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Instituto Tecnolgico de Los Mochis.

Carrera:
INGENIERA MECATRNICA







Asignatura:
ELECTRNICA ANALGICA


Facilitador:
ING. HUGO CASTILLO MEZA

Grupo:
M-51


Estudiante:
VCTOR DE JESS BERNAL SANDOVAL


UNIDAD 1.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.


25 DE AGOSTO DEL 2014
TRABAJO
TRABAJO INVESTIGACIN
ELECTRNICA ANALGICA
Ing. Hugo Castillo Meza
Alumno: Bernal Sandoval Victor de Jess
N de Control: 12440123
pg. 1

UNIDAD 1.- DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DESCRIPCIN DE LA ESTRUCTURA ATMICA:
Un tomo es la partcula ms pequea de un
elemento que retiene las caractersticas de ste.
Cada uno de los 109 elementos conocidos tiene
tomos que son diferentes de los de todos los
dems elementos; es decir, cada elemento
presenta una estructura atmica nica. De acuerdo con el
modelo de Bohr, los tomos tienen una estructura de tipo
planetario que consta de un ncleo central rodeado por
electrones que describen rbitas. El ncleo se compone de
partculas cargadas positivamente llamadas protones y
partculas sin carga llamadas neutrones. Las partculas bsicas de carga negativa se llaman
electrones. El nmero atmico es igual al nmero de protones en el ncleo, el cual es igual
al nmero de electrones en un tomo elctricamente balanceado (neutro).

NIVELES DE ENERGA: Cada distancia discreta
(rbita) al ncleo corresponde a cierto nivel de
energa. En un tomo, las rbitas se agrupan en
bandas de energa conocidas como capas. Un tomo dado tiene un
nmero fijo de capas. Cada capa tiene un nmero fijo mximo de
electrones a niveles de energa permisibles. Las diferencias de los
niveles de energa en una capa son mucho ms pequeas que las
diferencias de energa entre capas. Las capas se designan 1, 2, 3 y as
sucesivamente, y la 1 es la ms cercana al ncleo. La primera capa
tiene un nivel de energa y la segunda tiene dos niveles de energa.
Pueden existir ms capas en otros tipos de tomos, segn el elemento. El nmero mximo
de electrones (Ne) que puede existir en cada capa de un tomo es un hecho de la
naturaleza y se calcula con la frmula N
e
= 2n
2


ELECTRONES DE VALENCIA: Los electrones que describen rbitas alejadas del ncleo
tienen ms energa y estn flojamente enlazados al tomo. Esto se debe a que la fuerza de
atraccin entre el ncleo cargado positivamente y el electrn cargado negativamente
disminuye con la distancia al ncleo. En la capa ms externa de un tomo existen
electrones con un alto nivel de energa y estn relativamente enlazados al ncleo. Esta
capa ms externa se conoce como la capa de valencia y los electrones presentes en esta
capa se llaman electrones de valencia. Estos electrones de valencia contribuyen a las
reacciones qumicas y al enlace dentro de la estructura de un material y determinan sus
propiedades elctricas.

