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Tema 6

Indice


La Juntura p-n


A. Introduccin.
B. La Juntura abrupta PN en equilibrio.
1) Estructura y densidades de carga.
2) Aproximacin de Deplexin.
3) Campos y Potenciales.
C. La Juntura abrupta polarizada:
1) El efecto de la polarizacin en el diagrama de bandas.
2) Concentracin de portadores en el borde de la regin de carga espacial.
3) Derivacin de las caractersticas de tensin-corriente.
4) La capacidad de la juntura como funcin de la tensin de polarizacin.
D. Ruptura:
El mecanismo de avalancha.
El mecanismo Zener.
E. Contactos Metal-Semiconductor en los diodos Schottky.
F. Los diodos reales y su modelizacin.


Apndice: La ecuacin de Poisson y la regin de carga espacial.
1

A) Introduccin.
En este captulo utilizaremos los conceptos introducidos en los anteriores II, III y V para desarro-
llar un modelo fsico para el diodo de juntura pn. La Figura 1 muestra los componentes ms sim-
ples para una juntura pn: Dos piezas del mismo semiconductor, una de tipo n y la otra de tipo p,
ambas uniformemente dopadas.






Figura 1: Una juntura abrupta idealizada.

Si estas dos piezas son colocadas en contacto ntimo, forman lo que se llama una Juntura
Abrupta (se dice abrupta porque el tipo de dopante cambia bruscamente en la regin de inter-
fase). De hecho, las junturas reales no se forman simplemente adhiriendo las dos piezas de la
manera indicada. Las superficies de cada una de las muestras perfectamente pulidas son rugosas
en la escala atmica y generalmente estn cubiertas de xidos y contaminantes provenientes del
ambiente.
Muchas junturas pn son producidas por difusin a alta temperatura de dopantes donadores (acep-
tores) en la superficie de un material tipo p (n). Eventualmente, la condicin N
D
>N
A
se consigue
cerca de la superficie y esa porcin de muestra se transforma de tipo p a tipo n (de la misma ma-
nera ocurre para el caso de N
A
>N
D
consiguindose una regin de tipo p a partir de una muestra
tipo n). Se produce entonces una juntura gradual dado que la transicin de n a p se va efec-
tuando gradualmente.
Es posible obtener junturas prcticamente abruptas utilizando tcnicas de crecimiento epitaxial
de cristales (esto es: se hace crecer una delgada capa de material nuevo sobre la base cristalina de
substrato) o mediante tcnicas de aleacin (se coloca una delgada capa de dopante sobre la su-
perficie del substrato cristalino, luego se lo calienta hasta el punto de fusin y entonces se lo en-
fra rpidamente para evitar su difusin.
Estudiaremos las junturas abruptas ya que son de tratamiento ms sencillo que las graduales.
Debe remarcarse con nfasis el hecho de que una juntura no es la unin o soldadura de dos semi-
conductores de distinta contaminacin. No existe ninguna forma de unir dos barras de distinta
naturaleza y que se forme una juntura. El cristal debe ser un nico monocristal al cual se le han
agregado las impurezas que corresponden mediante mtodos adecuados. En general las impure-
zas se agregan despus del crecimiento del cristal pero es posible agregarlas durante su forma-
cin.
La perfeccin de la red cristalina hace a la calidad fundamental de la juntura y esa perfeccin
debe ser la mxima en el plano metalrgico y zonas adyacentes. Esta afirmacin es la que deter-
mina que no puedan crearse junturas a partir de la unin de dos cristales ya formados.
Cuando el nivel de dopantes donadores N
D
del lado n de una juntura pn es igual al nivel de do-
pantes aceptores N
A
del lado p decimos que la juntura es simtrica. Y cuando N
D
(del lado n) es
mucho mayor que N
A
(del lado p) tenemos una juntura n
+
p donde n
+
indica material tipo n fuer-
temente dopado. De manera similar ocurre cuando N
A
(del lado p) >>N
D
(del lado n) resulta una
juntura p
+
n. La utilidad de estos trminos se ver en la prxima seccin.
Debemos notar que una juntura pn no es ms que un caso particular de perfil dopante no-
uniforme y como tal puede ser analizado mediante las ideas descriptas en el captulo V y vere-
mos que este anlisis coincide con el comportamiento de un diodo para las caractersticas I-V de
la juntura pn en cuestin. De hecho, con ciertas restricciones, el anlisis nos llevara a derivar la
ecuacin del diodo ideal. Si bien las junturas pn reales raramente obedecen la ecuacin del diodo
p n
p n
2

ideal cuantitativamente sobre amplios rangos de la caracterstica I-V, nuestro anlisis simplifica-
do, no obstante, es muy utilizado para ilustrar los principios de operacin sin requerir de una
matemtica complicada.
Si tenemos dos materiales como los de la Figura 1, antes de ser unidos para formar la juntura
ambos se encuentran en estado de equilibrio y son elctricamente neutros. Si el contenido de
dopantes es grande comparado con n
i
podemos decir que p
i
N
A
, n n
i
2
/N
A
<<p para el caso de
un material tipo p, y n
i
N
D
, p n
i
2
/N
D
<<n para un material tipo n. Cuando las dos piezas se
juntan se establecen importantes gradientes en la regin de interfase del lado p y del n lo que
causa que los electrones se difundan desde la regin n hacia la regin p y los huecos vayan de la
regin p a la regin n. Esto causa que la regin p est cargada negativamente y la regin n sea
positiva. Esta separacin de cargas causa los efectos interrelacionados descriptos en el captulo
anterior, es decir: aparece una diferencia de potencial a travs de la interfase, un campo elctrico
que se opone a una mayor difusin y la curvatura de las bandas de energa.
La Figura 2 muestra el proceso de formacin de la juntura desde el punto de vista de las bandas
de energa.












Figura 2: Diagrama de energa de bandas de una juntura pn, antes del contacto y luego del contacto.

Antes del contacto el nivel de Fermi est cerca de la banda de valencia del lado p y cerca de la
banda de conduccin del lado n. Luego de que se produjo el contacto, y una vez establecido el
equilibrio la E
F
debe ser constante en toda la estructura y las bandas de energa se curvan como
se ve en la Figura, alinendose respecto de E
F
.
Podemos reconocer, por ahora, la Figura 2 y vemos que la regin n se encuentra a un potencial
positivo respecto de la regin p, es decir que existe un campo elctrico en el sentido de x que
est confinado en la vecindad de la juntura y hay muy pocos portadores de cargas libres en la
regin de alto campo elctrico.
Una imagen de esto se puede observar en la Figura 3:



Figura 3: formas del potencial electrosttico y del campo elctrico en una juntura pn abrupta.
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p
E
F

x


n
E
F

x
x
(x) Regin p Regin n
3

B) La Juntura abrupta PN en equilibrio.

1) Estructura y densidades de carga.

La Figura 4 nos muestra la concentracin de impurezas, N
D
y N
A
, como funcin de la distancia
x, perpendicular a la juntura en una juntura pn. Suponemos que ambos lados de la juntura estn
descompensados y que N
A
es ligeramente mayor que N
D
.










De la Figura 2 podemos deducir que la concentracin de electrones y huecos varan como se ve
en la Figura 5. La notacin non y pon indican la concentracin de electrones y huecos en el lado n
en estado de equilibrio; de la misma manera nombramos a nop y pop refirindonos al lado p.
Con el fin de ilustrar, hemos considerado N
A
(lado p) =10
16
cm
-3
y N
D
(lado n) =5 x 10
15
cm
-3
,
siendo n
i
=10
10
cm
-3
.

Comparando las Figuras 4 y 5 se puede ver que en la regin >

en el lado n y en la regin
<

en el lado p, se preserva la neutralidad de carga espacial.( de esta manera, por ejemplo,


tenemos que =

+
0

0
0 para >

puesto que
0

0
y
0

.)
En la regin

< <

tenemos una deplexin de los portadores de cargas mviles y apare-


ce entonces una carga neta espacial debido a los donadores y aceptores remanentes. Es decir que
si nosotros dibujamos la densidad de carga neta como una funcin de la distancia x obtendre-
mos algo como la Figura 6.


