Control por dispositivos de disparo empleando, SBS, DIAC, UJT y PUT

Interruptor Bilateral de Silicio (SBS)

SBS por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral Switch) es un tiristor del tipo bidireccional,
que est compuesto por dos tiristores unidireccionales o SUS conectados en anti paralelo.
Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de
relajacin para el control de disparo de dispositivos que entregan potencia elctrica a una
carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto
en el semi ciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna,
debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.
Como casi todos los familiares de los tiristores, el SBS cuenta con tres conexiones: la
compuerta (G), el nodo o terminal 1 (A1 o T1) y el nodo o terminal 2 (A2 o T2). Una
caracterstica muy especial de este dispositivo es que no es una versin modificada de
un diodo con sus capas NPNP, sino ms bien est compuesto internamente
por transistores, diodos Zener y resistencias internas, y que adems vienen fabricados
como circuitos integrados.
Curva caracterstica Voltaje- Corriente
Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta terminal
solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera sus
caractersticas de voltaje-corriente. Si se comparara esta curva caracterstica con la de
un DIAC, se podra observar que son muy similares; sin embargo, la curva del SBS tiene
una regin de resistencia negativa ms pronunciada, lo que significa que su cada
de voltaje es mucho ms drstica despus de llegar a su estado de conduccin.
Usualmente, el voltaje de ruptura de un SBS se encuentra entre los 7 y 9 voltios,
cuyo voltaje es mucho menor que el de un DIAC.


Ventajas
Adems de su cada de voltaje ms drstica debido a su regin de resistencia negativa, lo
cual permite una conmutacin ms rpida, el SBS es mucho ms estable trmicamente y
ms simtrico que su familiar cercano, el DIAC.
Estabilidad trmica: Esto significa que ante incrementos de temperatura, el SBS
mantiene un voltaje muy estable; de acuerdo con la hoja de especificaciones de la
compaa POWEREX,
1
el modelo BS08D-T112 cuenta con un coeficiente
de temperatura de 0.01%/C. En otras palabras, por cada grado centgrado que vare
la temperatura del dispositivo, su voltaje de ruptura cambiar en un 0.01%,
convirtindolo en un dispositivo muy estable trmicamente hablando.
Simetra: Cuando se menciona que el SBS es simtrico, es porque los voltajes de
ruptura en los semi ciclos positivos y negativos son iguales o casi iguales. Esto se
puede verificar en la seal de salida de un SBS: sus ngulos de disparo en los dos
semi ciclos son prcticamente iguales.

DIAC
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras
haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al
valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin
de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a
una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra
clase de tiristor.

Transistor uniunion
El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que
contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( ),
base uno ( ) y base dos ( ). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre
los terminales , en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn
punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio,
conocido como razn de resistencias o factor intrnseco.
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos
de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican
como y respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-
n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado
emisor ( ) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n est ligeramente
contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente contaminado. Como el tipo n est
ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja
resistividad puesto que est fuertemente contaminado.
UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente
que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en
el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso
realimentado positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente
para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.


PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al
del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por nodo debido a
su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es
ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la
frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conduccin. El
PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es insuficiente, entonces, se
apaga. El apagado se debe a que la corriente andica llega un
valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.
Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta)
puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una
tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del
PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el
PUT es utilizado como oscilador de relajacin, el voltaje de
compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el
divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de
disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fijado por el voltaje de
alimentacin, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del
divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del nodo Va es menor
que el voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado
inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta ms
el voltaje de diodo Vag, se alcanzara el punto de disparo y el
dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentacin en VBB. En general
Rk est limitado a un valor por debajo de 100 ohm
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para
disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad,
les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos
valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones
muy largas o en circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin
debido a un proceso de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores
tiempos de conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la
conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores
valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.