Вы находитесь на странице: 1из 11

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

1
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica


LABORATORIO N3
RELACIONES ESCALARES Y COMPLEJ AS

OBJETIVOS:
Analizar en forma experimental los lugares geomtricos en los circuitos RL comparara las
mediciones realizadas en el laboratorio con los caculos tericos.

MATERIALES-INSTRUMENTOS

3voltimetros de hierro mvil de: 0-250V.
1Amperimetro de hierro mvil: 0-5 A
1Resistencia variable: 0-100 c
Multmetro digital
1Fuente de corriente alterna variable : 0-250v
Cables de conexin

Fundamento Terico:

Balastro:
El balasto, (del ingls ballast, lastre), a veces errneamente llamado balastro o
balastra, es un equipo que sirve para mantener estable y limitar un flujo de corriente para
lmparas, ya sea un tubo fluorescente, una lmpara de vapor de sodio, una lmpara de
haluro metlico o una lmpara de vapor de mercurio. Tcnicamente, en su forma clsica,
es una reactancia inductiva que est constituido por una bobina de alambre de cobre
esmaltado, enrollada sobre un ncleo de chapas de hierro o de acero elctrico. En la
actualidad, existen de diversos tipos, como los balastos electrnicos usados para
lmparas fluorescentes o para lmparas de descarga de alta intensidad.
En un tubo fluorescente, el papel del balasto es doble: proporcionar la alta tensin
necesaria para el encendido del tubo y despus del encendido del tubo, limitar la corriente
que pasa a travs de l.
Lugar Geomtrico:
El estudio de los circuitos que tienen un elemento variable se simplifica mucho mediante
el anlisis de los lugares geomtricos de impedancias. Como I=VY y, normalmente, V es
constante, el lugar geomtrico de Y proporciona la variacin de la intensidad I con el
elemento variable del circuito.
Cuando tenemos un circuito con una resistencia fija y una reactancia variable que
podemos suponer toma valores cualesquiera, positivos o negativos. Si consideramos el
plano Z con los ejes cartesianos R y X, el lugar geomtrico de la impedancia Z, para el
circuito dado, es una recta paralela al eje X que corta al eje R en Rl, como indica la figura.
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

2
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica



A cada punto del lugar geomtrico de Z le corresponde un punto del lugar geomtrico de
Y. Los puntos del lugar de Z por encima del eje R se corresponden con los puntos de la
semicircunferencia por debajo del eje G en el plano Y.
Tabla 1:
# de Medida V(voltios) A(mA) VR(Resistencia) VXL(Reactor)
1 20 0.045 4 19.6
2 40 0.09 7.9 38.7
3 60 0.131 11.9 57.7
4 80 0.175 16.1 76.5
5 100 0.230 20.5 96.6
6 120 0.275 24.8 119.1
7 140 0.325 29.5 133.8
8 160 0.380 34.5 153.2
9 180 0.438 39.5 171.9
10 200 0.472 44 189
Tabla 2:
# de Medida V(voltios) A(mA) VR(Resistencia) VXL(Reactor)
1 94 0.472 44 189
2 88.5 0.495 42.6 189.9
3 82.5 0.489 39.9 190.9
4 74.9 0.489 36.2 191.3
5 60.8 0.504 29.6 195
6 49.1 0.524 23.5 196.8
7 44.8 0.501 22.1 195.4
8 39.6 0.503 19.3 196.4
9 29.1 0.515 14.4 197.3
10 25.3 0.517 12.6 198
11 21.5 0.526 10.8 198.3
12 19 0.515 9.5 198.5
13 16.5 0.526 8.3 199
14 11 0.531 5.2 199.5
15 1.9 0.532 0.7 199.9

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

3
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica


2. Demostrar para el circuito de la figura:
El lugar geomtrico de la impedancia es una recta paralela al eje horizontal.

SE TIENE














El lugar geomtrico de la admitancia es una semicircunferencia de radio (1/2XL).

LUGAR GEOMETRICO DE LA ADMITANCIA



DE LA ECUACION I OBTENEMOS


SUMANDO A AMBOS MIEMBROS



DE LA ECUACION II PARA HALLAR EL LG DE Y:


R
LG. DE LA IMPEDANCIA INDUCTIVA
XL
Z
Z
Z
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

4
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica


DE ALLI:




3. Graficar sobre un par de ejes cartesianos en funcin de R, las indicaciones de
los instrumentos logradas en A, V
R
, y V
XL
respectivamente. Explicar las
curvas obtenidas.


