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=
22-2
1m
= 1100
R2 = 19100 W
CLCULO DE R3 Y R4
Se elige una corriente de colector de 10 mA, un punto de funcionamiento en clase
A y una tensin de emisor de 2.2 V. A partir de estos datos se disean las
resistencias:
=
22
10m
= 220
R3 = 220 W
En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensin:
La resistencia R4:
R4 = 880 W
La ganancia de la etapa es:
Suponiendo que se est trabajando a una frecuencia superior a la de corte.
La impedancia de entrada de la siguiente etapa es:
( )
Ze2 = 2553 W
CONDENSADOR DE BLOQUEO C1:
Este condensador (capacitor) se utiliza para bloquear la corriente continua que
pudiera venir de Vin. Este condensador acta como un circuito abierto para la
corriente continua y un corto circuito para la corriente alterna (la que se desea
amplificar). Estos condensadores no se comportan as en la realidad, pero se
comportan as en la realidad, pero se acercan bastante, pudiendo tomarse as.
CONDENSADOR DE DERIVACIN (Ce):
La resistencia Re es una resistencia que aumenta la estabilidad del amplificador,
pero que tiene la gran inconveniente que es muy sensible a las variaciones de
temperatura (causar cambios en la corriente de base, lo que causar variaciones
en la corriente de emisor (Ic = Ib) Esto causar una disminucin en la ganancia
de corriente alterna, lo que no se desea. Para resolver el problema se pone en
paralelo con Re un condensador que funcionar como un corto circuito para la
corriente alterna y un circuito abierto para corriente continua.
- El voltaje de salida estar dada por la siguiente frmula:
Vout = Ic x Rc = x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc
- La ganancia de voltaje es: V - Vout / Vin = - Rc / Zin.
(el signo menos indica que Vout esta 180 fuera de fase con al entrada Vin)
- La ganancia de corriente es: I = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de
voltaje x Zin / Rc
- La ganancia de potencia es = ganancia de voltaje x ganancia de corriente
= P = V x I
- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor
alto (contrario a lo deseado)
- Zo (impedancia de salida) = Rc
- La salida est 180 desfasada con respecto a la entrada (es invertida).
POTENCIAS DE LOS AMPLIFICADORES DE AUDIO
Un amplificador de audio tiene que cumplir siempre con las leyes de la
termodinmica. La potencia entregada al parlante no puede ser nunca mayor a la
potencia que ingresa por la fuente. Y que quede claro que dije la potencia
entregada al parlante y no la potencia entregada por el parlante, que depende del
rendimiento del mismo y que no podemos medir fcilmente por tratarse de una
unidad acstica (llamada presin sonora) muy difcil de medir.
TRANSISTORES
Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.
(BJT, BIPOLARES, PNP, NPN, DARLINGTON, ETC)
Los transistores operan con portadores minoritarios inyectados desde el emisor a
la base que hace que fluyan a travs de la base hacia el colector, controlando la
corriente de la base.
Los transistores estn disponibles como dispositivos PNP y NPN, permitiendo que
uno tire de la seal de salida. Los transistores estn tambin disponibles en pares
emparejados y empaquetados, pares seguidores de emisor, arrays de transistores
mltiples e incluso en complejos "circuitos integrados", donde estn combinados
con resistencias y condensadores para conseguir funciones de circuitos
complejos.
Como las vlvulas, hay muchas clases de BTJs disponibles. Algunos tienen una
alta ganancia de corriente, mientras que otros tienen menor ganancia. Algunos
son rpidos, y otros lentos. Algunos manejan altas corrientes mientras que otros
tienen capacidades de entrada bajas. Algunos tienen menos ruido que otros. En
general, los transistores son estables, duran casi indefinidamente, tienen alta
ganancia, requieren alguna corriente de entrada, tienen baja resistencia de
entrada, tienen capacidad de mayores entradas, saturan rpidamente, y son lentos
de recuperarse de la sobrecarga (saturacin). Los transistores tienen un amplio
margen antes de la saturacin.
Los transistores estn sujetos a un modo de fallo llamado segunda avalancha, que
sucede cuando el dispositivo esta trabajando a alto voltaje y alta corriente. La
segunda avalancha puede evitarse con un diseo prudente, lo cual le dio a los
primeros amplificadores de transistores una mala reputacin de fiabilidad. Los
transistores son tambin susceptibles de descontrolarse con la temperatura
cuando se usan incorrectamente. Sin embargo, los diseos prudentes evitan el
segunda avalancha y el embalamiento trmico.
