo aps o primeiro lock-in, antes da servo eletrnica.
A segunda sada depois da eletrnica, antes de voltar ao scanner z para fazer a
realimentao. No existe o eletrodo embaixo da amostra e portanto no se aplica uma
voltagem de alterna nesse lugar. Se utiliza a velocidade de varredura para separar as
interaes.
Se a varredura for rpida o suficiente para que a realimentao no possa responder s
variaes na derivada da fora, a informao tirada diretamente da primeira sada,
medindo as variaes na derivada da fora. Neste modo, a altura sobre a amostra
permanece praticamente constante e, portanto, F'
servo
= cte. para uma superfcie lisa e
homognea. Ento, o contraste obtido para a imagem se deve a F'
mag
e independe do tipo de
F'
servo
.
Se a varredura suficientemente lenta de forma tal que o loop do servo tem tempo
suficiente para responder completamente a mudanas na derivada da fora, ento o sinal de
informao tirado da segunda sada e se medem contornos de gradiente de fora
constante. Neste modo, F'
servo
depende de z. Se F'
mag
~ F'
servo
, a resposta de z a F'
mag
no
linear se F'
servo
(z) no for linear. Portanto, o contraste magntico complicado. Estes
efeitos no lineares podem resultar em imagens assimtricas para foras magnticas de
sinais opostos. A resposta do microscpio pode ser linearizada fazendo F'
servo
maior que
F'
mag
aplicando, por exemplo, uma voltagem maior entre a ponteira e a amostra. Assim,
F'
mag
ser uma pequena perturbao em relao derivada total da fora e a variao em z,
resultante da variao na derivada da fora magntica, ser pequena comparada com a
distncia ponteira-amostra.
As velocidades de varreduras utilizadas, variam entre 0,2 e 2 linhas por segundo.
A variedade de propriedades a serem estudadas com um MFM muito grande. No nosso
laboratrio esta tcnica j foi utilizada para investigar a estrutura magntica de amostras
contendo essencialmente ao, envelhecidas por aplicao de um processo trmico que
produz uma decomposio do material. Como conseqncia, aparecem algumas
propriedades magnticas nas amostras e delas estudamos a sua estrutura. Foi ento
desenvolvido um modelo terico para descrever esta estrutura das imagens, explicar a
resposta magntica e ainda interpretar a topografia obtida
4
.

1. Appl.Phys.Lett. 52, 244 (1988).
2. J.Appl.Phys. 67, 7278 (1990).
3.J.Appl.Phys. 68 (3), 1169-1183 (1990).
4. Klimchitskaya, Prioli, Zanette, Caride, Acselrad, Kalashnikov, Silva, Simo. Surface Review and Letters, 6 (1) (1999).

