UNIVERSIDAD NACIONAL DE EDUCACIN

Enrique Guzmn y Valle

ALMA MTER DEL MAGISTERIO NACIONAL

FACULTAD DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO ACADEMICO DE ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
Especialidad de electrnica e informtica







INFORME DE LABORATORIO N3

TEMA : AMPLIFICADOR BASE COMUN
DOCENTES : Mg Fidel Soria Cuellar Lic. Luis enrique Yacupoma Aguirre
CURSO :CIRCUITOS ELECTRONICOS III
ALUMNOS : SUAREZ HUAMANHORQQUE ANGEL JOSE


Promocin 2012 E2


La cantuta,J unio 2014

AMPLIFICADOR BASE COMUN
TEORIA
Descripcin general.
La notacin y smbolos utilizados junto con el transistor en la mayora de los
textos y manualespublicados en la actualidad se indican en la figura 3.6 para la
configuracin de base comn con transistores pnpy npn. La terminologa en
base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto para la entrada
como para la salida de la configuracin. Adems, la base por lo general es
la terminal ms cercana a, o en, un potencial de tierra. A lo largo de este libro
todas las direcciones de la corriente se referirn a un flujo convencional (de
huecos) y no a uno de electrones. Esta opcin se bas principalmente en el
hecho de que la mayor parte de la literatura disponible en instituciones
educativas e industriales emplea el flujo convencional, y las flechas en todos
los smbolos electrnicos tienen una direccin definida de acuerdo con esta
convencin. Recuerde que la flecha en el smbolo del diodo defina la direccin
de conduccin de corriente convencional.
Para el transistor:
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del
emisor
(flujo convencional) a travs del dispositivo.


















Todas las direcciones de la corriente que aparecen en la figura 3.6 son las
direcciones reales como las define el flujo convencional. Observe en cada caso
que IE _ IC _ ID, y tambin que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es
tal como para establecer corriente en la direccin indicada en cada rama. Es
decir, compare la direccin de IE con la polaridad de VEE con cada
configuracin y la direccin de IC con la polaridad de VCC. Para describir
plenamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales como el de
los amplificadores en base comn de la figura 3.6, se requieren dos conjuntos
de caractersticas, uno para los parmetros de entrada (punto de manejo) y el
otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador en base
comn de la figura 3.7 relaciona una corriente deentrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
El conjunto de salida relaciona una corriente
de entrada (IC) con un voltaje de salida (VCB)
para varios niveles de corriente de entrada
(IE), como se muestra en la figura 3.8. La
salida o conjuntode caractersticas del colector
ofrece tres regiones bsicas de inters, como
se indica en lafigura 3.8, las regiones activa,
de corte y saturacin. La primera es la regin
que normalmentese emplea
paraamplificadores lineales (sin distorsin). En
particular:

En la regin activa la unin base-emisor se
polariza en directa, en tanto que la unin
colector-base se polariza en inversa.


Las modalidades de polarizacin de la figura 3.6 definen la regin activa. En el
extremo inferiorde la regin activa la corriente en el emisor (IE) es cero y el
colector es simplemente el queproduce la corriente de saturacin en inversa
ICO, como se indica en la figura 3.9. La corriente ICO es tan pequea
(microamperes) en magnitud en comparacin con la escala vertical de IC
(miliamperios),que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC
_ 0en los intervalos de baja y mediana potencia en general es tan bajo que su
efecto puede ser ignorado.Sin embargo, para unidades de alta potencia ICBO
se mantendr en el intervalo de los miliamperes.Adems, tenga en cuenta que
ICBO, al igual que Is, para el diodo (ambas corrientes defuga en inversa) es
sensible a la temperatura. A temperaturas ms altas el efecto de ICBO puede
llegar a ser un factor importante por su rpido incremento con la temperatura.
Observe en la figura 3.8 que a medida que la corriente en el emisor se
incrementa por encimade cero, la corriente del colector aumenta a una
magnitud igual en esencia a la de la corrientedel emisor, como lo determinan
las relaciones de corriente bsicas para el transistor. Observetambin el efecto
casi insignificante de VCB en la corriente a travs del colectorpara la
reginactiva. Las curvas indican con claridad que una primera aproximacin a
la relacin de IE e ICen la regin activa est dada porIC =IE