A
2.1 0.483
9.5 0.481
20 0.459
30.6 0.453
40.5 0.446
49.1 0.437
60 0.438
70.3 0.435
80.5 0.436
90.6 0.436
100 0.436
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
0.48
0.49
0.5
0 20 40 60 80 100 120
I
N
T
E
N
S
I
D
A
D

(
A
)

RESISTENCIA ()
A vs R
A
Power (A)
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

5
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica









R VR
(Voltaje de
la
Resistencia)
2.1 0.855
9.5 4.8
20 9.66
30.6 14.4
40.5 18.91
49.1 22.65
60 27.14
70.3 31.73
80.5 35.54
90.6 39.7
100 43.2
R VXL
(Voltaje
del
Reactor)
2.1 201
9.5 196.2
20 195
30.6 194.1
40.5 192.6
49.1 191.5
60 190.2
70.3 189
80.5 188
90.6 186.7
100 185.3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 50 100 150
V
o
l
t
a
j
e

d
e

l
a

R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

"
V
R
"

(
V
)

RESISTENCIA()
VR vs R
VR(Resistencia)
Linear
(VR(Resistencia))
184
186
188
190
192
194
196
198
200
202
0 20 40 60 80 100 120
V
o
l
t
a
j
e

d
e
l

R
e
a
c
t
o
r

"
V
X
L
"

(
V
)

Resistencia ()
VXL vs R
VXL
Linear (VXL)
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

6
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica



4. Graficar el lugar geomtrico de la impedancia del circuito en el plano R X.

- DATOS:
El valor inductivo del Reactor es: L = 85 mH
El valor de su resistencia interna es: R = 63
X
L
= .L =


X
L
= 303.48
- Por lo tanto, la impedancia del Reactor es: 63 + 303.48
R
TOTAL
= R (variable) + R (cte del reactor) Z
EQ
= R
TOTAL
+ X
L

0 + 63 Z = 63 + 303.48
2.1 + 63 Z
1
= 65.1 + 303.48
9.5 + 63 Z
2
= 72.5 + 303.48
20 + 63 Z
3
= 83 + 303.48
30.6 + 63 Z
4
= 93.6 + 303.48
40.5 + 63 Z
5
= 103.5 + 303.48
49.1 + 63 Z
6
= 112.1 + 303.48
60 + 63 Z
7
= 123 + 303.48
70.3 + 63 Z
8
= 133.3 + 303.48
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

7
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica


80.5 + 63 Z
9
= 143.5 + 303.48
90.6 + 63 Z
10
= 153.6 + 303.48
100 + 63 Z
11
= 163 + 303.48
5. Graficar el lugar geomtrico de la admitancia del circuito en el plano G-B.

El valor inductivo del Reactor es: L = 85 mH

El valor de su resistencia interna es: R = 63

X
L
= .L =



X
L
= 303.48

Por lo tanto el centro de la semicircunferencia es




6. Graficar el lugar geomtrico del fasor corriente, tomando en cuenta como
referencia la tensin de alimentacin.

Superponiendo todas las graficas del fasor corriente tenemos el lungar geomtrico
definido por el fasor corriente.
Siguiendo la tendencia que el angulo va aumentando el lugar geomtrico del fasor
corriente se ver en la siguiente figura.
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

8
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica







7. En el mismo diagrama graficar el lugar geomtrico de la tensin

.










UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

9
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica





8. Graficar la tensin vs. Corriente e indicar si es o no una recta. Por qu?





9) Qu se entiende por una inductancia de una bobina?
El campo magntico creado por una bobina depende linealmente de la corriente aplicada.
Cuando se incrementa esta corriente, el flujo aumenta y viceversa.
Como resultado se genera entre los terminales de la bobina un voltaje que se opone a la
variacin del flujo. La capacidad de una bobina, para oponerse a ese cambio, se
denomina auto inductancia y es una caracterstica intrnseca del dispositivo.
La inductancia se representa por el smbolo L y su unidad es el Henrio.
La inductancia de una bobina depende principalmente de sus caractersticas geomtricas,
l nmero de vueltas o espiras de alambre que constituyen el devanado y del material del
ncleo sobre el cual se realiza el embobinado de la misma.
Tericamente, la inductancia de una bobina helicoidal larga, de seccin transversal
arbitraria y de espiras muy juntas, se puede calcular.

