You are on page 1of 8

UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES.

FACULTAD DE TECNOLOGA.
AERONUTICA.
LABORATORIO DE ELECTRNICA.
MAV-251

CUESTIONARIO No.
T R A N S I S T O R E S


UNIV AER. TRONCOSO GALLARDO JULIO CESAR
AUX. CARLOS RADA
DOC: LIC. AER. LUCIO COPA.
FECHA: 22 MAYO 2014 SEMESTRE: I/2014
LA PAZ - BOLIVIA
T R A N S I S T O R E S
1. EXPLICAR LA FUNCIN DEL TRANSISTOR.
Un transistor es un pequeo dispositivo electrnico que puede provocar grandes cambios en una seal de salida
elctrica de los pequeos cambios en una pequea seal de entrada. Es decir, una dbil seal de entrada puede
ser amplificada (hecho ms fuerte) por un transistor. Por ejemplo , muy dbiles seales de radio en el aire pueden
ser captadas por una antena de alambre y procesados por los amplificadores de transistores, hasta que se lo
suficientemente fuerte como para ser escuchados por el odo humano. Un transistor consta de tres capas de silicio
o de germanio material semiconductor. Impurezas se aaden a cada capa para crear una elctrica positiva o
negativa cargado comportamiento. "P" es para un suplemento de capa y "N" es negativo para un suplemento de
capa. Transistores son NPN o PNP en la configuracin de las capas. No hay particular, salvo la diferencia de
polaridad de voltajes que deben aplicarse para hacer funcionar el transistor. s grande es tener la seal de salida
del colector tambin se hace referencia al suelo y el emisor. La dbil seal de entrada se aplica al centro de la capa
de base y por lo general se hace referencia al suelo que tambin est conectada a la capa inferior llamado emisor.
Cuanto masas condensadores estn obligados junto con al menos una fuente de alimentacin DC para
completar el transistor amplificador. Usted ya debera haber estudiado la base de electricidad y electrnica
bsica secciones de este sitio web y tener una buena comprensin de cmo las resistencias y condensadores efecto
de circuitos elctricos. Un tpico amplificador de transistor se muestra a continuacin.
1.1 ESTRUCTURA ATMICA DE LOS SEMICONDUCTORES.
Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un
cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una
rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia,
cada uno de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los
electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un
aislante.
1.2 FUNCIN DE LAS IMPUREZAS.
Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de impurezas que conducen la electricidad,
incluso a bajas temperaturas. Las impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo,
antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un exceso de electrones. Este grupo de
elementos tiene cinco electrones de valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de
germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las impurezas
donantes quedan libres para desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio
y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de
enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan
electrones de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos
vecinos se rellenan con otros electrones y as sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas,
como si se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje.
1.3 SEMICONDUCTORES DE TIPOS N Y P.
Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes se llama semiconductor
negativo, o tipo n, para indicar la presencia de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una
impureza receptora producir un semiconductor positivo, o tipo p, llamado as por la presencia de huecos cargados
positivamente. Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo n y otra tipo p, se puede preparar
introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en diferentes
fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo n y
tipo p. La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin PN. Tal unin se puede producir tambin
colocando una porcin de material de impureza donante en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de
material de impureza receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de impurezas
a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el exterior, la unin PN acta como un rectificador,
permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido. Si la regin tipo p se encuentra conectada al terminal
positivo de una batera y la regin tipo n al terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material
a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente.
2. EXPLICAR EL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR.
2.1 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
En un transistor se pueden combinar dos uniones para obtener amplificacin. Un tipo, llamado transistor de
unin npn, consiste en una capa muy fina de material tipo p entre dos secciones de material tipo n, formando
un circuito como el mostrado en la figura 2. El material tipo n a la izquierda del diagrama representa el
elemento emisor del transistor, que constituye la fuente de electrones. Para permitir el avance de la corriente a lo
largo de la unin np, el emisor tiene un pequeo voltaje negativo con respecto a la capa tipo p, o componente base,
que controla el flujo de electrones. El material tipo n en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene
un voltaje positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversin del flujo de corriente. Los electrones que
salen del emisor entran en la base, son atrados hacia el colector cargado positivamente y fluyen a travs del
circuito de salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es
reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es elevada. Por lo tanto, pequeos
cambios en el voltaje de la base provocan grandes cambios en la cada de voltaje a lo largo de la resistencia del
colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su
funcionamiento, el transistor de unin pnp dispone tambin de dos uniones y es equivalente al tubo de vaco
denominado trodo. Otros tipos con tres uniones, tales como el transistor de unin npnp, proporcionan mayor
amplificacin que los transistores de dos uniones.
2.2 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR.
Los transistores son dispositivos electrnicos de estado slido, cuando sobre un semiconductor se ponan dos
puntas metlicas y a una se le aplicaba una cierta tensin, la corriente en la otra venia influenciada por la de la
primera; a la primera punta se la denomina emisor; al semiconductor , base y a la otra punta, colector.
Posteriormente se encontr que igual fenmeno ocurra si se unan dos semiconductores polarizados en sentido
inverso a otro de distinto tipo; as se construyen los transistores de unin, que son los ms empleados. Segn la
estructura de sus uniones, los transistores pueden se p-n-p o n-p-n; sustituyen con ventajas a los trodos de
vaco y vlvulas termoinicas multielectrodicas, al menos en lo que a bajas potencias se refiere.
El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar de estado, permitindole cambiar o
amplificar de acuerdo a las condiciones de trabajo y diseo, fluctuando entre un estado conductor y uno
insulador.
2.3 INSULACIN.

