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Las CONCLUSIONES se elaboran de acuerdo a los objetivos planteados en el estudio o en funcin
de las hiptesis (para nuestro caso sera el Objetivo de la Prctica de Laboratorio) y tienen por
objeto permitir una apreciacin global de los resultados del trabajo. Se tendrn tantas
conclusiones como objetivos se hayan formulado o se elabora una conclusin general tomando en
cuenta el objetivo general.
En funcin a las mediciones o experiencias realizadas se requiri de un tratamiento especfico de
variables o tratamiento de la informacin, de all que cada objetivo o hiptesis tiene resultados
particulares, entonces al momento de concluir se debe tomar en cuenta a dicho objetivo o
hiptesis, los resultados que arrojaron sus mediciones o determinaciones, adems de lo que dice
la base terica construida para la investigacin, especialmente en lo referido a la variable que se
mide en esa oportunidad, es decir, existe una relacin directa entre: objetivos teora
resultados, y es el resultado de dicha relacin la que se utilizar para concluir en dicho aspecto, a
continuacin les presento un ejemplo:
Supongamos el siguiente objetivo general y especfico:
Objetivo general: Empleando la configuracin de Retroalimentacin de Voltaje, para la
polarizacin de un transistor bipolar (BJT), registrar los valores que se obtiene para la
corriente de base (I
B
) al hacer variar la corriente de colector (I
C
) y el voltaje colector-
emisor (V
CE
) de tal manera que se logren caracterizar las curvas tpicas de operacin
del transistor y se identifiquen las regiones de Corte, Saturacin y Regin de
Operacin.
Objetivo especfico: Identificar la respuesta de la configuracin de Retroalimentacin
de Voltaje cuando el decremento de las resistencias de base (R
B
) y emisor (R
E
) tienden
a cero.
Lo que dice la teora: Regiones operativas del transistor.
Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector es igual a la corriente
de emisor y ambas son iguales a cero, (I
C
= I
E
= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del
circuito (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, segn la Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es igual a cero (I
B
=0).
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando la corriente de colector es igual a la
corriente de emisor y ambas se igualan a la corriente mxima, (I
C
= I
E
= I
MX
). En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores
conectados en el colector o el emisor o en ambos.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base (I
B
) es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector (I
C
) beta veces ms grande (recordar que I
C
= I
B
).
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (I
C
) depende principalmente de la corriente de base (I
B
), de
beta ( = ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que se hayan conectadas en el colector y emisor).
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Regin de ruptura. Es la zona que alcanza el transistor cuando se le aplican las tensiones mximas
que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas. Cuando se alcanza estas tensiones
existe peligro de ruptura del transistor. El fabricante proporciona dos tensiones mximas (V
CEO
,
V
CES
) que limitan de alguna manera las tensiones mximas de polarizacin en continua los
transistores. V
CEO
define la tensin mxima entre el colector y emisor, estando la base en circuito
abierto, antes de que se produzca fenmenos de multiplicacin de avalancha que incrementa
exponencialmente la I
CO
a travs de la unin de colector. V
CES
define la tensin mxima del
colector, estando la base cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de
transicin alcance el emisor perforando la regin de base.
Lo que dicen los resultados: A medida que los valores de resistencia fueron cambiando, se logr
conformar una grfica similar a la expuesta por los fabricantes en la hoja de especificacin del
transistor. Para cada valor de resistencia de colector (R
C
) utilizada se presentaron siempre cambios
en la corriente de base (I
B
), al igual que en la corriente de colector (I
C
) y viceversa. Para valores
muy pequeos, del orden de mili-Ampers (mA), de corriente de colector (I
C
) fue posible
caracterizar la Regin de Corte, sin embargo no fue as para la representacin de la Regin de
Saturacin, aun y cuando los valores de voltaje de colector-emisor (V
CE
) tendan a cero. Por otra
parte, se lograron valores de voltaje de colector-emisor (V
CE
) bastante altos (alrededor de los 30
volts), no obstante nunca se observ comportamiento irregular del transistor ni en las corrientes
de polarizacin y, de acuerdo a las especificaciones del fabricante, estuvimos muy lejos de alcanzar
una tensin mxima (V
CEO
) que condujera al transistor a la regin de ruptura.
Conclusin: De esta experiencia podemos concluir:
La representacin de las diversas grficas caractersticas de polarizacin de un transistor
se obtienen al efectuar variaciones controladas de los parmetros de operacin que los
regulan y observando el comportamiento que muestran estos.
El factor de ganancia de corriente del transistor () no es fijo y es dependiente de la
relacin que guardan la corriente de colector (I
C
) y la corriente de base (I
B
), ya que
adquiere diferentes valores a medida que estas corrientes varan.
El voltaje colector-emisor (V
CE
) guarda una relacin directa con el voltaje de alimentacin
(V
CC
) en una proporcin aproximada de 2 a 1, es decir: 2V
CE
V
CC

Los niveles de la regin de ruptura no se alcanzaron debido a que el voltaje mximo
proporcionado por la fuente de alimentacin (V
CC.MAX
) est muy por debajo de la tensin
mxima (V
CEO
) que el fabricante establece en la hoja de datos del transistor.
A medida que la resistencia de emisor (R
E
) va disminuyendo el punto de operacin (Q) se
desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que el voltaje de colector-emisor (V
CE
)
nunca puede ser menor a 0.7 volts. Esto se observa al efectuar el anlisis en DC de la
polarizacin con retroalimentacin de voltaje: la base y el colector es un mismo punto
cuando la resistencia de base (R
B
) sea igual a cero y el transistor funciona en este caso
como un diodo. Esta es una propiedad caracterstica de este tipo de polarizacin, que
permite al transistor nunca estar en saturacin, aun cuando la resistencia de base (R
B
) sea
igual a cero.


Esta es la forma de hacer la conclusin de su prctica, en funcin al objetivo
general de la misma y de igual modo con todos los objetivos especficos que
puedan ser formulados en su momento. Una vez que culminen con todos y cada
uno de ellos, habrn completado las conclusiones, y recuerden, no tienen que decir
que ha significado para ustedes ni nunca resuman que hicieron a lo largo de las
experimentaciones, pues ese no es el objeto de la investigacin y tampoco se
considera una conclusin.


Referencias Bibliogrficas.
Carlos Sabino. El proceso de investigacin, Panapo, Caracas, 1992.
Serafini, M. T. Cmo redactar un tema. Didctica de la escritura, Mxico, Paids, 1991.

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