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SECRETARA DE EDUCACIN PBLICA

DIRECCIN GENERAL DE EDUCACIN SUPERIOR


TECNOLGICA



INSTITUTO TECNOLGICO DE VERACRUZ


Trabajo de investigacin: Clasificacin de Memorias


Alumno:
Lara Jcome Valdemar


Clave y Materia: 6T4 Microcontroladores
Hora: 12:00 -13:00
Profesor: Mndez Gamboa Marcos Alonso






Fecha: 29/septiembre/2014



H. VERACRUZ, VER. Agosto-Diciembre 2014


CLASIFICACIN DE MEMORIAS
Objetivos
Comprender y utilizar en forma correcta la terminologa asociada con los
sistemas de memoria.
Describir la diferencia entre memoria de lectura/escritura y memoria de slo
lectura.
Hablar sobre la diferencia entre memoria voltil y no voltil.
Explicar la diferencia entre SRAM y DRAM.
Comparar las ventajas y desventajas relativas de la EPROM, EEPROM y la
memoria flash.
Describir los tipos especiales de memorias, como las LIFO y FIFO.
Describir la diferencia entre los discos magneto-pticos y magnticos.
Introduccin
Una de las principales ventajas de los sistemas digitales sobre los analgicos es su
habilidad para almacenar con facilidad grandes cantidades de informacin y datos
digitales, durante periodos cortos y largos. Esta capacidad de memoria es lo que hace a
los sistemas digitales tan verstiles y adaptables a muchas situaciones.
Los registros de FF son elementos de memoria de alta velocidad, los cuales se utilizan
mucho en las operaciones internas de una computadora digital, en donde la informacin
digital se desplaza continuamente de una ubicacin a otra. Los avances en las
tecnologas LSI y VLSI han hecho posible colocar grandes cantidades de FFs en un solo
chip, ordenados en diversos formatos de arreglos de memoria. Estas memorias son los
dispositivos de memoria ms veloces disponibles, y su costo se ha ido reduciendo en
forma continua, a medida que mejora la tecnologa LSI.
Los datos digitales tambin pueden almacenarse como cargas en capacitores; y un tipo
muy importante de memoria semiconductora utiliza este principio para obtener un
almacenamiento de alta densidad con niveles bajos de requerimiento de energa.
Las memorias semiconductoras se utilizan como memoria principal de una computadora
(figura 1), en donde la operacin rpida es importante. La memoria principal est en
comunicacin constante con la unidad central de procesamiento a medida que se ejecuta
un programa de instrucciones. La RAM y la ROM forman esta memoria principal.
La memoria auxiliar es otra forma de almacenamiento en la computadora (figura 1), esta
memoria auxiliar est separada de la memoria de trabajo principal y tiene la capacidad de
almacenar cantidades masivas de datos, sin necesidad de energa elctrica. Opera a una
velocidad mucho ms lenta que la memoria principal; almacena programas y datos que la
CPU no utiliza en ese momento.

Figura 1.- Un sistema computacional utiliza por lo general, memoria principal de
alta velocidad y memoria auxiliar externa ms lenta.
CONEXIONES ENTRE CPU Y MEMORIA
La memoria principal de una computadora est compuesta por CIs tipo RAM y ROM, los
cuales se conectaran a la CPU a travs de tres grupos de lneas de seal o buses, los
cuales se representan en la figura 2 como:
Bus de direccin. Este bus unidireccional transporta las salidas de la direccin
binaria del CPU hacia los CIs de memoria, para seleccionar una ubicacin de
memoria.
Bus de datos. Este bus bidireccional transporta los datos entre el CPU y los CIs
de memoria.
Bus de control. Este bus transporta las seales de control (tales como la seal
R/W) desde el CPU hacia los CIs de memoria.
Cada uno de estos buses consiste de varas lneas, y el nmero de lneas en cada bus
varia de una computadora a otra.



