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Les composants lectroniques

de commutation
Chapitre III
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Sommaire
1

GENERALITES ........................................................................................................................................ 24

COMMUTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN ................................................................... 25


2.1 RAPPELS .................................................................................................................................................. 25
2.2 LES PHASES D'UN TRANSISTOR A LA COMMUTATION................................................................................ 25
2.2.1
Transistor bloqu .......................................................................................................................... 26
2.2.2
Transistor conducteur. .................................................................................................................. 26
2.2.3
Transistor satur ........................................................................................................................... 27
2.3 ETUDE DE LA COMMUTATION .................................................................................................................. 27
2.3.1
Commutation la fermeture ......................................................................................................... 27
2.3.2
Temps de mise en conduction ton ................................................................................................... 32

BLOCAGE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ........................................................................................ 32


3.1
3.2
3.3

AMELIORATION DES TEMPS DE COMMUTATION...................................................................... 36


4.1
4.2

BLOCAGE A PARTIR D'UN ETAT SATURE ................................................................................................... 33


BLOCAGE A PARTIR D'UN ETAT NON SATURE ........................................................................................... 34
SYNTHESE ............................................................................................................................................... 36
DISPOSITIFS "ANTI-SATURATION"............................................................................................................ 36
COMMANDE COMPENSEE ......................................................................................................................... 36

AIRE DE SECURITE ............................................................................................................................... 38

Chapitre III : Le transistor bipolaire en commutation

Les composants lectroniques


de commutation
Chapitre III
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
1 Gnralits
Le transistor bipolaire est soit PNP soit NPN. Il est donc form de deux
jonctions PN montes en anti-srie. Pour que l'effet transistor puisse avoir
lieu, il est impratif que les jonctions soient ralises sur le mme monocristal, et que la base (partie centrale) soit trs mince. C'est un composant
normalement ferm ou "Normally off". C'est--dire que pour qu'il conduise
il faut lui injecter (ou extraire) un courant dans la base.
La prsence de jonctions PN fait, de faon analogue la diode, que ses
commutations ne sont pas instantanes et elles gnrent des pics de courant et/ou de tension.
La plupart des montages TOR utilisant des transistors ncessitent des frquences de fonctionnement 10kHz. Aussi, du point de vue de la commutation pure, les coupures de courant devront tre courtes limitant, du mme
coup, les pertes.
On notera ton le temps qui spare la commande l'tablissement du courant
principal et toff le temps , qui spare la commande l'extinction de ce
mme courant.
Cd(t)

E0

i(t)

t on

t off

Figure 1 : dfinition de ton et de toff


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Chapitre III : Le transistor bipolaire en commutation

2 Commutation du transistor bipolaire NPN


2.1 RAPPELS
Le symbole et une reprsentation usuelle du transistor NPN sont ports sur
la figure suivante.
V CB

iC

C
B

B
V CE

iB
VBE
E

iE

Figure 2 : Symbole et reprsentation d'un transistor NPN


Supposons que la base soit "en l'air". On connecte une source extrieure
entre le collecteur et l'metteur et on observe le courant qui traverse le
transistor. Quel que soit le sens de polarisation du transistor il ne peut exister qu'un courant inverse dit "de fuite" car il y a toujours une des deux
jonctions qui est bloque.
Il est donc ncessaire d'utiliser une deuxime source pour injecter un courant dans la base du transistor. Pour qu'un transistor puisse conduire, la
jonction base-metteur doit tre polarise dans le sens passant.
L'effet transistor : Lorsque l'on injecte un courant iB dans la base du NPN,
on autorise, si les tensions VBE et VCE sont correctement polarises, un
courant d'lectrons entre l'metteur et la base. Or sous l'action du champ
lectrique, les lectrons acquirent une vitesse telle entre base et metteur,
qu'ils finissent par surmonter la trs fine jonction NP qui est bloque. Ds
lors, les lectrons sont plus attirs par le potentiel prsent au collecteur qui
est plus lev que celui prsent la base. Le courant iC est proportionnel
iB si le transistor fonctionne en linaire. C'est la jonction base-collecteur
qui supporte la plupart de la puissance, suite au gain en courant.
2.2 LES PHASES D'UN TRANSISTOR A LA COMMUTATION
Dans un montage, le transistor est soit bloqu, soit conducteur (iC=iB)
soit satur (plus de relation entre iB et iC).
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2.2.1Transistor bloqu
On applique une tension sur la base suprieure 0,6 V. Mais le transistor
est bloqu pendant un certain temps. On a alors :
VBE < 0,6 V,

VCE >0 (=VCC)

et IC = 0.

