TRABAJO DE FIN DE GRADO EN FSICA

ESTUDIO DEL GRAFENO CRECIDO SOBRE

Rh(111) MEDIANTE MICROSCOPA DE EFECTO
TNEL DE TEMPERATURA VARIABLE










Trabajo de Fin de Grado realizado por Gabriel Wolfgang Castellanos Gonzlez
Tutor: Jos Mara Gmez-Rodrguez

Departamento de Fsica de la Materia Condensada
Universidad Autnoma de Madrid, Mayo de 2013



2








































3
Fi gura 1b: Izqda.: Estructura electrnica del grafeno para los puntos de alta simetra de la primera zona de
Brillouin, obtenida mediante el mtodo PPW de E. Kaxiras, Atomic and Electronic Structure of Solids, pg. 146.
Dcha.: Dispersin de energas para las bandas ! y !* en la primera zona de Brillouin. Calculada por el autor de esta
memoria con Mathematica mediante el mtodo tight-binding a partir de los orbitales !
!
del carbono considerando
hopping slo a primeros vecinos. Nota: !
!
y !
!
estn en unidades de la distancia entre primeros vecinos a
C-C
y las
unidades de E
k
son arbitrarias.


Fi gura 1a: Lmina de grafeno (izquierda). El grafito
(derecha) consiste en lminas de grafeno formando un
enlace dbil por fuerzas de Van der Waals que da
lugar a una distancia plano-plano de 3.35. Figura
sacada de A.H Castro Neto et al., Rev. Mod. Phys.,
81, 109 (2009).
INTRODUCCIN

El grafeno es un material en el que actualmente la comunidad cientfica y la sociedad tiene
puesta su atencin por las potenciales aplicaciones que puede llegar a prestar en base a sus
excepcionales cualidades. Consiste en una monocapa de grafito, un plano bidimensional de
carbono de grosor atmico formando una red llamada panal de abeja figura 1a. Los
enlaces en el plano son covalentes de tipo !, resultado de la hibridacin de un orbital s y
dos p, con una distancia de a
C-C
=1.42.
Sin embargo, su estructura electrnica fue calculada por primera vez hace ms de 60
aos. As, la estructura de bandas fue obtenida por Wallace [1] en 1947, quien obtuvo la
dispersin lineal de la energa en las bandas ! y !* en torno al punto K de la primera zona
de Brillouin como se observa en la figura 1b. Debido a esta dispersin lineal los electrones
de esas bandas tienen una masa efectiva nula, y obedecen a la ecuacin de Dirac.



Lo que le convierte en un material interesante para el estudio es el hecho de que el nivel
de Fermi del grafeno neutro se encuentra precisamente en el punto de cruce de las bandas !
y !* -es un semi-metal o semiconductor de gap nulo. Como consecuencia, el grafeno
presenta excepcionales cualidades. Algunas de estas son: alta movilidad de los portadores de
carga, efecto Hall cuntico entero anmalo, insensibilidad ante potenciales electrostticos
debido a la paradoja de Klein. Ya que muchas de las propiedades electrnicas de un
material son debidas a los electrones en el nivel de Fermi el grafeno proporcionara una
nueva electrnica totalmente diferente a la actual, basada en el silicio, conocida como
nanoelectrnica [2]. Pero no solamente sobresale en la electrnica. Sus propiedades pticas,
trmicas y mecnicas tambin son excepcionales. As tambin se ha propuesto su uso para
moduladores pticos, sensores de gas y clulas solares entre otras muchas aplicaciones [3].
4
Pese a su potencial, no ha sido objeto de intenso estudio hasta hace poco ms de 10
aos. La razn, que por ser un cristal bidimensional se consider durante varias dcadas
que su crecimiento de forma aislada no era posible [4,5]. Durante este tiempo la atencin
que recibi no fue ms all de su observacin sobre superficies en metales de transicin. El
descubrimiento de los nanotubos [6], consistentes en lminas de grafeno plegadas y con
propiedades similares a ste motiv trabajos posteriores [7-9] que mostraron el potencial que
tendra en electrnica. Esto culmin con el trabajo de Novoselov y Geim [10]. Fueron
capaces de obtener grafeno de alta calidad mediante la tcnica de la exfoliacin
micromecnica que inventaron y de observar las extraordinarias propiedades que presenta
este material [11-13]. Por su trabajo sobre el grafeno fueron galardonados con el Premio
Nobel de Fsica en 2010.
Para el estudio y desarrollo de aplicaciones la exfoliacin micromecnica deja de ser til
y desde su preparacin en 2004 se han investigado activamente otros mtodos de preparar
grafeno [14-16]. En concreto, se ha crecido sobre sustratos metlicos. En este caso, se
recurre al crecimiento epitaxial por segregacin del carbono del metal y principalmente por
la deposicin qumica en fase vapor a travs de hidrocarburos. La estructura cristalina en
las caras FCC(111) o HCP(0001) para metales de transicin es hexagonal lo que les
convierte en buenos candidatos para el crecimiento de grafeno. Trabajos recientes han
mostrado que en algunos la interaccin con el grafeno crea una corrugacin del grafeno que
hace posible su uso como plantilla para el crecimiento ordenado de cristales [17]. En
particular, la microscopa STM ha resultado ser de gran valor, permitiendo caracterizar su
crecimiento sobre diferentes metales, observar esta corrugacin, as como el efecto que
introduce el crecimiento de otras molculas o la presencia de defectos.
De esta forma, el trabajo que aqu se expone pretende mostrar, mediante medidas
tomadas con un microscopio de efecto tnel de temperatura variable, cmo el crecimiento
mediante deposicin qumica en fase vapor conlleva, en condiciones de ultra-alto vaco, a la
formacin de amplias zonas de grafeno, y cmo su interaccin con el sustrato se manifiesta
en una corrugacin del mismo.