Caractersticas dos sensores de fora magntica
Os sensores de fora para MFM devem preencher vrios requisitos no que se refere s suas
propriedades magnticas
1
.
! A extenso espacial do volume efetivo da ponteira magntica deve ser o menor
possvel com a finalidade de minimizar a extenso espacial da interao de longo
alcance dipolar magntica entre a ponteira e a amostra e maximizar a resoluo
espacial em MFM.
! O campo magntico que emana da ponteira deve ser pequeno e confinado
espacialmente, para minimizar influncias no desejadas sobre a magnetizao da
amostra e maximizar a resoluo espacial.
! desejvel um grande momento magntico total para medir grandes foras, pois
assim teremos melhor sensibilidade de fora magntica.
! So importantes uma grande anisotropia magntica e uma grande coercitividade
para minimizar a influncia do campo magntico que emana da amostra, sobre a
magnetizao da ponteira.
! Os sensores de fora devem ser magneticamente bem definidos para permitir uma
interpretao quantitativa dos dados de MFM.
Alguns destes pontos no podem ser otimizados simultaneamente. Por exemplo, deve ser
feita uma boa escolha entre um pequeno volume magntico efetivo da ponteira e uma alta
sensibilidade de fora magntica. Para uma fora mnima detectvel de aproximadamente
10
-12
N, temperatura ambiente, o raio do volume magntico efetivo da ponteira deve ser
tipicamente maior que 6 nm.
Atualmente, a tcnica de recobrimento da ponteira magntica est sendo aplicada a
cantilevers de silcio microfabricados, podendo assim ser escolhido tanto o material com o
que eles so recobertos, quanto o tamanho da camada. Em geral, o resultado que a
magnetizao est predominantemente alinhada ao longo da ponteira, de acordo com o
esperado teoricamente com base na forte anisotropia da ponteira devido sua forma. Para
ponteiras de Ni no magnetizadas intencionalmente, encontrou-se que os ltimos 20 m
tm um domnio magntico simples. O comprimento deste domnio pode ser aumentado
magnetizando a ponteira num campo magntico forte o que aumenta a grandeza do campo
magntico que emana justo da extremidade da ponteira.
O comprimento de um domnio depende tambm do material da ponteira e espera-se, por
exemplo, que seja muito menor para Co do que para Ni. De qualquer forma, como o
microscpio detecta interao dipolo-dipolo, vrias aproximaes so possveis,
dependendo do modelo da ponteira e da amostra a ser estudada. Em geral, supe-se
idealmente que a amostra de material magntico duro, tal que a sua magnetizao no seja
afetada pela interao com o campo da ponteira. Isto uma boa aproximao para, por
exemplo, discos magnticos, mas no serve para materiais magnticos moles.
Outra aproximao utilizada supor que a ponteira est magnetizada uniformemente na
direo de seu eixo e tambm que a sua magnetizao no afetada pelo campo que emana
da amostra. Rugar et al
2
fazem tambm um estudo sobre a influncia da geometria no
simtrica da ponteira e da orientao no paralela do cantilever em relao a amostra.

1.Grter, P. Tese de Doutoramento, Universidade de Basileia, Suia, 1989.
2. J.Appl.Phys. 68 (3), 1169-1183 (1990).

Teoria de MFM
Esta seo e as prximas duas correspondem em grande parte matria apresentada na
seo 2.7 do livro de R. Wiesendanger
1
.
Um MFM no modo de no-contato sensvel interao magnetosttica dipolo-dipolo
entre a ponteira e a amostra. A fora magntica total que age sobre a ponteira na direo z
a resultante da soma das foras entre cada dipolo da ponteira e cada um da amostra. Isto
pode ser escrito como
F(z) = 1 d
3
r
1
1 d
3
r
2
f
z
(r
1
- r
2
) ,
onde a primeira integral sobre a ponteira, a segunda sobre a amostra e f
z
(r) a interao
entre dois dipolos magnticos m
1
e m
2
a uma distncia r = r
1
- r
2
:
f
z
(r) = (
0
/4*)()/)z){[3(r.m
1
)(r.m
2
)/r
5
] - [(m
1
.m
2
)/r
3
]}.
Alternativamente, o campo magntico B
a
(r) produzido pela amostra, e que tem uma
distribuio de magnetizao M(r), pode ser determinado antes de calcular a fora
F = ;(m.B
a
),
somada sobre todos os dipolos m da ponteira.
A resposta de MFM pode ser calculada analtica ou numericamente, dadas as
distribuies de magnetizao da ponteira e da amostra. O problema que se apresenta que,
em geral, nem uma nem outra so conhecidas. Pode ocorrer tambm que elas variem
durante o processo de aproximao. Isto complica bastante a interpretao dos dados
2
.
Ainda mais, espera-se uma perturbao significativa das estruturas magnticas da ponteira e
da amostra quando os campos magnticos H
s
, externos aos materiais, excedem os campos
anisotrpicos H
k
:
H
s
(amostra) > H
k
(ponteira)
H
s
(ponteira) > H
k
(amostra).
Perto de uma superfcie, o campo pode ser uma frao significativa da magnetizao de
saturao M
s
. Levando em conta isto, Hartmann
3
, estabeleceu os seguintes critrios como
vnculos limite para uma operao no destrutiva de MFM:

0
H
k
(amostra)/M
s
(ponteira) < 1

0
H
k
(ponteira)/M
s
(amostra) < 1.
As condies para uma operao no destrutiva de MFM podem ser alcanadas mais
facilmente para materiais magnticos duros com grandes campos anisotrpicos, enquanto
que, para materiais magnticos moles, tal como uma liga de Ni-Fe (permalloy), as variaes
na estrutura magntica induzidas pela interao ponteira-amostra podem ser diretamente
observadas durante uma operao de MFM onde a distncia entre a ponteira e a amostra
menor que 100 nm (ver Mamin et al
4
).
Para reduzir o campo que sai da ponteira na posio da amostra, a separao entre a
ponteira e a superfcie deve ser aumentada, mas isto leva a uma diminuio da resoluo
espacial em MFM. Uma vantagem significativa dos sensores de fora mais novos, que tm
uma fina camada de filme magntico sobre um material no magntico, comparados com as
ponteiras de arame de materiais magnticos, que, nestes mais modernos, o campo que
emana deles cai muito mais rapidamente com a distncia, permitindo assim um estudo no
destrutivo de materiais magnticos moles, inclusive para separaes ponteira-superfcie
relativamente pequenas. Assim, pode ser obtida alta resoluo espacial
5
.
Como alternativa para resolver os problemas associados a grandes campos que emanam
da ponteira, foi proposto usar ponteiras paramagnticas, com altas suscetibilidades, como
por exemplo Gd perto de sua temperatura de Curie.
Supondo que todas as condies de operao no destrutiva em MFM esto satisfeitas,
devemos entender a que excitao responde um MFM. claro que o contraste observado
nas imagens de MFM depende fundamentalmente da grandeza do domnio magntico na
extremidade da ponteira. Se o comprimento do domnio efetivo na extremidade da ponteira
suficientemente pequeno comparado com a extenso do campo que vem da superfcie, a
ponteira pode ser bem aproximada por um dipolo pontual com um momento magntico
total m. Neste caso, a fora que age sobre a ponteira no campo B
a
que sai da amostra dado
por
F(dipolo) = ;(m.B
a
) = (m.;) B
a
,
onde foi suposta a ausncia de correntes (; 3 B = 0). Portanto, no limite de dipolo pontual,
as imagens de MFM esto muito mais relacionadas distribuio espacial do gradiente do
campo magntico que emana da amostra do que ao prprio campo. Da equao anterior
tambm claro que a componente do gradiente do campo que sondamos com a ponteira,
depende da orientao do momento da prpria ponteira. Como j foi dito, a direo da
magnetizao est predominantemente alinhada com a direo do eixo da ponteira, devido
anisotropia do feitio. Portanto, o ngulo de inclinao da ponteira em relao superfcie
da amostra, determina qual componente do gradiente do campo que emana da amostra a
que est sendo pega pela sonda.
Consideremos agora o outro caso limite de um longo domnio magntico na extremidade
da ponteira. Neste caso, s a poro frontal do domnio da ponteira interage efetivamente
com o campo que emana da amostra, levando a uma resposta de monopolo devida carga
magntica q
m
localizada na extremidade da ponteira. A fora magntica medida est ento
diretamente relacionada com o campo que emana da amostra:
F(monopolo) = q
m
B
a
,
e as imagens de MFM refletem a distribuio espacial de B
a
.
Experimentalmente, acha-se que algumas ponteiras, por exemplo as de Co, agem
efetivamente como ponteiras de dipolo pontual e sondam o gradiente de campo que emana
da amostra, enquanto outras, como por exemplo as de Ni ou Fe agem como ponteiras de
monopolo e sondam diretamente o campo que emana da superfcie. Portanto, o contraste
observado nas imagens de MFM pode depender fortemente do sensor. Pode inclusive
ocorrer uma transio da resposta de dipolo para a de monopolo quando se aumenta a
separao entre a ponteira e a superfcie.

1. Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Method and Applications, Cambridge University Press, NY, 1994. Part One, Chapter 2.
2. J.J.Senz, N.Garcia and J.C.Slonczewski. Appl.Phys.Lett. 53 (15), 1449-1451 (1988).
3. J.Appl.Phys. 64, 1561 (1988).
4. Appl.Phys.Lett. 57, 1820 (1990).
5. Grtter et al. Appl.Phys.Lett. 57, 1820 (1990).

