thesis_klaus Organic Solar Cell architectures.

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- (en verde nota importante ino. vs org. , en amarillo celda orgnica, en azul celda inorgnica , en rojo
desconocido o duda, en azul por revisar)
- [letra mayscula, referencia de comparacin y resumen]
- [nmero, referencia de artculo]
- (nmero, comentario del autor no esta incluido)
- Observacin, comentario, anotacin personal
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ndice
2.1 Introduccin
[A] Generacin de carga
1.- La absorcin de fotones
a) La banda prohibida del semiconductor es demasiado alta. [B]
b) La capa orgnica es demasiado delgada. [C]
c) Reflexin.
2.- Difusin de excitn.
3. Separacin de carga. [D]
4.- Transporte de carga.
5. Coleccin de carga.
Cuatro arquitecturas diferentes.
1. Celda de una sola capa
2. Celda tipo mezcla (bulk)
3. Celda de doble capa.
4. Dispositivo de laminado.
2.2 Propiedades generales de semiconductores orgnicos.
[E] Exitones
[F] Difusin
2.2.1 Polarones y exitones polarones
Dimerizacin, enlaces polares
[G] Fuerte acoplamiento electrn-red
[H] Enlaces pi ()
Quinoide
[I] Diferencias entre exitones
a) Energa de enlace inorgnico, Ebi = 16 meV
b) Energa de enlace orgnico, Ebi = 400 meV
Tipos de exitones
1. Excitn Frenkel
2. Excitn Mott-Wannier
3. Transferencia de carga excitn.
4. Excitones Intercatenarios.
5. Excitones intracatenarios.
Excimer, dimero, estructura vibrnica, excmeros singlete y triplete.
2.2.2 Semiconductores orgnicos tipo N y P
Nivel de Fermi (contacto hmico o de bloqueo, posicin, frmula, cuasi-fermi)
[J] Dopado
voltametra cclica
2.2.3 Propiedades estructurales de semiconductores orgnicos.
Sublimacin, varilla (calamitic), disco (discotic), solubilizacin
2.2.4 Fotogeneracin de cargas libres.
Fotogeneracin debido a trampas de oxigeno
1.Hueco y electron de diferentes exitnes
2. Slo uno de los elementos del exitn (par electrn-hueco socios) de recombinacin
se asocia con un excitn
3. Sin generacin
La interfase Donador/Aceptor
2.2.5 Materiales D/A
2.2.6 Interfases Electrodo/Semiconductor
Corrientes a travs de barreras
2.3 Materiales para electrodos
[Resumen]
(28 mar 2013) 2da vuelta
La Fig.2.2 muestra los pasos de
conversin de los fotones a la separacin
de cargas que se llevan a cabo celda
orgnica. Tambin muestra el mecanismo
de prdida y las cantidades elctricas
asociadas usadas en el diagrama del
circuito equivalente (ECD). El (ECD)
ltimo se describe en ms detalles de la en
la Seccin 2.4.2.
En los semiconductores orgnicos
[A][R], la absorcin de fotones conduce a
la creacin de pares de huecos y
electrones enlazados (excitones) en lugar
de cargas libres. Estos excitones que
transportan la energa, pero sin carga neta
se pueden difundir a los
sitios/lugares/zonas de disociacin donde
sus cargas se pueden separar. Las cargas
separadas entonces necesitan viajar a los
electrodos respectivos del dispositivo,
huecos para el nodo y electrones al
ctodo a electrodos para proporcionar una
potencial y estar disponible para la inyeccin en un circuito externo.
(huecos, anodo electrones, ctodo)
A continuacin se comentan los pasos de conversin individuales con respecto a la situacin
especial de las clulas solares orgnicas:
1.- La absorcin de fotones. En la mayora dispositivo orgnico slo una pequea parte de la luz
incidente es absorbida por las siguientes razones:
a) La banda prohibida del semiconductor es demasiado alta. Una banda prohibida para
inorgnicos de 1.1eV (1100nm) es necesaria para absorber el 77% de la radiacin solar sobre la tierra
(vase la Tabla 8,3,) mientras que la mayora de los polmeros semiconductores tienen bandas
prohibidas superiores a 2 eV (600 nm) limitando la posible absorcin a aproximadamente 30%.[B] [R]
b) La capa orgnica es demasiado delgada. Tpicamente las movilidades bajas de excitnes y
portadores de carga, requieren espesor de capa en el orden de 100 nm. Afortunadamente, el
coeficiente de absorcin de los materiales orgnicos es generalmente mucho mayor (mas positivo),
que por ejemplo en el silicio (Si), por lo que slo alrededor de 100 nm son necesarios para absorber
entre 60% y 90% si un contacto posterior reflectante se utiliza.[C] [R] coeficiente de perdida (ley de
Lamber)? siendo mas negativo mas perdida, absorcin de fotn a corriente (tiles)?,
(28 marzo 2013, 8:30 am)
c) Reflexin. Las prdidas de reflexin son probablemente significativas pero poco investigadas
en estos materiales. Mediciones sistemticas de los materiales fotovoltaicos son deseadas que
proporcionen el conocimiento de su impacto sobre las prdidas de absorcin. Antirreflectantes como
los revestimientos utilizados en dispositivos inorgnicos pueden proveer continuacin, puede ser til
una vez que otras prdidas, tales como la recombinacin harn menos dominante.
2.- Difusin de excitn. Idealmente, todos los excitones fotoexcitados deben llegar a un sitio de
disociacin/separacin. Puesto que un sitio puede estar en el otro extremo del semiconductor, su
longitud de difusin debe ser al menos igual al espesor de capa requerido (para la absorcin
suficiente), de lo contrario, se recombinan y fotones se desperdician. Los rangos de difusin de excitn
en polmeros y pigmentos son tpicamente alrededor de 10 nm [111, 113, 52, 88]. Sin embargo,
algunos pigmentos como perilenos se cree que tienen longitudes de difusin de excitones de varios100
nm [154].
3. Separacin de carga. [D] [R] La separacin de cargas en materiales orgnicos se sabe que ocurre
las interfaces de semiconductores /metal, las impurezas de (por ejemplo oxgeno) o entre materiales
con afinidades electrnicas (EA) y los potenciales de ionizacin (IA) suficientemente diferentes. En el
ltimo, un material puede actuar como aceptor de electrones (A), mientras que el otro mantiene la
carga positiva y se refiere como donante de electrones (D), ya que en realidad tena donar el electrn a
A. Si la diferencia en potenciales de ionizacin (IA) y afinidades electrnicas (EA) es no es suficiente,
el excitn slo puede montarse/saltar en el material con el intervalo de banda inferior sin dividir sus
cargas. Eventualmente se recombinan sin contribuir cargas a la fotocorriente. Ver tambin Fig.2.8
4.- Transporte de carga. El transporte de cargas se ve afectado por la recombinacin durante el viaje
a los electrodos, particularmente si el mismo material que sirve como medio de transporte de
electrones y huecos. Adems, la interaccin con los tomos u otras cargas pueden hacer mas lento el
viaje o disminuir la velocidad de desplazamiento y por lo tanto limitar la corriente, ver tambin carga
espacial limitada corriente en la Seccin 2.4.2).
5. Coleccin de carga. Con el fin de introducir un material de electrodo con una funcin de trabajo
relativamente baja (por ejemplo, Al, Ca) las cargas a menudo tienen que superar la barrera de
potencial de una fina capa de xido. Adems, el metal puede haber formado un contacto de bloqueo
con el semiconductor de manera que no puede llegar inmediatamente al metal. Las interfaces de
semiconductor / metal s se discute con ms detalle en la Seccin 2.2.6.
Tanto el excitn y el transporte de carga en materiales orgnicos normalmente requieren de
saltos de molcula a molcula. Por lo tanto, cerca de embalaje de las molculas se supone para
reducir el ancho de las barreras intermoleculares y una estructura molecular plana que generalmente
debe conducir a propiedades de transporte mejores que del tipo bulk de 3 dimensional molecular (1).
Tomamos nota de que el embalaje denso tambin favorece un mayor coeficiente de absorcin.
Con el fin de cumplir dichos requisitos especficos para conversin eficiente de fotn a carga,
diferentes arquitecturas de dispositivos se han desarrollado en el pasado. Fig.2.3 muestra diseos de
dispositivos utilizados para las celdas compuestos que comprenden dos componentes, un donador de
electrones (D) y un material aceptor de electrones (A). [Do] [R] La separacin de la carga se produce
en la interfase entre los dos. Idealmente, el material D slo debe estar en contacto con el material del
electrodo con la funcin de trabajo mayor (tpicamente ITO) y la material A con el electrodo con funcin
de trabajo inferior (tpicamente Al).