I GRAFENO SOBRE METALES DE TRANSICIN

Dado que se ha trabajado con microscopa de efecto tnel, las medidas tomadas
proporcionarn informacin sobre la interaccin electrnica entre grafeno y sustrato. La
dependencia de esta interaccin cambia de un sustrato a otro y est directamente
relacionada con la estructura electrnica que presenta en la superficie. Por tanto, es
necesario conocer el sustrato sobre el que se va a medir y los efectos qu puede producir
sobre el grafeno de cara a un anlisis riguroso de las medidas llevadas a cabo.

Superfi ci e de Rh(111)

El metal usado como sustrato para crecer grafeno ha sido rodio. Se trata de un metal de
transicin con estructura FCC cbica centrada en las caras- cuya celda unidad tiene un
parmetro de red de 3.8 . En concreto el grafeno se ha crecido sobre la cara (111), que
constituye una red hexagonal con una distancia a primeros vecinos de 2.69 y con una
separacin entre planos paralelos a la superficie de 2.194.
La estructura electrnica en la superficie Rh(111) se muestra en la figura 2 para las
direcciones de alta simetra. Los puntos negros se corresponden con datos obtenidos
5
mediante la espectroscopa de fotoemisin
resuelta en ngulo ms conocida como
ARPES- mientras que la zona rayada se
corresponde con la proyeccin de las
bandas electrnicas del volumen. Obtener
una estructura de bandas en la superficie
supone usar el mismo desarrollo que el
empleado para el volumen del cristal en el
caso de un metal el modelo de electrones
casi libres es el ms conveniente- con la
salvedad de incluir unas condiciones de
contorno entre el cristal y otro medio por
simplicidad vaco- siendo la superficie la
interfase de separacin. Un buen desarrollo
se da en el captulo 4 del texto de Zangwill*. Uno se encuentra entonces con la existencia
de estados de superficie, que ocurren en el gap de las bandas electrnicas del volumen, y
que pueden estar degenerados cuando se mezclan con la proyeccin de los estados de una
banda electrnica del volumen. Estos ltimos estados se llaman estados de superficie
resonantes ya que presentan funciones de Bloch que se propagan por el volumen si no
estn degeneradas decaen, es decir, estn localizadas en la superficie- pero su amplitud es
mayor en la superficie. Observando de nuevo la figura 2, se puede apreciar que la mayora
de los estados en el Rh(111) se corresponden con estados de superficie resonantes.

