Transistor de unin bipolar

Transistor de unin bipolar.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglasBJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PNmuy cercanas entre s,
que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar
se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos yelectrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica
analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como latecnologa TTL o
BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la
unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
ndice
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1 Estructura
2 Funcionamiento
o 2.1 Control de tensin, carga y corriente
o 2.2 El Alfa y Beta del transistor
3 Tipos de Transistor de Unin Bipolar
o 3.1 NPN
o 3.2 PNP
4 Regiones operativas del transistor
5 Historia
6 Teora y Modelos Matemticos
o 6.1 Anlisis en continua
6.1.1 El modelo Ebers-Moll
o 6.2 Modelo en pequea seal
6.2.1 Parmetros h
7 Vase tambin
8 Enlaces externos
[editar]Estructura


Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del
emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn
corresponda.


Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin
base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura
interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos
que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es
menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado,
permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de
que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de
portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos
inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores
inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente
que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado
para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de
corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de
corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de
la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos
estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de
heterojuntura) estn hechos dearseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta
velocidad.
[editar]Funcionamiento


Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en
inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores
que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En
una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada
en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base,
desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin
cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores
puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario
del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar
la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
[editar]Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control
de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-
corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una
unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor
es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No
obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
[editar]El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de
cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la
regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor
comn est representada por o por h
fe
. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua
de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a
100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de
corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la
regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98
y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un
transistor NPN):

[editar]Tipos de Transistor de Unin Bipolar
[editar]NPN


El smbolo de un transistor NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductordopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencionalcircula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
[editar]PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.


El smbolo de un transistor PNP.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductordopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo
[editar]Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente
por la forma en que son polarizados:
Regin activa:
corriente del emisor = ( + 1)I
b
; corriente del colector= I
b

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato
del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para
maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I
c
= I
e
= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley
de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (I
c
I
e
= I
max
)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se
presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por
debajo del valor umbral V
CE,sat
. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin I
c
=I
b
(y por ende, la relacin I
e
=(+1)I
b
) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un cable, ya
que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica
analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las
regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital,
representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.
[editar]Historia


Replica del primer transistor.
El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en la Bell
Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la
direccin de William Shockley. La versin de unin, inventada por
Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en
diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT
ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de
circuitos digitales integrados.
[editar]Teora y Modelos Matemticos
[editar]Anlisis en continua
[editar]El modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin
normal son determinadas por:


Modelo Ebers-Moll para transistores NPN


Modelo Ebers-Moll para transistores PNP


La corriente interna de base es principalmente por difusin
y

Dnde:
es la corriente de emisor.
es la corriente de colector.
es la ganancia de corriente directa en
configuracin base comn. (de 0.98 a 0.998)
es la corriente de saturacin inversa del
diodo base-emisor (en el orden de 10
15
a
10
12
amperios)
es el voltaje trmico
(aproximadamente 26 mV a temperatura
ambiente 300 K).
es la tensin base emisor.
W es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la
corriente de emisor, debido a que el valor de T es
muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar
una pequea variacin de la corriente base-emisor
genera un gran cambio en la corriente colector-emisor.
La relacin entre la corriente colector-emisor con la
base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor
de de 100 es tpico para pequeos transistores
bipolares. En una configuracin tpica, una seal de
corriente muy dbil circula a travs de la unin base-
emisor para controlar la corriente entre emisor-
colector. est relacionada con a travs de las
siguientes relaciones:



Eficiencia del
emisor:
Otras ecuaciones son usadas para
describir las tres corrientes en cualquier
regin del transistor estn expresadas
ms abajo. Estas ecuaciones estn
basadas en el modelo de transporte de
un transistor de unin bipolar.



Dnde:
es la corriente de colector.
es la corriente de base.
es la corriente de emisor.
es la ganancia activa en emisor
comn (de 20 a 500)
es la ganancia inversa en
emisor comn (de 0 a 20)
es la corriente de saturacin
inversa (en el orden de 10
15
a
10
12
amperios)
es el voltaje trmico
(aproximadamente 26 mV a
temperatura ambiente 300 K).
es la tensin base-emisor.
es la tensin base-colector.
[editar]Modelo en pequea
seal
[editar]Parmetros h


Modelo de parmetro h generalizado para
un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las
topologas EC, BC y CC respectivamente.
Otro modelo comnmente usado para
analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito
equivalente a un transistor de unin
bipolar y permite un fcil anlisis del
comportamiento del circuito, y puede ser
usado para desarrollar modelos ms
exactos. Como se muestra, el trmino "x"
en el modelo representa el terminal del
BJT dependiendo de la topologa usada.
Para el modo emisor-comn los varios
smbolos de la imagen toman los valores
especficos de:
x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
i
in
= Corriente de Base (i
b
)
i
o
= Corriente de Colector (i
c
)
V
in
= Tensin Base-Emisor (V
BE
)
V
o
= Tensin Colector-Emisor (V
CE
)
Y los parmetros h estn dados por:
h
ix
= h
ie
- La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del
emisor r
e
).
h
rx
= h
re
- Representa la dependencia de la curva I
B
V
BE
del transistor en el valor
de V
CE
. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se
considera cero).
h
fx
= h
fe
- La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente
referido como h
FE
o como la ganancia de corriente continua (
DC
) in en las hojas de
datos.
h
ox
= h
oe
- La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente
especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.
Como se ve, los parmetros h
tienen subndices en minscula
y por ende representan que las
condiciones de anlisis del
circuito son con corrientes
alternas. Para condiciones
de corriente continua estos
subndices son expresados en
maysculas. Para la topologa
emisor comn, un aproximado
del modelo de parmetro h es
comnmente utilizado ya que
simplifica el anlisis del circuito.
Por esto los
parmetros h
oe
y h
re
son
ignorados (son tomados como
infinito y cero, respectivamente).
Tambin debe notarse que el
modelo de parmetro h es slo
aplicable al anlisis de seales
dbiles de bajas frecuencias.
Para anlisis de seales de
altas frecuencias este modelo
no es utilizado debido a que
ignora las capacitancias entre
electrodos que entran en juego
a altas