(figura 2.3)
A continuacin damos un breve resumen incluyendo los puntos fuertes y los puntos dbiles de las
cuatro arquitecturas diferentes conocidos hasta hoy:
1. Celda de una sola capa. Estructuras que consisten de una sola capa de material semiconductor
nico y se refiere a menudo como dispositivos de tipo Schottky o diodos Schottky puesto que la
separacin de carga se produce en el rectificador (Schottky) junto con uno de los electrodos. La
interfaz de otro electrodo se supone que es de naturaleza hmica. La estructura es simple, pero la
absorcin que cubre la gama visible total es raro utilizar un solo tipo de molcula.
La regin fotoactiva es muy delgada dado que ambas cargas fotoexitadas positivas y negativas viajan
a travs de los mismos materiales y las prdidas de recombinacin son generalmente altas.

2. Celda tipo mezcla (bulk). El punto fuerte de este tipo es el rea de interfase grande si la mezcla
molecular se produce en una escala que permite un buen contacto entre las molculas de percolacin
por igual (carga) y excitones para llegar a la mayora de la D / A de interfaz. Por lo general, slo puede
lograrse en parte por lo que los defectos de la estructura de la red - en particular la conectividad con el
electrodo correcto - representa un desafo tecnolgico.

3. Celda de doble capa. Esto beneficia a la estructura de las capas de transporte de carga separados
que aseguran la conectividad con el electrodo correcto y dar a los portadores de carga separados slo
pocas posibilidades de recombinarse con su contraparte.
El inconveniente es la pequea interfaz que permite que slo excitones de una capa delgada alcazar
para llegar a l y obtener ser disociados.

4. Dispositivo de laminado. Este tipo relativamente reciente representa el intento exitoso para unificar
las ventajas de las dos estructuras anteriores. La separacin de la carga se produce en la capa de
mezcla en el medio que se obtiene despus de la laminacin de las dos capas separadas entre s y
transporte de la carga slo puede ocurrir a travs de la capa de transporte correcto. Esta estructura
tambin incluye las opciones tiles para el tratamiento de cada capa por separado (por ejemplo, el
dopaje, fsico / conversin qumica) antes de formar la capa de mezcla y la encapsulacin instantnea
entre los dos sustratos. El inconveniente es que ciertas propiedades mecnicas de los
semiconductores orgnicos se requieren (baja temperatura de transicin de vidrio) para formar la capa
entremezclados.

En la seccin 2.2 se discuten las propiedades especiales generales asociados con materiales
semiconductores orgnicos, mientras que en la seccin 2.4 nos centramos en las propiedades
fotovoltaicas. Dado que el principio utilizando de la conversin de energa solar para celdas solares de
semiconductores orgnicos e inorgnicos es el mismo se aplican los mismos parmetros
macroscpicos. es es es, en principio, el para los las "herramientas generales", como la definicin
de los parmetros de la celda solar (FF, Voc, EQE), el concepto de un diagrama de circuito equivalente
(ECD) o la deduccin de los parmetros de resistencia de las caractersticas IV son los mismos

2.2 Propiedades generales de semiconductores orgnicos.

Debido a, por ejemplo la fuerte interaccin electrn-fonn en materiales orgnicos, la foto-fsica
de en esta clase de materiales es a menudo diferente en comparacin con los semiconductores
inorgnicos y todava no se entienden completamente.

[E] [R] Una de las diferencias principales es que fotoexcitacin en estos materiales no conduce
automticamente a la generacin de portadores de carga libres, sino para generar generar (limitar)
pares electrn-hueco (excitones) con una energa de enlace de aproximadamente 0.4eV [12, 56, 168].

Estos excitones necesitan ser divididos (o disociar) antes de que las cargas pueden ser
transportadas a travs de la pelcula y ser recolectados en los electrodos. Por ejemplo, la disociacin
del excitn puede ocurrir (producir) en una a una interfaz de rectificacin (contacto Schottky) en
dispositivos de una sola capa o en la interfaz entre un donador de electrones y un material
semiconductor aceptor de electrones. Cuanto mayor es el rea de interfase los excitones ms pueden
llegar a l y se disocian.

Adems, el intervalo pequeo de difusin de los excitones (tpicamente de aproximadamente
10 nm [111, 113, 88, 52]) en comparacin con el espesor de la pelcula necesaria para absorber la
mayor parte de la luz (normalmente> 100 nm) ha hecho que sea difcil llegar a eficiencias de
conversin de las celdas solares orgnicas. [F] [R]

2.2.1 Polarones y excitones polarones
El origen del trmino polarn para cuasi-partculas cargadas se pueden encontrar en cristales
clsicos polares donde la carga asociada por ejemplo el electrn repele electrones adyacentes
mientras que atrae los ncleos resultantes en una polarizacin de la red en su proximidad ms
cercana.

Adems, esta nube de acompaamiento de polarizacin provoca un aumento de la masa
efectiva la disminucin de la movilidad de estas cuasipartculas. Debido a la dimerizacin (3) de los
enlaces, sistemas conjugados no presentan enlaces covalentes puros ni polares puros.

