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ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um
circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da
polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a
base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn
a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor
negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada logo abaixo
dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
POLARIZAO:
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de
transistores:
OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta
entre base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi
retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base
uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da
ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja da
ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns
ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para transistores de potncia, a
corrente de base significativamente maior.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores
majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os
portadores majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de
fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente de
fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor), formando
assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritrios
em um cristal do tipo n so as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um
transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o processo de
anlise o mesmo.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio
de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V
a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE
enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em funo da bateria
VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores do que V EE.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores
majoritrios provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas
componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do juno
reversamente polarizada coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima assume
valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do
tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o
tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1, de
forma que, a corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de variam de
0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao coletor2.
Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se
que a corrente de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE
IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA
1
2
1-
ICBO
. IC
1-
+1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92
0,92
=
= 11,5
=
1 - 0,92
0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:
100
= 0,99
=
=
+ 1 101
Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4
Temos ento:
IC
IC
=
e =
IB
IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da
ordem de 30 a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a
aproximar-se de 1.
3
4
IC = IE
CONFIGURAES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-se aos
pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor
referncia para a entrada e sada de sinal.
BASE COMUM:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e
retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do
sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente
aterrada para sinais alternados.
CARACTERSTICAS:
EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre
coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para
sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
COLETOR COMUM:
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor.
Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada estar
praticamente presente na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor.
O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja aterrado para sinais
alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por VCE
quando o transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o emissor.
Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais positiva do que
a segunda letra (neste caso o emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC,
indicando que o emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa
representao.
1. IB = I1 - I2
2. I1 = I2 + IB
CURVAS CARACTERSTICAS:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais como:
regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser
escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica, normalmente as
regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor operando como
amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
Por: Idelton Lemos
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11
12
CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas
principais caractersticas:
13
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de
sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
IB =
VCC
IC
ou ainda: IB =
RB + RE
IE = ( + 1)IB
VRE = 0,1VCC
Por: Idelton Lemos
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VCE = 0,5VCC
RE =
0,5VCC
IE
IE = IB
IB =
VCC
RB + RE
15
RB2 . VCC
RB1 + RB2
RTH =
RB1 . RB2
RB1 + RB2
16
IE
VTH - VBE
, temos: IE =
RTH
+1
RE +
+1
RTH
, podemos simplificar a frmula:
+1
IE =
VTH - VBE
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que
equivale dizer que:
RTH 0,1RE
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4R E
RBB = 0,1RE
RB1 =
RBB . VCC
ou
VBB
RB2 =
RB1 . RBB
ou
RB1 - RBB
RB1 = RBB .
RB2 =
VCC
VBB
RBB
VBB
1VCC
Em funo de
IE
- ICBO
( + 1)
IC = IB + ( + 1)ICBO
IB =
I E = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
onde:
( + 1)ICBO = ICEO
17
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
portanto:
IC =
IB ICBO
+
1- 1-
IEBO:
ICEO:
ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais
adiante.
ICBO:
Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para
cada 10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre coletor e
base, com o emissor aberto.
Por: Idelton Lemos
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DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Clculo de IB
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB =
IC
3mA
= 30A
=
100
Clculo de RE
VRE
1,2V
=
= 400
RE =
IE
3mA
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10 -6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC
4,8V
=
= 1,6k (equivalente a 4RE)
RC =
IC
3mA
Clculo de R1
4.000 . (12)
48.000
RBB . VCC
=
= 23.762
=
R1 =
2,02
2,02
VBB
Clculo de R2
Por: Idelton Lemos
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R2 =
R1 . RBB
(23.762).(4.000) 95.048
=
=
= 4.817
R1 - RBB
23.762 - 4.000
19.762
1,6k
400
23,762k
4,817k
30A
3mA
3mA
DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6A
= 0,92
0,92
=
=
= 11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Por: Idelton Lemos
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Clculo de RC
VRC
VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
RC =
IC
5,8V
= 1.54k (1.544,6)
3,755mA
Clculo de RE
VRE
1,2
=
= 300
RE =
IE
4mA
Clculo de RB
VRB
VRB = VCC - VBE - VRE
RB =
VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
= 41,84k (41.836,7)
RB =
245A
RESPOSTAS:
ICEO
IC
IB
RC
RE
RB
11,5
75A
3,755mA
245A
1.54k
300
41,84k
Clculo de IB
Por: Idelton Lemos
21
IB =
VCC
15
15
15
=
=
=
= 72,12A
RB + RE 100k + 40(2,7k) 100k + 108k 208k
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V
RESPOSTAS:
IB
IE
VCE
VRE
72,12A
2,96mA
7V
8V
Considere = 100.
Clculo de IB
VCC
15
15
15
=
=
=
= 20,27A
IB =
RB + RC 270k + 100.4k7 270k + 470k 740k
Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
IB = 20,27A
IC = 2,027mA
Por: Idelton Lemos
VCE = 5,473V
22
Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
IC
, logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA
=
IB
Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar I C = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA)
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
RC =
15 = (R
. 1,2mA) + 8 + 0,18
15 - 8,18
= 5,68k (5.683,3)
1,2mA
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
14,216V
= 2,37M (2.369.333,33)
RB =
6A
Por: Idelton Lemos
23
RESPOSTAS:
IC = 1,2mA
IE = 1,2mA
RC = 5,68k
RB = 2,37M
RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de carga,
definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de
operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para CA
ser abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor
opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta de carga, se
quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
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VCC
25V
=
= 20mA
RC + RE 1,25k
Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.
Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio da
reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu com a
corrente de base equivalente a 30A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre coletor
e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos resistores:
IC 11,25mA
=
=
= 375
IB
30A
Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = (11,25mA).1k = 11,25V
VRE = (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V
Por: Idelton Lemos
25
CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso entre
coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a corrente de
coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso entre
coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a
250mV.
Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q 1 e Q2, e constatar a variao de
ao longo da reta de carga.
Para Q1:
IC 18mA
=
=
= 400
IB 45A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA)
VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V
Para Q2:
IC 2,5mA
=
=
= 250
IB 10A
Por: Idelton Lemos
26
Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Portanto, VCB = 25V
2 ponto:
VCC 25V
=
= 25mA
Para VCE = 0, temos: IC =
RC 1k
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento
desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
27
Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico.
Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas: uma para
o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de sada (base-coletor). Veja a
figura abaixo:
Onde: VRC = RCIC = 1k.(12mA) = 12V
VRE = REIE = 2k.(12,2mA) = 24,4V
Desta forma: VCE = VCB + VBE = 13 + 0,6 = 13,6V
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente de
base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de carga,
conforme mostra a figura abaixo:
28
VCC 12V
=
= 600
IC
2mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.
Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC =
29
30
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.
Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V
VCC = +12V
IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)
Determinar:
As tenses em RC para os valores de 10 e 1000
O valor de VCE nas duas condies
31
Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
RE =
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento, para os
dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para RC = 470
Para RC = 1,5k
V
V
= 10.(5mA) = 0,05V
RC = 1k.(5mA) = 5V
RC
Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar,
assim sendo temos:
Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1k
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao
muito grande de RC (100 vezes).
Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se R C
assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente VRC = 20V, o que
invalidaria a equao V CC - VRC - VCE - VRE = 0, em outras palavras, para satisfazer a dita
equao, IC teria que assumir valores menores. Deve-se portanto evitar trabalhar com
valores de RC que propiciem uma tenso VCE muito prxima da regio de saturao.
O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o
transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente igual.
Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais estvel
torna-se a corrente de coletor.
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento de
leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores, tamanhos e
fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente ser praticamente
constante no prejudicando a luminosidade.
Por: Idelton Lemos
32
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2 uma
queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de mais
tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda,
pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal no
acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
RE =
33
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora as
tenses sejam diferentes.
REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor
34
Por: Idelton Lemos
o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga,
da o nome regulador srie.
FUNCIONAMENTO:
VL = V IN - VCE
Ento: se VIN aumenta
V
CE aumenta
V
no se altera
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso V CB diminui.
Com a diminuio de VIN
V
CE
diminui
V
no se altera
LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e V R = R.IR mas IR = IZ + IB
ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN))
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.
CONDIES PARA UM PROJETO:
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies
normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0
35
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + V Z
PZ(MAX)
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
onde: IZ(MAX) =
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ
( III)
R
VIN(MIN) - VZ
( IV )
R
IZ(MAX)
VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) + IB(MAX) VIN(MIN) - VZ
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as
seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
6
7
36
IB(MAX) =
IC(MAX) =
IC(MAX)
(MIN)
logo:
IC(MAX) = IL(MAX) -
IC(MAX)
(MIN)
1,5
1,5
1,5
IL(MAX)
=
=
= 1,46A
=
1 1 + 0,025 1,025
1+ 1
1+
( MIN )
40
IC(MAX) 1,46A
=
= 36,5mA
40
(MIN)
37
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) =
. (8mA + 36,5mA)
10,8V - 6,8V
IZ(MAX) =
6,4V
. 44,5mA = 71,2mA
4V
Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode
ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL =
I
B(MIN)
=0
VIN(MAX) = (R . I Z(MAX)) + VZ
R=
VIN(MIN) - VZ
10,8V - 6V
4V
=
=
= 89,89
IB(MAX) + IZ(MIN) 36,5mA + 8mA 44,5mA
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o valor
comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
P=
E2
R
P=
(VIN(MAX) - VZ) 2
(13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2
=
=
= 0,508W
R
91
91
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
38
FUNCIONAMENTO:
VZ = VCB
como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como V Z fixa, variar VBE
variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de
entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma valores
menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL
e IL(MAX).
+ IC(MIN)
+ IL(MAX) ( II )
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
IZ(MAX) + IC(MAX)
VIN(MAX) - VZ - VBE
=
IZ(MIN) + IC (MIN) + IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE
39
Isolando IZ(MAX):
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no
resultado final.