Al comparar las Figuras 4, 5 y 6 debemos notar que la 4 y 6 estn dibujadas en escalas lineales,
mientras que la 5 est en escala logartmica. Si se dibujara la fig.:5 en escala lineal, las concen-
traciones de electrones y huecos caeran muy bruscamente de modo que las densidades de porta-
dores minoritarios no se veran.
Regin p Regin n
N
-N
A

N
D

x
Figura 6: Densidad de carga
espacial como funcin de x en la
juntura pn

Figura 5: variacin de n y p
como funcin de x en la
juntura abrupta pn.

Figura 4: Perfil de im-
purezas para una jun-
tura pn abrupta.
4

Dando la densidad de carga como una funcin de x podemos calcular el campo elctrico, E
x
(x) y
el potencial electrosttico (). Desafortunadamente (como veremos) la densidad de carga que
vemos en la Figura 6 es muy complicada para obtener una solucin analtica directa. La cone-
xin entre la densidad de carga y el campo elctrico nos la provee la ley de Gauss:

(1)

o, si deseamos trabajar con potenciales, mediante la ecuacin de Poisson:

2
=

(2)

Si es una funcin simple, integrable, de x podemos integrar cualquiera de las dos (1) o (2).
Pero cuando es una funcin complicada de x o cuando (como en nuestro caso) depende de
la integracin puede resultar imposible.
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2) Aproximacin de Deplexin.
La densidad de carga de la Figura 6 nos sugiere una aproximacin que podemos tomar como:

() =

0 <

< < 0
+

0 < <

0 >

(3)
Esta es una aproximacin lineal por tramos que nos permite integrar cualquiera de las dos ecua-
ciones (2) o (3). Tal aproximacin desprecia lo que sucede en las delgadas regiones de transicin
cercanas a
n
x = y
p
x = que son intermediarias entre el material de carga neutra (llamado
material de sustrato) y el material cercano a la juntura que est vaciado de portadores de cargas
mviles (llamada regin de deplexin, capa de deplexin o regin de carga espacial). En la Figu-
ra 7 apreciamos una forma esquemtica de la estructura idealizada.


Figura 7: aproximacin de deplexin en la juntura pn.

Antes de que las piezas que forman la juntura fueran juntadas, ambas mantenan su neutralidad
de cargas y, dado que no ha sido adicionada o quitada ninguna carga, la neutralidad debe mante-
nerse en la estructura compuesta. Esto no significa que tal neutralidad de carga se sostenga lo-
calmente en cualquier regin de la estructura. De hecho, queda claro que en la regin de deple-
xin no se mantiene tal neutralidad. Dado que la estructura es en su totalidad neutra, podemos
concluir que una cantidad de carga negativa libre en la regin p debe tener una cantidad exacta-
mente igual de cargas positivas en la regin n.
Si las dos regiones estn uniformemente dopadas surge que:

5

(4)

De esta ecuacin surge que: en una juntura n
+
p N
D
>>N
A
implica que
n p
l l >> y la regin de de-
plexin, entonces, se ubica casi totalmente en la regin p. Similarmente para una juntura p
+
n,
p n
l l >> .
Pregunta:
Nos parece que hemos perdido algunos electrones y huecos en el proceso de formacin de la
juntura. Antes del contacto tenemos exactamente suficientes electrones y huecos para neutralizar
todos los donadores y aceptores. Luego del contacto nos quedamos con regiones neutras y regio-
nes que contienen carga espacial. Claramente hay ahora adems una muy poca cantidad de elec-
trones y huecos que alcanzan la neutralidad en cualquier punto. Dnde se fueron estos portadores
perdidos?.
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3) Campos y Potenciales.
Habiendo expresado la densidad de portadores de cargas segn la ecuacin (3) podemos calcular
el campo elctrico propio segn la ecuacin (1). En las regiones
p
x < y
n
x > + no existe
densidad de carga neta y (en ausencia de una fuente de polarizacin externa) tampoco hay campo
elctrico.
Entonces tenemos inmediatamente:
( ) 0
p
x
n
x
E x para
x
<

=

> +

(5)
Para 0
p
x tenemos:

( )
A
x qN =


( )
x A
dE x qN
dx
=


( )
A
x
qN
E x x K

= +
donde K es una constante de integracin.
Podemos evaluar K utilizando la condicin de contorno 0
x
E = para
p
x = y obtenemos:

( )
( ) 0
A
x p n
qN
E x x para x

= + (6)
para 0
n
x tenemos:

( )
D
x qN = +


( )
x D
dE x qN
dx
=
( )
D
x
qN
E x x K

= +


Nuevamente, la constante la obtenemos de la condicin 0
x
E = para
n
x = y nos queda:
6



( ) ( ) 0
D
x n p
qN
E x x para x

= (7)

De esta manera el campo elctrico nos queda como en la Figura 8.

Figura 8: ( )
x
E x en funcin de la aproximacin de deplexin.

Puesto que hemos considerado
( ) x como constante lineal por tramos ( )
x
E x ser lineal tam-
bin. No hemos usado la aproximacin de deplexin y nos veramos forzados a efectuar integra-
cin numrica encontrando leves alinealidades del campo elctrico en inmediaciones de
p
y
n
como se observa en la Figura 3. Para nuestros propsitos la aproximacin mostrada en la Fi-
gura 8 es perfectamente adecuada.
El valor mximo de
x
E se tiene en x=0 y viene dado por:


p A
n D
qN
qN
E

= =
max
(8)
Si observamos la ecuacin 4, es evidente que las dos expresiones para
max
E son equivalentes.
Dado que ( ) x est relacionado con ( ) E x mediante:


( )
( )
x
d x
E x
dx

= (9)
Podemos calcular ( ) x integrando las ecuaciones (5), (6) y (7).
De las ecuaciones (5) y (9) se desprende que ( ) x es constante en las regiones del sustrato por lo
que podemos escribir:

() =

= . <

(10)
y
() =

= . < +

(11)



Para 0
p
x
Tenemos:
( ) ( )
p
x
p x
x E x dx


7

reemplazando el campo elctrico por su valor queda:

+ + =
x
p
p
A
dx x
qN
p x

) ( ) ( ) (


que integrado entre los extremos nos da:

( )
2
( )
2
p
qN
A
x x
p

= + + (12)
Para 0
n
x
Tenemos:
0
0
( ) ( )
x
x
x E x dx =


Reemplazando el campo elctrico por su valor y considerando que
2
(0)
2
p
qN
A
p

= +
queda:
( )
2
0
( )
2
x
D
p n
qN
qN
A
x x dx
p


= + +


que integrado nos da:

( )
2 2 2
( )
2 2 2
D D
p n n
qN
qN qN
A
x x
p


= + + (13)

Como todava tenemos que ( )
n
x para x
n
=
Podemos reemplazar
n
x = en la ecuacin 13 y nos queda:


2 2
2 2
A D
p n
qN qN
n p


= + +

La diferencia de potencial en la regin de deplexin ser entonces:


0 n p
= (14)
o bien:


( )
2 2
0
2
A p D n
q
N N

= + (15)

La variacin de como una funcin de x es mostrada en la Figura 9.

8


Figura 9: ( ) x como funcin de x en la aproximacin de la deplexin.

Una vez que tenemos ( ) x , se puede dibujar el diagrama de bandas de energa, lo que podemos
observar en la Figura 10:



Figura 10: Diagrama de bandas de energa para una juntura abrupta en equilibrio.