De hecho, representan una clase separada con respecto a su naturaleza de enlace exhibiendo
un alto acoplamiento de electron-red (4) en comparacin con los slidos inorgnicos [G] [R]. El fuerte
acoplamiento electrn-red es responsable de la existencia de las cuasipartculas como polarones y
excitones polarn en sistemas conjugados.

Estas cuasi partculas pueden ser identificados por los niveles de energa adicionales [70]
asociados con ellos, que aparecen dentro del bandgap del semiconductor (5), ver Fig.2.5, que se
pueden observar utilizando mtodos de deteccin sensibles como la espectroscopia de absorcin
fotoinducida [163, 197, 198]

Polarones en sistemas conjugados afectan no slo la polarizacin en sus alrededores, incluso
cambian la naturaleza de los enlaces sigma () a pi () y viceversa a travs de la excitacin y mientras
viajan. [H] [R] Esto generalmente lleva a una estructura ms rgida en el estado excitado de la
configuracin denominada quinoide.

Tenga en cuenta que fotogeneracin de excitaciones cargadas por lo general requiere la
separacin de cargas entre las cadenas, que la generacin ms eficaz es fotoexcitacin con un haz de
bomba (pump beam) que est polarizada perpendicular a la cadena principal del polmero [76]

A continuacin una breve descripcin acerca de las diferencias entre exitones en los sistemas
de excitones en mucho mejor entendido inorgnicos y los orgnicos: [ I ] [R]

a) Excitones en celdas solares inorgnicas. La energa de enlace Eb de los excitones inorgnicos se
estima en alrededor de 16meV lo que significa que estos excitones vuelven importantes
predominantemente a temperaturas ms bajas (donde kT se hace pequeo en comparacin con Eb)
[98]. A diferencia de sus partculas constituyentes, un excitn inorgnico es un bosn en vez de un
fermin, con estadsticas de ocupacin determinada por la ecuacin de Bose-Einstein.

Estos excitones pueden reducir an ms su energa si se unen con impurezas o defectos.
Puesto que son bosones, todos ellos pueden ocupar el menor estado acostado (a la vez) dando picos
agudos en la luz emitida a bajas temperaturas debido a la recombinacin radiativa del electrn y el
hueco constituyente. A densidades altas y bajas temperaturas, el gas excitn libre puede condensarse
para dar una fase lquida electrn-hueco con interesantes propiedades [270].
(13 hrs)
b) Excitones en las clulas solares orgnicas. La energa de enlace Eb de excitones en los
semiconductores orgnicos, en particular para los polmeros conjugados como PPV y sus derivados,
ha sido objeto de intensos debates durante la ltima dcada. Valores de Eb se han propuesto que van
desde muy pequea [158] ms valores intermedios (alrededor 0.4eV) [56, 168, 12] a muy alto (hasta
0.95eV) [49].

En el marco de esta tesis se asume que la energa de enlace no es mayor que
aproximadamente 0.4eV. Como consecuencia de ello, los niveles de energa del excitn estn
separados de la BC y BV en menos de aproximadamente 0.2eV que han sido omitidas (descuidadas)
en todos los diagramas de bandas de energa en esta tesis, dado que (desde) las bandas prohibidas
de los materiales utilizados son entre 1 y 2eV. Sin embargo, un claro desplazamiento entre los niveles
HOMO y LUMO del la materia D/A se requiere todava para el excitn se (de) disocie a temperatura
ambiente. (pg 9)

En el siguiente se da una breve descripcin de los diferentes tipos de excitones:
1. Excitn Frenkel: El par electrn hueco se limita a no ms de una unidad molecular [75, 195].
2. Excitn Mott-Wannier: La distancia entre el electrn y el hueco es mucho mayor que la separacin
entre la celda unidad (unidades moleculares) [175, 265]. Sus niveles de energa pueden ser descritos
como estados ligados tipo hidrgeno, calculado con una masa efectiva reducida.

3. Transferencia de carga excitn: El excitn se extiende sobre slo unas pocas unidades
moleculares adyacentes [138]
4. Excitones Intercatenarios: Este trmino se utiliza para los semiconductores polimricos para
indicar que las cargas constituyentes se encuentran en diferentes cadenas de polmero. Puede ser
considerado como un excitn de transferencia de carga.
5. Excitones intracatenarios: Este trmino se refiere tambin a los semiconductores polimricos para
indicar que las cargas constituyentes se encuentran en la misma cadena del polmero. Se cree que los
excitones intracatenarios representan la principal especie que se forma despus de la fotoexcitacin
en polmeros conjugados [78, 79, 54].
Tomamos nota de que hay otras especies relacionadas excitados llamados "excimer" que
pueden desempear un papel importante en los semiconductores orgnicos. Un excimer se puede
entender como un dmero que slo es estable en el estado excitado [205, 138]. Por lo tanto, es slo
dbilmente absorbente y muestra poca estructura vibrnica en su espectro de emisin. Puede ser
formada por la interaccin de una molcula excitada con una molcula en su estado fundamental.
Ambos excmeros singlete y triplete se han observado en las molculas orgnicas tales como
naftalenos o perilenos [205, 104]. Un exciplex es un excmero que consta de dos molculas diferentes.

2.2.2 Semiconductores Orgnicos de tipo N y P
Nivel Fermi
La posicin energtica del nivel de Fermi en los semiconductores es importante por dos razones:
1. Junto con la funcin de trabajo del metal, del nivel de Fermi determina si un contacto hmico o
bloqueo est formado en la interfaz semiconductor / metal.
2. La posicin relativa de los niveles de Fermi es una medida para el tipo de conductividad, si el
semiconductor conduce preferiblemente huecos en la BV (tipo P) o electrones en el BC (tipo N)
La posicin energtica del nivel de Fermi en un semiconductor representa el equilibrio entre la
concentracin de huecos y electrones que ocupan niveles de energa permitidos bajo condicin de
equilibrio (oscuro, no se aplica voltaje). Si el nivel de Fermi y est ms cerca de la BC el material se
llama de tipo N conductor dado que ms electrones estn disponibles para la conduccin en
comparacin con los huecos, de lo contrario, se llama conductor tipo P.
Por lo tanto, la posicin del nivel de Fermi se puede escribir como una funcin tanto de la
densidad eficaz de los estados en la banda de conduccin NC y la banda de valencia NV, as como la
concentracin de los donantes de ND y NA aceptores:
Para semiconductores tipo N [162]:

para semiconductor tipo P:


EV y EC soporte para el borde superior de la BV y el borde inferior de la banda de conduccin,
respectivamente.
Cuando se aplica voltaje y/o el semiconductor est iluminado, el concepto de un nivel de Fermi
ya no puede ser aplicado. Una vez que, por ejemplo, la iluminacin del aumenta de la concentracin
de electrones en la BC se desplazara Ef arriba mientras que la mayor concentracin de huecos en la
BV sera necesario para desplazar hacia abajo Ef, al mismo tiempo. Como consecuencia, dos niveles
separados Fermi, el llamados niveles cuasi-Fermi (8), se introducen entonces para describir la
situacin bajo esta condicin de no equilibrio [98, 162].
y


con N y P denota la concentracin de electrones en la BC y huecos en la BV. EFN y EFP son los
niveles cuasi-Fermi que estn asociadas con el equilibrio de electrones y huecos, ambos existen al
mismo tiempo en un solo semiconductor.