Figura 2.- Tres buses conectan a las CIs de la memoria principal con la CPU.
OPERACIONES BSICAS DE LAS MEMORIAS
Operacin de escritura
Para almacenar un byte de datos en memoria, se introduce en el bus de direcciones un
cdigo que se encuentra almacenado en el registro de direcciones, una vez que el cdigo
de direccin est ya en el bus, el decodificador de direcciones decodifica la direccin y
selecciona la posicin de memoria especificada. La memoria recibe entonces una orden
de escritura y os datos almacenados en el registro de datos se introducen en el bus de
datos y se almacenan en la direccin de memoria especificada, completndose as la
operacin de escritura. Cuando se escribe un nuevo byte de datos en una direccin de
memoria, se sobrescribe y destruye el byte de datos almacenado actualmente en esa
direccin.
Operacin de lectura
Se introduce en el bus de direcciones un cdigo almacenado en el registro de direcciones,
una vez que el cdigo de direcciones se encuentra en el bus, el decodificador de
direcciones decodifica la direccin y selecciona la posicin especificada de la memoria. La
memoria recibe entonces una orden de lectura, y una copia del byte de datos almacenado
en la direccin de memoria seleccionada se introduce en el bus de datos y se carga en el
registro de datos, finalizando as la operacin de lectura.

MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
La memoria de solo lectura es un tipo de memoria semiconductora que mantiene de forma
permanente o semipermanente los datos almacenados, que pueden ser ledos de la
memoria pero, o no se pueden cambiar en absoluto, o se requiere un equipo especial
para ello. Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en las aplicaciones,
tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para la inicializacin y el
funcionamiento de un sistema. Las ROM mantienen los datos almacenados cuando se
desconectan la alimentacin y son por tanto, memorias no voltiles.
Al proceso de introducir datos se le llama programacin o quemado de la ROM. Algunas
ROM no pueden cambiar sus datos una vez programadas; otras pueden borrarse y
reprogramarse tantas veces como se requiera.
ARQUITECTURA DE LA ROM
Hay cuatro partes bsicas arreglo de registros, decodificador de fila, decodificador de
columna y bferes de salida.

Figura 3.- Arquitectura de una ROM de 16x8. Cada registro almacena una palabra de
ocho bits.
Arreglo de registros
En arreglo de registros almacena los datos que se programan en la ROM. Cada registro
contiene varias celdas de memoria que equivalen al tamao de palabra. En este caso,
cada registro almacena una palabra de ocho bits.
Decodificacin de direccin
Determina que registro en el arreglo se habilitar para colocar su palabra de datos de
ocho bits en el bus. Solo habr un registro en la fila y la columna seleccionadas por las
entradas de direccin.
Bferes de salida
El registro que se habilite mediante las entradas de direccin colocar sus datos en el bus
de datos. Estos datos se alimentan hacia los bferes de salida, los cuales pasarn esos
datos hacia las salidas de datos externas, siempre y cuando CS (seleccin del chip)
permanezca en BAJO. Si CS cambia a ALTO, los bferes de salida se colocarn en el
estado Hi-Z y las salidas D
7
a D
0
estarn flotando.

TIPOS DE ROMS
ROM programada por mscara
Es una memoria programada de forma permanente durante el proceso de fabricacin,
para proporcionar funciones estndar de uso extendido, tales como conversiones
populares, o para proporcionar funciones especificadas para el usuario.
El proceso utiliza una mscara para depositar metales en el silicio, los cuales determinan
en dnde se forman las conexiones de una manera similar al uso de patrones y pintura en
aerosol, pero en una escala mucho ms pequea. La mscara es muy precisa y costosa,
y debe fabricarse de manera especfica para el cliente, con la informacin binaria correcta.
En consecuencia, este tipo de ROM es econmica slo cuando se van a fabricar muchas
ROMs con la misma informacin exacta.
Por lo general, a las ROMs programadas por mscara se les conoce slo como ROMs.
ROMs programables (PROMs)
Las PROM utilizan un mecanismo de fundicin que el usuario manipula segn sus
necesidades, donde un hilo de memoria se funde o queda intacto para representar un 1 o
un 0. El proceso de fundicin es irreversible.
Los tres tipos bsicos de tecnologas de fusibles utilizados en las PROM son:
Conexiones de metal: se realizan con materiales como nicromo. Cada bit de la
matriz de memoria se representa mediante una conexin separada. Durante la
programacin, la conexin puede fundirse o quedar intacta. Bsicamente esto se
realiza direccionando primero una determinada celda, y luego aplicando una
cantidad de corriente suficientemente alta como para hacer que la conexin se
abra.
Conexiones de silicio: estn constituidas por tiras estrechas y alargadas de
silicio policristalino. La programacin de estos fusibles requiere que las conexiones
se funda por el paso de una cantidad de corriente adecuado a travs de ellas. Esta
cantidad de corriente hace que aumente la temperatura en el fusible, lo que origina
que se oxide el silicio, formando un aislante alrededor de la conexin que ahora
est abierta.
Uniones PN: consiste bsicamente en dos uniones PN dispuestas una frente a la
otra. Durante el proceso de programacin, una de las uniones de los diodos entra
en avalancha, y el voltaje y el calor resultantes hacen que los iones de aluminio
migren y cortocircuiten la unin. La unin restante se utiliza posteriormente como
diodo polarizado en directa para representar un bit de datos.

