PONTIFCIA UNIVERSIDADE CATLICA DE MINAS GERAIS

Engenharia Mecatrnica 4 Perodo

nome









Relatrio da Prtica 05: Dispositivos hmicos e No-hmicos















Belo Horizonte, 2014
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nome













Relatrio da Prtica 05: Dispositivos hmicos e No-hmicos



Relatrio referente a aula da sexta-feira
dia 22/08/2014, sobre dispositivos
hmicos e no-hmicos na disciplina de
Laboratrio de Fsica III, no curso de
Engenharia Mecatrnica do 4 Perodo na
Pontifcia Universidade Catlica de Minas
Gerais.

Professor: Fernando Eustquio
Werkhaizer




Belo Horizonte, 2014
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RESUMO


Este relatrio apresenta as informaes objetivas sobre a prtica
sobre dispositivos hmicos e no-hmicos, bem como seus objetivos, metodologia,
procedimentos, resultados e concluses.

Palavras-chave: Dispositivos hmicos. Lei de Ohm. Resistncia eltrica. Diferena
de potencial. Corrente eltrica.

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SUMRIO


1 INTRODUO..............................................................................................4
2 DESENVOLVIMENTO...................................................................................6
2.1 OBJETIVOS...................................................................................................6
2.2 PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS............................................................6
2.4 RESULTADOS...............................................................................................6
3 CONCLUSES..............................................................................................9
4 BIBLIOGRAFIA.............................................................................................11


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1. INTRODUO

a) Dispositivos hmicos

Os resistores so os dispositivos de dois terminais projetados para
funcionarem em um circuito eltrico de acordo com a Lei de Ohm, ou seja, ser linear
a relao funcional entre a tenso eltrica V e a corrente eltrica I:

=

Independentemente da tenso eltrica V ser positiva ou negativa, a corrente I
deve ter o mesmo valor, apenas o sinal alterado. Portanto, alm da relao linear
entre a tenso eltrica V e a corrente eltrica I, um dispositivo hmico deve manter o
valor da corrente eltrica quando o sinal da tenso passa de positivo para negativo.

b) Dispositivos no-hmicos

A variao da temperatura T de um dispositivo hmico devido ao efeito Joule
(aumento da temperatura T devido circulao da corrente eltrica I no dispositivo)
pode acarretar no desvio da Lei de Ohm. O aumento da temperatura leva ao
aumente da resistncia eltrica R. Para cada tenso V o dispositivo apresenta um
valor diferente para R. A curva V x I de um dispositivo hmico no qual esse
fenmeno fsico se apresenta , em geral, uma parbola. A lmpada de
incandescncia um exemplo tpico de dispositivo que apresenta esse
comportamento.
Um diodo semicondutor de silcio apresenta uma juno semicondutora, isto
, uma regio de campo eltrico interno construdo por variao na dopagem do
semicondutor. Em geral, uma juno semicondutora produzida quando a regio
prxima da superfcie de uma lmina de silcio tipo p difundida com tomos de
arsnio mudando para tipo n. Na regio de transio lado n para o lado p surge uma
camada de carga especial positiva no lado n e negativa no lado p, devido ao fluxo de
eltrons do lado n para o lado p e de buracos do lado p para o lado n. Portanto,
existe um campo eltrico interno apontando do lado n para o lado p. Esse campo
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eltrico interno regula o fluxo de carga de um lado para o outro da juno
semicondutora.

Nas condies de baixo campo eltrico aplicado por uma fonte de tenso
eltrica CC ao diodo semicondutor de silcio, a sua curva caracterstica I x V deve-se
difuso dos eltrons do lado n para o lado p e de buracos do lado p para o lado n.
A corrente total devido difuso de eltrons e buracos dada por:

=

2
(

) (

1)
= 2

Chamando de Io o termo que multiplica o fator exponencial da equao, pode-
se escrever para a equao do diodo:

= (

1)

O valor Vo observado para os diodos semicondutores de silcio situa-se
prximo de 0,052V. Portanto, para tenses acima de 0,1V, a equao pode ser
simplificada a =

.
Tomando o logaritmo natural nos dois lados da equao, pode-se escrever a
equao que permite obter a constante de Boltzmann:

ln = ln +ln (
1
2

)

Obs.: Nessa equaes, = 1,602 10
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, carga elementar do eltron.