MOSFET: (VMOS, TMOS, DMOS, NMOS, PMOS, IGFET, etc)
Los transistores de efecto de campo semiconductor metal-oxido usan una puerta
aislada para modular el flujo de la corriente portadora principal de la fuente al
drenaje con el campo elctrico creado por la puerta. Como los bipolares, los
MOSFETs estn disponibles en P y N. Tambin como los transistores, los
MOSFEt estn disponibles en pares y circuitos integrados. Los MOSFET
emparejados no se acoplan tan bien como los pares de transistores bipolares,
pero se emparejan mejor que las vlvulas.
Los MOSFETs estn tambin disponibles en muchos tipos. Sin embargo, todos
tienen baja corriente de entrada y bastante baja capacidad de entrada. Los
MOSFET tienen menor ganancia, se saturan moderadamente y se recuperan
rpidamente de la saturacin. A pesar de que los MOSFETs de potencia no tienen
puerta en DC, la capacidad de entrada finita quiere decir que los MOSFET de
potencia tienen una puerta finita de corriente AC. Los MOSFET son estables y
robustos. No son susceptibles de embalamiento trmico ni segunda avalancha.
Sin embargo, los MOSFETs no pueden soportar abusos tan bien como las
valvulas.
JFET:
Transistores de efecto de unin de campo operan exactamente igual que los
MOSFET, pero no tienen una puerta aislada. Los JFETs comparten la mayora de
las caracteristicas de los MOSFETs, incluyendo parejas disponibles, tipos P y N, y
circuitos integrados.
Los JFETs no estn disponibles normalmente como dispositivos de potencia. Ellos
hacen excelentes preamplificadores de bajo ruido. La unin de la puerta da a los
JFETs mayor capacidad de entrada que los MOSFETs e incluso les previene de
ser usados en modo de acumulacion o enriquecimiento. Los JFETs nicamente se
usan como circuitos de deplexion o empobrecimiento.
Los JFETs estan disponibles tambien como parejas y se emparejan casi tan bien
como los transistores bipolares.
IGBT: (o IGT)
Transistores bipolares de puerta aislada son una combinacin de un MOSFET y
un transistor bipolar. La parte MOSFET del dispositivo sirve como dispositivo de
entrada y el bipolar como la salida.
Los IGBTs estn solo disponibles hoy como dispositivos tipo N, pero los
dispositivos P son posibles en teora. Los IGBTs son ms lentos que otros
dispositivos pero ofrecen un bajo costo, la alta capacidad de corriente de los
transistores bipolares con la baja corriente de entrada y la baja capacidad de
entrada de los MOSFETs.
Sufren de saturacin tanto o ms que los transistores bipolares, e incluso sufren
de segunda avalancha. Raramente se usan en audio High-end, pero a veces se
usan para amplificadores de extremadamente alta potencia.
PROYECTO AMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES
Lista de Materiales:
- 1 Transistor 2N3904
- 1 Transistor 2N301
- 1 condensador electroltico de 10 uF a 16 Voltios
- 1 condensador de cermica de 0.1 uF
- 1 Resistencia de 1 M 1/2 Watts
- 1 Resistencia de 22 k 1/2 Watts
- 1 resistencia de 22 K 1/2 Watts
- 1 resistencia de 10 1/2 Watts
- 1 parlante de 8 1 Watts
- Conector para pilas de 9 Voltios
- 6 Terminales para circuito impreso
- Circuito Impreso
Descripcin:
El circuito amplificador de audio esta conformado por dos estapas de audio
compuestas por transistores. En la entrada de seal se puede conectar un
micrfono y en la salida un parlante.
CONCLUSIN
Con el anterior trabajo podemos concluir que:
Entre los componentes de un sistema de grabacin y reproduccin de
sonido estn incluidos los amplificadores. Su misin es recibir una seal
elctrica de uno de los componentes del sistema, y aumentar su valor para
que pueda ser utilizada por algn otro.
Los efectos de la temperatura sobre los transistores de salida pueden
causar mal funcionamiento del amplificador, e incluso llegar a daarlos.
Para evitar este problema, utilizamos disipadores de calor en dichos
componentes. Los disipadores se deben conseguir de acuerdo al
encapsulado o forma fsica del componente que debemos proteger; en este
caso buscamos uno que se acople a un encapsulado TO-220.
BIBLIOGRAFA
Investigacin en internet:
www.electronica2000.net
C. J. Savant Jr. ; Martin S. Roden ; Gordon L. Carpenter : Diseo Electrnico 3ed
EL TRANSISTOR, circuitos y aplicaciones. Curso BASICO-5. DEGEM SYSTEMS
LTD.
ENCICLOPEDIA TEMTICA MULTIMEDIA: Enciclopedia de Electrnica. F&G
Editores. Madrid, 1996.
R3
22K
P
8
R4 10
R2
22K
Q1
2N3904
C.2
10.M.F
Q1
AD 149
C.1
0.1 M.F E
B
E
R1
1.m
9V
B