Dopaje
[J] [R]En el dopaje de semiconductores inorgnicos se produce a travs de la introduccin de
tomos dopantes que proporcionan cargas libres a temperatura ambiente, de modo que las cargas
adicionales aumentan la conductividad de este tipo de portador de carga. Como se discuti
anteriormente, el nivel de Fermi se mueve hacia la banda de conduccin si electrones adicionales se
introducen o hacia la banda de valencia si la concentracin de huecos mviles se han incrementado.
En los semiconductores orgnicos "dopaje" se consigue normalmente mediante la introduccin de
molculas extraas en lugar de atomos (9). Otra posibilidad para lograr efectos de dopaje en sistemas
conjugados es la oxidacin electroqumica o de reduccin que se puede lograr y se investig por
ejemplo, voltametra cclica [125, 126, 127, 233].

Adems, los cambios de la concentracin de cargas mviles se realizan generalmente
mediante la captura de electrones en la banda de conduccin de manera que la concentracin de
huecos mviles en la banda de valencia BV (en relacin con los electrones mviles) aumenta. De esta
forma el nivel de Fermi se movera hacia la banda de valencia teniendo un material conductor de
"dopado" tipo P de es decir, un hueco en lugar de un electrn transportan la carga, mejor que el
material de transporte de electrones. Dado que no hay aumento neto de portadores de carga de la
conductividad no puede aumentar (a menos que la movilidad de los portadores de carga se vea
afectada).
Sin embargo, en la prctica se suele encontrar una mayor conductividad (especialmente a la
luz) por exposicin al a, por ejemplo oxgeno [268, 43]. Este efecto puede ser explicado por la
generacin de portadores de carga debido a la disociacin del excitn, vase la discusin ms
adelante.

Ejemplos para dopantes (10) de materiales de tipo p son: Cl2, NO2, I2, Br2, las molculas
orgnicas como o-cloranilo, y 2,4,7-trinitrofluorenone, H2O, O2. Otros tipo p dopantes son TCNQ o
tambin semiconductores de alta afinidad electrnica como C60 o CN-PPV o diimidas perileno. Los
dopantes de tipo n materials (11) son por ejemplo, metales alcalinos, fenotiazinas y tambin
semiconductores con potenciales de ionizacin bajas.

Una forma diferente de dopaje que resulta en una concentracin realmente aument de
portadores de carga libres en la molcula semiconductora de y por lo tanto aumenta
considerablemente la conductividad (tanto en la oscuridad y bajo iluminacin) se puede lograr
mediante formacin de complejos con molculas extraas. Tales molculas de dopaje son
preferiblemente grandes (polmeros) de manera que no puede difundir y penetrar en otro material (egin
dispositivo de unin P/N) en el que posiblemente puede neutralizar con otro dopante (diferente) para
formar una sal. Ejemplos son el dopaje de PANI con cido canforsulfnico o PEDOT con cido
poliestireno sulfnico [38, 6].

Tomamos nota de que en comparacin con los semiconductores inorgnicos dopados, los
semiconductores orgnicos pueden tener muy pocas cargas mviles disponibles, especialmente en la
oscuridad, de modo que las cargas mviles adicionales debido a la iluminacin o el dopaje pueden
hacer una gran diferencia. De hecho, a veces se puede describir mejor el uso de modelos de
aisladores fotoconductivos photoonducting [138]. Ms informacin sobre el dopaje de semiconductores
moleculares se puede encontrar en las Refs. [49, 43, 164, 225, 268, 38]

(26 marzo 2013)
2.2.3 Propiedades estructurales de los semiconductores orgnicos
Hemos visto que las propiedades pticas y electrnicas de los semiconductores orgnicos
pueden ser adaptados por fijacin de ciertas funcionalidades al sistema conjugado. Estas propiedades
son cruciales para el funcionamiento de los dispositivos tales como celdas solares o LED, sin embargo,
las "mecnicas", es decir las propiedades de procesamiento son tambin muy importantes. Por
ejemplo, la fabricacin de dispositivos a travs de sublimacin trmica requiere condiciones de alto
vaco y las altas temperaturas mientras que el procesamiento de la solucin se puede realizar a
temperatura ambiente a presin ambiente. Adems, la fabricacin de ciertas arquitecturas de
dispositivo, tales como mezclas (bulk) o dispositivos laminados requiere mucho ms trabajo o no son
factibles incluso si las tcnicas de sublimacin trmica tienen que ser utilizadas. Adems sistemas
cristalinos lquidos no eran accesibles para la investigacin si la sublimacin slo estaba disponible.

La Fig.2.6 muestra cmo los semiconductores orgnicos pueden dividirse en categoras
diferentes, debido a su procesamiento y las propiedades mecnicas. Tambin distinguir ent re
molculas que tienen slo unas pocas (oligmeros) o no (monmero) unidades de repeticin y
molculas (polmeros) que tienen ms de aproximadamente 10 unidades de repeticin. Oligmeros y
monmeros que absorben la luz visible a menudo son llamados cromforos y se conocen como
colorantes si son claramente solubles o pigmentos si no son (12).



Materiales cristalinos lquidos slo recientemente se han investigado para el uso en los LEDs y
las celdas solares orgnicas [151, 199, 200]. Para un cierto rango de temperatura estos materiales
exhiben una fase en la que las molculas se mueven como en un lquido, pero an son capaces de
mantener o alcanzar un cierto orden estructural entre las molculas como en los materiales cristalinos.

Dichas molculas tienen que tener una fuerte asimetra para mostrar el orden estructural y, por
lo tanto, sus molculas ya sea en forma de varilla (calamitic) o de tipo disco (discotic). Vamos a discutir
estas molculas interesantes en el captulo 7 con ms detalle.

Fig.2.7 muestra que las propiedades "mecnicas" dependen principalmente de la posicin y el
nmero de cadenas laterales. Las cadenas laterales se unen generalmente a las molculas para dar o
mejorar la solubilidad. Son de ms xito en la solubilizacin de la molcula mejor se puede evitar la
agregacin entre las molculas.