Resoluo espacial em MFM
Como j dissemos, a resposta medida de MFM devida interao da ponteira magntica
com o campo que emana da amostra. Portanto, a resoluo espacial alcanada, depende
tanto das propriedades da ponteira quanto da distribuio do campo. Inclusive, para uma
ponteira dipolar pontual e um objeto dipolar pontual sobre a superfcie da amostra, a
largura medida da distribuio do campo ser finita e da ordem da separao ponteira-
amostra. Portanto, o primeiro requisito para ter uma alta resoluo espacial em MFM
operar com a ponteira to perto quanto possvel da superfcie da amostra. A mnima
distncia ponteira-amostra est determinada por vrias limitaes experimentais:
1. Para o mtodo de deteco de a.c. normalmente usado na microscopia de fora
de no-contato, requer-se uma amplitude de oscilao mnima do cantilever,
tipicamente da ordem de 1 a 10 nm. A separao ponteira-amostra obviamente deve
ser escolhida maior que esta amplitude.
2. Se a derivada da fora atrativa se torna muito grande para pequenas separaes,
excedendo a constante de mola do cantilever, podem ocorrer instabilidades no
desejadas. Os cantilevers mais duros permitem operar o MFM a pequenas
separaes, mas s custas de reduzir a sensibilidade.
3. A influncia perturbadora do campo que emana da ponteira, pode tornar-se muito
grande para pequenas separaes, levando a uma operao destrutiva.
Para uma dada distncia ponteira-amostra, a resoluo espacial alcanvel em MFM
depende criticamente do feitio e da estrutura magntica da ponteira. Em princpio, o
volume efetivo da ponteira deve ser to pequeno quanto possvel, pois a mxima resoluo
que pode ser alcanada da ordem do raio do volume efetivo da ponteira magntica e isto
sempre vlido, para qualquer distncia entre a ponteira e a amostra. Uma ponteira de
multidomnio pode resultar em estrutura fina adicional nos traos de MFM, o que complica
a interpretao dos dados. Uma ponteira ideal deveria ser uma pequena partcula
ferromagntica de domnio nico colada na extremidade de um cantilever no magntico.
Contudo, o tamanho mnimo do volume efetivo da ponteira magntica est determinado
pela sensibilidade de deteco da fora, ou do gradiente da fora.
O limite terico de resoluo em MFM para operaes em condies ambiente est entre 5
e 10 nm, mas a resoluo real da ordem de 50 a 100 nm.
Melhoras significativas na resoluo espacial, visando o nvel atmico, s podem ser
alcanadas sondando foras magnticas de intercmbio de curto alcance e no foras
dipolares magnticas de longo alcance. As foras de intercmbio podem ser estudadas por
microscopia de contato, mas sempre em ultra alto vcuo, usando ponteiras e superfcies
muito limpas