Entre la base et l'metteur on a une diode et entre le collecteur et l'metteur, le circuit prsente une impdance infinie. Par analogie avec l'tude
effectue sur la diode on obtient le schma quivalent suivant :
B

Ct
E

Figure 3 : Schma quivalent du transistor bloqu


Avec Ct, le condensateur quivalent (ou total) de la jonction basemetteur.
2.2.2Transistor conducteur.
Quand VBE devient 0,6 V (valeur toujours proche de Vto, cf. diode), alors
il existe un courant iB et un courant iC=iB. VCE dcrot mais reste 0,6 V
et donc VCB est 0. Le transistor fonctionne en rgime linaire.
Le schma quivalent est alors le suivant :
C

iC =g mVBE
i C=b iB

i C=g m VBE
i C= biB

B
iB

iB

Rd

Cd

E
Vt0
E

Figure 4 : Schma quivalent du transistor en rgime linaire.


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Avec gm, la pente interne ou transconductance du transistor au point de


fonctionnement.
2.2.3Transistor satur
Quand VBE est 0,6 V, alors il est possible d'obtenir un courant iB suprieur iBsat. Dans ce cas le courant iC n'est plus proportionnel iB, il ne
dpend que de la tension d'alimentation et de la charge. VCE dcrot jusqu'
environ 0,2 V et donc VCB < 0. Le transistor fonctionne en rgime satur.
2.3 ETUDE DE LA COMMUTATION
Le schma est le suivant :
RC
VCB
RB

B
iB

e (t )

VBE

e(t)

iC

E1

VCC
V CE

E2

E
iE

Figure 5 : Polarisation du transistor utilis en commutation.


2.3.1Commutation la fermeture
Si on applique une tension suffisamment leve sur la base du transistor,
on rend tout bord la jonction base-metteur conductrice au bout d'un
temps td (delay time), puis un courant de collecteur s'tablit et atteint son
rgime permanent au bout d'un temps tr (rise time).
De faon gnrale, nous allons calculer les formes d'ondes d'un transistor
dont la charge et purement rsistive. De cette manire, le courant de
collecteur ne dpend que des caractristiques dynamiques du transistor.
2.3.1.1 Mise en conduction de la jonction base-metteur
Supposons que le crneau e(t) soit suffisamment long devant le temps de
commutation du transistor pour qu'on puisse le considrer comme un chelon. L'tude se rsume au schma suivant :
RB
e (t )

B
iB
VBE

E
iE

Figure 6 : Mise en conduction de la jonction base-metteur.


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Et on cherche le temps td pour lequel la tension VBE atteint la valeur Vto.


D'aprs ce que l'on a vu au chapitre II (paragraphe 2.1.5.1.) le temps td est
quivalent :
VBE
e(t)
E1
V t0
t

td
E2

Figure 7 : Allure de VBE aprs un front montant de e(t).


E E1

t d = ln 2

V
E
1
t0

avec =RBCt

2.3.1.2 Temps de monte du courant de collecteur


La diode de la jonction base-metteur est maintenant passante. Tout se
passe comme ci cet instant, on appliquait un crneau de courant sur la
base. La connaissance imprative des caractristiques dynamiques du transistor nous permet de dterminer le temps de monte du courant collecteur.
C

i c=g mV be
ic =bi b

B ib

Rd

Cd

Vt0
E

Figure 8 : Schma quivalent quand la jonction base-metteur est passante.