Polarizacin
La polarizacin apropiada de la
configuracin de base comn en la regin
activa se determina de inmediato con la
aproximacinIC =IEy suponiendo por el
momento queIB =0 mAEl resultado es la
configuracin de la figura 3.11 para el
transistor pnp. La flecha del smbolo
define la direccin del flujo convencional
deIE =ICLas fuentes de cd se insertan
entonces con una polaridad que soporte la
direccin resultante de la corriente. Para el
transistor npn las polaridades se
invertirn. Algunos estudiantes sienten
que pueden recordar si la flecha del
smbolo del dispositivo apunta hacia
dentro o hacia fuera haciendo que
coincidan las letras del tipo de transistor con las de las frases apunta hacia
dentro o no apunta hacia dentro. Por ejemplo, hay una coincidencia entre las
letras npn y las letras en cursiva de no apunta hacia dentro, as como en las
letras pnp con apunta hacia dentro (pointing in).

ACCIN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE en la seccin 3.4,
podemos introducir la accin amplificadora del transistor a un nivel superficial
utilizando la red de la figura 3.12. La polarizacinde cd no aparece en la figura
puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta deca. Por lo que se refiere
a la configuracin de base comn la resistencia de entrada de ca determinada
por las caractersticas de la figura 3.7 es muy pequea y por lo regular vara de
10 a 100 . La resistencia de salida determinada por la curvas de la figura
3.8 es bastante alta (cuanto ms horizontales son las curvas, ms alta es la
resistencia) y por lo general vara de 50 ka 1 M (100 k para el transistor
de la figura 3.12). La diferencia en la resistencia se debe a la unin polarizada
en directa a la entrada (base a emisor) y a la unin polarizada en inversa en la
salida (base a colector). Con un valor comn de 20 , vemos que Si
suponemos por el momento que Alfa ca= 1(Ic = Ie), obtenemos


En conclusin:
En electrnica, un amplificador de base comn, es uno de los tres amplificador
de transistor de unin bipolar de una sola etapa topologas bsicas, que se
utiliza tpicamente como un bfer o amplificador de tensin. En este circuito, el
terminal de emisor del transistor sirve como la entrada, la salida del colector, y
la base est conectada a tierra, o "comn", de ah su nombre. El circuito de
transistor de efecto de campo anlogo es el amplificador comn-gate.
Esta disposicin no es muy comn en los circuitos de baja frecuencia, en el que
se emplea generalmente para los amplificadores que requieren una impedancia
de entrada inusualmente baja, por ejemplo, para actuar como un
preamplificador para micrfonos de bobina mvil. Sin embargo, es popular en
los amplificadores de alta frecuencia, por ejemplo para VHF y UHF, debido a su
capacidad de entrada no sufrir el efecto de Miller, que degrada el ancho de
banda de la configuracin de emisor comn, y debido a la relativamente alta
entre el aislamiento de entrada y de salida. Este alto aislamiento significa que
hay poca retroalimentacin de la parte posterior salida a la entrada, que
conduce a una alta estabilidad.
Esta configuracin tambin es til como un bfer actual, ya que tiene una
ganancia de corriente de aproximadamente la unidad. A menudo, una base
comn se utiliza de esta manera, precedida por una etapa de emisor comn. La
combinacin de estos dos forman la configuracin cascodo, que posee varios
de los beneficios de cada configuracin, tales como una alta impedancia de
entrada y el aislamiento.