Interacci n entre el grafeno y el sustrato

Cuando se depositan tomos o molculas sobre una superficie slida se produce una
interaccin con sus tomos que puede dar lugar a la formacin de un enlace en la
superficie los tomos tienen menos enlaces que en el volumen- que reduce la energa total
del sistema. Este fenmeno se conoce como adsorcin. Si la interaccin es dbil se trata de
fuerzas de Van der Waals entre dipolos inducidos- pero una interaccin fuerte da lugar a
la hibridacin de orbitales entre tomos de la superficie y el adsorbato. Tpicamente estas
dos situaciones se llaman fisisorcin y quimisorcin, respectivamente.
El caso es que, cuando se crece un cristal sobre una superficie cristalina, se tienen dos
estructuras cristalinas diferentes superpuestas y dependiendo de cmo sean las estructuras,
se dar lugar a diferentes entornos qumicos. Ya que la interaccin grafeno-sustrato es un
aspecto central en este trabajo, es necesario dedicar unas lneas al respecto. De esta forma,
dadas dos redes bidimensionales, A y B, formando un ngulo ! y con vectores primitivos
a
!
! a
!
y b
!
! b
!
respectivamente, se relacionan mediante una transformacin lineal que se
expresa mediante una matriz M. Se demuestra entonces que el cociente de las reas de las
dos celdas primitivas es igual a det(M). Si este determinante es entero se trata de una red
simple con la periodicidad de la red mayor. Cuando es un nmero racional se dice que
ambas redes son coincidentes, la superposicin de ambas redes da lugar a una sper-red de
periodicidad mayor que las redes A y B. Y si el determinante es un nmero irracional las
redes son inconmensuradas. Cuando las redes son coincidentes a la sper-red que forman se
le llama, a veces, patrn de moir, el cual para dos redes cuadradas y diversos ngulos se
observa en la figura 3.

Fi g. 2: Estados de superficie del Rh(111) en las direcciones
de alta simetra en la primera zona de Brillouin obtenidos
mediante ARPES puntos negros- junto la proyeccin de
las bandas del volumen- zona rayada. De W. Di et al.,
Phys. Rev. B, 49, 7 (1994).
*A. Zangwill, Physics at Surfaces, Cambridge University Press (1988)
6



Nos centraremos en el caso de los metales. La alta movilidad de los electrones as como
unos orbitales d semi-llenos explica que estos elementos formen enlace con facilidad y
porqu algunos presentan propiedades catalticas derivadas de su interaccin con el
adsorbato. Uno se preguntara entonces sobre qu metales se puede crecer un determinado
cristal, qu grado de hibridacin tendr lugar y cul es el efecto resultante de la interaccin
entre el cristal crecido y el sustrato metlico. No es posible una respuesta exacta a priori, si
bien dos factores deben tenerse en cuenta, a saber: el grupo del elemento y principalmente
su estructura electrnica de valencia, ya que proporcionan informacin de lo reactiva que es
la superficie. La informacin completa se obtiene combinando medidas experimentales y
clculos tericos.
En este sentido, ha habido una activa e intensa investigacin sobre el grafeno, que ha
pretendido dar cuenta de la interaccin con diversos sustratos [18-30]. Mediante STM [19-
25] se ha encontrado que cuando se forma un patrn de moir aparece cierta corrugacin en
el grafeno y se ha observado que es debido a que el entorno qumico con el sustrato es
diferente para cada tomo de carbono. Por tanto, esta corrugacin cambia con el metal y el
moir formado [26]. En concreto, en el entorno qumico se ve implicada hasta la tercera
capa del sustrato de forma que, como se observa en la figura 4, se pueden definir 4 zonas de
alta simetra, llamadas en orden de a) a d) atop un anillo de tomos de carbono rodea
un in de la superficie, hcp, fcc y bridge dos tomos vecinos de carbono tienen su
enlace encima de un in de la superficie. La
nomenclatura hcp y fcc se refiere al apilamiento
de los iones metlicos de las tres primeras capas
junto con el grafeno, refirindose el primer caso
a un apilamiento ABC un tomo de carbono
sobre un in de la superficie, y sus tres
primeros vecinos coinciden con iones de la
tercera capa- y el segundo caso a un
apilamiento ABA tomo de carbono sobre un
in de la superficie, y sus tres primeros vecinos
coinciden con iones de la segunda capa. Aunque
la hibridacin se produce entre los iones de la
superficie y los tomos de carbono, los iones de
las capas inferiores tambin se ven implicados.
Clculos basados en la teora del funcional de
Fi g. 4: Grafeno en diferentes posiciones de alta
simetra sobre un metal en su cara FCC(111) o
HCP(0001). La nomenclatura usada nombra las
diferentes regiones en funcin de la posicin del
grafeno respecto el sustrato. De M. Batzill, Surf. Sci.
Rep., 67, 83 (2012).