Molculas planas en particular, tienen una fuerte tendencia a adherirse debido a la interaccin
- y forma racimos/orbitales/conjuntos/lobulos de slidos en muchos solventes. Cadenas laterales
voluminosas (bulk) pueden separar estas molculas y hacer ms fcil para molculas de disolvente
para rodear las molculas individuales es decir, disolverlas (13). Tpicamente, las molculas ms
pequeas son mejor solubles y / o tienen menores temperaturas de sublimacin que las molculas
ms grandes, pero dan mejores pelculas sobre spincoating.

2.2.4 Fotogeneracin de cargas libres.
Fotogeneracin debido a trampas de oxgeno
Se cree ampliamente que el oxgeno pueda actuar como trampa para los electrones en la BC
de materiales orgnicos y de este modo conducir a un mayor nmero de huecos libres en la BV. En
este sentido oxgeno puede actuar como un agente de dopado que favorece conductividad en el
material tipo P, como se discuti anteriormente. Sin embargo, trampas de oxgeno tambin pueden
actuar como sitios de disociacin de excitones y por lo tanto generar portadores de carga libres en
presencia de excitones. El mecanismo propuesto es el siguiente: Despus de un cierto perodo, un
electrn en la trampa de oxgeno puede disminuir an ms su energa por la descomposicin de la BV
en donde se recombina con un hueco ya sea por un hueco libre o el hueco de un excitn. As, tres
casos pueden ser distinguidos:

1. El electrn se deriva de un excitn todava no disociado y se recombina con un hueco que viene de
un excitn diferente. Ambos excitones se disocian, pero slo dos cargas (el hueco del excitn primero
y el electrn de otro exitn) se producen dado que las otras dos se recombinan.

2. Slo uno de los elementos del exitn (par electrn-hueco socios) de recombinacin se asocia con
un excitn. Esto significa que su disociacin produce una carga libre, pero todava elimina dos.

3. Ninguno de los socios de recombinacin pertenece a un excitn. Dos cargas se pierden, no se
genera.

Tenga en cuenta que tanto los electrones y huecos pueden ser producidos con la misma
probabilidad de acuerdo con la lista anterior. En cualquier caso, el electrn en la trampa de oxgeno
reduce todava predominantemente la movilidad de las cargas negativas, manteniendo as su carcter
dopante tipo P.

Tomamos nota de que, bsicamente, cualquier defecto que lleva a un nivel de energa libre
permitido entre el centro de la banda prohibida y la BC puede tener el mismo efecto que la trampa de
oxgeno discutido aqu, aunque otros efectos pueden llegar a ser ms importante. Por ejemplo, la foto-
oxidados PPV se cree que contiene una gran cantidad de grupos carbonilo que pueden facilitar la
separacin de excitones pero tambin puede disminuir tanto electrones y huecos, as como las
propiedades de transporte de excitones. [114, 215]

La interfase con el donador / aceptor
Hemos visto que La fotogeneracin de carga debido a trampas no es muy eficiente ya que
siempre existe la recombinacin de los dos portadores de carga en cuestin. Aqu se describe una
forma ms eficiente de generar portadores de carga libres, la formacin de una interfaz donante de
electrones (D) / aceptor de electrones (A). Aunque a primera vista, el concepto puede ser una
reminiscencia de la unin P / N en materiales inorgnicos, los procesos fsicos son a menudo muy
diferentes.

Fig.2.8a) muestra que la transferencia necesaria de las cargas puede llevarse a cabo en la
interfaz entre dos materiales si un material tiene una mayor afinidad electrnica (EA), mientras que el
otro tiene un potencial de ionizacin inferior (IP). El que tenga una EA ms grande puede aceptar un
electrn de la BC de la otra y se denomina por tanto aceptor de electrones. El material con el IP inferior
puede aceptar el hueco de la BV del semiconductor en contacto tanto, pueden calificarse hueco
aceptor o electrn donante ya que tambin dona el electrn al aceptor de contacto.

Observamos que el desplazamiento del IP y EA debe ser lo suficientemente grande como para
que el campo resultante (el gradiente de potencial en la unin) pueda superar la energa del excitn de
unin que es tpicamente alrededor de 0.4eV.
De lo contrario la transferencia de carga puede ocurrir, pero los excitones no se dividen en sus
cargas constitutivas y se recombinan finalmente a la interface D / A (14)

Fig.2.8 b muestra que un excitn que lleva su energa de excitacin puede ser transferida
desde el material con la banda prohibida superior al otro, tanto si el hueco y el electrn puede disminuir
su energa de ese modo. Este proceso de transferencia de energa de excitacin que se acompaa
con alguna prdida de energa tambin se conoce como transferencia Foerster [72] y puede ser
utilizado para desplazar la banda de emisin del excitn hacia energas menores en, por ejemplo en
LEDs [246]

La transferencia Foerster tambin permite el diseo de una posiblemente direccionalidad til en
una celda solar orgnica, ya que es un mecanismo de un camino, para llevar a excitones del
absorbedor de longitud de onda ms corta al de ms larga longitud de onda de absorcin. Esto puede
ser til para concentrar excitones entregados en una regin de campo espacialmente pequeo alta
[267] para aumentar la disociacin. Observamos que la colocacin de la banda prohibida de absorcin
ms alto frente al material de banda prohibida ms baja para evitar prdidas de termalizacin se
propone en la referencia. [268].
Si la transferencia Foerster o de transferencia de carga se produce con una cierta combinacin
de materiales semiconductores orgnicos es a menudo difcil de evaluar, particularmente si uno o
ambos materiales no son fluorescentes. Sin embargo, si lo hacen, es til para graficar
fotoluminiscencia (PL) frente a relacin de mezcla. Si la PL de ambos componentes puros disminuye
entonces la transferencia Foerster de mezcla se puede descartar, de otro modo la PL de un
componente mejorara la otra. Aunque, el excitn todava pueden recombinarse en el D / A en lugar de
interfaz dividida en sus cargos constituyentes hay una buena oportunidad para que el ltimo.

La confirmacin de disociacin del excitn puede obtenerse mediante la comparacin de la
EQE de una celda solar tipo mezcla con los dispositivos equivalentes que comprenden nicamente los
componentes puros. Si el EQE de la clula de mezcla es claramente superior sobre la divisin de
espectro excitn entero en la interfaz D/A es ms probable. Confirmacin adicional puede ser obtenida
si los componentes de datos del LUMO y HOMO experimentales y/o tericos y los datos de los
tambin sugieren un desplazamiento suficiente de los bordes de banda para dividir el excitn.
Observamos que la prediccin de la compensacin de los bordes de banda realmente requiere el
conocimiento de la posicin exacta de los niveles de Fermi, desde los que tienen que igualar al entrar
en contacto.
La determinacin de los niveles de Fermi en semiconductores orgnicos pueden ser hechos
(15) pero hay muy pocos datos en la literatura [172]. Para fines prcticos de Fermi-nivel a menudo se
supone que se encuentran alrededor de la mitad de la banda prohibida del semiconductor. Niveles
HOMO y LUMO son a menudo tomadas de mediciones de voltametra cclica-(CV), en las que la
corriente a travs del semiconductor da un pico a la tensin, donde se produce la oxidacin y
reduccin [125, 126, 127]. El potencial de reduccin o oxidacin se considera entonces como los
niveles HOMO y LUMO. [K] [R]