Nous devons donc dterminer la fonction de transfert :

T ( p) =

I c ( p)
I b ( p)

Or dans cette tude, les grandeurs continues peuvent tre ignores car seules les variations nous intressent. Par consquent, le potentiel Vto est occult.
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C

ic =g mVbe
i c= bi b

ib

Rd

Cd

Figure 9 : Schma quivalent aux grandeurs variables.


D'o vbe est rduite aux variations V d'une diode, donc une quantit proche de zro (cf chapitre II paragraphe 2132). Donc vce vcb , le gnrateur de
courant peut tre considr comme directement reli l'metteur.
Le schma quivalent est plus gnralement reprsent de la faon suivante :
B

ib
C
i c=g mVbe
Rd

Cd

ic =bi b

Figure 10 : Schma quivalent usuel pour les grandeurs variables.


Etude en Laplace de la maille d'entre :
I b ( p) =

on pose : d
d'o : I b =

Vbe ( p)
V ( P)
(1 + Rd Cd P )
+ Cd P Vbe ( P) = be
Rd
Rd

= C d Rd

et I c ( p) = g mVbe ( P)

Ic
(1 + d P )
g m Rd

donc T ( P) =

I c ( P)
g R
= m d
I b ( P) (1 + d P )

T(P) est une transmittance reprsentative d'un systme du 1er ordre. Par
consquent on trouve par identification le gain statique = g m Rd . Donc T(P)
peut encore s'crire :
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T ( P) =

I c ( P)

=
I b ( P) (1 + d P )

Remarque : La relation IC=IB n'est vrai que pour P ou =0.


La rponse indicielle qui rpond ces quations peut prendre deux formes
distinctes selon que le transistor est satur ou non.
2.3.1.2.1 Le transistor n'atteint pas le rgime de saturation.
Le courant final IC0 < ICsat. Les schmas d'excitation et de rponse sont les
suivants !
i b(t)
IB0

t
i c(t)
Ic0
0,95I c0

tr

Figure 11 : Rponse de ic(t) un chelon de courant si ic() ICsat.


L encore, le temps de rponse tr peut tre dtermin 90 ou 95% de IC0.
Cependant, les valeurs numriques de Rd et Cd ne sont jamais fournis par
les constructeurs. En effet, les data sheet font tat de la fonction de transfert T ( p) = I c ( p) et de son graphe.
I b ( p)

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|T(P)| d B

B dB

fc

log(f)

Figure 12 : Allure du module de T(p) donne sur les data sheet.

Or

= 2 f

et pour un premier ordre d

donc d

1
2 fc

Par consquent, il est possible d'exprimer T(P).


2.3.1.2.2 Le transistor atteint le rgime de saturation
Le transistor atteint ce rgime si le courant de base est suffisant pour que
I B I Csat . Le rendement diminue. D'aprs ce qui prcde, l'expression du
courant ic(t) est de la forme :
t

ic (t ) = ib 1 e d

Or gnralement le courant dans le transistor ne crot pas de faon infinie,


il est limit par le circuit extrieur. On le nommera ici ICsat. Par consquent, le temps de rponse ne sera pas gal 2,3 ou 3d mais au temps
que le systme mettra atteindre ICsat. (on acclre de faon artificielle le
temps de rponse du transistor).
ic (tr ) = I Csat

donc

t
r

= I B 1 e d

tr
d

I
= 1 Csat
IB

IB

t
ln
r
d
et
I B I Csat
Avec I B la valeur finale que devrait atteindre IC().

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ib(t)

B IB

ICsa t

tr

Figure 13 : Allure du courant ic(t) quand le transistor est satur.


Remarque : Le courant IB doit toujours tre infrieur la valeur maximale
stipule sur les data sheet.
2.3.2Temps de mise en conduction ton
Donc le temps de mise en conduction est la somme du temps de mise en
conduction de la jonction base-metteur et du temps d'tablissement du
courant collecteur. Donc que le transistor soit satur ou non on a :

ton = t d + t r
3 Blocage du transistor bipolaire
Nous avons vu qu'un transistor passant pouvait tre soit en rgime linaire
soit en saturation. Par consquent, il faut distinguer ces deux cas de figure
lors de l'tude de l'ouverture d'un interrupteur.
Le blocage lieu quand le signal d'entre passe de E1 E2, soit :
e(t)
E1

t
E2

Figure 14 : Allure de e(t) au blocage du transistor.

