Informe previo del laboratorio N7: EL

TRANSISTOR UNIPOLAR- FET

Benji Iglesias Sanchez

Facultad de I ngeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de I ngeniera
Lima, Per
bjis2920@gmail.com

I. OBJETIVO

Estudiar las caractersticas de polarizacin de los
transistores FET.

Determinar la operacin del FET en seal
alterna.

Indentificar los terminales, sistemas de
polarizacin e impedancias de entrada.

Identificar los niveles de seal sin distorsin.


II. TEORIA
Transistor de efecto de campo
A. Transistores FET
Los transistores FET (Field-Effect-
Transistor: transistores de efecto de campo) realizan
la funcin de control de la corriente elctrica, comn
a cualquier tipo de transistores, en base a la tensin
aplicada en uno de sus terminales (puerta).
Estn construidos a partir de una zona
semiconductora de tipo P o N, a la que acceden dos
de sus tres terminales: Fuente y Drenador. Sobre esta
regin, denominada canal, existe otra zona de signo
opuesto conectada al tercer terminal: la Puerta. Entre
las dos zonas mencionadas se forma una unin
de tipo PN o NP.


A.1.FET de canal N

La composicin de los transistores FET de
canal N es la que ilustra la figura adjunta. Las zonas
conectadas al terminal de puerta (G) son
semiconductores de tipo P, mientras que la regin
central a la que acceden la fuente y el drenador es un
semiconductor de tipo N.

A.2. FET de canal P

La estructura de este tipo de FET es opuesta
a la sealada en el caso anterior. El canal coincide
con un semiconductor de tipo P, mientras que las
regiones gobernadas por la puerta (G) son de tipo N.


FET de canal N. FET de canal P Funcionamiento del
FET
La actuacin elemental de un transistor de
efecto de campo se resume en los siguientes puntos:

- Al aplicar al terminal de Puerta (G) un
potencial negativo, aparecen en el semiconductor dos
uniones PN polarizadas en inverso. En condiciones
normales se producir una corriente de electrones
hacia el Drenador (D), ya que este terminal recibe la
polaridad positiva de la fuente de tensin.

- Al aumentar el potencial negativo de la
Puerta (G), la zona de transicin ZT de las dos
uniones PN polarizadas inversamente aumentar, esto


es, se ensanchar. Si la zona de tipo P tiene una
mayor centracin de impurezas que la zona N -el
canal en el caso ilustrado-, la regin de transicin se
introducir sobre la zona N, puesto que ZT crece
hacia el lado menos dopado.

- En definitiva, a medida que aumenta el
potencial negativo de las regiones de tipo P se
consigue ensanchar la zona de unin a costa de
disminuir la anchura del canal. Por consiguiente, se
est controlando la circulacin de electrones entre la
Fuente (S) y el Drenador (D) por medio de la tensin
aplicada a la puerta (G).
Tensin de contraccin del canal
A travs del incremento de la tensin
inversa aplicada al terminal de Puerta es posible
comprimir paulatinamente la anchura del canal.
Si la tensin inversa crece lo suficiente, las
zonas de transicin pueden llegar a extenderse hasta
unirse y cerrar por completo el canal. En esta
situacin quedar bloqueada la circulacin de
portadores a travs del mismo.
La tensin correspondiente al cierre del canal se
denomina tensin de contraccin (Vp).
B. Regiones de funcionamiento del FET
Las regiones de funcionamiento del FET
guardan una plena relacin con la tensin de
contraccin Vp.

B.1.Regin hmica.

Regin de funcionamiento normal del FET, en la que
la tensin drenador-fuente adopta un valor
comprendido entre 0 y VP.

B.2.Regin de saturacin

Corresponde al estado de funcionamiento
en el que aparece cerrado el canal. En esta situacin,
la tensin Drenador-Fuente es igual o superior a Vp.
Aunque cabe imaginar en primera instancia que el
FET conduce nicamente en la regin hmica, ello no
es as, sino que tambin conduce en la zona de
saturacin.
La intensidad de conduccin del FET en la
zona de saturacin es constante y es una caracterstica
del propio componente.
Curva caracterstica del FET
La curva caracterstica del FET,
representativa de la intensidad ID en funcin de la
tensin VDS , es la que sigue:

Curva caracterstica del FET

III. EQUIPOS Y MATERIALES

02 FET canal N, NTE 312
Resistencias.
01 Generador de funciones.
Capacitores.
01 Panel de conexiones.
Conductores de conexin.
02 fuentes de alimentacin.
01 potencimetro.

IV. RESPUESTAS A LAS
PREGUNTAS

A. Realice los clculos empleando
un simulador. Ajuste la tensin y
frecuencia del generador a los
valores de la experiencia.
Figura 1. Simulacin del circuito




Valores de voltaje en los terminales





B. Simule el circuito y anote las
tensiones y corrientes que se
piden en el experimento para
ambos circuitos considerando
todos los valores resistivos dados.

Figura 2. Circuito con una de las
mediciones que nos pide





Como se observa en la Figura 2
C. Determine el estado de corte y
saturacin para ambos circuitos.

El circuito 1 como se observa en las
simulaciones se encuentra en el estado de
saturacin.


Circuito de la 2da simulacin
Para este circuito se observa una
ganancia de G = 0.925, de lo que concluimos
que se encuentra en zona de saturacin adems
decimos que la polarizacin es de compuerta
comn.

Forma de onda donde se aprecia la reducida
ganancia
V. BIBLIOGRAFIA

http://www.uv.es/~esanchis/cef/p
df/Temas/A_T3.pdf

http://kerchak.com/transistores-
unipolares/

http://es.wikipedia.org/wiki/Transi
stor_de_efecto_campo