FISICA ELECTRONICA.

TRABAJO COLABORATIVO N 1.






PRESENTADO POR:
FELIX LEONARDO DELGADO
79567912.





PRESENTADO A:
MIGUEL ANDRES HEREDIA.




UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA.
UNAD.
BOGOTA D.C.
2012.
DESARROLLO DE LAS ACTIVIDADES.

FASE 1

1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material
aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.
LOS MATERIALES CONDUCTORES
CONDUCTORES: Se dice que un cuerpo es conductor elctrico cuando puesto en contacto
con un cuerpo cargado de electricidad transmite sta a todos los puntos de su superficie.
Generalmente elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el
movimiento de cargas. Los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4
electrones en su ltima capa de valencia. Los elementos capaces de conducir la electricidad
cuando son sometidos a una diferencia de potencial elctrico ms comunes son los metales,
siendo el cobre el mas usado de entre todos ellos, otro metal utilizado es el aluminio y en
aplicaciones especiales, debido a su baja resistividad y dureza a la corrosin, se usa el oro.
Conductores Slidos: Metales
Caractersticas Fsicas: buenos conductores elctricos y trmicos, brillantes, una vez
pulidos, y estructura cristalina en estado slido, resistencia a la fatiga o capacidad de
soportar una fuerza o presin continuadas, dureza o resistencia a ser rayados; resistencia
longitudinal o resistencia a la rotura.
Caractersticas Qumicas: Valencias positivas: Tienden a ceder electrones a los tomos con
los que se enlazan, tienden a formar xidos bsicos, energa de ionizacin baja: reaccionan
con facilidad perdiendo electrones para formar iones positivos o cationes.
Caractersticas Elctricas: mucha resistencia al flujo de electricidad. Todo tomo de metal
tiene nicamente un nmero limitado de electrones de valencia con los que unirse a los
tomos vecinos. La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se explica as
por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones, provocado por la
absorcin de energa trmica.
Conductores Lquidos: El agua, con sales como cloruros, sulfuros y carbonatos que actan
como agentes reductores (donantes de electrones), conduce la electricidad. .Algunos otros
lquidos pueden tener falta o exceso de electrones que se desplacen en el medio. Son iones,
que pueden ser cationes, (+) o aniones (-).
Conductores Gaseosos: Valencias negativas (se ioniza negativamente). Tienden a adquirir
electrones. Tienden a formar xidos cidos.
Ejemplos: Oro, plata, bronce.
En el comportamiento de los conductores no influye la barrera de potencial ya que esta no
se interpone en las bandas de valencia por lo tanto no impide que la electricidad se
transmita hacia otro material.
Son conductores elctricos aquellos materiales que tienen electrones de valencia
relativamente libres.
Los elementos capaces de conducir la electricidad cuando son sometidos a una diferencia
de potencial elctrico ms comunes son los metales, siendo el cobre el mas usado de entre
todos ellos, otro metal utilizado es el aluminio y en aplicaciones especiales, debido a su
baja resistividad y dureza a la corrosin, se usa el oro. Aunque todos los metales son
conductores elctricos existen otros materiales, no metlicos, que tambin poseen la
propiedad de conducir la electricidad como son el grafito, las soluciones salinas (el agua de
mar) y cualquier material en estado de plasma.
LOS MATERIALES AISLANTES
AISLANTES: Se denomina aislante elctrico al material con escasa conductividad
elctrica. El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se
establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de electrones
libres capaces de conducir la electricidad a travs del material, el aislante es el que posee
ms de 4 electrones en su ltima capa de valencia.
Aislantes Slidos: Un buen aislante entre vueltas de las bobinas de transformadores es el
cartn prensado, el cual da forma a estructuras de aislamiento rgidas. En los sistemas de
aislamiento de transformadores destacan las cintas sintticas, que se utilizan para envolver
los conductores magnticos de los bobinados.
Aislantes Lquidos: Los fluidos o lquidos dielctricos cumplen la doble funcin de aislar
los bobinados en los transformadores y disipar el calor al interior de estos equipos. El
lquido dielctrico ms empleado es el aceite mineral. El problema es que es altamente
inflamable. Fluidos dielctricos sintticos, (hidrocarburos) con alto punto de inflamacin.
Aislantes Gaseosos: Los gases aislantes ms utilizados en los transformadores son el aire y
el nitrgeno, este ltimo a presiones de 1 atmsfera. Estos transformadores son
generalmente de construccin sellada. El aire y otros gases tienen elevadsima resistividad
y estn prcticamente exentos de prdidas dielctricas.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre
las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de electrones libres capaces
de conducir la electricidad a travs del material (para ms detalles ver semiconductor).
Los materiales aislantes son mejor conocidos como aquellos que tiene sus electrones de
valencia relativamente fijos formando enlaces no conductores elctricos.
Ejemplos: Oxigeno, azufre, diamante.
LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES: Un semiconductor es una sustancia que se comporta como
conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz
de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento
presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y
V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se
ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1 eV, por lo
que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero adems, su conductividad
puede regularse, puesto que bastar disminuir la energa aportada para que sea menor el
nmero de electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con
los metales, cuya conductividad es constante, o mas propiamente, poco variable con la
temperatura.
Semiconductores Intrnsecos: En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de
electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por
accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo
tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero
Semiconductores Extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le
aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes,
el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las
impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio.