Observamos que este mtodo parece muy til si todos los componentes se pueden ser
medidos medir en la misma configuracin en condiciones comparables. De lo contrario precaucin
tiene que ser tomada si se comparan cifras absolutas, ya que la velocidad de exploracin y la
evaluacin del pico (no est claro si el pico o la aparicin se debe tomar) pueden variar y afectar el
resultado considerablemente. Valores de voltametra cclica (CV) para las pelculas y la solucin
tambin puede ser diferente.
Dado que los resultados de la foto excitacin en la formacin de excitones con una energa de
enlace considerablemente mayor que kT (26meV), fotogeneracin de carga siempre est
asistida/acompaada por un factor externo tal como la presencia de trampas, una interfaz de D/A o de
un metal que puede tambin actuar como un aceptor de electrones o huecos, o simplemente
proporcionar un campo elctrico que puede dividir el excitn. As fotogeneracin de carga en estos
semiconductores orgnicos pueden ser considerados como extrnseca a diferencia/contrarparte de los
semiconductores inorgnicos, donde la separacin se produce principalmente junto con foto excitacin.
(30 marzo 2013)
2.2.5 Materiales D / A
Para el diseo de celdas solares de D/A, es importante saber si una combinacin especfica del
material puede dar lugar a transferencia de carga ms una divisin de excitn. Una manera de
averiguarlo es construir dispositivos de (blend) mezcla y buscar fotoluminiscencia (PL) enfriamiento de
los componentes y EQE mejorado con respecto a los componentes individuales, como se mencion
anteriormente. Mucho esfuerzo, tiempo y dinero se puede ahorrar si la estructura qumica de las
molculas seleccionadas se considera. A continuacin le ofrecemos algunos conocimientos bsicos
que le permite suponer no solo las propiedades D/A, sino tambin algunas otras propiedades
relevantes de los materiales orgnicos fotovoltaicos:
1. Propiedades Dador/Aceptor. Puesto que un donante puede actuar como un aceptor para un donante
an ms fuerte, estos dos trminos no pueden realmente ser usado por separado. Hay ciertas
funcionalidades que pueden hacer que un material de un aceptor de electrones con respecto a la
mayora de los otros materiales. Ejemplos de funcionalidades que favorecen a las propiedades
aceptoras de electrones son: CN, CF
3
, F, = O (ceto-grupos) o diimidas (en esta tesis todos los
derivados de perileno son diimidas perileno). Estos grupos se conocen como grupos de extraccin de
electrones si estn unidos a un sistema insaturado (= conjugado).

Tenga en cuenta que su capacidad para potenciar/incrementar la afinidad electrnica (EA) de
toda la molcula no es puramente conectado a las propiedades aceptores de electrones de estas
funcionalidades. Es esencialmente un resultado tanto inductivo y el efecto mesomerico.
Mientras que el efecto inductivo est determinado por la electronegatividad de los
sustituyentes, el efecto mesomerico tiene en cuenta la influencia de los pares de electrones libres. Este
ltimo considera que muchas de las estructuras conjugadas igualmente se pueden dibujar con un
diferente enlace doble/sencillo, por ejemplo arreglo o disposicin de los electrones . El promedio de
estos posibles ubicaciones de electrones puede ser considerada como el efecto global mesomerico
de una estructura molecular especfica. Ejemplos de aceptores de electrones son CN-PPV, CF3
sustituido PPV y diimidas perileno [167, 154]. La mayora de los semiconductores orgnicos se
comportan ms como donadores de electrones, por ejemplo PPV, PT, PPP y ftalocianinas.

2. Bandgap. Como regla general, el intervalo de banda es menor cuanto mayor es el conjugado
sistema . Ejemplos de grandes sistemas son ftalocianinas [117, 118, 119, 154], naftalocianinas
[171, 140, 37] y perilenos [154, 155, 267]. Sulfuros (azufre) en unos sistemas conjugados tambin
tiende a reducir Eg. El bandgap puede ser pequeo si una molcula consiste de un donador y un
electrn aceptor que estn conectados por una estructura conjugada para crear un "sistema push/pull",
como por ejemplo en poli-metinas. Tales estructuras pueden realizar la transferencia de carga a veces
ya sea en el estado fundamental (por ejemplo, sal de transferencia de carga) o slo poco ms se
requiere energa para su realizacin (la luz). Ejemplos de sales de transferencia de carga son PVK-
TNF [154] y para polymethines: merocianinas [204, 173, 43].

3. Solubilidad. La solubilidad es bueno si las partes planas de los sistemas conjugados de las
molculas no pueden estar demasiado cerca unos de otros. De lo contrario se pegan juntos,
impulsados por su Interaccin - , es decir, para formar agregados, por ejemplo ms grandes
conglomerados/conjuntos/lbulos partculas que no contienen disolvente. Cadenas laterales flexibles
y de gran volumen o tomos que sobresalen del plano molecular pueden prevenir que molculas se
acerquen demasiado, ver tambin la discusin en la Seccin 2.2.3.
La regla general es: Las molculas se disuelven en disolventes con estructura similar.
Disolventes polares como el agua, alcohol o iso propanol disuelve molculas polares mientras
disolventes menos polares (por ejemplo tolueno, xileno) disuelven molculas no polares. Como regla
general, se puede decir que un disolvente que contienen tomos distintos de carbono e hidrgeno
tiene una buena oportunidad de ser ms polar, particularmente si la estructura es asimtrica.
(27 mar 2013)
4. Fotoluminiscencia (PL). La prctica demuestra que PL se apaga si las molculas pueden agregarse.
En consecuencia, las molculas en solucin fluorescencia mucho ms fuerte. Los materiales con
mayor bandgaps tienden a mostrar mayor PL (16).
Adems, la presencia de impurezas o defectos estructurales por lo general conduce a niveles
de energa dentro de la banda prohibida. El decaimiento de energtica de un electrn excitado puede
ocurrir ms rpido y por lo tanto ms eficazmente si ms pequeos saltos de energa se requieren.
Tambin sistemas conjugados que contienen tomos de azufre tienden a dar menor PL de estructuras
conjugadas que contienen slo carbono e hidrgeno.