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3.1 BLOCAGE A PARTIR D'UN ETAT SATURE


Jusqu' cet instant, le transistor est passant donc la jonction base-metteur
est polarise en directe et peut donc tre compare une diode passante.
Puisque le transistor est satur, on peut supposer que c'est le condensateur
parasite de la jonction base-metteur qui a accumul une quantit de charges Qs en excs (ICsat<IB). Cette quantit de charge doit d'abord tre vacue avant que le courant de collecteur commence diminuer. On appelle
ts le temps ncessaire l'vacuation de Qs.
L'hypothse ci-dessus nous conduit tudier le schma restreint suivant :
RB

B
iB

e (t )

VBE

E
iE

Figure 15 : Schma d'tude pour ts.


Soit un schma quivalent :
RB

e (t )

ib

Cd

Rd

V t0

Figure 16 : Schma quivalent pour calculer ts.


Quand IC varie de 0 ICsat, la quantit de charge accumule par Cd varie de
0 Qsat. Si IB devient suprieur IBsat, alors IC reste presque gal ICsat
mais le condensateur Cd accumule une charge supplmentaire Qs. Donc la
charge totale accumule par Cd vaut :

Q = Qsat + Qs
Lors du blocage d'une diode, l'tude de la variation de la quantit de
charge aux bornes de Cd conduit l'quation suivante (cf chapitre II, paragraphe 2.2.1) :
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Chapitre III : Le transistor bipolaire en commutation

Q + d

dQ
= d I BF
dt

avec :

E2 Vt 0
E1 Vt 0
=
I
IB Final : BF
RB
RB
Constante de temps : d = Rd Cd
IB Initial : I BI =

Soit l'allure de la variation de charge :


Q(t)

Qsat+Qs
Qsat
t

ts

tdIBF

Figure 17 : Allure de la variation de la quantit de charge au blocage.


On sait alors que :

t s = d ln
Or

Qs + Qsat = d I BI

et

((Qs + Qsat ) d I BF )
Qsat d I BF

Qsat = d I Bsat

I BI I BF

=
t
ln
d
donc : s
I Bsat I BF
Remarque : Ce phnomne se passe au niveau de la jonction basemetteur, du reste ts est fonction uniquement de Cd, Rd , IBI et IBF.
3.2 BLOCAGE A PARTIR D'UN ETAT NON SATURE

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Maintenant le transistor est de nouveau en rgime linaire, il sera bloqu


au bout d'un temps de dcroissance tf (fall time) du courant de collecteur.
Ce dernier satisfait l'quation : ic = I C 0 I Csat , par consquent la dcroissance
du courant collecteur dpend du blocage de la jonction base-metteur jusqu' ce que Vbe<Vto. Ensuite, cette jonction continue son blocage par dcharge du condensateur de transition Ct, mais cela n'a aucune influence sur
le courant collecteur.
Le courant de base IBF obtenu pour e(t)=E2, tend imposer un courant
ICF=IBF. L'allure de ic(t) est donc :
ic (t)
Ic0

tf

B IBF

Figure 18 : Allure de Ic(t) au blocage quand le transistor n'est plus satur.


Avec IC0, le courant au moment o le transistor est "dsatur". Le temps tf
est donc le temps de descente, c'est--dire, le temps ncessaire pour que le
courant passe de la valeur IC0 zro.
Le rgime linaire, nous permet d'crire l'quation de ic(t) :
ic (t ) = (I c 0 I BF )e

t
d

+ I BF

avec :
d =

1
2 fc

D'o

I I C 0

t f = d ln BF
I

BF

Remarque 1 : La commutation est termine vis--vis du circuit de puissance, par contre la jonction base-mtteur "possde encore" un condensateur de transition Ct avec une charge non nulle.

