Punto de trabajo de un transistor

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas

caractersticas elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En
estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y, por
consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin
externas denominadas fuentes de polarizacin, las cuales cubren dos
objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para
que el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor de
la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin).
Al ser el transistor bipolar un dispositivo de tres terminales son
necesarios seis parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres
tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de
circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:


Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un
circuito determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn
unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el
estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que
relacionan V
BE
con I
B
y V
CE
con I
C
e I
B
. Con frecuencia, estas curvas son
facilitadas por los fabricantes. Las diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados, son las siguientes:
Regin activa lineal
Regin inversa
Regin de corte
Regin de saturacin
Region de ruptura

Regin activa lineal
En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente
polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada; la VBE est
comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y la VBC es mayor a
100mV.
En la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de colector y
base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores vara
hasta en un 500% debido principalmente a tres factores:
1) Proceso de fabricacin: Los transistores sufren variaciones en el proceso
de fabricacin que modifican sus caractersticas. El fabricante asigna un valor
tpico (typ) a ese transistor con un rango de valores comprendido entre un
mximo (max) y un mnimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para una
IC=2mA, una hFE(min)=200, hFE(typ)=290 y hFE(max)=450.
2) Corriente de colector: La hFE vara tambin con la corriente de colector. El
fabricante proporciona curvas de caractersticas que permiten obtener la hFE
para diferentes IC.
3) Temperatura: La dependencia de la hFE con la temperatura se puede
observar en las grficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la figura
1.4 se describe diferentes curvas normalizadas a 25 de hFE para
temperaturas de -55C y 175C.
Regin inversa
En la regin inversa los terminales colector y emisor se intercambian, es
decir, el emisor hace la funcin de colector y viceversa. Las curvas elctricas
son muy similares a las indicadas en la figura 1.2 aunque las prestaciones del
transistor sufren una gran disminucin al carecer de simetra; el colector est
menos dopado y tiene mayor tamao que el emisor.
El efecto ms importante es la disminucin de la ganancia en corriente
en continua que pasa a tener valores altos (p.e., F=200) en la regin directa
lineal a valores bajos (p.e., I=2) en la regin inversa lineal.
Regin de corte
En la regin de corte las uniones de emisor y colector estn polarizadas
en inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV. En esta
regin las corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a
efectos prcticos se puede considerar al transistor como si no existiese.
Sin embargo, en muchos circuitos resulta interesante establecer cuando
se dan las condiciones de conduccin de un transistor, es decir, fijar la frontera
entre la regin de corte y lineal. Esta frontera no es clara y el transistor pasa de
una regin a otra de una manera gradual, es decir, el transistor est en la
regin lineal cuando tiene corrientes significativas en sus terminales y est en
corte cuando esas corrientes son muy bajas.
Normalmente, se asigna una VBE umbral (VBEy) a partir de la cual las
corrientes tienen un valor suficientemente alto; esta VBEy suele estar
comprendida entre 0.4 y 0.5 V.
Regin de saturacin
En la regin de saturacin las uniones de emisor y colector estn
polarizadas en directa; la VBE y la VBC tienen tensiones superiores 100mV. La
cada de tensin entre el colector y emisor es muy baja debido a que ambas
uniones pn se encuentran directamente polarizadas.
Los valores tpicos de la VCE(sat) estn prximos a 0.1 o 0.2 V y la
VBE(sat) es ligeramente superior a la de la regin lineal (0.8 V). El transistor
est operando con una relacin F(sat)=IC/IB variable e inferior a la F de la
regin lineal. La VCE(sat) est comprendida entre 70mV y 200mV, y por ello,
en muchos circuitos se considera prcticamente 0V. En esta regin el transistor
se comporta de una manera no lineal.
Regin de ruptura
Las tensiones mximas que pueden soportar las uniones pn
inversamente polarizadas se denominan tensiones de ruptura. Cuando se
alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a dos
fenmenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforacin. El fabricante
proporciona dos tensiones mximas (VCEO, VCES) que limitan de alguna
manera las tensiones mximas de polarizacin en continua los transistores.
La VCEO define la tensin mxima entre el colector y emisor, estando la
base en circuito abierto, antes de que se produzca fenmenos de multiplicacin
de avalancha que incrementa exponencialmente la ICO a travs de la unin de
colector.
La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en
cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de transicin
alcance el emisor perforando la regin de base.