Вы находитесь на странице: 1из 7

Silicio puro o "intrnseco" [editar]

Malla cristalina del Silicio puro.


Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina basada en enlaces
covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del tomo de Silicio. Junto con
esto existe otro concepto que cabe mencionar el de hueco. Los !uecos " como su nombre indica"
son el lugar que de#a un electrn cuando de#a la capa de valencia $ se convierte en un electrn
libre. %sto es lo que se conoce como pares electrn - hueco $ su generacin se debe a la
temperatura &como una aplicacin" al caso" de las le$es de la termodinmica' o a la lu( &efecto
fotoel)ctrico'. %n un semiconductor puro &intr*nseco' se cumple que" a temperatura constante" el
n+mero de !uecos es igual al de electrones libres.
Silicio "extrnseco" tipo "P" [editar]
,n Semiconductor tipo - se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado" a.adiendo un cierto tipo
de elemento" normalmente trivalente (AL), es decir con / electrones en la capa de valencia" al
semiconductor para poder aumentar el n+mero de portadores de carga libres &en este caso positivos"
huecos'.
0uando el material dopante es a.adido" )ste libera los electrones ms d)bilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. %ste agente dopante es tambi)n conocido como material aceptador.
%l propsito del dopa#e tipo - es el de crear abundancia de !uecos. %n el caso del silicio" una
impure(a trivalente de#a un enlace covalente incompleto" !aciendo que" por difusin" uno de los
tomos vecinos le ceda un electrn completando as* sus cuatro enlaces. 1s* los dopantes crean los
2!uecos2. 0ada !ueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente" por lo que el
semiconductor se mantiene el)ctricamente neutro en general. 3o obstante" cuando cada !ueco se !a
despla(ado por la red" un protn del tomo situado en la posicin del !ueco se ve 2expuesto2 $ en
breve se ve equilibrado por un electrn. -or esta ra(n un !ueco se comporta como una cierta carga
positiva. 0uando un n+mero suficiente de aceptores son a.adidos" los !uecos superan ampliamente
la excitacin t)rmica de los electrones. 1s*" los !uecos son los portadores ma$oritarios" mientras
que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo -. Los diamantes a(ules
&tipo 44b'" que contienen impure(as de boro &5'" son un e#emplo de un semiconductor tipo - que se
produce de manera natural.
Silicio "extrnseco" tipo "N" [editar]
,n Semiconductor tipo 3 se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado a.adiendo un cierto tipo
de elemento" normalmente pentavalente" es decir con 6 electrones en la capa de valencia" al
semiconductor para poder aumentar el n+mero de portadores de carga libres &en este caso"
negativos" electrones libres'.
0uando el material dopante es a.adido" )ste aporta sus electrones ms d)bilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. %ste tipo de agente dopante es tambi)n conocido como material donador
$a que cede uno de sus electrones al semiconductor.
%l propsito del dopa#e tipo 3 es el de producir abundancia de electrones libres en el material. -ara
a$udar a entender cmo se produce el dopa#e tipo 3 consid)rese el caso del silicio &Si'. Los tomos
del silicio tienen una valencia atmica de cuatro" por lo que se forma un enlace covalente con cada
uno de los tomos de silicio ad$acentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia" tales como
los del grupo 71 de la tabla peridica &e#. fsforo &-'" ars)nico &1s' o antimonio &Sb''" se incorpora
a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio" entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes $ un electrn no enla(ado. %ste electrn extra da como resultado la formacin de
electrones libres" el n+mero de electrones en el material supera ampliamente el n+mero de !uecos"
en ese caso los electrones son los portadores ma$oritarios $ los !uecos son los portadores
minoritarios. 1 causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra
que 2dar2" son llamados tomos donadores. 3tese que cada electrn libre en el semiconductor
nunca est le#os de un ion dopante positivo inmvil" $ el material dopado tipo 3 generalmente tiene
una carga el)ctrica neta final de cero.
Unin PN
Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos com+nmente
denominados semiconductores" principalmente diodos $ transistores 5J8. %st formada por la unin
metal+rgica de dos cristales" generalmente de Silicio &Si'" aunque tambi)n se fabrican de 9ermanio
&9e'" de naturale(as - $ 3 seg+n su composicin a nivel atmico. %stos tipos de cristal se obtienen
al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impure(as" normalmente con alg+n otro
metal o compuesto qu*mico.
Barrera interna de potencial [editar]