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o
caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?
Semiconductor Tipo N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).Cuando el
material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de
producir abundancia de electrones portadores en el material.
Semiconductor Tipo P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).Cuando el material
dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del
semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los
tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El
propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
Unin Pn. Barrera De Potencial. Diodo
Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con
una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la
otra de tipo N La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del
grupo III en la red cristalina La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de
tomos del grupo V. En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario,
aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada
hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos
elctricos internos
El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y
se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.
En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o
electrones exteriores) de un tomo estn emparejados y son compartidos por otros tomos
para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia
no estn libres para transportar corriente elctrica. Para producir electrones de conduccin,
se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su
liberacin de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o
huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos
transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad
elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el
fotodiodo.
Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos
definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo
normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido
inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin
de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los
diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin
relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como
dispositivos reguladores de tensin.


Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es,
en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una
capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de
radio en FM.


Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que
respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en
el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de
la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la
cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta
D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.


Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea
excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz
recibe el nombre de corriente de oscuridad.
La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin
grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el
mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado
el audio o los datos grabados en el CD.


4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor
NPN y uno PNP.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en el que las letras "N" y"P" se
refieren a la mayora de portadores de carga dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares se utilizan hoy son NPN, debido a de movilidad de
electrones es superior a agujero de la movilidad en los semiconductores, permitiendo que
las corrientes de mayor y ms rpida operacin. Transistores NPN consisten de una capa de
P -dopados (semiconductores dela "base") entre dos capas N-dopada. Una pequea
corriente de entrada de la base en el modo de emisor comn es amplificada en la salida del
colector. En otros trminos, un transistor NPN es "el" cuando se tira de su base de alto en
relacin con el emisor. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del
emisor y apunta en la direccin de la corriente convencional el flujo cuando el dispositivo
est en modo de avance activo.

El otro tipo de BJT es la PNP con las letras "P" y "N", refirindose a la mayora de
portadores de carga dentro de las diferentes regiones del transistor.
Transistores PNP consisten de una capa de N -dopados semiconductor entre dos capas de
material dopado P-. Una pequea corriente que sale de la base en el modo de emisor comn
es amplificada en la salida del colector. En otros trminos, un transistor PNP es "el" cuando
se tira de su base debajo en relacin con el emisor. La flecha en el smbolo del transistor
PNP est en la terminal del emisor y apunta en la direccin de la corriente convencional el
flujo cuando el dispositivo est en modo de avance activo.

5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo
tecnolgico?
A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos tambin como
dispositivos de estado slido- remplazaron los tubos electrnicos de la industria tradicional.
Por la enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una
mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un
cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el almacenamiento de
informacin, etc. Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo
semiconductor ms simple y fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden
entenderse en base a su funcionamiento.
En los dispositivos electrnicos se emplean tambin transistores pero como interruptores.
Si no colocamos voltaje entre la base y el emisor, muy pocos electrones sern capaces de
pasar del emisor al colector. El transistor se comporta entonces como un interruptor
cerrado, rechazando prcticamente todo flujo de corriente. Pero si aplicamos un voltaje alto
entre el emisor y la base, la corriente podr fluir libremente. En este caso el transistor se
comporta como un interruptor abierto. Realizando diferentes combinaciones entre
transistores es posible desarrollar elementos lgicos que ejecuten desde las simples
operaciones aritmticas de una calculadora de bolsillo, hasta los sofisticados clculos
matemticos involucrados en un vuelo espacial.
Las aplicaciones prcticas de los semiconductores son innumerables. Para hacer justicia al
vasto y complejo campo cientfico y tecnolgico inaugurado por los dispositivos de estado
slido sera necesario disponer de varios volmenes de material escrito. Por lo tanto, estas
cuatro modestas pginas apenas si aspiran a haber presentado un simple esbozo; a lo ms
una introduccin a los semiconductores y sus aplicaciones.













FASE 2.

1. POLARIZACION DEL DIODO COMUN.
Los resultados de la simulacin son los siguientes:






La realizacin experimental se puede observar en la siguiente grafica:


EXPLICACION:

Con el primer circuito se tiene que el diodo est polarizado en directo, y por eso se puede
observar un voltaje en la resistencia ya que hay paso de corriente y el voltaje en la
resistencia es el producto de corriente por resistencia. Con el segundo circuito el diodo esta
polarizado en inverso, es decir, el anodo tiene un voltaje mas negativo que el catodo, lo
cual ocasiona que no haya paso de corriente, entonces como la corriente es cero, el voltaje
en la resistencia es cero.
Sin embargo, experimentalmente se puede observar un comportamiento en particular, el
cual consiste en polarizarlo en directo pero con un voltaje inferior a 0.6 voltios, en ese
momento el voltaje en la resistencia se hace cero, con lo cual se concluye que otro estado
del diodo es cuando se polariza en directo pero con un voltaje menor que el voltaje umbral,
en este modo de polarizacin el diodo no conduce.






2. APLICACIN DEL DIODO COMO RECTIFICADOR.
a) RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA







b) RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.



EXPLICACION:
Rectificacin de media onda significa que en la resistencia solo se ver la mitad de la seal
de voltaje total y el circuito funciona exactamente como el primer circuito simulado solo
que la alimentacin es con un voltaje que cambia en el tiempo.
Con la rectificacin de onda completa se tiene la conduccin de dos diodos en tiempos
diferentes, y como la seal de alimentacin es bipolar, finalmente para todo el periodo de la
seal van a conducir los cuatro diodos. Siempre el voltaje en la resistencia va a tener una
sola polaridad.


3. APLICACIN DEL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.





La seal que sale del transistor es una seal amplificada, ya que llega hasta un voltaje
aproximadamente igual a 72 mV.
La ganancia del amplificador es de 72/ 2 = 36 veces.