Varios puntos deben considerarse respecto del anlisis efectuado:
1 -- Si el anlisis parece dificultoso o enmaraado es solamente porque se ha desarrollado ( )
x
E x
y ( ) x en forma detallada.
Ahora, esto lo hicimos solamente para ilustrar el mtodo mediante el cual el problema puede ser
resuelto formalmente y ver que no tenemos que adivinar o estimar la curvatura de las bandas:
esas cosas pueden ser calculadas. De ahora en ms, no utilizaremos las expresiones analticas de
( )
x
E x y ( ) x . Todo lo que necesitamos conocer son las formas, y expresiones que relacionan a
n
,
p
,
max
E y
0
con
A
N ,
D
N y
i
n .
2 -- Podramos haber obtenido una expresin para
0
con los mtodos desarrollados en el tema
V. Y lo hubiramos hecho as:
0
p
q
kT
p i A
p n e N

= =

0
n
q
kT
n i D
n n e N

= =

y, en consecuencia:

9


0
2
ln
A D
n p
i
kT N N
q n

| |
= =
|
\ .
(17)

3 -- La ecuacin (8) puede ser utilizada para rescribir la (15) como:


( )
0 max
1
2
n p
E = + (18)
esto, se reconoce como el rea bajo la curva triangular de ( )
x
E x . (Tiene esto sentido fsicamen-
te?)
4 -- Hemos tomado
n
y
p
como constantes pero no hemos especificado, an, sus magnitudes
absolutas. Dado que son potenciales ambos, las magnitudes absolutas son arbitrarias, pero esta-
mos de acuerdo con la convencin por la que tomamos =0 para materiales intrnsecos.
Aplicando esta convencin tenemos (recordemos la ecuacin 22:
0
ln
i
p kT
q n
= y la ec. 23:
0
ln
i
n kT
q n
= + del tema 5 que definen el potencial en cualquier punto del cristal sabiendo que
para un material intrnseco =0)

ln
A
p
i
kT N
q n
=
y

ln
D
n
i
kT N
q n
= +

Entonces
p
es una cantidad negativa,
n
es positiva y =0 en cualquier lugar cerca de x=0.
En una juntura simtrica =0 para x=0 mientras que en una juntura asimtrica el punto para el
que =0 se desplaza hacia la regin menos dopada.
5Podemos resumir los resultados diciendo que una barrera de energa existe en la interfase
entre las regiones p y n de una juntura abrupta. Esto se ve en la Figura 10 donde tambin obser-
vamos que la altura de esta barrera es q
0
.
Para diodos de Si, a T =300K,
0
=0,5 a 0,8 V de manera que q
0
=0,5 a 0,8 eV. Los elec-
trones cercanos a la base de la banda de conduccin debern remontar la barrera para alcanzar la
regin p mientras que los huecos (o huecos) debern descender la barrera para alcanzar la regin
n (recordemos que la energa de los huecos se incrementa descendiendo en el diagrama de ban-
das.
En el equilibrio la altura de estas barreras es la justa para prevenir cualquier flujo neto de cargas
(electrones o huecos) a travs de la juntura.
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10


C) La Juntura abrupta polarizada.

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1) El efecto de la polarizacin en el diagrama de bandas.

En la seccin anterior hemos visto que existe un potencial propio del sistema
0
y su correspon-
diente barrera de energa q
0
en la interfase de una juntura abrupta. En el equilibrio la barrera
previene cualquier flujo de carga neta a travs de dicha juntura. Una mejor visin de esta situa-
cin puede ser conseguida si superponemos la distribucin de electrones y huecos g(E)f(E) en el
diagrama de bandas. En la Figura 11 lo primero que notamos es que la barrera de energa es
solamente para portadores mayoritarios. Un portador minoritario aproximndose desde el lado p,
por ejemplo, se deslizar (ser acelerado por el campo propio del sistema) hacia el lado n. Estos
portadores minoritarios estn representados por las reas sombreadas A y D de la Figura 11. Otra
cosa para destacar es que la barrera solamente es efectiva para detener a la mayora de los porta-
dores solamente si la energa cintica de stos es menor que el alto de la barrera. En la Figura 11
se observa tambin que la mayora de los portadores estn por debajo del tope de la barrera pero
solamente algunos (las reas sombreadas en B y C) tienen suficiente energa cintica para mo-
verse a travs de la regin de deplexin en contra del campo elctrico. En equilibrio el rea A es
igual al rea B y no hay flujo electrnico neto.



Similarmente las reas C y D son simtricas y en consecuencia no hay flujo neto de huecos. Gr-
ficamente esto muestra el significado del trmino neto. En equilibrio un pequeo nmero de
electrones y huecos se estn moviendo constantemente en un sentido de la regin de deplexin
mientras que otro tanto lo hace en el sentido inverso. De manera que el flujo neto es cero.
Consideremos ahora qu ocurre si alteramos este balance aplicando una tensin externa a la jun-
tura. La juntura tiene an el potencial interno
0
por el cual el lado p est a un potencial negati-
vo respecto del lado n. Existen dos posibles polaridades para la tensin externa. Esta tensin
puede ayudar a
0
haciendo la barrera ms alta o puede oponerse a
0
haciendo ms pequea
esta barrera. Cuando la tensin externa ayuda a
0
se dice que la juntura est polarizada en in-
versa mientras que cuando se opone a
0
se dice que la juntura est polarizada en directa. Estos
dos casos estn graficados en las Figuras 12 y 13:
11




Antes de discutir las Figuras 12 y 13 es necesario comentar un punto delicado respecto de los
diodos polarizados. Cuando se conecta una fuente externa, se rompe la situacin de equilibrio y
estrictamente hablando no se pueden utilizar ms los conceptos de equilibrio tales como energas
de Fermi. No obstante, los clculos detallados muestran que el incremento del campo elctrico
causado por una polarizacin externa no es muy grande y la distribucin de portadores en el des-
equilibrio es muy similar a la distribucin de Fermi y, entonces, los conceptos de Energa de
Fermi permanecen vlidos en las regiones del substrato. En la regin de carga espacial (zona de
deplexin) la distribucin de portadores no puede ser aproximada mediante una simple distribu-
cin de Fermi y en consecuencia se debe reexaminar este concepto. No profundizaremos a este
respecto y simplemente dibujaremos los niveles de Fermi en las regiones p y n (substrato) y co-
nectaremos estos niveles mediante una lnea de interpolacin a travs de la regin de deplexin.
Otro problema que ocurre es que cuando se polariza la juntura las dos regiones p y n tienen por-
tadores de cargas libres y como se vio en el tema 1 obedecen a la ley de Ohm es decir que cuan-
do fluye corriente debe aparecer alguna cada de tensin en las regiones del sustrato p y n Ahora
bien, como la corriente es pequea y los portadores libres son muy pocos en la regin de carga
espacial, esta zona de deplexin tiene una mucho mayor resistividad que las otras regiones de la
juntura y en consecuencia podemos hacer la aproximacin de que toda la tensin externa aplica-
da aparece en la regin de deplexin y que la cada de tensin en las zonas p y n son desprecia-
bles. Bajo estas condiciones fueron dibujadas las Figuras 12 y 13.
Consideremos ahora la Figura 12: En ella se observa una juntura polarizada en inversa y adop-
tamos la siguiente convencin para el signo de Ve:



> 0
< 0
(18)

Figura 12: La juntura bajo polarizacin
inversa. La barrera se hace ms alta (com-
parada con la fig. 11 ) en una cantidad
igual a qVe. Las reas A y D son ahora ms
grandes que las reas B y C respectivamen-
te.
Figura 13: La juntura polarizada en
directa. La barrera se hace ms baja en
la cantidad qVe y las reas B y C son
ms grandes que las reas A y D respec-
tivamente.
12

Comparando las Figuras 11 y 12 vemos que la aplicacin de una tensin de polarizacin en in-
versa incrementa la altura de la barrera de q
0
a q(
0
-V
e
). La consecuencia ms importante de
este incremento es que se desacomoda el balance entre las reas A y B y las reas C y D permi-
tiendo que fluya una corriente neta a travs de la juntura.
Claramente se ve que las reas A y D son mucho ms grandes que las B y C y en consecuencia
habr un flujo neto de electrones desde la izquierda a la derecha y huecos desde la derecha a la
izquierda (tengamos en cuenta que estor grficos de las ecuaciones de estado g(E)f(E) no estn
hechos a escala). Todos estos diagramas tienden a mostrar un decaimiento exponencial de f(E)
que sera muy pequeo si lo dibujamos a escala. Entonces cuando aplicamos una polarizacin
inversa las reas sombreadas B y C se hacen extremadamente pequeas al cambiar la altura de
las bandas. Tambin, al aplicar una pequea polarizacin inversa rpidamente alcanzamos el
punto en el que la corriente consiste totalmente de electrones en el rea A y huecos en el rea D.
Debemos notar que esta corriente es muy pequea ya que las reas A y D corresponden a densi-
dades de portadores minoritarios las que son muy pequeas. Podemos concluir entonces que la
polarizacin inversa produce una corriente constante, muy pequea (independiente del valor de
polarizacin) y corresponde a la corriente de saturacin inversa I
s
definida en el tema IV.
Es fcil de ver ahora qu ocurre cuando polarizamos la juntura en directa.

