DIODO ZENER

El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas o en zona inversa, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin
Zener. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes,
con diferencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la
resistencia de carga y temperatura.
Cuando se alcanza la denominada tensin Zener en polarizacin inversa, el diodo recorta
la onda de tensin, de este modo mantiene la tensin constante entre sus terminales
dentro de ciertos mrgenes. Si la corriente es muy pequea la tensin empezar a
disminuir, pero si es excesiva puede destruir el diodo. Esta propiedad hace que el diodo
Zener sea utilizado como regulador de tensin en las fuentes de alimentacin.

DIODO LED



El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor que
emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN
en la cual circula por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo comn,
pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz . Este dispositivo semiconductor
est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las
de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico
puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la
luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn
por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el
LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de
operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el
material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe
circular por l vara segn su aplicacin. Los Valores tpicos de corriente directa de
polarizacin de un LED estn comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en
los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED.
Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su
bajo consumo de energa, sumantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000
horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos inesperados que puedan daarlo. Se
coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio comn
En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por
ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre
la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que circula
por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).
COMPOSICION DE LOS LED
Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de crecimiento
epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO, cuya
mxima concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades
de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una
buena luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en equipos porttiles. El
constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusin de Zn durante el
crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el mtodo de
crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.

LED anaranjado y amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los
rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla as como luz de longitud de
onda ms pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda prohibida" mediante el
aumento de fsforo en el semiconductor. Su fabricacin es la misma que se utiliza para los
diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin de la unin p-n
se realiza por difusin de Zn.

FOTODIODO


Un fotodiodo es un semiconductor construido con una uninPN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para quesu funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con
loque se producir una cierta circulacin de corriente cuando seaexcitado por la luz. Debido a
su construccin, los fotodiodos secomportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia
de luzexterior generan una tensin muy pequea con el positivo en elnodo y el negativo en el
ctodo. Esta corriente presente enausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Al penetrar luz o radiacin infrarroja en launin PN, su energa constituye electroneslibres y
huecos. Estos generan la corriente atravs de la unin PN. Esto significa, quecuanto mayor es
la cantidad de luz queincide en el fotodiodo, tanto ms intensa esla corriente que fluye a travs
del fotodiodo.Este fenmeno recibe el nombre de efectofotoelctrico interno


DIODO SCHOTKY



El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos
pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como
tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La
tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando
existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar
polarizado en inversa ste opere de forma similar a como lo hara regularmente.
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en
lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos
normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto
significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los
portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin
del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que
tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser
mucho ms rpida.