Comparao do MFM com outras tcnicas
Uma das grandes vantagens do MFM que ele no requer uma preparao sofisticada da
amostra. A microscopia de fora magntica em no-contato pode at ser feita na presena
de camadas de contaminao em condies ambiente, e no necessrio revestir as
amostras com material magntico.
A ponteira de MFM sonda o campo que emana da amostra ou o seu gradiente, que a
grandeza interessante em relao caracterizao dos meios magnticos. Por outra parte, a
informao sobre a distribuio da magnetizao da amostra, incluindo a sua grandeza e
direo, no pode ser extrada diretamente dos dados de MFM e requer que se faam
simulaes da resposta de MFM para os casos em que os parmetros de entrada (feitio e
estrutura magntica da ponteira) no so conhecidos, como acontece com freqncia.
A resoluo espacial alcanada em MFM de no-contato da ordem de 10 a 100 nm,
dependendo da ponteira e tambm da amostra.
Existem diversas tcnicas de fazer imagens magnticas, algumas delas j bem
estabelecidas, outras, em desenvolvimento.
1. A tcnica de Bitter foi introduzida faz muito tempo, mais precisamente em
1931, por F.Bitter, no trabalho publicado no Phys. Rev. 38 desse ano (p.1903). Este
mtodo baseado no estudo da localizao de pequenas partculas magnticas que
se aglomeram em regies de fortes gradientes de campo, ou seja, nas paredes dos
domnios. A distribuio das partculas magnticas quando estudada por
microscopia tica, eletrnica ou de STM reflete a distribuio do campo magntico
que emana da superfcie da amostra. A resoluo espacial est limitada pelo
tamanho finito das partculas magnticas e pela resoluo do microscpio usado
para o estudo. As partculas magnticas usadas na tcnica de Bitter e a ponteira que
se utiliza em MFM respondem s mesmas foras. Entretanto, o MFM emprega
apenas uma "partcula" como sonda, a uma distncia finita da superfcie da amostra,
introduzindo assim menor perturbao na estrutura magntica da amostra. Ainda
mais, as foras sentidas pela sonda de MFM so medidas diretamente, fato que
fornece informao adicional a respeito do campo que emana da amostra, sempre
que o estado de magnetizao da ponteira seja conhecido.
2. A microscopia de Kerr baseada na iluminao da amostra magntica com luz
linearmente polarizada. Como conseqncia dos efeitos magneto-ticos, a
polarizao rota e a quantidade de rotao produzida por estes efeitos, est
diretamente relacionada magnetizao da amostra. A resoluo espacial est
limitada pelo comprimento de onda da luz utilizada. Esta microscopia a tcnica
ideal para combinar com MFM: primeiro, a microscopia de Kerr uma tcnica
complementar pois ela diretamente sensvel distribuio da magnetizao na
amostra; segundo, devido ao seu grande campo de viso, a microscopia Kerr
permite posicionar a ponteira de MFM com relao configurao das paredes dos
domnios da amostra in situ aps o que, os estudos com MFM podem cobrir escalas
alm da resoluo tica do mtodo Kerr. No CBPF j existe em pleno
funcionamento um laboratrio para estudo do efeito Kerr.
3. A microscopia de Lorentz baseada na influncia da fora de Lorentz sobre a
trajetria de um eltron num microscpio eletrnico. As amostras so afinadas e
depois vistas num microscpio eletrnico de transmisso (TEM) de contraste de
fase. Pode ser alcanada uma resoluo espacial da ordem de 10 nm. Entretanto,
importante ter em mente que as tcnicas baseadas nos estudos por TEM, tais como a
microscopia de Lorentz ou a holografia eletrnica, resultam numa informao
magntica que uma mdia sobre toda a trajetria dos eltrons quando eles
atravessam a amostra.
4. A microscopia eletrnica de varredura com anlise de polarizao (SEMPA) baseada
no fato de que os eltrons secundrios emitidos pela superfcie de uma amostra
ferromagntica possuem uma polarizao de spin proporcional magnetizao da
superfcie da amostra, e orientada com ela. Analisando a polarizao dos eltrons
secundrios, enquanto se monitora o feixe focalizado de eltrons primrios, ento possvel
obter informao espacial resolvida, a respeito da grandeza e direo da magnetizao da
superfcie. A resoluo espacial alcanada da ordem de algumas dezenas de nanmetros.
Como os eltrons secundrios analisados se originam em uma camada da superfcie de
apenas alguns nanmetros de espessura, o SEMPA uma tcnica que depende muito da
superfcie. Tambm ela s opera em condies de ultra alto vcuo, e requer superfcies de
amostras muito bem preparadas, livres de contaminantes no magnticos. Normalmente
leva muito tempo obter uma imagem de grande contraste e alta resoluo devido falta de
eficincia na coleta e anlise dos eltrons secundrios.
Em resumo, enquanto vrias tcnicas de fazer imagens magnticas podem oferecer uma
resoluo espacial da ordem de 10 a 100 nm, claramente elas podem ser distinguidas de
acordo com as propriedades da amostra a ser estudada como, por exemplo, a distribuio
superficial de magnetizao ou os campos magnticos que emanam da amostra. As tcnicas
acima relacionadas diferem tambm significativamente em relao aos requisitos
necessrios preparao das amostras e do ambiente experimental. Em concluso, a
escolha da tcnica depende exclusivamente do estudo que se quer realizar.