Figura 4.- Las PROMs utilizan enlaces de fusible; el usuario puede abrir estos enlaces en
forma selectiva para programar un 0 lgico en una celda.



ROM programable y borrable (EPROM)
A diferencia de una PROM ordinaria, una EPROM puede ser reprogramada si antes se
borra el programa existente en la matriz de memoria. Una vez programada, la EPROM es
una memoria no voltil que almacenar sus datos en forma indefinida.
Los dos tipos de fundamentales de memorias PROM borrables son:
UV EPROM: se puede reconocer por la ventana de cuarzo transparente de su
encapsulado, como se muestra en la figura 4. La puerta aislada del FET de una
EPROM ultravioleta est flotando dentro del material xido aislante. El proceso de
programacin hace que los electrones sean eliminados de la puerta flotante. El
borrado se realiza mediante la exposicin del chip de la matriz de memoria a una
radiacin ultravioleta de alta intensidad, a travs de la ventana de cuarzo en la
parte superior del encapsulado. La carga positiva almacenada en la puerta
neutraliza despus de un periodo de tiempo se entre unos minutos una hora de
exposicin. Las principales desventajas de las UV-EPROMs son que deben
removerse del circuito para programarse y borrarse.

Figura 5.- encapsulado de una UV-PROM
Las desventajas de la EPROM se solucionaron con el desarrollo de la PROM programable
y borrable elctricamente.
EEPROM: las PROM borrables elctricamente se pueden borrar y programar
mediante impulsos elctricos, esto logra que las EEPROM se pueden programar
rpidamente dentro del propio circuito final con fines de reprogramacin. La
capacidad de borrar bytes de la EEPROM y su alto nivel de integracin incurren en
dos faltas: densidad y costo. Una EEPROM de 1 Mbit requiere casi el doble de
silicio que una EPROM de 1 Mbit.
CD-ROM
El disco compacto (CD) es un tipo muy prominente de almacenamiento de slo lectura
que se utiliza en la actualidad en los sistemas computacionales.
Los discos se fabrican con una superficie altamente reflectiva. Para almacenar datos en
los discos, un rayo lser muy intenso se enfoca en un punto muy pequeo del disco. Este
rayo quema un pozo difractor de luz en ese punto de la superficie del disco. Los datos
digitales se almacenan en el disco un bit a la vez, mediante el proceso de quemar o no
quemar un pozo en el recubrimiento reflectivo. La informacin digital se ordena en el disco
como una espiral continua de puntos de datos.
Para poder leer los datos se enfoca un rayo lser mucho menos poderoso, que el utilizado
para almacenar, en la superficie del disco. En cualquier punto, la luz reflejada se detecta
ya sea como un 1 o como un 0.

MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO RAM
Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o leer
en cualquier direccin seleccionada en cualquier secuencia. Cuando se escriben los datos
en una determinada direccin de la RAM, los datos almacenados previamente son
remplazados por la nueva unidad de datos. Cuando una unidad de datos se lee de una
determinada direccin de la RAM, los datos de esa direccin permanecen almacenados y
no son borrados por la operacin de lectura. La RAM se utiliza en las computadoras para
el almacenamiento temporal de programas y datos. La principal desventaja de la RAM es
que es voltil y perder toda la informacin almacenada si se interrumpe o se desconecta
la energa.
Desde luego que la principal ventaja de la RAM es que se puede escribir en ella y leer de
ella con la misma rapidez y facilidad.
TIPOS DE RAM
RAM ESTTICA (SRAM)
Todas las RAM estticas se caracterizan por las celdas de memoria latch. Cuando se
aplica alimentacin continua a una celda de memoria esttica se puede mantener un
estado 1 o 0 indefinidamente. Si se retira la alimentacin, el bit de datos almacenado se
perder. En esencia, las celdas de memoria de la RAM esttica son flip-flops que
permanecern en un estado dado de manera indefinida, siempre y cuando no se
interrumpa la energa del circuito.
Existen dos tipos:
SRAM ASINCRONA BASICA: es aquella que su funcionamiento no est
sincronizado con un reloj de sistema
SRAM SINCRONA DE RAFAGA: a diferencia de la asncrona, una SRAM
sncrona est sincronizada con el reloj del sistema, es decir, utiliza registros con
seal de reloj para sincronizar todas sus entradas con el reloj del sistema.

RAM DINMICA (DRAM)
Las celdas de las memorias dinmicas almacenan un bit de datos en un condensador en
lugar de en un latch. La ventaja de este tipo de celda es que es muy sencilla, lo que
permite construir matrices de memoria muy grandes en un chip, a un coste por bit ms
bajo que el de las memorias estticas. La desventaja es que con el condensador de
almacenamiento no puede mantenerse cargado ms que un periodo de tiempo, y el dato
almacenado se pierde a no ser que su carga se refresque peridicamente. Sus
capacidades mucho mayores y su consumo de energa mucho menor hacen de las
DRAMs la mejor opcin para memoria en sistemas en donde las consideraciones de
diseo ms importantes son mantener un tamao reducido, un bajo costo y bajo consumo
de energa.
Existen varios tipos:
DRAM FPM (Fast Page Mode): La idea bsica del FPM DRAM se basa en la
probabilidad de que las siguientes direcciones de memoria a las que haya que
acceder se encuentren en la misma fila. Afortunadamente, esto sucede en un gran
porcentaje de las veces.
DRAM EDO (Extended Data Output): Las DRAMs con salida de datos extendida
(EDO) ofrecen una mejora en comparacin con las DRAMs FPM. Para los accesos
en una pgina dada, se detecta el valor de datos en la ubicacin de memoria
actual y se fija en las terminales de salida. Permite al controlador de memoria
enviar como salida la siguiente direccin al mismo tiempo que se lee la palabra
actual.
DRAM BEDO (Burst Extended Data Output): es una EDORAM con la capacidad
de generar rfagas de direcciones. La funcin rfaga de direcciones permite
generar internamente hasta cuatro direcciones a partir de una nica direccin
externa, lo que ahorra tiempo de acceso.
SDRAM: La operacin de la memoria SDRAM esta sincronizada con el reloj del
sistema, con el que tambin opera el microprocesador de un sistema informtico,
con la operacin de tipo sncrono, la DRAM enclava las direcciones, los datos y la
informacin de control generados por el procesador bajo control del reloj de
sistema. Esto permite al procesador gestionar otras tareas mientras se estn
realizando las operaciones de lectura o escritura en memoria.
DDRSDRAM: La SDRAM de doble velocidad de transferencia de datos ofrece una
mejora en comparacin con la SDRAM. Esta tecnologa transfiere datos en los
flancos positivo y negativo del reloj del sistema, duplicado con efectividad la
velocidad potencial de la transferencia de datos.
SLDRAM: Puede operar a velocidades de bus de hasta 200 MHz y aplica pulsos
de reloj a los datos en forma sncrona, en los flancos positivo y negativo del reloj
del sistema.