Cuestionario
1) Compara los valores tericos con los obtenidos
experimentalmente en los circuitos 1 y 2
Circuito1 con Cb conectado
RC -> RC=3.9K RC=4.7K
TEORIA PRACTICA TEORIA PRACTICA
Ic 0.9mA 0.7 mA
Icq 1 mA 0.07mA
Imax 1.85 mA 1.38 mA
Vi max 418 mV p 2.57 mV
Vomax 3.5V 3.1 V p 9 V 7.5 V
Vc 5.6V 4.8 V 5.6 V 3.94 V
Vce 4.6V 3.69V 4.1 V 2.88 V
Vceq 4.6V 8.6V
Av 111 vcs 7.75 vcs 9.4 vcs 29.1 vcs
Zi 33.8 Hom 3. hom 333 hom 55 hm
Zo 3.9k 3.9k 4.7K 4.7 k
It con Vi 1.35 mA 1.33 mA
Itsn Vi 1.33 mA 1.31 mA
fase fase fase

Cirucito 2 sin Cb conectado
RC -> RC=3.9K RC=4.7K
TEORIA PRACTICA TEORIA PRACTICA
Ic 1.5 mA 1.5 mA
Icq 1.09 mA 1.04 mA
Imax 1.3 mA 1.5 mA
Vi max 430 mV 2.35 mV
Vomax 8.40 mV 2.2 mV 2.40 V 1.35 V
Vc 1.99 V 4.73 V 5.15 V 3.9 V
Vce 0.9 V 3.66 V 9.45 V 2.89 V
Vceq 0.9 V 9.45 V
Av 10 vcs 5.1 vcs 52 vcs 4.5 vcs
Zi 51.2 hom 20 hom 51 hom 71 hom
Zo 3.9 k 3.9k 4.7 k 4.7 k
It con Vi 1.36 mA 1.35 mA
Itsn Vi 1.36 mA 1.33 mA
Fase fase fase




2) Cul es la funcin del condensador Cb?
Este capacitor es la que le permite acoplarse capacitivamente al emisor a su
ves el Cb es la que le permite conectar la base a tierra adems es el punto
comn de conexin de ah el nombre de base comn.

3)Por qu las resistencias de emisor no est acoplada?
No esta acoplado porque lo necesitamos para,la resistencia de entrada puede
ser ajustada a un valor deseado mediante un resistor de compensacin para
variaciones de temperatura.
4) Indicar las frmulas para calcular Av, Zi,yZo
Frmula para Av =>Av

Frmula para Zi =>Zin

Frmula paraZo =>Vo
5) Tiene alguna influencia sobre Zo, las variaciones de
hfe(beta) del transistor?
6) Tiene alguna influencia las resistencias de polarizacin R1 y
R2 sobre Zi
7) Se puede conectar el condensador Cb entre las base y la
fuente (+9v)?
8) Por qu el Hfb es siempre menor a 1?
9) Explicar la razn por la cual en un amplificador con
configuracin Base comn, se Ie =1mA, la Zo =35Ohmios
10) Porque el amplificador en configuracionbase comn, opera
generalmente a frecuencias ms altas que un amplificador en
configuracin emisor comn?
11) Qu significa frecuencia de corte?
1. La frecuencia, bien por arriba o bien por debajo de la cual el nivel de
salida de un circuito, tal como una lnea, amplificador o filtro se reduce
por un factor de "raz de dos partido de dos" al valor de - 3 dB = 70.7%
de la potencia respecto al nivel de referencia de 0 dB = 100%.
2. La frecuencia por debajo de la cual una onda de radio no consigue
penetrar una capa de la ionosfera con el ngulo de incidencia requerido
para la transmisin radioelctrica entre dos puntos mediante reflexin en
la capa.
3. La frecuencia por debajo de la cual un determinado modo
electromagntico no puede ser transmitido en un medio guiado.
12) Por que se prefiere el amplificador en configuracin base
comn, con vez de un amplificador en configuracin emisor
comn, para el manejo de alta frecuencia?