Fi g. 3: Diversos patrones de moir resultado de la superposicin de dos redes cuadradas con mismos vectores
primitivos formando diferentes ngulos. Derecha: 5. Central: 10. Izquierda: 20. Se observa que a menor
ngulo mayor periodicidad. Notar que la sper-celda formada presenta diferentes regiones que si asociamos con
tomos se traduce en entornos qumicos diferentes. Calculados por el autor de esta memoria.

7
densidad DFT- han permitido identificar estas posiciones en las imgenes obtenidas con
STM [23,24]. En general, en todos los sustratos con moir, los sitios atop suele
corresponderse con la regin de grafeno acoplado ms dbilmente mientras que en los bridge
hay mayor grado de hibridacin, dependiendo del sustrato. Los sitios hcp y fcc son casos
intermedios y dependiendo de cada sustrato un sitio puede estar ms acoplado que el otro.
Medidas mediante ARPES [27,28] han permitido observar que dependiendo del grado de
hibridacin la estructura de bandas del grafeno y en particular su caracterstica banda !
presenta desde ligeros desplazamientos del nivel de Fermi hasta una desaparicin casi
completa de las mismas. Los clculos con DFT han confirmado estas medidas [23,24,29,30].
As, cuando el acoplamiento es dbil el grafeno se encuentra fisisorbido al metal-, existen
varios moirs y la distancia grafeno-sustrato suele estar entorno al valor de los 3.3 pero
puede haber una ligera corrugacin debido a la posicin del carbono respecto el sustrato
[27]. Aunque las bandas ! del grafeno no se ven afectadas aparece una transferencia de
carga por los dipolos inducidos que desplaza el nivel de Fermi [29]lo que da la posibilidad
de dopar al grafeno tipo p o n. Por otra parte cuando el acoplamiento es fuerte suele
aparecer un nico moir una nica disposicin del grafeno respecto el sustrato minimiza la
energa total del sistema- y se produce la hibridacin de los orbitales p
z
del grafeno con los
orbitales d del metal, que resulta en una menor separacin, entorno a los 2.1-2.2 y una
deformacin e incluso desaparicin del cono de Dirac en algunos casos se puede formar un
gap [28]. La corrugacin es mucho ms marcada alternndose regiones de acoplamiento
dbil con regiones de acoplamiento fuerte dando lugar a una diferencia de unos 1.6.
La informacin recogida en las lneas anteriores ha permitido realizar una clasificacin de
estos metales en funcin de la interaccin con el grafeno. En metales como el cobre, oro,
platino [19] e iridio [20] el acoplamiento es dbil, mientras que en metales como el nquel
[21], el rutenio [22] y el rodio [23,24] el acoplamiento es fuerte en el caso del nquel ambas
redes coinciden y no hay corrugacin. Se apunta a la
referencia [18] como compendio de resultados obtenidos
hasta el 2011. La figura 5 da cuenta de esta interaccin a
travs de la energa de ligadura de electrones del nivel 1s
del carbono, obtenida mediante PES photoelectron
spectroscopy.
En cuanto al metal usado, el rodio, presenta un nico
patrn de moir en el que se establece una coincidencia en
12!12 tomos de la red de grafeno con 11!11 de la red
Rh(111). La regin donde el acoplamiento es ms dbil se
corresponde con los sitios atop, y con una separacin de
unos 3.8. Seguidos, los sitios fcc y hcp estn ms
acoplados, con una separacin de 3.1 y 2.9
respectivamente. La interaccin es mayor en los sitios
bridge donde la separacin se ha medido en 2.2. Clculos
realizados con DFT concuerdan bastante bien con medidas
tomadas con STM y STS confirmando que en el Rh(111),
al igual que en Ru(0001), las regiones ms acopladas
presentan una hibridacin de los orbitales p
z
que implica
un cambio en la funcin de trabajo que vara con la
topografa del grafeno [23].
Fi g. 5: Energa de ligadura de los
electrones del nivel C-1s de grafeno
absorbido en varios sustratos. La
energa de los fotones es de 400 eV.
Cuando presenta una fuerte
corrugacin se observan dos mnimos
correspondientes a las regiones fuerte
y dbilmente acopladas. De
Preobrajenski et al., Phys. Rev. B, 78
(2008).