MEMORIA FLASH
Las memorias FLASH son memorias de lectura/escritura de alta densidad no voltiles, lo
que significa que pueden almacenarse datos indefinidamente en ausencia de
alimentacin. En su estructura la celda de una memoria Flash es parecida a la celda
simple de un solo transistor de la EPROM, slo que es un poco ms grande. Tiene una
capa de xido ms delgada en la compuerta, la cual le permite la capacidad de borrarse
mediante electricidad, pero puede construirse con densidades mucho ms altas que as
EEPROMs. El costo de la memoria Flash es mucho menor que el de la EEPROM.
Las memorias Flash se llaman as debido a sus tiempos rpidos de borrado y escritura.

TIPOS ESPECIALES DE MEMORIA
Memoria tipo Primero en entrar, primero en salir (FIFO)
En los sistemas de memoria FIFO, los datos que se escriben en el rea de
almacenamiento de la RAM se leen en el mismo orden en el que se escribieron. La
primera palabra que se escribe en el bloque de memoria es la primera palabra que se lee
del bloque de memoria: de aqu que se utilice el nombre FIFO. La operacin FIFO se
controla mediante registros apuntadores de direcciones especiales, los cuales llevan el
registro de la ubicacin en la que se van a escribir los datos y desde dnde se van a leer.
Una FIFO es til como bfer de velocidad (transferencia) de datos entre sistemas que
transfieren datos a muchas velocidades distintas. Tambin puede utilizarse como bfer de
transferencia de datos entre un dispositivo lento, como un teclado, y una computadora de
alta velocidad.
Existen 3 tipos:
FIFO tipo registro de desplazamiento: En estas el nmero de palabras
almacenadas es fijo (coincide con la longitud del registro) y hay un sincronismo
implcito y necesario entre las operaciones de lectura y escritura. A medida que
van entrando nuevas palabras dato en los registros FIFO, otras van saliendo por el
otro extremo.
FIFO de lectura/escritura mutuamente exclusivas: en cada momento, slo se
puede leer o escribir, pero no ambas cosas. El nmero de palabras almacenadas
es variable y deben satisfacerse ciertas condiciones en el cronograma entre las
seales procedentes del sistema que escribe y las procedentes del sistema que
lee. Es necesario un cierto nivel de sincronismo entre estos dos sistemas.
FIFO de lectura/escritura concurrente: tiene un nmero variable de palabras
almacenadas y posibilidad de lectura y escritura asncrona, pudiendo coexistir
ambos procesos. Es decir, no hay restricciones en el cronograma de los ciclos de
lectura y escritura. Son independientes y no necesitan ningn sincronismo entre
ellos. Esto significa que cuando dos sistemas de distinta frecuencia se conectan a
la FIFO, no necesitamos preocupamos de la sincronizacin, porque la realiza
internamente el circuito
Memoria tipo ltimo en entrar, primero en salir (LIFO)
Este tipo de memorias tienen gran utilidad en los sistemas de computacin. Permite
almacenar datos para despus recuperarlos en orden inverso. Las memorias LIFO, se
implementan para formar una pila. Una pila puede estar formada por cualquier nmero de
registros. En este caso la cabecera o tope de la pila seria el registro superior.
El funcionamiento bsico de estas memorias es muy simple. Se carga un byte de datos en
la cabecera de la pila y cada byte sucesivo empuja a este al registro siguiente. Los bytes
de datos se recuperan en orden inverso, de modo que el ltimo byte introducido siempre
se encuentra en el registro superior de la pila. De esta manera, cada vez que sale un dato
el resto pasa a ocupar las posiciones inferiores.

Memoria Cach
En muchos sistemas no es econmico utilizar dispositivos de memoria de alta velocidad
para toda la memoria interna. En vez de ello utilizan un bloque de memoria cach de alta
velocidad. Este bloque de memoria cach es el nico bloque que se comunica en forma
directa con la CPU en alta velocidad; las instrucciones del programa y los datos se
transfieren desde la memoria interna que es ms lenta y econmica, hacia la memoria
cach cuando lo requiere la CPU.