De acuerdo a nuestra convencin de signos ahora V
e
es mayor que cero y entonces q(
0
-V
e
)
resulta ms chica que q
0
y la barrera se reduce como se muestra en la Figura 13.
Las reas A y D permanecen pequeas mientras que las reas B y C se hacen exponencialmente
crecientes a medida que V
e
aumenta. Como V
e
en magnitud se aproxima a
0
, la barrera se hace
extremadamente baja y fluye una gran corriente. Entonces, sin hacer ningn clculo podemos ver
que la juntura p-n tiene una caracterstica I-V como la de un diodo; es decir al ser polarizada en
inversa fluye una muy baja corriente independiente de la tensin de polarizacin y al ser polari-
zada en directa fluye una corriente que se incrementa exponencialmente con la tensin de pola-
rizacin. La Figura 14 muestra la correspondencia entre la juntura p-n y el smbolo del diodo
que ya conocemos. Podemos identificar el lado P como el nodo del diodo y el lado n de la jun-
tura como el ctodo del mismo.



Figura 14: Correspondencia de terminales y regiones entre una juntura p-n y un diodo.


No hay necesidad de repetir el anlisis de los casos polarizados.
Dado que V
e
simplemente se agrega o se opone a
0
podemos utilizar los trminos ya deducidos
reemplazando
0
con
0
-V
e
de manera que bajo los efectos de polarizacin tendremos:

Polarizacin Directa Polarizacin Inversa
13

=
2(
0

)
(19)

=
2(
0

)
(20)

=
2(
0

(21)



Podemos notar aqu que con la polarizacin directa los tres trminos se hacen muy pequeos
mientras que en condiciones de polarizacin inversa se hacen muy grandes.
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2) Concentracin de portadores en el borde de la regin de carga espacial.

La Figura 15 introduce una notacin que usaremos en esta seccin: Los planos
p
x = y
n
x =
que definen los bordes de la regin de deplexin son denominados ahora a y b respectiva-
mente. Las regiones p y n tienen longitudes w
p
y w
n
y terminan en contactos Ohmicos.
Por ahora podemos decir que los contactos hmicos que se forman estn definidos de acuerdo a
las siguientes propiedades:

Figura 15: diagrama de contactos en la juntura p-n

1- Un contacto Ohmico en un material tipo n puede aceptar o entregar al semiconductor cual-
quier flujo requerido de electrones. Las caractersticas I-V de este contacto es lineal para
cualquier sentido de la corriente.
2- Un contacto hmico en un material tipo p puede aceptar o entregar al semiconductor cual-
quier flujo requerido de huecos (o huecos). Dado que muchos metales que son usados para
hacer contactos conducen solamente por flujo de electrones, esto hace que el contacto pueda
remover electrones desde el semiconductor (actuando como una fuente de huecos que se
mueven en dicho semiconductor p) o adicionando electrones al semiconductor con lo que se
recombinan actuando como un sumidero para los huecos. En este caso tambin las caracters-
ticas I-V son lineales.
3- Cualquier barrera que pueda existir entre el metal y el semiconductor es independiente de la
tensin y corriente de polarizacin. Como ya se vio, esto significa que el contacto hmico es
incapaz de causar excesos de densidades de portadores por inyeccin o extraccin de porta-
14

dores minoritarios. Entonces, una condicin de enlace para contactos hmicos es que las den-
sidades en exceso se desvanecen aqu.
En equilibrio (sin polarizacin) la concentracin de electrones y huecos justo en los puntos x=a y
x=b vienen dadas por:


( )
( )
( )
( )
p
n
p
n
q
kT
op i
q
kT
on i
q
kT
op i
q
kT
on i
n a n n e
n b n n e
p a p n e
p b p n e

= =

= =

`

= =

= =
)
(22)

Puesto que
0 n p
= podemos escribir las siguientes relaciones:


0
( )
( )
q
op
kT
on
n
n a
e
n b n

= = (23)
y

0
( )
( )
q
on kT
op
p p b
e
p a p

= = (24)

Para
0
=0,6 V y kT=0,025 eV las ecuaciones anteriores dan e
-24
es decir unos 10
-10
. Entonces,
como era de esperar, la relacin de concentracin de portadores minoritarios de un lado de la
regin de deplexin a los portadores mayoritarios del otro lado es un nmero muy pequeo en el
equilibrio.
Cuando se aplica una polarizacin
0
es reemplazado por
0
-Ve y esto se traduce en

0
( )
( ) ( )
( ) ( )
e
q V
on kT
op
p n a p b
e
n b p a p

= = = (25)

Al no existir la condicin de equilibrio estas relaciones no son iguales a
op
on
n
n
y
on
op
p
p
. Adems las
relaciones dependen exponencialmente de la polarizacin Siendo muy grande para polarizacin
directa y muy pequea para inversa.

Usando las ecuac. 23 y 24 para eliminar
0
de la ecuac. 25 nos queda:


( )
( )
e
qV
op
kT
on
n
n a
e
n b n
= (26)
y


( )
( )
e
qV
on kT
op
p p b
e
p a p
= (27)

15

Como ya se ha dicho, todo este anlisis es vlido para bajos niveles de corriente (pequeas des-
viaciones de la condicin de equilibrio) y bajo estas condiciones la mayora de las concentracio-
nes de portadores no es perturbada significativamente. De esta manera tenemos:

( )
on
n b n
( )
op
p a p (28)

entonces las ecuaciones 26 y 27 resultan:

( )
e
qV
kT
op
n a n e = (29)
( )
e
qV
kT
on
p b p e = (30)

Estas ecuaciones nos dejan ver claramente los efectos de la polarizacin. Para polarizacin direc-
ta Ve es mayor que cero y la concentracin de portadores minoritarios en los bordes de la regin
de deplexin n(a) y p(b) se incrementan sobre su valor de equilibrio n
op
y p
on
. Esto es llamado
inyeccin de portadores minoritarios. Bajo polarizacin inversa n(a) y p(b) decrecen y enton-
ces decimos que toma lugar una extraccin de portadores minoritarios.
Las ecuaciones (29) y (30) pueden ser expresadas en trminos del exceso de densidades (recor-
dar el tema III) en los puntos a y b:

0
( ) ( )
p
n a n n a = +

( )
0
1
e
qV
kT
p
n a n e
| |
=
|
\ .
(31)

y:
0
( ) ( )
n
p b p p b = +


0
( ) 1
e
qV
kT
b
p b p e
| |
=
|
\ .
(32)

volver al indice

3) Derivacin de las caractersticas de tensin-corriente.

Hemos establecido que la densidad de portadores en exceso en los bordes de la regin de carga
especial depende exponencialmente de la tensin aplicada. Queda por relacionar la densidad de
corriente con la densidad de portadores en exceso.
Dado que la corriente es contnua nos podemos concentrar en la densidad de corriente en la re-
gin b que ser:
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
e h e e h h
b b
dn dp
J b J b J b qn b E qD qp b E qD
dx dx
= + = + +
como p n >> y
e h
podemos considerar que el tercer trmino es despreciable dado que es
mucho ms pequeo que el primero. Entonces la densidad de corriente de huecos total en el pun-
to b resulta:
16

( )
h h h
b b
dp dp
J b qD qD
dx dx

= =
Ahora bien, si la regin n es suficientemente angosta de manera que la recombinacin sea pe-
quea y si el contacto hmico del lado derecho en x=w no permite que exista exceso de densidad
de portadores de carga la distribucin de ( ) p x puede ser aproximada mediante una lnea recta
como en la Figura 16.

