EL DIODO DE POTENCIA

ESTATICAS
ESTADO DE CONDUCCIN
Intensidad media nominal (IF AV):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede
soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IF RM):
Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido

Intensidad de pico nico (IF SM):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms

ESTADO DE BLOQUEO
Tensin inversa de trabajo (VR WM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VR RM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo
indefinido.
Tensin inversa de pico nico (VR SM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o ms, con duracin de
pico de 10ms.
Tensin de ruptura (VR):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus
caractersticas elctricas.

DINAMICAS
Las prdidas de entrada en conduccin son muy pequeas





EL TRANSISTOR DE POTENCIA

BJT
Presentan varias bases y emisores entrelazados, para evitar la concentracin de corriente.
Base de pequeo espesor aumenta ,menor tensin de ruptura (Montaje Darlington)
ESTATICAS

La concentracin de corrientes provoca sobrecalentamientos localizados que desembocan en
avalancha secundaria cuando IC es grande.

En corte, las uniones PN de base-emisor y PN de base-colector estn polarizadas
inversamente

Estticamente, la potencia disipada en corte es prcticamente nula.

DINAMICAS

Encendido con carga resistiva
El paso de corte a saturacin, y viceversa, es lento.
Cuanta menos carga espacial ms rpida ser la conmutacin pero tambin mayores
sern las prdidas estticas.
Con el fin de acelerar la conmutacin y disminuir sus prdidas, puede suministrarse
una IB negativa para pasar de saturacin a corte.
Apagado con carga resistiva
Las prdidas en conmutacin en el apagado son MAYORES que las del encendido
(debido al tiempo de bajada)
MONTAJE DARLINGTON
Diodo externo para aplicaciones de medio puente y puente completo.
Diodo externo para aumentar la velocidad de conmutacin.







MOSFET
Dispositivo fundamental como interruptor controlado por tensin. Suele usarse casi
exclusivamente los de canal N.
Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o iguales a 500V. Ms all es preferible, en general, un IGBT.
El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante superiores a su valor medio mximo (rated current).
Los tiempos de conmutacin del MOSFET se deben principalmente a sus capacidades e inductancias parsitas, as
como a la resistencia interna de la fuente de puerta.

El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
Sin aislamiento
Circuito para disminuir el efecto Miller.
Los transistores de puerta son de seal y por tanto ms rpidos.
Los transistores de puerta son de seal y por tanto ms rpidos.

Con aislamiento
Siempre hay un interruptor cerrado generndose una onda cuadrada sobre R
Cuando es el MOSFET quien se cierra, en su fuente aparecen 500V
En ese momento, para mantener el MOSFET cerrado, en puerta debe haber 515V.
















IGBT
Controlado por voltaje.
Se puede decir que tiene un BJT y un MOSFET a la entrada.
Bloqueo

La zona P+ est ms intensamente dopada.

La zona P+ est ms intensamente dopada.

Conduccin

La mayor parte de la corriente final va por el MOSFET.

CONCLUSIONES
1. El transistor bipolar es un dispositivo en que la conduccin se hace mediante portadores
minoritarios, baja velocidad de conmutacin

2.-Para tensiones inferiores a 500V ha sido sustituido por el MOSFET y para tensiones
superiores por el IGBT.

3.-El MOSFET es un dispositivo en que la conduccin se hace mediante portadores
mayoritarios. Alta velocidad de conmutacin.

8.-A la hora de seleccionar un MOSFET su parmetro ms importante es RON.

9.El IGBT es un interruptor con caractersticas de control parecidas al MOSFET y
caractersticas de salida similares al transistor bipolar.













TIRISTORES
SCR

Bloqueo directo:
La unin de control est polarizada inversamente.
Se tiene una corriente de fugas directa.

Bloqueo inverso:

La unin andica est polarizada inversamente.
Se tiene una corriente de fugas inversa.






Disparos NO deseados

Por exceso de tensin
Por derivada de tensin
Por radiacin electromagntica

Disparos deseados
Por impulso de puerta


Bloqueo forzado
Por fuente inversa de tensin
Por fuente inversa de corriente

TRIAC
Disparo controlado
Por inyeccin de corriente en puerta, tanto positiva como negativa.

Disparo no deseado
-Por derivada de tensin dv/dt.
-Por tensin excesiva entre A-K.

Aplicaciones

Regulacin de alterna media - baja potencia
Control de velocidad motores

Control de flujo luminoso
Electrodomsticos de baja potencia