La grafica muestra al transistor en su efecto de cambio cuando el transistor est hecho para alterar su estado de
inicio de conductividad (prendido, la corriente al mximo) a su condicin final de insolacin (apagado y sin
flujo de corriente). La corriente fluye desde el emisor (punto E) al colector (punto C). Cuando un voltaje negativo
se le aplica a la base (punto B), electrones en la regin base son empujados (como dos cargas que se repelan, en
este caso dos negativas) creando la insolacin. La corriente que flua desde el punto E al punto C se detiene.
2.4 CONECTIVIDAD.
La grafica muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de insulacin (apagado y sin flujo de
corriente) a su estado final de conductividad (prendido, la corriente al mximo). El transistor trabaja al
principio como un insulador. Para que pueda tener conductividad, voltaje positivo tiene que ser aplicado a la base
(punto B). Como las cargas positivas se atraen (en este caso, positivo y negativo), los electrones se halados fuera
de los lmites y deja que siga el flujo de corriente como lo muestra la figura. El transistor se cambia de
insulador a conductor.

El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la polarizacin en el electrodo de base con respecto al
potencial de emisor. Ajustando la polarizacin a un punto situado aproximadamente a mitad de camino entre el
corte y la saturacin se situar el punto de trabajo del transistor en la regin activa de funcionamiento.Cuando
funciona en esta regin el transistor es capaz de amplificar. Las caractersticas de un transistor polarizado en la
regin activa se pueden expresar en trminos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los tubos de
vaco.
El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de ecuaciones que
expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias. Estas relaciones se denominan
parmetros hbridos y definen los valores instantneos de tensin y de corriente que existen en el circuito
sometido a examen. Los parmetros permiten predecir el comportamiento del circuito en particular sin
construirlo realmente.
A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del transistor:
Ganancia de resistencia: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia de entrada.
La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente 500 ohmios, mientras la
resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente ms de 20.000 ohmios. Para un transistor
de unin la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50.
Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Un transistor de unin que
tiene un valor de alfa menor que la unidad, no obstante, una ganancia de resistencia del orden de
2.000 a causa de que su resistencia de salida es extremadamente alta, y la ganancia de tensin es
aproximadamente 1.800.
Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de resistencia, y es del
orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y conexin de
colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa, ctodo a masa y
placa a masa en la terminologa del tubo de vaco.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y desde el circuito
de entrada hasta el de salida no se produce inversin de fase de la seal. El circuito de emisor a masa tiene
una impedancia de entrada ms alta y una impedancia de salida ms baja que el circuito de base a masa,
y se produce una inversin de fase entre la seal de entrada y la de salida. Esto proporciona ordinariamente
la mxima ganancia de tensin en un transistor. El circuito de colector a masa tiene impedancia de
entrada relativamente alta, impedancia de salida baja y no produce inversin de fase de la seal desde el
circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y la ganancia de tensin son ambas bajas.
3. INDICAR Y EXPLICAR LOS TIPOS DE TRANSISTORES.
3.1 TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL.
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado
en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector,
de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar
(las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con
el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
3.2 TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR


Diagrama de Transistor NPN
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N alArsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de
signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la
geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuntico de la unin.
3.3 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma
una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P
en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con
un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin;
tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante
un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso
la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.
3.4 FOTOTRANSISTOR.
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de
iluminacin).

4. GRAFICAR Y EXPLICAR EL CIRCUITO DE UNA CURVA CARACTERISTICA DE REACCIN.

5. GRAFICAR Y EXPLICAR EL CIRCUITO DE UNA CURVA CARACTERISTICA DE ENTRADA.
6. INDICAR LAS CARACTERSTICAS DEL CIRCUITO EN SERIE DE LOS TRANSISTORES.
Cuando los transistores se conectan en serie, se deben encender y apagar simultneamente. De no ser as, el
dispositivo ms lento en el encendido, y el ms rpido en el apagado, pueden quedar sujetos al voltaje total del
circuito de colector a emisor (o de drenaje a fuente), y ese dispositivo en particular, se puede destruir por alto
voltaje. Los dispositivos deben estar apareados en ganancia, transconductancia, voltaje umbral, voltaje en
estado activo, tiempo de encendido y tiempo de apagado. Hasta las caractersticas de la excitacin de la
compuerta o de la base deben ser idnticas. De la misma forma que los diodos y tiristores, se pueden usar redes
de tipo capacitivo y resistivo, para igualacin del voltaje compartido.

7. INDICAR LAS CARACTERISTICAS DEL CIRCUITO EN PARALELO DE LOS TRANSISTORES.
Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede manejar la demanda de la corriente de la
carga. Para compartir corrientes iguales, los transistores deben estar apareados en ganancia,
transconductancia, voltaje de saturacin, tiempo de encendido y tiempo de apagado. En la prctica, no
siempre es posible cumplir con todos estos requisitos. Se pueden obtener una particin razonable de corriente (45
a 55% con dos transistores), conectando resistores en serie con los terminales de emisor (o fuente).

8. EXPLICAR DE QUE MATERIALES ESTN CONSTRUIDOS LOS TRANSISTORES.
Los materiales ms usados para los transistores son el germanio y silicio al cual se le agregan impurezas para
generar un material tipo n, y otro tipo de impurezas para generar un tipo P, con estos dos materiales se forma
con 3 partes el transistor npn o pnp . (son semiconductores).
9. EXPLICAR Y EL POR QUE DE LOS ACOPLAMIENTOS EN LOS TRANSISTORES.

10. INDICAR Y EXPLICAR LOS TIPO DE CURVAS CARACTERISTICAS QUE EXISTEN EN LOS
TRANSISTORES.