Consecuentemente:
( )
( )
h h
n
p b
J b qD
w

= (33)
La componente electrnica en b es mucho ms difcil de obtener dado que ambos, el campo y
la difusin contribuyen. De todos modos la corriente electrnica en el punto a es por analoga
justamente:

( )
( )
e e
p
n a
J a qD
w

= (34)
y si la regin de carga espacial est suficientemente cercana tanto que la recombinacin es des-
preciable entonces:
( ) ( )
e e
J b J a =
Entonces de las ecuaciones (31) y (34) obtenemos:

0
0
( ) ( ) 1
e
qV
e p
h n kT
e h
p n
qD n
qD p
J J a J b e
w w
| || |
= + = +
| |
|
\ . \ .
(35)
Esta ecuacin se identifica claramente como la ecuacin del diodo ideal:
1
e
qV
kT
s
J J e
| |
=
|
\ .
(36)
donde:

0
0
e p
h n
s
p n
qD n
qD p
J
w w
| |
= +
|
|
\ .
(37)
Hemos remarcado en el tema 4 que J
s
es fuertemente dependiente de la temperatura y la ecuacin
37 nos revela la razn:

2
0
i
n
D
n
p
N
y
2
0
i
p
A
n
n
N

entonces J
s
es proporcional a n
i
2
y sta es altamente dependiente de la temperatura.
volver al indice

17


4) La capacidad de la juntura como funcin de la tensin de polarizacin.

La capacidad puede ser definida como la constante de proporcionalidad entre la carga incremen-
tal adicionada a la estructura y la tensin diferencial aplicada a sa estructura:

dQ
C
dV
=
entonces, cada vez que cambia la polarizacin de la estructura resulta un cambio en la carga al-
macenada en sa estructura y podemos definir y calcular, entonces, la capacidad.
Esto resulta evidente para una juntura p-n dado que un cambio en la polarizacin resulta en un
cambio en el ancho de la regin de deplexin. Causando el correspondiente cambio en la canti-
dad total de la carga espacial. Esto se ilustra en la Figura 17:


Figura 17: Modificacin del ancho de la regin de deplexin como consecuencia del aumente de la tensin de
polarizacin.

La forma ms sencilla de obtener una expresin para la capacidad de la juntura es considerar las
regiones p y n como conductoras y la regin de deplexin como aisladora de espesor
n p
= +
y constante dielctrica .
Si la seccin transversal del diodo es A la estructura puede ser aproximada a un capacitor de pla-
cas planas paralelas cuya capacidad es:


A
C

=

(39)

Ya vimos que:

( )
0
2
e
D A
D A
V
N N
q N N

+
= (40)

De manera que podemos escribir la capacidad como dependiente de la polarizacin segn:


( )
0
1
2
D A
D A e
qN N
C A
N N V

=
+
(41)

18



Notemos que C(V
e
) es una funcin montonamente decreciente para la polarizacin inversa y es
montonamente creciente para la polarizacin directa. Este es un resultado general que se verifi-
ca tambin para junturas no-abruptas y para perfiles dopados no-uniformes. En
0 e
V = la ecua-
cin 41 resulta divergente. Si la capacidad del diodo fuese medida para pequeos valores de po-
larizacin directa se vera que crece rpidamente en las cercanas de
0 e
V = . Una sencilla refle-
xin nos muestra que este resultado no es significativo para nuestro modelo. Para polarizacin
directa y para tensiones tan grandes como
0
el diodo puede conducir grandes corrientes y no se
comporta solamente como un capacitor. Este rgimen requiere de un anlisis mucho ms profun-
do que no consideraremos ahora.
Lo que s es importante es que para pequeos valores de polarizacin directa y para todos los de
polarizacin inversa el diodo s es un capacitor dependiente de la tensin. Este hecho hace a los
diodos muy utilizados como elementos de sintona para receptores de radio, por ejemplo.
Un diodo que es utilizado como capacitor variable recibe el nombre de Diodo Varactor o Diodo
Varicap. La dependencia precisa de la capacidad con la tensin puede ser ajustada dentro de cier-
tos lmites regulando los perfiles dopantes N
D
(x) y N
A
(x). Y esta operacin puede ser simplifica-
da mediante el uso de diodos n
+
p o p
+
n.
En un diodo p
+
n, por ejemplo,
D A
N N >> y la ecuacin 40 se reduce a:


( )
0
2
e
D
V
qN

= (42)

que depende solamente de N
D
y no de N
A
.

Entonces si N
A
es lo suficientemente grande, solamente el perfil de N
D
debe ser ajustado para un
valor especfico de C(V
e
).
El proceso tambin puede ser efectuado de otra manera: Si uno mide C(V
e
) para un diodo n
+
p o
p
+
n, es posible calcular el perfil desconocido de dopante necesario N
D
(x) o N
A
(x) para la regin
menos dopada. Esta tcnica de caracterizacin se conoce con el nombre de Perfilado C-V.
Queda claro de la ecuacin 41 y de la Figura 18 que la capacidad de una juntura p-n no es cons-
tante puesto que depende de la tensin de polarizacin. Esto contrasta con los capacitores norma-
les para los que la carga almacenada vara con la tensin aplicada mientras que la capacidad es
constante.. Adems la capacidad de la juntura tiene una dependencia no-lineal con la tensin
aplicada.

Para ver el significado de esto recordemos la corriente que circula por el capacitor:

dV
i C
dt
=
Si C es una funcin analtica de V podemos desarrollarla en Serie de Taylor respecto de un pun-
to de operacin y tendremos:
La Figura 18 muestra la ca-
pacidad como funcin de la
tensin Ve:
19


2
0 1 2
( ) ... C V C CV C V = + + +
donde los C
i
son coeficientes de expansin.

Supongamos ahora que V es una tensin de alterna de la forma

0
V V sen t =
Entonces, en virtud de la no-linealidad de C(V), la corriente tendr componentes proporcionales
a
2
sen t


Y mediante la identidad trigonomtrica:

( )
2
1
1 cos2
2
sen A A =
vemos que la corriente tendr una componente de frecuencia 2 .

Entonces los elementos no-lineales pueden ser utilizados en la construccin de dobladores de
frecuencia.
Si dos seales de alterna de frecuencias diferentes son superpuestas se obtendr una corriente de
la forma:
2 2 2 2 2
1 1 2 2 1 1 1 2 2 1 2 2
( ) 2 V sen t V sen t V sen t VV sen tsen t V sen t + = + +


es fcil de ver que esto nos dar corrientes con componentes de frecuencias
1 2 1 2 1 2
2 , 2 , , y + . Las ltimas dos frecuencias son las componentes mezcladas y
tienen mltiples aplicaciones en la electrnica de comunicaciones. Los dobladores y mezcladores
no pueden ser realizados mediante elementos puramente lineales.
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D) Ruptura.
Como ya se vio en el tema IV los diodos pueden soportar arbitrariamente altas tensiones de po-
larizacin inversa. Para una cierta tensin crtica V
B
conocida como tensin de ruptura el diodo
comienza a conducir corriente.
Existen dos mecanismos fundamentales por los cuales se produce la ruptura pero ambos estn
relacionados con la existencia de campos elctricos extremadamente grandes en la regin de de-
plexin.
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El mecanismo de avalancha.
La regin de deplexin an contiene algunos electrones y huecos generados trmicamente. Ade-
ms, debido a la polarizacin inversa existen algunos electrones y huecos que son difundidos
desde las regiones p y n hacia la regin de agotamiento. Estos portadores son acelerados por el
campo elctrico de la regin de deplexin y, cuando el campo es muy grande pueden adquirir
muy alta velocidad. De hecho, para campos suficientemente grandes los portadores adquieren
suficiente energa cintica como para romper los enlaces covalentes al colisionar con los tomos
de la estructura cristalina. Cada enlace roto contribuye con, al menos, un par electrn-hueco adi-
cional los que son nuevamente acelerados causando tambin ruptura de enlaces. El resultado es
una reaccin en cadena o efecto avalancha en el que la concentracin de portadores (y por lo
tanto la corriente) rpidamente toma altos valores. El hecho de que una mnima cantidad de
energa bien definida se requiera para romper los enlaces nos da un umbral y un campo elctrico
crtico para la ruptura de avalancha. Este hecho nos da cuenta para la forma brusca que se obser-
va para la avalancha en las caractersticas I-V de un diodo. Desde el punto de vista de la conser-
vacin de la energa se podra suponer que cualquier portador energtico rompera un enlace
20

siempre que posea una energa cintica mayor o igual que Eg. esto no es cierto generalmente . En
las colisiones, se deben conservar ambas, la energa mecnica y el momento; Cuando se conside-
ra la conservacin del momento, la condicin de umbral requiere que la energa cintica sea ma-
yor o igual que AEg donde A es generalmente >1 y vale aproximadamente 1,5 para el Si.
volver al indice