Corrente em R2:
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde I B(MIN) =
IC(MIN)
(MIN)
IC(MIN)
( IV )
( MIN )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um
acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante,
essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos:
IC(MAX) = ( MIN ) . IB(MAX)
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2
portanto: IR2 = IZ(MIN) -
1
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE
( MIN ) + 1
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 8 > (V Z + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (V Z + VBE) . IC(MAX)
Escolha do diodo zener:
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
8
40
VIN(MAX) - VZ - VBE
1
IZ(MAX) =
. (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE
( MIN ) + 1
Desprezando IC(MIN)
I
CMIN)
IC(MIN)
, IR2 = 20mA
(MIN)
IZ(MAX) =
. (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
41
Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de
potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se
necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do
transistor.
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2
VR2 = VBE
R2 =
PR2 =
(ER2)2 = (0,7)2
R2
33
VBE
0,7V
=
= 35 (adotar 33)
20mA 20mA
0,49V
= 14,85mW
33
Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE
19,8V - 15V - 0,7V
4,1V
R1 =
=
=
= 6,613
IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)
20mA + 600mA
620mA
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
=
=
= 3,94
R1 =
IZ(MAX) + IC(MAX)
86,67mA + 2,073A 2,16
R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613
3,94 < R < 6,61
R1 adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R1:
(VR1) 2 = (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 = (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 = (8,5V ) 2 = 12,9W
PR1 =
R1
5,6
5,6
5,6
(adotar 15W - valor comercial)
42
FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar,
aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ,
ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar
IB2 e consequentemente I C2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a
tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de V R1 provocar um aumento de VCE1 .
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de
T1 (IB1).
IC2 = IR1 - IB1
IR1 = IC2 + IB1
FORMULRIO:
Por: Idelton Lemos
43
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
(I)
R1
Considerando a tenso de entrada mnima
IZ(MAX) =
IZ(MIN) +
IL(MAX)
1(MIN)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
R1
I
L(MAX)
IC(MAX)
temos ento:
dividindo ( I ) e ( II )
IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
=
IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )
IL(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
( III )
. IZ(MIN) +
1( MIN )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
Clculo de R1
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IL(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
R1 >
PR1 =
R1 <
Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.I C2
44
V -V
R < V - 0,1.I
V -V
R > V -0,1.I
L
BE2(MAX)
Z(MIN)
BE2(MIN)
Z(MAX)
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 (adotado)
IZ(MIN) =
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
- IB1(MAX)
R1 (adotado)
I
B1(MAX)
IL(MAX)
1( MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
R2 (adotado)
Clculo de R3
R3
VR3 = VL .
R3 + R2
V
R3.(R3
V
VR3 . R2
VL - VR3
+ R2) = VL.R3
R3.R2
= VL.R3 - VR3.R3
Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
PR3 =
(VZ + VBE2(MAX) ) 2
R3 (adotado)
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e
um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
VIN = 25V 10%
IL(MAX) = 800mA
Tenso na carga (VL) = 12V
Por: Idelton Lemos
45
Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:
VCEO = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
(MIN) = 40
(MAX) = 250
IL(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
. IZ(MIN) +
1( MIN )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
Adotando para este projeto V BE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V
800mA
27,5V - 12V - 0,6V
IZ(MAX) =
. 50mA +
40
22,5V - 12V - 0,7V
14,9V
IZ(MAX) =
. 70mA = 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
Por: Idelton Lemos
46
Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
=
= 58,4
=
R1 >
IZ(MAX)
255mA
255mA
R1 <
IZ(MAX) =
R2 >
R2 <
VL - VZ - VBE2(MIN)
0,1.IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 (adotado)
VL - VZ - VBE2(MAX)
0,1.IZ(MIN)
IZ(MIN) =
IZ(MAX) =
IZ(MIN) =
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
- IB1(MAX)
R1 (adotado)
47
adotar 560
adotar 470
CONFIGURAO DARLINGTON:
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
48
Neste caso, V BE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
IZ(MAX) =
0,4W
= 53,33mA
7,5V
IB(MAX) =
IC(MAX)
( MIN )
logo:
IC(MAX) = IL(MAX) -
IC(MAX)
( MIN )
49
IC(MAX) =
IL(MAX)
1,5
1,5
1,5
=
=
=
= 1,497A
1
1
1 + 0,002 1,002
1+
1
+
( MIN )
500
IC(MAX) 1,497A
=
= 2,994mA
500
(MIN)
13,2V - 7,5V
IZ(MAX) =
. (10mA + 2,994mA)
10,8V - 7,5V
IZ(MAX) =
5,7V
.12,994mA = 22,44mA
3,3V
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL =
I
B(MIN)
=0
VIN(MAX) = (R . I Z(MAX)) + VZ
R=
VIN(MIN) - VZ
10,8V - 7,5V
3,3V
=
=
= 253,96
IB(MAX) + IZ(MIN) 2,994mA + 10mA 12,994mA
50
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o valor
comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso
180.
Potncia dissipada pelo resistor:
P=
E2
R
P=
(VIN(MAX) - VZ) 2
(13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2
=
=
= 180,5mW
R
180
180
BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA NO LABORATRIO - Ed. McGraw-Hill SP 1.987
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE
CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRNICOS - Livros Tcnicos e Ciebntficos
Editora S.A. - RJ - 1.982
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990
51