A (mA)
V
(VOLTIOS)
0.44 200.7
0.397 180.1
0.359 160.1
0.299 140.2
0.25 120.5
0.216 100.2
0.18 80.4
0.134 60.1
0.084 40
0.043 20.43
R = 0.9978
0
50
100
150
200
250
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
V

(
v
o
l
t
i
o
s
)

I (mA)
V (VOLTIOS)
Linear (V (VOLTIOS))
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

10
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica


- n: es la cantidad de espiras (vueltas de alambre)
- d: es el radio de la bobina en centmetros
- l: es la longitud del arrollado en centmetros
- L: Inductancia en microHenrios.


10) Definir el trmino permeabilidad de un material.
En fsica se denomina permeabilidad magntica a la capacidad de una sustancia o medio
para atraer y hacer pasar a travs de ella campos magnticos, la cual est dada por la
relacin entre la induccin magntica existente y la intensidad de campo magntico que
aparece en el interior de dicho material.
La magnitud as definida, el grado de magnetizacin de un material en respuesta a un
campo magntico, se denomina permeabilidad absoluta y se suele representar por el
smbolo .

11) Como influye la forma del ncleo en la determinacin del valor de la inductancia
para una bobina.
El valor de la inductancia viene determinado exclusivamente por las caractersticas
geomtricas de la bobina y por la permeabilidad magntica del espacio donde se
encuentra.
La inductancia mide el valor de oposicin de la bobina al paso de la corriente. El valor
depende de: El nmero de espiras que tenga la bobina (a ms vueltas mayor inductancia,
o sea mayor valor en Henrios, el dimetro de las espiras (a mayor dimetro, mayor
inductancia, o sea mayor valor en Henrios), La longitud del cable de que est hecha la
bobina. El tipo de material de que esta hecho el ncleo, si es que lo tiene. As, para un
solenoide, la inductancia, de acuerdo con las ecuaciones de Maxwell, viene determinada
por:

Donde es la permeabilidad absoluta del ncleo, N es el nmero de espiras, A es el rea
de la seccin transversal del bobinado y L la longitud de las lneas de flujo.
El clculo de l es bastante complicado a no ser que la bobina sea toroidal y aun as,
resulta difcil si el ncleo presenta distintas permeabilidades en funcin de la intensidad
que circule por la misma. En este caso, la determinacin de l se realiza a partir de las
curvas de imantacin.

12) Qu se entiende por factor de calidad de una bobina?
El factor Q, tambin denominado factor de calidad o factor de selectividad, es un
parmetro que mide la relacin entre la energa reactiva que almacena y la energa que
disipa durante un ciclo completo de la seal. Un alto factor Q indica una tasa baja de
prdida de energa en relacin a la energa almacenada por el resonador.

El factor de calidad de circuitos pasivos formados con resistencias, bobinas y
condensadores es bajo, inferior a 100, por el efecto de la resistividad del hilo de las
bobinas, principalmente, ya que para valores elevados de inductancia se necesitan
grandes longitudes de hilo. El uso de circuitos activos, que funcionan como
multiplicadores de inductancia o capacidad puede mejorar el Q.

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 2014

11
Facultad De Ingeniera Elctrica Y Electrnica


13) Diferencias entre un reactor, transformador y un autotransformador.

-Un autotransformador: es una mquina elctrica, de construccin y caractersticas
similares a las de un transformador, pero que a diferencia de ste, slo posee un nico
devanado alrededor de un ncleo ferromagntico. Dicho devanado debe tener al menos
tres puntos de conexin elctrica; la fuente de tensin y la carga se conectan a dos de las
tomas, mientras que una toma (la del extremo del devanado) es una conexin comn a
ambos circuitos elctricos (fuente y carga). Cada toma corresponde a una tensin
diferente de la fuente (o de la carga, dependiendo del caso).

-Transformador: Se le denomina a un dispositivo elctrico que permite aumentar o
disminuir la tensin en un circuito elctrico de corriente alterna, manteniendo la potencia.
La potencia que ingresa al equipo, en el caso de un transformador ideal (esto es, sin
prdidas), es igual a la que se obtiene a la salida. Las mquinas reales presentan un
pequeo porcentaje de prdidas, dependiendo de su diseo y tamao, entre otros
factores.

-Un reactor: en lnea es un componente elctrico, que consiste en una o ms bobinas
inductoras o transformadoras, Cada elemento es cableado en serie con una fase del
circuito, generalmente entre la fuente de poder y la carga elctrica.
De acuerdo con las propiedades de un inductor, el reactor en lnea se opondr a cambios
rpidos en la corriente y/o frecuencias. Este dispositivo sirve tambin para atenuar picos
de corrientes. El tipo ms comn es diseado para energa elctrica en 3 fases, en el cual
3 inductores aislados estn conectados en serie con cada una de las tres fases

Circuito Montado:

Вам также может понравиться