MEMORIAS OPTICAS Y MAGNETICAS
Almacenamiento magntico
Disco duro magntico: son placas rgidas de aleacin de aluminio o de una
mezcla de vidrio y cermica recubiertas con una capa magntica. Normalmente se
apilan dos o ms discos sobre un eje o pivote comn que hace que el conjunto
gire a una velocidad de miles de revoluciones por minuto(rpm)


Figura 6.- Esquema simplificado de una unidad de disco duro
Discos flexibles: el nombre de disco flexible se debe a que este tipo de discos
est hecho de un material de polister flexible, cubierto por ambas caras con una
capa magntica.

Figura 7.- Esquema de un disco flexible
Jaz: Es similar a una unidad de disco duro excepto en que las dos placas se
encuentran dentro de un cartucho extrable protegido protegido por un obturador a
prueba de polvo, se encuentran disponibles en capacidades de 1 o 2 GB.
Zip: Es un tipo de dispositivo de almacenamiento magntico extrable que parece
ser el posible recambio de los disquetes de capacidad limitada al igual que el disco
flexible, el cartucho del disco Zip es un disco flexible incluido en una carcasa rgida
aproximadamente del mismo tamao que el disquete, aunque ms grueso.
Disco duro extrable
Cinta magntica: Se utiliza para realizar copias de seguridad de datos desde
dispositivo de almacenamiento masivo, es ms lenta en tiempo de acceso ya que
accede a los datos en serie.
1. QIC: Es la abreviatura de quarter inch cartridge (cartucho de cuarto de
pulgada) y se parece bastante a un casete de audio con dos carretes en el
interior.

Figura 8.- Cinta QIC
2. DAT: Son las siglas de digital audio tape (cinta digital de audio) utiliza una
tcnica denominada grabacin por exploracin helicoidal.
3. 8mm: Se dise para la industria de video, pero se adopt por la industria
informtica como una forma confiable de almacenar grandes cantidades de
datos de computadora, capacidades de hasta 25GB.
4. DLT: Corresponde a las siglas digital linear tape (cinta digital lineal).
Bsicamente, la cinta DLT difiere en la forma en que trabaja el mecanismo
de la unidad de cinta, para minimizar el deterioro de la cinta en
comparacin con otros sistemas, capacidades hasta 35GB.
Almacenamiento magntico-ptico
Combinan las tecnologas magntica y ptica (laser). La diferencia bsica entre un disco
puramente magntico y uno magneto-ptico es que la capa magntica utilizada en los
discos magneto-pticos requiere calor para alterar la polarizacin magntica y es
extremadamente estable a temperatura ambiente, haciendo que los datos no cambien.
Almacenamiento ptico
CD-ROM: La memoria de solo lectura de disco compacto (compact disc read-only
memory) es un disco de 120 mm de dimetro con tres capas dispuestas en forma
de sndwich: la capa inferior de plstico de policarbonato, una hoja delgada de
aluminio para la reflectividad y una capa superior de laca para la proteccin.
Capacidades de 680 MB.
WORM: Discos de nica escritura-mltiples lecturas (wirte once-read many) son
un tipo de dispositivo de almacenamiento ptico en los que se puede escribir una
sola vez, despus de lo cual no se pueden borrar los datos, aunque si se pueden
leer mltiples veces.
CD-R: Permite mltiples sesiones de escritura en diferentes reas del disco, se
emplea un lser para quemar agujeros microscpicos en una superficie con tinte
orgnico. Los datos no pueden borrarse una vez escritos.
CD-RW: Puede utilizarse para leer y escribir datos, utiliza un compuesto cristalino
con una propiedad especial. Cuando se calienta a una cierta temperatura, al
enfriarse se vuelve cristalino, pero si se calienta a una temperatura superior, se
funde y se vuelve amorfo al enfriarse.
DVD-ROM: El tamao de las muescas es menor que el CD-ROM, lo que permite
almacenar ms datos en una pista, almacena datos por las dos caras y existen
disponibles discos de mltiples caras que utilizan capas de datos
semitransparentes colocadas sobre capas de datos principales, proporcionando
capacidades de almacenamiento de decenas de GB.