:ormacin de la (ona de la barrera interna de potencial
1l unir ambos cristales" se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p &J
e
'.
1l establecerse estas corrientes aparecen cargas fi#as en una (ona a ambos lados de la unin" (ona
que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial" zona de carga espacial"
de agotaiento o epobreciiento" de deple!in" de "aciado" etc.
1 medida que progresa el proceso de difusin" la (ona de carga espacial va incrementando su
anc!ura profundi(ando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo" la acumulacin de
iones positivos en la (ona n $ de iones negativos en la (ona p" crea un campo el)ctrico &%' que
actuar sobre los electrones libres de la (ona n con una determinada #uerza de desplazaiento" que
se opondr a la corriente de electrones $ terminar deteni)ndolos.
%ste campo el)ctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las (onas p $
n. %sta diferencia de potencial &7
;
' es de ;"< 7 en el caso del silicio $ ;"/ 7 si los cristales son de
germanio.
La anc!ura de la (ona de carga espacial una ve( alcan(ado el equilibrio" suele ser del orden de ;"6
micras pero cuando uno de los cristales est muc!o ms dopado que el otro" la (ona de carga
espacial es muc!o ma$or.
Polarizacin directa de la unin P - N [editar]

-olari(acin directa del diodo p=n.
%n este caso" la bater*a disminu$e la barrera de potencial de la (ona de carga espacial" permitiendo
el paso de la corriente de electrones a trav)s de la unin> es decir" el diodo polari(ado directamente
conduce la electricidad.
-ara que un diodo est) polari(ado directamente" tenemos que conectar el polo positivo de la bater*a
al nodo del diodo $ el polo negativo al ctodo. %n estas condiciones podemos observar que
%l polo negativo de la bater*a repele los electrones libres del cristal n" con lo que estos
electrones se dirigen !acia la unin p=n.
%l polo positivo de la bater*a atrae a los electrones de valencia del cristal p" esto es
equivalente a decir que empu#a a los
!uecos !acia la unin p=n.
0uando la diferencia de potencial entre los bornes de la bater*a es ma$or que la diferencia de
potencial en la (ona de carga espacial" los electrones libres del cristal n" adquieren la energ*a
suficiente para saltar a los !uecos del cristal p" los cuales previamente se !an despla(ado
!acia la unin p=n.
,na ve( que un electrn libre de la (ona n salta a la (ona p atravesando la (ona de carga
espacial" cae en uno de los m+ltiples !uecos de la (ona p convirti)ndose en electrn de
valencia. ,na ve( ocurrido esto el electrn es atra*do por el polo positivo de la bater*a $ se
despla(a de tomo en tomo !asta llegar al final del cristal p" desde el cual se introduce en el
!ilo conductor $ llega !asta la bater*a.
?e este modo" con la bater*a cediendo electrones libres a la (ona n $ atra$endo electrones de
valencia de la (ona p" aparece a trav)s del diodo una corriente el)ctrica constante !asta el final.
-olari(acin directa se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte - de la unin
- = 3 $ la negativa a la 3.
Polarizacin in"ersa de la unin P - N [editar]
-olari(acin inversa del diodo pn.
%n este caso" el polo negativo de la bater*a se conecta a la (ona p $ el polo positivo a la (ona n" lo
que !ace aumentar la (ona de carga espacial" $ la tensin en dic!a (ona !asta que se alcan(a el valor
de la tensin de la bater*a" tal $ como se explica a continuacin
%l polo positivo de la bater*a atrae a los electrones libres de la (ona n" los cuales salen del
cristal n $ se introducen en el conductor dentro del cual se despla(an !asta llegar a la bater*a.
1 medida que los electrones libres abandonan la (ona n" los tomos pentavalentes que antes
eran neutros" al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin" adquieren
estabilidad &@ electrones en la capa de valencia" ver semiconductor $ tomo' $ una carga
el)ctrica neta de AB" con lo que se convierten en iones positivos.
%l polo negativo de la bater*a cede electrones libres a los tomos trivalentes de la (ona p.
Cecordemos que estos tomos slo tienen / electrones de valencia" con lo que una ve( que
!an formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio" tienen solamente < electrones