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2. DESENVOLVIMENTO


2.1 OBJETIVOS

- Verificar a dependncia da corrente eltrica I que circula em um resistor, em uma
lmpada de incandescncia e em um diodo semicondutor.
- Obter as curvas V x I para o experimento feito com o resistor, com a lmpada de
incandescncia e com o diodo semicondutor.


2.2 PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS

- Materiais:
01 fonte universal 12V CC
01 voltmetro CC
01 miliampermetro CC
01 lmpada de 6V
01 resistor de 47
01 diodo semicondutor de silcio
05 cabos de ligao

- Fazer a montagem para o resistor, a lmpada de incandescncia e diodo
semicondutor. Montar uma tabela com os valores da tenso eltrica (V) e corrente
eltrica (I) obtidas para montar os grficos.
- O ampermetro deve ser instalado inicialmente, sendo em srie com o circuito.
Posteriormente, o voltmetro deve ser instalado em paralelo com o circuito.


2.3 RESULTADOS

a) Resistor:

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V (V) 2 4 6 8 10
I (mA) 35 75 115 155 195




b) Lmpada de incandescncia:

V (V) 2 4 6 8 10
I (mA) 80 140 160 180 200



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c) Diodo semicondutor:

V (V) 0,2 0,4 0,6 0,7 0,8 0,85
I (A) 0 0 0 0,02 0,24 1






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3. CONCLUSO

a) Concluses sobre a prtica no resistor

O resistor o nico dispositivo hmico do experimento, pois segue a Lei de
Ohm, onde = . Desta forma, no grfico V x I, obtemos uma reta, em que o
coeficiente angular obtido pela regresso linear (A = 50) corresponde ao valor da
resistncia do resistor.
Utilizamos para a prtica um resistor de 47, que se aproxima bastante
resistncia encontrada a partir do grfico, 50. Essa diferena pode ser dada por
erros de medio e de calibragem dos aparelhos ao longo da prtica, embora o
resultado encontrado seja satisfatrio e prximo do esperado.

b) Concluses sobre a prtica na lmpada de incandescncia

A lmpada de incandescncia no se comporta como um dispositivo hmico.
Este tipo de lmpada transforma grande parte da energia eltrica que recebe por
meio da corrente em calor, fenmeno tambm conhecido como Efeito Joule. Desta
forma, a relao entre tenso e corrente no se deu de forma linear, uma vez que a
resistncia variou ao longo do experimento. O aumento da temperatura (pelo
aumento da corrente) acarreta o aumento da resistncia eltrica. Por isso
encontramos um grfico V x I apresentou uma parbola.
Portanto, no podemos definir exatamente a resistncia neste caso, j que ela
varivel.

c) Concluses sobre a prtica no diodo

O diodo um componente eltrico que permite que a corrente atravesse-o
num sentido com muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de
diodo o diodo semicondutor, no entanto, existem outras tecnologias de diodo. O
diodo funciona como uma chave de acionamento automtico (fechada quando o
diodo est diretamente polarizado e aberta quando o diodo est inversamente
polarizado). A diferena mais substancial que, quando diretamente polarizado, h
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uma queda de tenso no diodo muito maior do que aquela que geralmente se
observa em chaves mecnicas. Isso explica os resultados obtidos e o grfico
resultante. Para pequenas correntes, no obtivemos tenso. medida que a
corrente aumentou, tivemos um aumento na tenso at alcanarmos um limite,
devido capacidade da fonte utilizada.
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4. BIBLIOGRAFIA


SILVA, Abel Antnio; DICKMAN, Adriana Gomes; LIMA, Evandro Conde; LEITE,
Euzimar Marcelo; WERKHAIZER, Fernando Eustquio; RESENDE, Flvio de Jesus;
BEZERRA, Jos Carlos; FERREIRA, Jos Roberto Faleiro; VERTCHENKO, Lev;
SOARES, Mozart Silvrio; MELO, Paulo Csar Reis Cardoso; OLIVEIRA, Paulo
Costa; FARIA, Peter Leroy; SILVEIRA, Toms de Aquino; MOURA, Vnia Aguiar;
FREITAS, Welerson Romaniello. Caderno de Laboratrio (DFQ Departamento
de Fsica e Qumica): Fsica III Eletromagnetismo. Belo Horizonte, 2011