2.2.6 Interfaces Electrodos / Semiconductor
La teora de los contactos entre los semiconductores dopados y metales fue desarrollado en
1938 por Mott y Schottky [176, 225]. Desde entonces, la inyeccin de carga de los contactos metlicos
en semiconductores se ha estudiado ampliamente y se explica en detalle en la literatura semiconductor
[220, 241, 138, 205] a la que nos remitimos al lector interesado.
Sin embargo, no est claro hasta qu punto los modelos desarrollados pueden aplicarse a los
semiconductores orgnicos slo se describen los conceptos bsicos que se utilizan a menudo para
entender y predecir el comportamiento de los semiconductores orgnicos / electrodo interfaces.
En Fig.2.9 hemos dibujado el diagrama de bandas de energa que se espera que la situacin
antes del contacto y despus del contacto. Se puede observar que, despus del contacto, banda de
flexin se produce en todas las interfaces y que los niveles de Fermi y las funciones de trabajo se
igualan/equilibran. La funcin de trabajo de los electrodos se han dibujado como igual aqu para
mostrar la situacin en el modo de corto circuito.

a) antes del contacto b) formacin de contactos de bloqueo c) contactos ohmicos
La representacin del doblamiento de la banda plegada se puede predecir cualitativamente si
se asume que los bordes de las Lumos y Homos son "fijados" a sus valores de energa absolutos
como estaban antes del contacto. La mayor parte del semiconductor sostiene la misma distancia a la
igualacin/equilibrio de nivel de Fermi. Curiosamente, tanto la afinidad electrnica y el potencial de
ionizacin de los semiconductores no tiene que cambiar, no incluso cuando se produce la banda de
flexin, dado que el nivel de vaco correspondiente sigue tanto la curvatura banda y desplazamientos
verticales.

La direccin de la banda de flexin se produce depende de si la funcin de trabajo (Wf) del
electrodo est por encima o por debajo del nivel de Fermi y de los semiconductores. En el caso de las
funciones de trabajo de ambos electrodos son ms profundos dentro de la banda prohibida de los
niveles de Fermi de los materiales que estn en contacto, la banda de flexin se produce como se
representa en Fig.2.9 b). Tenga en cuenta que la flexin en la banda interfaz D/A sera la inversa
(bloqueo) si ambos niveles de Fermi se suponen que estn cerca de la media. Este puede ser el caso
y deseado por LEDs [100].
Los electrones fotoexcitados desde la BC del aceptor de electrones (A) encuentran un
obstculo antes de que puedan alcanzar el electrodo de Al. Lo mismo es cierto para los huecos de la
BV cerca del contacto ITO. Estos tipos de contactos se denominan contactos de bloqueo. Dado que
estos contactos pueden convertirse sin bloqueo al cambiar el potencial del electrodo tambin se les
llama rectificadores o contactos Schottky.

Tenga en cuenta que el Al se forma un contacto de bloqueo con slo con la BC del
semiconductor tipo N (17), pero un contacto hmico con la BV. La razn por la que se llama esta
situacin particular de interfaz de rectificacin es debido a que el conductor de tipo N se supone para
el transporte de electrones en su BC, y para los electrones se bloquean, es decir rectificar. La situacin
es anloga para la interfaz semiconductor / ITO.
Dado que la separacin de carga en la interfaz D/A conduce a un exceso de electrones en la
BC de A (tipo N) y los huecos en la BV de D (tipo P), ambos portadores de carga encuentran
obstculos si quieren salir de el semiconductor. As corrientes a travs de este dispositivo son
disminuidos por las barreras de contacto.
Fig.2.9 ilustra que la situacin se mejora si se utilizan Au y Ca como materiales de contacto. La
funcin de trabajo (Wf) de ambos electrodos es ms separada del centro de la banda prohibida de los
semiconductores de los niveles de Fermi. Por lo tanto, despus del contacto, la banda de flexin se
produce a la inversa de modo que los electrones en el estado excitado pueden alcanzar el electrodo de
Ca y los huecos del electrodo de Au sin encontrarse con un obstculo.
La prctica confirma que los dispositivos orgnicos utilizando Au y Ca en lugar de ITO y Al
muestra bastante ms elevado voltaje de circuito abierto y fotocorrientes menudo tambin ms altos y
valores de EQE [114, 94]. Sin embargo, debido a la menor funcin de trabajo (Wf) de Ca en
comparacin con Al, Ca es ms propenso a la oxidacin de Al. Electrodos de oro son caros y tienen
que ser muy delgados para ser transparentes y son ms difciles de patrn/enlazar/unir a travs de
ataque qumico. Por las razones anteriores electrodos de ITO y Al son en realidad ms adecuado para
dispositivos de investigacin, ya que se pueden reproducir ms fcil.

Corriente a travs de las barreras
Existen dos mecanismos principales para los portadores de carga para superar barreras: la
emisin termoinica y la mecnica cuntica tnel (emisin de campo). Para la emisin termoinica
sobre una barrera triangular de altura (phi) a partir de un metal en un semiconductor de alta
movilidad, la densidad de corriente (J) se da por: (frmula):

donde A* es la constante efectiva Richardson y T la temperatura absoluta.
Si un campo elctrico se aplica a travs de la barrera la altura de la barrera disminuye

donde E es el campo elctrico aplicado, q la carga elemental y 0 la constante dielctrica del vaco.

En un semiconductor con una movilidad baja, es necesario tener en cuenta la difusin de
portadores dentro de la regin de vuelta hacia la barrera de contacto. El anlisis es complicado y
depende del tipo de barrera asumido. Un tratamiento completo se da por Kao y Hwang [138]. Puede
llegar a ser importante a temperaturas bastante bajas, o por grandes barreras en campos altos, debido
a la emisin de la mecnica cuntica tnel a travs de la barrera (emisin de campo). Para una barrera
Schottky la corriente viene dada por:

donde V es el voltaje aplicado y K una constante del material.
La caracterstica esencial de emisin de campo es que la corriente es insensible a la
temperatura, pero depende en gran medida del campo aplicado (voltaje). Dado que la tasa de
tunelamiento depende tambin en gran medida de la anchura de la barriera (18), excitacin trmica
puede aumentar la corriente tnel. Para una barrera Schottky la corriente entonces se puede escribir
como:

donde J0 es esencialmente una constante para bajos niveles de dopado y n 1 a altas [101]

2.3 Materiales de los electrodos
En los dispositivos orgnicos la funcin de trabajo de los materiales de los electrodos es muy
importante ya que determina, junto con el LUMO / HOMO y el nivel de Fermi del semiconductor si el
electrodos forman un contacto hmico o de bloqueo para el portador de carga respectivo (huecos en
BV, los electrones en BC). Adems, una gran diferencia en la funcin de trabajo de los materiales de
los electrodos puede aumentar considerablemente el Voc.
En la tabla 2.1 hemos enumerado la tabla peridica de los elementos con sus valores de
funcin de trabajo (Wf), por lo que se saba en la referencia. [170]. Los valores de la tabla 2.1 son
vlidas slo para materiales poli-cristalinos. Sin embargo, muchos valores para cristales individuales
que dependen de su orientacin cristalogrfica tambin se han reportado en la ref. [170].