de valencia" siendo el electrn que falta el denominado hueco. %l caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la bater*a entran en la (ona p" caen dentro de estos !uecos con
lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad &@ electrones en su orbital de valencia' $
una carga el)ctrica neta de =B" convirti)ndose as* en iones negativos.
%ste proceso se repite una $ otra ve( !asta que la (ona de carga espacial adquiere el mismo
potencial el)ctrico que la bater*a.
%n esta situacin" el diodo no deber*a conducir la corriente> sin embargo" debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn=!ueco &ver semiconductor' a ambos lados de la unin
produciendo una peque.a corriente &del orden de B D1' denominada corriente in"ersa de
saturacin. 1dems" existe tambi)n una denominada corriente super#icial de #ugas la cual" como
su propio nombre indica" conduce una peque.a corriente por la superficie del diodo> $a que en la
superficie" los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para reali(ar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. %sto !ace que los tomos de la superficie del
diodo" tanto de la (ona n como de la p" tengan !uecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a trav)s de ellos. 3o obstante" al igual que la corriente inversa de
saturacin" la corriente superficial de fugas es despreciable.
$ur"a caracter%stica del diodo [editar]
&ensin ubral, de codo o de partida &7
E
'.
La tensin umbral &tambi)n llamada barrera de potencial' de polari(acin directa coincide en
valor con la tensin de la (ona de carga espacial del diodo no polari(ado. 1l polari(ar
directamente el diodo" la barrera de potencial inicial se va reduciendo" incrementando la
corriente ligeramente" alrededor del BF de la nominal. Sin embargo" cuando la tensin
externa supera la tensin umbral" la barrera de potencial desaparece" de forma que para
peque.os incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.
$orriente '!ia &4
max
'.
%s la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto
Joule. ?ado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo" depende sobre
todo del dise.o del mismo.
$orriente in"ersa de saturacin &4
s
'.
%s la peque.a corriente que se establece al polari(ar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn=!ueco debido a la temperatura" admiti)ndose que se duplica por cada
incremento de B;G en la temperatura.
$orriente super#icial de #ugas.
%s la peque.a corriente que circula por la superficie del diodo &ver polari(acin inversa'"
esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo" con lo que al aumentar la tensin"
aumenta la corriente superficial de fugas.
&ensin de ruptura &7
r
'.
%s la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalanc!a.
8ericamente" al polari(ar inversamente el diodo" este conducir la corriente inversa de saturacin>
en la realidad" a partir de un determinado valor de la tensin" en el diodo normal o de unin abrupta
la ruptura se debe al efecto avalanc!a> no obstante !a$ otro tipo de diodos" como los Hener" en los
que la ruptura puede deberse a dos efectos
(#ecto a"alancha &diodos poco dopados'. %n polari(acin inversa se generan pares
electrn=!ueco que provocan la corriente inversa de saturacin> si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energ*a cin)tica de forma que al c!ocar
con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. %stos
electrones liberados" a su ve(" se aceleran por efecto de la tensin" c!ocando con ms
electrones de valencia $ liberndolos a su ve(. %l resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. %ste fenmeno se produce para valores de la tensin
superiores a I 7.
(#ecto )ener &diodos mu$ dopados'. 0uanto ms dopado est el material" menor es la
anc!ura de la (ona de carga. -uesto que el campo el)ctrico % puede expresarse como
cociente de la tensin 7 entre la distancia d> cuando el diodo est) mu$ dopado" $ por tanto d
sea peque.o" el campo el)ctrico ser grande" del orden de /JB;
6
7Kcm. %n estas condiciones"
el propio campo puede ser capa( de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. %ste efecto se produce para tensiones de 4 7 o menores.
-ara tensiones inversas entre 4 $ I 7 la ruptura de estos diodos especiales" como los Hener" se puede
producir por ambos efectos.