8
II MTODO EXPERIMENTAL

Las medidas realizadas en el presente trabajo de Fin de Grado fueron tomadas en el
Laboratorio de Nuevas Microscopas en la Universidad Autnoma de Madrid, en un sistema
UHV ultra-alto vaco- el cual se encuentra equipado con un microscopio de efecto tnel de
temperatura variable o VT-STM, operable en el rango de los 40-400 K, y diseado por el
grupo NanoSPM [31]. El sistema se muestra en la figura 6.


Para ello dispone de dos cmaras de UHV presin base de !110
-10
Torr- unidas
mediante una vlvula y conectada cada una con una bomba inica. En una se encuentra el
microscopio, un soporte para la muestra y otro para las puntas, y un sistema para controlar
la temperatura un criostato de helio lquido de flujo continuo unido mediante una trenza a
un bloque de cobre en el que se apoya la muestra. Este montaje se puede observar en la
figura 7a. En la otra cmara figura 7b- se prepara y caracteriza la muestra. Para ello
dispone de un can de iones, que permite limpiar la superficie del metal de impurezas y un
filamento de calentamiento que permite formar amplias terrazas donde crecer el grafeno, as
como de dispositivos para realizar AES Auger Electron Spectroscopy, da informacin de la
composicin en la superficie- y LEED Low Energy Electron Diffraction, muestra el patrn de
difraccin en la superficie, que depende de la estructura cristalina formada. Mediante una
barra de transferencia se comunica la muestra al soporte en la cmara del microscopio de
forma que se est en todo momento en condiciones de UHV. Por ltimo, el sistema se
encuentra montado sobre una serie de patas neumticas que aslan al sistema de cualquier
vibracin mecnica exterior.

Fi g. 6: Sistema experimental.
Fi g. 7: a) Cmara de STM y sistema de control de temperatura; b) Cmara de preparacin.

9
El proceso de preparacin consisti en dos etapas. En la primera de ellas se limpi la
superficie de Rh(111) mediante varios ciclos de bombardeo de iones de argn
!P
Ar
!1.810
-5
Torr, E =1 keV, I
muestra
=2.4 A- y calentamiento a una temperatura de
950C por bombardeo electrnico en una atmsfera de oxgeno !P
O
2
!1.810
-7
Torr-, que
permite la eliminacin de residuos hidrocarburos principalmente- que han sobrevivido al
bombardeo con iones de argn. A continuacin se creci grafeno en su superficie por
deposicin qumica en fase vapor CVD- usando etileno como gas precursor, a una
temperatura de 850C y a baja presin !P
C
2
H
4
!2.810
-7
Torr. Para comprobar que el
grafeno ha crecido correctamente el sistema cuenta con un equipo para realizar LEED. Esta
tcnica permite observar el patrn de difraccin formado al enviar un haz de electrones de
baja energa contra la superficie. El patrn formado depende del espacio recproco de
manera que se debe atender principalmente a su geometra. Entonces mediante la barra de
transferencias se lleva la muestra al soporte bajo el microscopio en la cmara contigua.
Durante el proceso de limpieza y crecimiento su usa una bomba turbomolecular en lugar de
las inicas, ya que no son eficientes cuando se bombardea con argn. Cuando se ha
transferido la muestra al soporte para realizar STM se debe bajar la presin con las bombas
inicas hasta 10
-10
Torr y desconectar la turbomolecular por las vibraciones mecnicas que
introduce. La presin se mide a travs de unas sondas inicas ion gauge. Se baja entonces
la temperatura mediante el criostato hasta un valor de 40 K de manera que una vez
termalizada se pueda realizar las medidas con el microscopio. Todos los datos obtenidos en
este trabajo fueron tomados mediante el software WSxM [32].