El mecanismo Zener.
Para bajos niveles de dopantes (digamos N
D
o N
A

18 3
10 cm

) la ruptura ocurre generalmente


por el mecanismo de avalancha pero para diodos altamente dopados un segundo efecto debe ser
considerado. Ya vimos que la regin de deplexin tiene un ancho dado por:

( )
0
2
e
D A
D A
V
N N
q N N

+
= (43)
Y el campo elctrico en la juntura, E
max
est dado por:

( )
0
max
2
e
A D
A D
q V
N N
E
N N


=
+
(44)
Entonces para valores suficientemente grandes de N
A
y N
D
, ser muy pequeo y E
max
se har
muy grande an para valores modestos de tensin de polarizacin. El ancho de la regin de de-
plexin se hace tan pequeo, entonces, que los portadores pueden viajar a travs de ella teniendo
una insignificante probabilidad de colisionar con los tomos del cristal como para iniciar una
avalancha. A estos niveles de dopantes, E
max
se hace tan grande que comienza a polarizar los
enlaces, estirndolos, llevando los electrones hacia el lado +y los tomos hacia el lado del
cristal. Cuando este estiramiento no se soporta, se rompe el enlace generndose un par de elec-
trones-huecos y en consecuencia una corriente de ruptura. Para que el efecto Zener tenga lugar
las bandas deben estar muy curvadas en una distancia muy pequea, como se ve en la Figura 19.
Notemos que cuando las bandas estn fuertemente curvadas, Eg(x) permanece constante pero la
banda de valencia electrnica en x
1
est separada por una muy pequea distancia de la banda de
conduccin para el estado de igual energa, en x
2
. Esto se puede ver mediante las ideas dadas por
la mecnica cuntica que establecen que en los estados por x
1
y x
2
separados por una barrera (la
banda prohibida) un electrn en x
1
puede pasar por un tnel a travs de la barrera y alcanzar x
2

siempre que la barrera sea suficientemente delgada.


Figura 19: Una ilustracin del efecto tnel en un Zener.

Una forma alternativa de ver el efecto Zener, es, en vez de decir que los enlaces son estirados y
rotos es decir que el elevado campo elctrico permite que los electrones atraviesen la banda
prohibida mediante un tnel crendose un par electrn-hueco.
Con este punto de vista estamos en condiciones de comprender el funcionamiento de diodos es-
peciales entre los que podemos citar el Diodo Tnel.
21

La Figura 20 nos muestra la tensin de ruptura como funcin del nivel de dopantes para diodos
planares abruptos de Si a 300K. Como ya se mencion, el efecto Zener de avalancha se hace
significante solamente a altos niveles de dopado. En base a esto podemos decir que cualquiera de
los llamados diodos reguladores Zener con tensiones de ruptura superiores a los 7-8 V son dio-
dos de avalancha.
Para otros materiales que no sean Si los mismos mecanismos de ruptura se aplican pero las ten-
siones de ruptura para los distintos niveles de dopantes variarn con el tamao de la banda
prohibida.


Figura 20 Tensin de ruptura Vs. Concentracin de dopantes a 300K.

Una expresin universal aproximada para V
B
es:

3/4
3/2
16
10
( ) 60
1,1
B
i
Eg
V Voltios
N
| |
| |
=
|
|
\ .
\ .
(45)
donde Eg est dado en eV y N en cm
-3
. Para Si con N=10
16
cm
-3
nos da: V
B
=60 V. Lo que con-
cuerda con la Figura 20.
volver al indice

E) Contactos Metal-Semiconductor en los diodos Schottky.
Queda claro que para poder utilizar cualquier dispositivo semiconductor es necesario establecer
algn contacto entre un metal y el semiconductor con el fin de permitir el flujo de corriente.
Normalmente esto se efecta mediante la deposicin de relativamente grandes reas metlicas
directamente en contacto con el semiconductor y luego uniendo estas reas con los conductores
metlicos necesarios.

Figura 21: Mtodo tpico para conectar terminales a un dispositivo semiconductor

En esta seccin analizaremos qu ocurre con el comportamiento de la interfase metal-
semiconductor y nos referiremos a esta interfase como contacto metal-semiconductor.
En el Tema V vimos que existe un potencial interno o potencial de contacto entre dos materiales
diferentes.
22

Nos referimos a materiales diferentes cuando stos poseen energas de Fermi Ef distintas antes
del contacto. Cuando tales materiales son puestos en contacto, las cargas mviles fluyen desde el
material de ms alta Ef al de ms bajo valor. De lo que resulta una alineacin de las energas de
Fermi y la aparicin del potencial interno.
La Figura 22 ilustra este proceso para un contacto metal-semiconductor tipo n. En el dibujo de la
Figura 22 hemos asumido que la energa de Fermi del metal tiende a un valor de energa ubica-
do en algn lugar de la banda prohibida del semiconductor. Esta es la situacin actual para mu-
chos pares comunes de metal-semiconductor.
Como se ve en la Figura 22, los electrones son transferidos desde el semiconductor al metal,
dando al metal una carga neta negativa y dejando atrs, en el semiconductor, donadores ioniza-
dos positivos.
Este problema puede ser resuelto analticamente mediante la misma formulacin matemtica
que fue utilizada para la juntura p-n. El resultado es la formacin de una regin de deplexin
cuyo ancho viene dado por:

2
bi
n
D
V
qN

= (46)
donde
bi
V es llamado potencial interno que es similar a
0
en una juntura p-n.
En principio
bi
V debera obtenerse a partir de la diferencia inicial de las energas de Fermi. En la
prctica, ello depende de las propiedades electrnicas de la superficie del semiconductor y de la
preparacin de la superficie del metal antes de la deposicin metlica.
Tpicamente,
2
3
bi
qV Eg para semiconductores tipo n.




Figura 22 a : Metal y semiconductor antes del contacto. La flecha indica el flujo de
electrones luego del contacto para reestablecer el equilibrio.

En la Figura 22b. Podemos ver que una barrera existe en la interfase metal-semiconductor.
Igual que en la juntura p-n podemos subir o bajar esta barrera aplicando una polarizacin ex-
terna.

23


Figura 22 b : Diagramas de bandas de energa ilustrando la Formacin de un contacto
metal-semiconductor.
En la Figura 23 se ven los dos modos de polarizacin del contacto metal-semiconductor y se
puede observar que este contacto acta como un Diodo Schottky

Figura 23: Diodo de barrera Schottky bajo polarizacin.