Los materiales comunes de electrodos para el contacto para la recoleccin de electrones de
(baja Wf requerida) de las celdas solares orgnicas son Al, Ca, In, Ag, mientras que para el materiales
de contacto para coleccin de huecos de alta funcin de trabajo como Au son los preferidos. Tanto
para celdas solares y LEDs un contacto tiene que ser al menos parcialmente transparente. Semi
transparencia se puede conseguir si el metal sublimado, por ejemplo Au, no es mucho ms grueso que
aproximadamente 15-20nm en comparacin con aproximadamente 50-100 nm que son valores tpicos
para el contacto no transparente. Observamos que la resistencia de la lmina de una capa delgada
puede ser aumentada considerablemente en comparacin con una capa de 50 a 100 nm de espesor y,
posiblemente, se aada a la resistencia en serie de la celda de manera significativa. Tambin las
propiedades pticas cambian considerablemente en el intervalo de espesor de 10-20nm de modo que
los dispositivos con grosor ligeramente diferente pueden no ser inmediatamente comparables. Por
estas razones los llamados vidrios conductores se utilizan a menudo.

Particularmente xido de indio y estao (ITO) que es un semiconductor degenerado que
comprende una mezcla de In2O3 (90%) y SnO2 (10%) con una banda prohibida de 3.7eV y un nivel de
Fermi entre 4.5 y 4.9eV se utiliza ampliamente. La gran banda prohibida no permite la absorcin de
longitudes de onda, que aproximadamente 350 nm. El material puede ser altamente conductor si hay
exceso de In debido a la falta de oxgeno, de modo que In acta como dopante de tipo N que conduce
a resistencia laminar baja para capas gruesas de ITO 100 nm. El ITO cubierto con sustratos de cuarzo
est comercialmente disponible, ya que se utilizan ampliamente como vidrio conductor en la industria
de pantallas de cristal lquido.
La resistencia laminar de estos sustratos ITO es menor, cuanto ms gruesa es la capa de ITO.
El espesor tpico de ITO en nuestros dispositivos es 100 nm. Los valores menores que 5/cuadrados
estn disponibles. Las propiedades de transmisin de los sustratos ms gruesos de ITO no cambian
mucho ya que el material no absorbe en el visible, pero los efectos de interferencia causar
dependencia significativa espectral de la transmisin. Capas ITO muy gruesa (100 nm, varios
micrones) son problemticas debido al aumento absoluto de la rugosidad de la superficie (19) que
pueden provocar cortocircuitos en las pelculas orgnicas delgadas.

Observamos que el ITO en s mismo puede ser utilizado como capa anti-reflexin [51] como
semiconductor activo [122]. La superficie se puede modificar a travs de grabado por plasma [271, 82]
o las molculas de semiconductores incluso pueden ser qumicamente unidas a l (ITO) [178]. Otros
vidrios conductores son xido de estao y xido de indio. Alternativamente, los polmeros conjugados
con la absorcin en el rango visible se pueden utilizar si se dopan de forma que los niveles de energa
permitidos muevan profundamente en la banda prohibida y crear una mnima absorcin en la regin
visible. Ejemplo de tales polmeros son PEDOT [193, 263, 55] y PITN [272, 222, 191]. Una ventaja
adicional de PEDOT es que puede ser procesado a partir de (agua) solucin y por lo tanto fcilmente
spincoated.

Adems, otros materiales insolubles en agua se pueden hilar en la parte superior de ste (20).
Algunos conductores importantes solubles o transparentes se muestran con su funcin de trabajo y las
referencias en la Tabla 2.2.

(sigue parte B, 2.4 Caracterizacin fotovoltaica)

++++++++++++++++++++++++++++++++++

Resumen

[A]
Electrones y huecos Exitones
[B] Bandgap
1.1 eV 2eV
[C] Coeficiente de absorcin
Menor Mayor
[D] Separacin de carga
Unin PN Interfase [Do]
[E] Energa de enlace ,Eb
Energa de ionizacin 0.4 eV
[F] Difusin
10nm
[G] Acoplamiento electrn-red
Bajo Alto
[H] Enlace
Covalente , () ()
[ I ] Exitones, Eb
16meV 400meV
[J] Dopaje
tomos Molculas, oxidacin o reduccin, oxigeno
[K] Niveles
Banda de valencia y conduccin HOMO y LUMO









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Polarn
http://en.wikipedia.org/wiki/Polaron

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Artculos en PDF (notebook , C:\Datos\DOC)
Forster description of singlet exiton migration
energetic disorder on Forster
Understanding the Role of Forster
Comparing organic to inorganic photovoltaic cells
Comparing organic to inorganic cells
Exciton Recombination in the Fullerene
Organic photovoltaic materials and devices
Device Physics of Organic Bulk
Device Physics of Organic (libro)

PolymerFullerene Bulk Heterojunction Solar Cells

+++++++++++++++++

Exciton Recombination in the Fullerene Phase of Bulk Heterojunction Organic ...
Escrito por George Frederick Burkhard

http://books.google.com.mx/books?id=zEnGj6RE2twC&pg=PA90&lpg=PA90&dq=comparing+organic+t
o+inorganic+photovoltaic+cells+theory+experiment+and+simulation&source=bl&ots=E0mhEw7IRl&sig
=6A_sLfU4bq-
YGNGiKxrEQ21fpTs&hl=es&sa=X&ei=a_xPUbetJIXLrQHwi4HIDQ&sqi=2&ved=0CGEQ6AEwBg#v=on
epage&q=comparing%20organic%20to%20inorganic%20photovoltaic%20cells%20theory%20experime
nt%20and%20simulation&f=false

++++++++++++++++++++++
Organic Solar Cells: Materials and Device Physics
editado por Wallace C.H. Choy

http://books.google.com.mx/books?id=Z-
CMj1qE1sUC&pg=PA14&lpg=PA14&dq=comparing+organic+to+inorganic+photovoltaic+cells+theory+
experiment+and+simulation&source=bl&ots=abn4dRPz_j&sig=sgR2UhyCR9BqZ-
oYCTiq0GcH0HI&hl=es&sa=X&ei=a_xPUbetJIXLrQHwi4HIDQ&sqi=2&ved=0CGQQ6AEwBw#v=onepa
ge&q=comparing%20organic%20to%20inorganic%20photovoltaic%20cells%20theory%20experiment%
20and%20simulation&f=false
+++++++++++++++++++++++++++++++++++++
++++++++++++++++
4)
Pruebas de USB Lexar DOC
nombre archivo : prueba guardo USB lexar Doc
al abrir un documento en esta memoria
modificar y guardar se crea un archivo temporal (TMP), pero solo uno
y desaparece cuando se cierra

ahora con el archivo : Trad Organic Solar (klaus) 26 mar 2013 - c PRUEBA B.doc
en : G:\Doctorado\DOCTORADO

se borraron los archivos tempotales *.tmp de la USB

y parece que no hay problema , se modifico y guardo 10 veces