III RESULTADOS Y DISCUSIN

Como se ha comentado arriba, despus de la preparacin de la muestra, hacer LEED
permite realizar una primera inspeccin de la superficie. En la figura 8a se muestra el
diagrama LEED formado en una superficie de grafeno/Rh(111). Una serie de puntos se
encuentran formando lo que se puede apreciar los vrtices de un hexgono. De todos estos
puntos, en cada vrtice dos tienen mayor intensidad. Se corresponden, de punto interior a
exterior, con la estructura hexagonal de la superficie de Rh(111) y del grafeno
respectivamente, siguiendo este orden de interior a exterior por la razn de que el vector de
red del rodio en su cara 111 es mayor que el vector de red del grafeno y a mayor vector de
red menor vector recproco. El hecho de que aparezcan alineados estos puntos significa que
la red de grafeno y del Rh(111) lo estn tambin. Que no aparezcan ms puntos asociados
con el grafeno indica la presencia de un nico moir. Por ltimo se aprecia como rodeando a
cada uno de estos puntos hay una serie de puntos, de menor intensidad, los cuales estn
relacionados con la periodicidad del moir.
Una vez se comprob que el grafeno haba crecido sobre el sustrato se procedi a su
anlisis mediante STM a temperatura de 40 K. Se puede observar en la imagen 8b cmo
mediante CVD se han conseguido amplias terrazas de grafeno, con pocos defectos, seal de
gran calidad, separadas por escalones monoatmicos que son debidos a la topografa del
sustrato. Se puede ver en la figura 8c, en la que se muestra el perfil de la imagen 8b, que
algunas de estas terrazas se extienden varias decenas de nm. Este perfil permite tambin
medir la altura de los escalones. Se ha obtenido un valor de 2.1, lo que est bastante cerca
al valor terico de 2.19.

10







Que se observe un nico moir significa que de las posibles orientaciones entre la red de
grafeno y el sustrato slo hay una que minimice la energa del sistema. Tal situacin slo
puede deberse a una fuerte dependencia de la orientacin de la red de grafeno respecto del
sustrato en la energa total del sistema a razn de un acoplamiento fuerte entre ambos.
Un barrido a menor escala, como se muestra en la figura 9a, proporciona una mejor vista
de este patrn de moir formado. Si trazamos un perfil sobre este moir, como el mostrado
en la 9b se observa la periodicidad, para la cual se obtienen valores de 2.8-3.0nm, muy
cercanos al valor conocido de 2.98nm. Se puede apreciar el contraste entre valles ms
profundos y valles ms elevados, afirmando lo que se ha venido diciendo a la lo largo de
este trabajo: existe una corrugacin en el sistema grafeno/Rh(111). No obstante, con esta
corrugacin observada hay que tener en cuenta que las imgenes de STM estn relacionadas
con la densidad local de estados (LDOS) electrnicos en la superficie, y que por esta razn,
reflejan a la vez a la vez efectos de estructura atmica y electrnica captulo 5 del texto de
*Chen. Las corrugaciones medidas con STM en grafeno no estn exentas de esta
Fi g. 8: a) Diagrama LEED sobre la muestra de
grafeno/Rh(111) obtenida para un haz de electrones de
62 eV; b) topografa de la superficie de grafeno/Rh(111)
mostrando amplias zonas en las que el grafeno ha crecido
sin defectos. Se puede observar un contraste peridico
que indica la presencia de un patrn moir.; c) Perfil para
una lnea trazada en la imagen comentada antes en la que
se aprecian dos escalones de Rh(111), de altura media
2.1.

Parmetros de tnel : 70 !70 nm
2
, I
T
!0.96 nA,
V
S
!1610 mV.
b)
c)
a)
*C. Julian Chen, Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford University Press (1988)
11
interrelacin y, por tanto, se suele hablar de corrugaciones aparentes. De hecho, hay
sistemas grafeno/metal en los que la corrugacin atmica y la electrnica pueden ser,
incluso, opuestas [25]. En este trabajo se ha medido una corrugacin aparente con un valor
comprendido en 0.5-0.7.