La barrera en la interfase metal-semiconductor es llamada barrera Schottky y los contactos as
formados metal-semiconductor son utilizados como diodos y llamados Diodos Schottky. Tales
diodos pueden ser producidos con materiales tipo p o tipo n pero generalmente son ms eficien-
tes los del tipo n.
En un diodo Schottky tipo p, el potencial interno V
bi
es tpicamente
1
3
bi
qV Eg , esto hace que
la barrera sea solamente la mitad de alto que para materiales tipo n, y su eficacia y comporta-
miento como diodo se reduce. De todas maneras algunas explicaciones han sido propuestas para
las variaciones observadas en el alto de la barrera Schottky, ningn modelo ha sucedido a la in-
vestigacin experimental y se mantiene la investigacin activa en el rea (hablamos del ao
1978).
Hemos establecido que uno de las ms importantes caractersticas de los diodos Schottky es que
son dispositivos de portadores mayoritarios. Esto y sus consecuencias pueden ser entendidas
comparando los diodos Schottky con los diodos de juntura pn.
En un diodo pn la polarizacin directa causa la inyeccin de portadores minoritarios que varan
exponencialmente con la tensin aplicada a la juntura. Si la tensin de juntura es desconectada
bruscamente, la corriente no cae instantneamente a cero pero decae exponencialmente hasta que
todos los portadores minoritarios inyectados se hayan recombinado. Entonces, la corriente decae
24

con un tiempo caracterstico igual a la vida media de los portadores minoritarios. Esto es llamado
el efecto de almacenamiento de carga, y el tiempo requerido para neutralizar la carga alma-
cenada es llamado tiempo de almacenamiento o tiempo de recuperacin del diodo.
Un diodo de Si pn diseado especficamente para recuperacin rpida, puede requerir varios na-
nosegundos para que la corriente decaiga desde 100 mA hasta menos de 1 mA. La gran superfi-
cie de la juntura de colector de un transistor de potencia puede exhibir efectos de almacenamien-
to de carga que persisten por cientos de milisegundos. Consideraremos ahora el comportamiento
contrastante de un diodo Schottky.
La Figura 23.a muestra el diagrama de energa de bandas para un diodo Schottky (en un semi-
conductor tipo n) bajo polarizacin directa. Notemos que de manera diferente a la juntura pn las
barreras de electrones y huecos no son simtricas. En particular la barrera que impide la inyec-
cin electrnica en el metal adquiere un mximo abrupto en la interfase y luego cae, es decir,
tiene un espesor finito.
En modelos ms detallados se ve que esta barrera electrnica est algo redondeada en la cima y
es levemente menor que la mostrada en la Figura 23.a. El espesor finito de la barrera electrnica
permite que una cantidad significativa de electrones atraviese por efecto tnel desde el semicon-
ductor hacia el metal. Esto, combinado con una altura de barrera menor para la inyeccin Elec-
trnica permite que la mayora de la corriente sea transportada por electrones y que esa corriente
se haga significativa a menores valores de polarizacin que para la juntura pn.
Tpicamente los valores de tensin de arranque para diodos Schottky de Si estn en el orden de
los 0,3 a 0,4 V (comparado con los 0,6 V para diodos pn)
Consideremos ahora que ocurre con los electrones inyectados una vez que estn en el metal; da-
do que no hay banda prohibida en el espectro de niveles de energa de un metal, los electrones no
tienen que esperar a encontrar huecos para recombinarse; ellos rpidamente pierden el exceso de
energa a travs de colisiones (proceso que es denominado Termalizacin) y unifican as la
distribucin trmica de electrones en el metal. Este proceso requiere solamente algunos picose-
gundos para efectuarse y es extremadamente rpido comparado con la recombinacin. Cuando
una polarizacin externa es desconectada, la corriente en el diodo Schottky cae mucho ms rpi-
do que un diodo pn.
La caracterstica I-V de un diodo Schottky cuidadosamente construido puede ser representada
exactamente por la ecuacin del diodo ideal:
1
qV
kT
s
I I e
| |
=
|
\ .

Dado que la barrera se reduce para la inyeccin de portadores mayoritarios, la corriente de satu-
racin inversa,
s
I , es tpicamente varios rdenes de magnitud ms grandes que para el diodo de
juntura pn de dimensiones comparables, lo que se ilustra en la Figura 24.


Figura 24: Comparacin entre las caractersticas I-V de un diodo pn y uno Schottky. El diodo Schottky
tiene una menor tensin de arranque y una mayor corriente de saturacin inversa.

25

Ocurre ahora que los contactos Schottky no sean los adecuados para la aplicacin mencionada en
el principio de la seccin: posibilitar el flujo de corriente en el dispositivo. Para este propsito
necesitamos contactos Ohmicos con caractersticas I-V simtricas. La Ecuacin 44 provee una
pista de cmo los contactos Ohmicos pueden ser obtenidos. Si la superficie del semiconductor
est fortsimamente dopada,
n
ser muy pequeo y la barrera Schottky muy delgada. A niveles
dopantes >10
19
cm
-3
la barrera es suficientemente delgada para que los portadores puedan tune-
lizarla en cualquier direccin igual para muy pequeos valores de polarizacin y entonces el
comportamiento Ohmico es obtenido.
La estrategia para la formacin de contactos Ohmicos entonces, es dopar la superficie semicon-
ductora fuertemente con dopantes mayoritarios en el rea donde el contacto va a ser formado. La
Figura 25 muestra la transicin desde el estado de diodo al comportamiento Ohmico como una
funcin del nivel de dopante de la superficie.

Figura 25: Las caractersticas I-V para un contacto Metal-Semiconductor como una funcin del nivel de
dopante bajo el metal. El nivel dopante se incrementa de A a C.
volver al indice

F) Los diodos reales y su modelizacin.

Al final del Captulo 4 algunas cuestiones fueron expuestas las que no tenan respuesta sin ver la
estructura interna y mecanismo de operacin de un diodo; no responderemos a todas esas pre-
guntas en detalle pero proveeremos respuesta parcial a las que nos muestra como comprender al
dispositivo mediante mejores modelos.

Refirindonos al Captulo 4 las respuestas son:

1-- Tanto como la dependencia de temperatura de cualquier parmetro dependiente de la tempe-
ratura, el modelo debe permanecer vlido. El parmetro ms dependiente de la temperatura es n
i
.
Otros parmetros que necesitan ser revisados son
0
, , , ,
n p e h
D D y V
B
. Para grandes
desviaciones de la temperatura ambiente uno podra esperar que E
g
decrezca linealmente con una
relacin de aproximadamente 10
-4
eV/K, a pesar de la pequea cada de E
g
la tensin de ruptura
se incrementa con el aumento de temperatura. Debido al incremento de n
i
la corriente de satura-
cin inversa I
s
se incrementa tambin con la temperatura.

2-- El efecto ms obvio que puede ser tomado en cuenta cuando se considera la respuesta en al-
terna de un diodo es la capacidad de la regin de deplexin. En el captulo IV hemos considerado
al diodo como un circuito abierto para la polarizacin inversa. En este captulo hemos visto que
un mejor circuito equivalente consistira en un capacitor C(Ve) para polarizacin inversa. Esto
26

nos deja un circuito abierto para la contnua pero nos da una impedancia finita
1
Z
j C
= para
seales de frecuencia . Obviamente a suficientemente altas frecuencias Z se hace muy peque-
o y el diodo conduce en la direccin inversa de polarizacin (acompaado, por supuesto, de un
cambio de fase de 90 representado por j de la ecuacin).
Bajo polarizacin directa el diodo comienza a conducir corriente contnua y puede ser modeliza-
do mediante una conductancia como se discuti en el tema IV seccin D. Para baja frecuencia de
operacin este modelo simple es adecuado pero a altas frecuencias la capacidad de la regin de
deplexin debe ser incluida en paralelo con la conductancia causando que la corriente alterna se
retrase respecto de la tensin. De la discusin en la seccin E podemos esperar otro retraso cau-
sado por el almacenamiento de cargas; este efecto puede ser modelado agregando otro capacitor
llamado capacitancia de difusin.
Entonces obtenemos un razonablemente completo equivalente circuital mostrado en la Figura 26.
los valores de los parmetros circuitales g (conductancia directa), C (capacitancia de deplexin),
Cd (capacitancia de difusin), dependen del punto de operacin del diodo. Una resistencia serie
Rs ha sido agregada para tener en cuenta la resistencia de contactos y la resistencia de la estruc-
tura semiconductora no deplectada.