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Remarque 2 : Si on soumet cet instant prcis, la base un chelon de


tension>0, le temps dtablissement du courant collecteur est rduit tr,
car il ny a plus de temps de dlai td.
3.3 SYNTHESE
Le temps de blocage est :
transistor satur :
transistor non satur :

toff = ts+tf,
toff = tf.

4 Amlioration des temps de commutation


Les pertes par commutation ne sont pas toujours ngligeables, surtout si la
frquence de commutation est leve. La plupart du temps les concepteurs
de circuit interrupteurs cherchent amliorer les temps de commutation.
Pour ce faire on peut utiliser :
Des dispositifs "anti-saturation",
Des circuits de "commande compense".
4.1 DISPOSITIFS "ANTI-SATURATION"
Un transistor satur possde les tensions suivantes :
VBE > 0,6, VCE 0V donc VCB -0,6V
Si on arrive imposer une tension VCB > -0,6V alors le transistor ne sera
pas satur. Gnralement on prend comme condition d'anti-saturation :
VCB > 0. Il faut trouver des astuces qui permettent cette ingalit et qui ne
modifient pas le fonctionnement du montage. Des exemples seront tudis
en TD.
4.2 COMMANDE COMPENSEE
Soit le montage suivant :

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CB

ib B

RB
Rd

e(t)

Cd

Figure 19 : exemple d'une commande compense.


Lorsque l'on applique une tension sur la base, le condensateur CB se comporte comme un court circuit. e(t) est directement applique sur la base, le
courant est lev. Ensuite CB se charge et le courant dcrot vers une valeur qui dpend du pont de rsistances RB, Rd. Lors de l'ouverture, e(t) est
soit nul soit ngatif. Par consquent, la base voit (e(t) + VCB), donc VCB
favorise l'extraction des lectrons, soit le blocage du transistor.
On a donc une diminution de tr et tf.
Allure du courant :
e(t)
E1
Ic 0
t
E2

Figure 20 : Allure du courant IC lors d'une commande compense.

Remarque : Si ce circuit est utilis avec des charges inductives de fortes


puissances, il y a cration dune surtension qui peut tre destructive.
Pour de tels cas de figure, on utilise des Circuit d'Aide La Commutation
(CALC).

Rd
=
e(t )
V
Pour RBCB=RDCD on obtient BE
RB + Rd

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Chapitre III : Le transistor bipolaire en commutation

5 Aire de scurit
Que le transistor soit utilis en linaire ou en commutation, il y a des valeurs que l'on ne peut franchir sans destruction du semi-conducteur. Les
limites forment une surface que l'on nomme aire de scurit ou Safe Operating Area (SOA).
Ic

s
0
10
s
1m

s
m
10

Ic0

ICM

10
s

ICM

T jonction = T amb.

log Ic

Zone
forte
dis s ipation

Ic 0

A
Zone
faible
dis s ipation

SOA

V BE <0

1 2%
de ICM

log V CE0

V' CEX

VCE0

a)

V
VCEX

b)
Figure 21 :

a) Aire de scurit en continu et rgime impulsionnel en fonction de la dure de l'impulsion.


b) aire de scurit en commutation.

La figure a) donne un exemple d'aire de scurit, en continu (trait plein) et


en rgime impulsionnel (en pointills) pour une temprature de botier de
25C. C'est--dire que le botier a une constante de temps thermique nettement suprieure la dure de l'impulsion.
La figure b) donne l'aire de scurit en commutation. Elle est diffrente car
plus tendue que celle en rgime permanent. En effet, en commutation, le
point de fonctionnement occupe deux tats stables faible dissipation et ne
traverse les zones forte dissipation que pendant des temps trs court vis-vis des constantes de temps thermiques du composant. Dans la zone A,
la tension collecteur doit imprativement tre infrieure ou gale la limite maximale absolue V'CEX. Le courant doit tre limit ICM. Par contre,
quand le courant diminue au blocage, il est possible d'utiliser la zone B. La
tension collecteur peut alors atteindre la valeur maximale absolue VCEX, si
IC est de l'ordre de 1 2% de ICMAX.
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