Miscelneas sobre SPM
Nestas notas de aula nos referimos apenas a algumas das muitas aplicaes de um
microscpio de fora atmica e sua utilizao nos modos tradicionais de contato e no-
contato. As variaes de um AFM aqui abordadas foram o FFM para medidas de atrito, o
EFM para medidas eltricas e o MFM para medidas magnticas.
Se adicionarmos um pequeno sensor de temperatura ponteira de um AFM, teremos um
SThM, ou scanning thermal microscope. Um sensor trmico pode ser construdo com um
pequeno resistor cuja resistncia depende da temperatura. Quando o cantilever varre a
superfcie, as propriedades trmicas dela mudam a resistncia do metal da sonda. Esta
variao monitorada com uma ponte de Wheatstone. Ento, com um SThM podemos
estudar simultaneamente, no modo de contato, as imagens topogrfica e trmica de uma
amostra.
As variantes para um STM so ainda mais numerosas. Vinte anos aps a inveno do
STM, as modificaes introduzidas nele, visando a investigao de uma ampla gama de
propriedades da matria, so muitas.
No princpio destas notas, falamos do SNOM. Dissemos que, como bem sabido, a
resoluo espacial atingida na microscopia tica clssica est limitada pela difrao a
aproximadamente a metade do comprimento de onda da luz utilizada. Este limite aparece
devido a que as ondas eletromagnticas que interagem com um objeto do qual queremos
fazer a imagem so sempre difratadas em dois componentes: as ondas propagadas com
freqncias espaciais baixas, isto , menores que a metade do comprimento de onda da luz
incidente e as ondas evanescentes, de altas freqncias espaciais, isto , maiores que a
metade do referido comprimento de onda. A tica clssica no trabalha com ondas
evanescentes, j que estas permanecem confinadas a distncias menores que o comprimento
de onda da luz incidente, ou seja, ao chamado campo prximo. O SNOM justamente uma
modificao do STM, onde se utiliza uma fibra tica como ponteira, para sondar este
campo prximo, e onde a luz refletida pela amostra substitui a corrente de tunelamento.
O PSTM
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ou photon scanning tunneling microscope uma modificao do SNOM
tradicional e, portanto, do STM feita para investigar superfcies dieltricas que no so
acessveis por STM ou SEM devido a efeitos de cargas. Este microscpio consegue fazer
imagens tanto de topografia quanto de variaes espaciais das propriedades ticas das
amostras tais como no homogeneidade no ndice de refrao. O aparelho capaz de
fornecer a informao com uma resoluo espacial melhor que aquela da micro
espectroscopia Raman. Como ponteira, se utiliza uma fibra tica cujo raio da ordem de
100 nm e que sonda o campo evanescente sobre a amostra dieltrica; este campo
produzido por um feixe de luz incidente por baixo da amostra e refletido internamente. H
tunelamento de ftons da amostra para a extremidade da ponteira enquanto se faz a
varredura. A deteco realizada por um fotomultiplicador acoplado na outra extremidade
da fibra.
O SPNM
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ou scanning plasmon near-field microscope outra modificao do SNOM com
a qual se espera detectar e identificar molculas adsorvidas na superfcie da amostra. Usa-se
um feixe de laser para excitar os plasmons superficiais que geram um campo prximo
tico, sondado pela ponteira. Como detector se utiliza um foto diodo conseguindo-se
resolues espaciais muito altas nas imagens ticas.
O SNAM
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ou scanning near-field acoustic microscope uma modificao do STM, que
utiliza ondas acsticas. Ele capaz de fazer imagens de topografia de superfcies no
condutoras usando como oscilador um diapaso de alto Q, sendo que uma de suas pernas
utilizada como ponteira. Conseguem-se resolues laterais de 1 m e verticais de
aproximadamente 10 nm.
O SNTM ou scanning near-field thermal microscope uma modificao de um STM para
medir variaes de temperatura. A interao trmica entre uma ponteira e uma amostra
pode ser usada para fazer contornos de superfcies tanto eletricamente condutoras quanto
isolantes. Devido aos diversos tipos de transferncia de calor que se apresentam na
natureza, os mtodos para medir a temperatura, so necessariamente diferentes. Um dos
aparelhos utilizados para fazer esse tipo de imagens ligadas transferncia de calor o
STHP
4
ou scanning thermal profiler que consiste em uma sonda trmica de campo
prximo, operada em no-contato, que um termopar em miniatura aquecido
propositadamente para produzir uma diferena de temperatura entre a ponteira e a amostra.
Quando a sonda se aproxima da amostra, a sua temperatura diminui como resultado do
acoplamento trmico. A mnima variao detectvel menor que 0,1 mK. Um aparelho
alternativo um TT
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ou tunneling thermometer que utiliza uma ponteira de STM como
termopar, operando com a corrente de tunelamento e medindo o gradiente local do
potencial qumico da amostra em relao temperatura.
Como resultado destes esquemas de trabalho, nasceram o SOAM
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ou scanning optical
absortion microscope e o SCPM
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ou scanning chemical-potential microscope. O primeiro
mede variaes locais na temperatura de filmes finos, como resultado de variaes na
absoro da radiao de um laser. A mnima diferena de temperatura detectvel da
ordem de 0,01
0
K. O segundo microscpio mede variaes de uma voltagem termoelctrica
gerada por um gradiente de temperatura provocado na amostra. Conseguiram-se detectar
at sinais com variaes locais em escala atmica.
O SCAM
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ou scanning capacitance microscope utilizado para medir capacitncia. A
superfcie sondada por uma ponteira eletrodo a uma distncia de alguns nanmetros. Em
primeira aproximao, a capacitncia inversamente proporcional distncia entre a
ponteira e a amostra, dependncia esta que se utiliza para controlar a altura. Mas,
efetivamente, a capacitncia depende das geometrias da ponteira e da amostra, assim como
das constantes dieltricas delas e do meio. por isto que o SCAM se utiliza tambm para
estudar variaes espaciais nas propriedades dieltricas dentro ou atravs de camadas
isolantes.
Em concluso, com estes exemplos, vemos que so muitas as variaes possveis nos
equipamentos e muitas as propriedades a serem medidas com eles. Na literatura sobre o
tema, que se resume fundamentalmente a trabalhos publicados em revistas especializadas,
podemos encontrar muitas outras modificaes de um SPM seja ele STM ou AFM que
vm sendo realizadas de acordo com o tipo de propriedade que se quer investigar.