Figura 26: Circuito equivalente para un diodo.

3-- Los modelos son vlidos para cualquier semiconductor utilizado proveyendo los apropia-
dos parmetros de los materiales (Eg, n
i
, ,
e
,
h
etc.).

4-- La ecuacin 35 de este tema nos da la densidad de corriente de saturacin, J s, en trminos
de los parmetros fundamentales. La corriente de saturacin, Is, es justamente Is =AIs donde
A es la seccin transversal del diodo. Como se vio en el Captulo 4, Vo del modelo lineal
por tramos es arbitraria pero est relacionada claramente con
0
la cual depende de N
D
, N
A
,
y n
i
. La tensin de ruptura depende de Eg y del nivel de dopantes.
La Figura 20 nos muestra que es posible obtener tensiones de ruptura de hasta 1000V con
diodos levemente dopados. Los valores entre 400 y 500 V son de rango comn y para obte-
ner diodos de ms de 1000V se pueden colocar en serie.
El valor de Is depende de varios parmetros incluyendo el rea y la temperatura.

5 y 6 Estas respuestas solamente pueden ser resueltas comparando el comportamiento me-
dido de un diodo real con los valores calculados o predichos.
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27

Apndice:

La ecuacin de Poisson y la regin de carga espacial

La forma diferencial de la Ley de Gauss es:

E

=

(1)
Esta ecuacin nos dice que las fuentes del campo elctrico E

son las cargas contenidas en la


densidad de carga ; es decir: las lneas de campo elctrico comienzan y terminan solamente en
cargas y no en los lugares en que =0. Combinando la ecuacin (1) con la definicin del poten-
cial electrosttico:
E =

(2)
nos da:

2

(3)

Esta es conocida como la Ecuacin de Poisson. En general, ambos, y son funciones de tres
coordenadas espaciales y puede ser tambin funcin de . Por esto la ecuacin de Poisson
suele ser muy difcil y hasta imposible de resolver exactamente.
A pesar de los problemas prcticos que plantea el intentar resolver la ecuacin de Poisson, es una
ecuacin importante de la electrosttica y frecuentemente nos provee del punto de partida para
atacar problemas de la fsica de los semiconductores..
Como un ejemplo, consideremos el problema electrosttico de una juntura pn. No podemos pen-
sar en encontrar la neutralidad de carga espacial en todos los puntos, de manera que podemos
escribir la siguiente expresin para la densidad de carga espacial neta:
( ) ( )
o D o A
x q p N n N = + (4)
Sabemos que N
D
y N
A
son funciones de x pero p
o
y n
o
varan dependiendo del valor local que
toma ( ) x .
De hecho: hemos visto en el tema V las ecuaciones que dan ambos valores:


q
kT
o i
q
kT
o i
n n e
p n e

=

`

=
)
(5)
de manera que la ecuacin (3) para el caso unidimensional viene dada como:
(

+ =

) ( ) ( ` `
) ( ) (
2
2
x N x N e n e n
q
dx
d
A D
kT
x q
i
kT
x q
i

(6)
En principio, esta ecuacin puede ser resuelta para ( ) x y con ( ) x podemos obtener E(x),
n
o
(x), p
o
(x), etc. Pero desafortunadamente, la ecuacin (6) no puede ser resuelta exactamente por
lo que hay que recurrir a la solucin computacional (numrica) o efectuar aproximaciones. Las
soluciones numricas del problema de la juntura abrupta nos da resultados tales como los grafi-
cados en las Figuras 2,3,5 y 6 del tema VI y tambin provee la justificacin a la aproximacin de
la deplexin.
Evidentemente, la dificultad para resolver la ecuacin (6) se radica en las exponenciales del lado
derecho.
De las soluciones numricas, sabemos que se pueden identificar cinco regiones en la juntura pn:
28

1. Un volumen neutro en la regin p.
2. Una regin de transicin alrededor de
p
x (donde
p
no tiene un significado preciso
todava).
3. Una regin de carga espacial alrededor de x=0.
4. Una segunda regin de transicin alrededor de
p
x
5. Un Volumen neutro en la regin n.

Estas regiones se pueden observar en la Figura 1.


Figura 1: Ilustracin de las 5 regiones en una juntura pn y las correspondientes densidades de carga determi-
nadas por la solucin numrica de la ecuacin (6).
Si comparamos esta Figura con las ecuaciones (4) o (6) se ve que solamente las regiones II y IV
tendremos dificultades. En estas regiones las exponenciales no pueden ser canceladas o nos que-
dan extremadamente pequeas y ello nos conduce a una ecuacin diferencial no lineal de segun-
do orden para resolver. Es posible, frecuentemente hacer aproximaciones que linealizan la ecua-
cin y podemos entonces conseguir resultados analticos aproximados.
Para ilustrar esta posibilidad, consideremos la naturaleza de la solucin en los bordes de las re-
giones II y IV.
p
= En la regin I tenemos
p
cte = =
En la regin II se inicia el cambio. Hagamos:
( ) ( )
p
x x = +
donde ( ) x representa la pequea desviacin inicial de
p
= .
Entonces, la ecuacin (6) nos quedar:

2
2
2
2 2
( )
p
q
q
p
x kT
i A
d
d x q
n e e N
dx dx

+ = (
(


Como hemos dicho que es pequeo, podemos escribir:



1


de manera que :
Regin p Regin n
29

1
q
q
kT
e
kT


por lo que tenemos:

2
2
2 2
2 2
( )
p p
q q
p
x kT
i A i
d
d x q q
n e N n e
dx dx kT

+ = + (
(


pero:

2
2
p
q
p
kT
i A
d
q
n e N
dx

(
=
(
(


y:

A
q
p
kT
n e p N
i

=
Entonces:

2 2
2
A
d q N
dx kT

= (7)

esta es una ecuacin lineal que puede ser resuelta para ( ) x .

La ecuacin (7) suele ser escrita como:


2
2 2
D
d
dx L

= (8)

donde:

2
D
A
kT
L
q N

= (9)
es llamada Longitud extrnseca de Debye.

Habiendo investigado la transicin entre las regiones IV y V se han encontrado similares resulta-
dos con N
D
sustituido por N
A
en la ecuacin (9).
Las soluciones para la ecuacin (8) son exponenciales de la forma:


D
x
L
e



Entonces, cuando empieza a desviarse del valor constante, lo hace exponencialmente (muy
rpidamente) con una longitud caracterstica L
D
.
La Tabla I nos da algunos valores para L
D
en Si a 300K. De esta tabla se ve que para niveles
normales de dopantes (digamos 10
15
cm
-3
) L
D
es una distancia extremadamente corta.


ND o NA (cm
-3
) LD
10
13
1,5
10
14
0,4
30

10
15
0,15
10
16
400
10
17
150
10
18
40


Nuestras soluciones son solamente vlidas para pequeos valores de , pero ello sugiere que las
regiones de transicin II y IV son muy angostas. Soluciones numricas confirman este hecho
revelando que los anchos de estas secciones estn entre 3 y 5 longitudes de Debye.
Hemos visto que los anchos de la regin de deplexin del lado p estaba dado por:

( )
0
2
D
p
A D A
N
q N N N

=
+

y tambin sabemos que:

0
2
ln
A D
i
kT N N
q n
=
y adems

2
D
A
kT
L
q N

=


Combinando estas ecuaciones y asumiendo que N
D
=N
A
podemos escribir:

2,3log
p
A A
n
D i i
N N
L n n
= =


Entonces, si N
A
=10
15
cm
-3
y n
i
= 10
10
cm
-3
(un caso malo) obtendremos: 11,5
p
D
L

.

Para altos niveles de dopantes, L
D
se hace ms y ms despreciable respecto de
p
y la aproxima-
cin de deplexin se hace ms razonable.



Titulo Original:
Lecture Notes
ECE240 Electronic Devices - J.D. Wiley and J. E. Nordman
Compaginado, editado y traducido por:
Lic. Eduardo J. Ricciardi
Profesor Adjunto de Fsica Del Estado Slido
2do Cuatrimestre - Ao 2014.



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