Por ltimo, se han identificado las diferentes regiones que se observan en la corrugacin del
moir con las posiciones que antes se comentaban y habamos llamado atop, hcp, fcc y
bridge, en base a resultados obtenidos mediante clculos con DFT [23,24]. En la figura 10a
y 10b se muestran imgenes de STM con resolucin atmica en grafeno/Rh(111). En la
figura 10c se muestra una imagen esquemtica, obtenida por el autor de la presente
memoria mediante Mathematica, que da cuenta del patrn de moir formado, de cara a
identificar las posiciones atop, hcp, fcc y bridge. El patrn se ha formado usando distancias
en unidades de a
C-C
, la distancia entre vecinos en el grafeno. Las capas atmicas de Rh(111)
se representan en varios colores amarillo, azul y marrn de la superficie a la ms interna.
Se puede identificar en rojo la celda unidad, con una serie de figuras geomtricas en su
interior estas formas geomtricas estn basadas en aquellas mostradas en la referencia [24].
El cuadrado muestra la posicin fcc, en la que un anillo de tomos de carbono rodea un
tomo de la tercera capa. De forma similar el tringulo representa la posicin hcp, en la que
el anillo rodea a un tomo de la segunda capa y el crculo a la atop, en la que se rodea a un
tomo de la superficie. Por ltimo la posicin bridge se identifica con la estrella para
aquellos tomos que forman enlace con su vecino encima de un tomo de la superficie. Estos
mismos elementos se usan para identificar las diferentes regiones en la figura 10b.
Fi g. 9: a) Topografa del sistema grafeno/Rh(111) en la que se puede observar mucho mejor el moir. La celda unidad
de la sper-red se indica en amarillo; b) trazando un perfil en cualquiera de tres las direcciones de alta simetra que
presenta este sistema se puede obtener una imagen similar a la mostrada. De ella se obtiene una periodicidad cercana al
valor conocido de 2.98nm. La corrugacin aparente para este perfil es de !0.45.

Parmetros de tnel : 40!40nm
2
, I
T
!1.65 nA, V
S
!1771 mV.
a)
b)
12


Se puede observar que la posicin bridge se corresponde con las zonas ms oscuras de las
imgenes tomadas con STM, mientras que las atop con las ms brillantes y las posiciones
hcp y fcc son intermedias. La posicin bridge y atop se identifican, por tanto, con las
regiones en las que la separacin grafeno-sustrato es mnima y mxima, respectivamente,
como se haba afirmado anteriormente. Si se mide la altura relativa atop-bridge, hcp-bridge
y fcc-bridge se encuentran valores comprendidos entre 0.8-1.0 de diferencia relativa a las
posiciones atop-bridge, de 0.4-0.5 para las posiciones hcp y de 0.3-0.4 para las posiciones
fcc. La resolucin atmica en esta imagen de STM ha permitido medir con mayor precisin
la corrugacin aparente, la diferencia relativa a las posiciones atop-bridge, de 0.8-1.0.

IV CONCLUSIN

Cuando se crece grafeno sobre un metal tiene lugar una interaccin entre los dos, en
funcin de la cual se puede distinguir entre sistemas grafeno/metal acoplados fuerte o
dbilmente, y que tiene como consecuencia una modificacin de las propiedades electrnicas
en el grafeno. Crecido sobre Rh(111) con CVD en condiciones de UHV, usando etileno, se
Fi g. 10: Imgenes de topografa
obtenidas por STM y diagrama que
muestra el patrn de moir que se
forma entre grafeno y Rh(111). La
presencia de las diferentes posiciones
atop, fcc, hcp y bridge de los tomos
de carbono respecto la superficie se
identifican mediante un crculo, un
cuadrado, un tringulo y una estrella,
respectivamente. De esta forma
podemos identificar las diferentes
regiones en las imgenes obtenidas por
STM, como es el caso en la figura b).

Parmetros de tnel :
a) 10!10nm
2
, I
T
=4.18nA, V
S
!424mV;
b) 5!5nm
2
, I
T
!4.18nA, V
S
!424mV.






a)
b)
c)
13
comprobado la formacin de amplias monocapas de grafeno de alta calidad. Se ha
observado, mediante microscopa de efecto tnel en ultra-alto vaco, un nico moir con
estructura hexagonal y un parmetro de red de 2.98nm, correspondiente a una sper-celda
con 12!12 tomos de grafeno por 11!11 de Rh, cuyas redes estn alineadas, y con una
corrugacin aparente en 0.8-1.0 en las imgenes de STM con resolucin atmica.
Comparando con trabajos anteriores se ha podido reconocer las diferentes regiones atop,
hcp, fcc y bridge que ocupa el grafeno respecto el sustrato. Los resultados discutidos
muestran que el grafeno/Rh(111) es un sistema fuertemente acoplado.

REFERENCIAS

[1] P.R. Wallace, Phys. Rev., 71, 622 (1947).

[2] R.M. Westervelt, Science, 320, 324 (2008).

[3] S. Stankovich D.A. Dikin, G.H. Dommett, K.M. Kohlhaas, E.J. Zimney, E.A. Stach, R.D.
Piner, S.T. Nguyen, R.S. Ruoff, Nature, 442, 282(2009).

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