1. Reddik, Warmack and Ferrell. Phys.Rev. B 39, 767 (1989).
2. Specht, Pedarnig, Heckl and Hnsch. Phys.Rev.Lett. 68, 476 (1992).
3. Guethner, Fisher and Dransfeld. Appl.Phys. B 48, 89 (1989).
4. Williams and Wickramasinghe. Appl.Phys.Lett. 49, 1587 (1986).
5. Weaver, Walpita and Wickramasinghe. Nature 342, 783 (1989).
6. Referncia 5.
7. Williams and Wickramasinghe. Nature 344, 317 (1990).
8. Matey and Blanc. J.Appl.Phys. 57, 1437 (1985).

Sistema de Unidades
grandeza
Sistema
Internacional
smbolo unidades CGS
energia Joule J kg m
2
s
-2

10
7
erg
=6,24x10
18
eV
fora Newton N kg m s
-2
10
5
dinas
potncia
Watt W kg m
2
s
-3
W
presso Pascal Pa N m
-2

9,87x10
-6
atm
= 10 dinas/cm
2

carga
eltrica
Coulomb C A s 2,9976x10
9
esu
potencial
eltrico
Volt V J C
-1
V
campo eltrico
Volt/metro V/m V m
-1
10
-2
V/cm
frao 10
18
10
15
10
12
10
9
10
6
10
3

smbolo E P T G M k
nome Exa Peta Tera Gega Mega Kilo
frao 10
-3
10
-6
10
-9
10
-12
10
-15
10
-18

smbolo m n p f a
nome mili Micro nano pico emto atto