Conclusin: Podemos concluir de manera concreta que las memorias las podemos
clasificar:
Segn sus propiedades de manejo de datos: voltiles (en el caso de las RAM) y
no voltiles (en el caso de las ROM).
Segn su estructura: magnticas, pticas y magneto-pticas.
El avance en la tecnologa ha influido muy fuertemente sobre las memorias ya que
siempre se busca hacer ms eficiente un sistema y es por eso que cada vez mas rpido
una memoria se sustituye por una de nueva generacin, pues las exigencias del usuario
son mayores ao con ao.

Referencias:
http://www.uned.es/ca-
bergara/ppropias/web_fund_sistemas_digitales/09_Memorias%20De%20Acceso%
20Secuencial/transp_mem_secuen.pdf
http://robotikaii.blogspot.mx/2010/09/memorias-fifo-y-lifo.html
Diseo de sistemas digitales y microprocesadores, John P. Hayes.
Fundamentos de sistemas digitales, Thomas L. Floyd.
Sistemas digitales principios y aplicaciones, Ronald J. Tocci y Neal S. Widmer.




Glosario
1. Celda de memoria. Un dispositivo o un circuito elctrico utilizado para almacenar
un bit (0 o 1).
2. Palabra de memoria. Un grupo de bits (celdas) en una memoria, el cual
representa instrucciones o datos de cierto tipo.
3. Byte. Un trmino especial que se utiliza para un grupo de ocho bits. Un byte
siempre consiste de ocho bits.
4. Capacidad. Una manera de especificar cuntos bits pueden almacenarse en un
dispositivo de memoria especfico o en un sistema completo de memoria.
5. Densidad. Otro trmino para capacidad.
6. Direccin. Un nmero que identifica la ubicacin de una palabra en memoria.
7. Operacin de lectura. La operacin mediante la cual la palabra binaria
almacenada en una ubicacin especifica de memoria (direccin) se detecta y
despus se transfiere hacia otro dispositivo.
8. Operacin de escritura. La operacin mediante la cual se coloca una nueva
palabra en una ubicacin de memoria especfica.
9. Tiempo de acceso. Una medida de velocidad de operacin de un dispositivo de
memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operacin de
lectura.
10. Memoria voltil. Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa
elctrica para poder almacenar informacin. Si se quita la energa de electricidad
se perder toda la informacin almacenada en la memoria.
11. Memoria de acceso aleatorio (RAM). Memoria en la cual la ubicacin fsica de
una palabra de memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tardan las
operaciones de lectura o escritura, en una ubicacin determinada.
12. Memoria de acceso secuencial (SAM). Un tipo de memoria en el cual el tiempo
de acceso no es constante, sino que vara dependiendo de la ubicacin de la
direccin.
13. Memoria de lectura/escritura (RWM). Cualquier memoria que se puede leer, o en
la que se puede escribir, con la misma felicidad.
14. Memoria de slo lectura (ROM). Una amplia variedad de memorias
semiconductoras, diseadas para aplicaciones en las que la proporcin de
operaciones de lectura en comparacin con las de escritura es muy alta. Toda la
ROM es no voltil y almacenar los datos aunque se retire la energa elctrica.
15. Dispositivos de memoria esttica. Los dispositivos de memoria semiconductora
en el cual los datos se almacenarn de manera permanente, siempre y cuando se
aplique energa, sin necesidad de reescribir los datos en la memoria en forma
peridica.
16. Dispositivos de memoria dinmica. Dispositivos de memoria semiconductora en
los cuales los datos no se almacenarn en forma permanente, an y cuando se le
aplique energa, a menos que se reescriban en forma peridica en la memoria.

17. Memoria principal. Tambin se le conoce como memoria de trabajo de la
computadora. Almacena instrucciones y datos con los que la CPU est trabajando
en un momento dado. Siempre es semiconductora.
18. Memoria auxiliar. Tambin se le conoce como almacenamiento masivo, ya que
guarda cantidades masivas de informacin externa a la memoria principal.
Siempre es no voltil.
19. CS. Significa seleccin de chip. En esencia es una entrada de habilitacin, para
habilitar o deshabilitar las salidas de la ROM.