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MATERIALES AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
En funcin de sus propiedades elctricas, los materiales se clasifican en tres grupos:
Un aislante es un material que no
conduce corriente elctrica en
condiciones normales. La mayora de los
buenos aislantes son materiales compuestos, es decir, no
formados por slo un elemento. Los electrones de valencia
estn estrechamente enlazados a los tomos; por
consiguiente, en un aislante hay muy pocos electrones libres.
Algunos ejemplos de aislantes son el hule, el plstico, el vidrio, la mica y el cuarzo.
Un conductor es un
material que conduce
corriente elctrica fcilmente. La mayora de
los metales son buenos conductores. Los
mejores conductores son materiales de slo
un elemento, tales como cobre, plata, oro y
aluminio, que estn caracterizados por
tomos con slo un electrn de valencia
muy flojamente enlazado al tomo. Estos
electrones de valencia flojamente enlazados se convierten en electrones libres. Por
consiguiente, en un material conductor, los electrones libres son electrones de valencia.
Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los
aislantes, en lo que a su capacidad de conducir corriente elctrica respecta. Un
semiconductor en estado puro (intrnseco) no es ni buen conductor ni buen aislante. Los
semiconductores ms comunes de slo un elemento son el silicio, el germanio y el carbn.
Los semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de indio,
tambin son de uso comn. Los semiconductores de un solo elemento estn
caracterizados por tomos con cuatro electrones de valencia.
ENLACE COVALENTE
Los enlaces covalentes son las fuerzas que
mantienen unidos entre s los tomos no
metlicos (los elementos situados a la derecha en la
tabla peridica -C, O, F, Cl,...).
Estos tomos tienen muchos electrones en su
nivel ms externo (electrones de valencia) y tienen
tendencia a ganar electrones ms que a cederlos, para
adquirir la estabilidad de la estructura electrnica de gas
noble. En este caso el enlace se forma al compartir un par de electrones entre los dos
tomos, uno procedente de cada tomo. El par de electrones compartido es comn a los
dos tomos y los mantiene unidos, de manera que ambos adquieren la estructura
electrnica de gas noble.
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CORRIENTE EN EL SEMICONDUCTOR
La forma en que un material conduce
corriente elctrica es importante para
entender cmo funcionan los dispositivos
electrnicos. En realidad no se puede
entender la operacin de un dispositivo tal como un
diodo o transistor sin saber algo sobre corriente.
Como aprendi anteriormente, los electrones de un
tomo pueden existir slo dentro de bandas de energa
prescritas. Cada capa alrededor del ncleo corresponde a
cierta banda de energa y est separada de bandas
adyacentes por bandas prohibidas, en las cuales no pueden
existir electrones.
Electrones de conduccin y huecos
Un cristal de silicio intrnseco
(puro) a temperatura ambiente
tiene energa calorfica (trmica)
suficiente para que algunos
electrones de valencia salten la
banda prohibida desde la banda de valencia hasta la banda de
conduccin, convirtindose as en electrones libres, que
tambin se conocen como electrones de conduccin.
Cuando un electrn salta a la banda de conduccin,
deja un espacio vaco en la banda de valencia dentro del cristal. Este espacio vaco se
llama hueco. Por cada electrn elevado a la banda de conduccin por medio de energa
externa queda un hueco en la banda de valencia y se crea lo que se conoce como par
electrn-hueco; ocurre una recombinacin cuando un electrn de banda de conduccin
pierde energa y regresa a un hueco en la banda de valencia.
Corriente de electrn y hueco
Cuando se aplica voltaje a travs de un trozo de silicio intrnseco, los electrones libres
generados trmicamente presentes en la banda de conduccin (que se mueven
libremente y al azar en la estructura cristalina) son entonces fcilmente atrados hacia el
extremo positivo. Este
movimiento de electrones
es un tipo de corriente en
un material semiconductor
y se llama corriente de
electrn.

Otro tipo de corriente ocurre en la banda de valencia, donde existen los huecos creados
por los electrones libres. Los electrones que permanecen en la banda de valencia siguen
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estando
unidos a sus tomos y
no pueden moverse al azar en la
estructura cristalina como lo hacen los
electrones libres. No obstante, un
electrn de valencia puede moverse a un
hueco cercano con poco cambio en su
nivel de energa y por lo tanto deja otro
hueco en el lugar de donde vino: el
hueco se habr movido entonces de un lugar a otro en la estructura cristalina.
Aun cuando la corriente en la banda de valencia es producida por electrones de valencia,
se llama corriente de hueco para distinguirla de la corriente de electrn en la banda de
conduccin.

MATERIALES SEMICONDUCTOERES
Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:
Intrnseco: cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida
ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conduccin.
Extrnseco: Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se
le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la
corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura
molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con
pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita
[como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima
rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio
se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente
elctrica.

SEMICONDUCTOR P Y N
Los materiales semiconductores en su estado intrnseco no conducen bien la corriente y
su valor es limitado. Esto se debe al nmero limitado de electrones libres presentes en la
banda de conduccin y huecos presentes en la banda de valencia. El silicio intrnseco (o
germanio) se debe modificar incrementando el nmero de electrones libres o huecos para
aumentar su conductividad y hacerlo til en dispositivos electrnicos. Esto se hace
aadiendo impurezas al material intrnseco. Dos tipos de materiales semiconductores
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extrnsecos (impuros), el tipo n y el tipo p, son los bloques de construccin
fundamentales en la mayora de los tipos de dispositivos electrnicos.
Semiconductor tipo N
Para incrementar el nmero de electrones de banda de conduccin en silicio intrnseco se
agregan tomos de impureza
pentavalente. Estos son tomos son cinco
electrones de valencia tales como arsnico
(As), fsforo (P), bismuto (Bi) y antimonio
(Sb). Como el tomo pentavalente cede un
electrn, se conoce como tomo donador.
Portadores mayoritarios y minoritarios. Como la mayora de los
portadores de corriente son electrones, el silicio (o el germanio) dopado
con tomos pentavalentes es un semiconductor tipo n(n expresa la carga
negativa de un electrn). Los electrones se conocen como portadores mayoritarios en
material tipo n. Aunque la mayora de los portadores de corriente en un material tipo n
son electrones, tambin existen algunos huecos que se crean cuando trmicamente se
generan pares electrn-hueco (estos huecos no se producen por la adicin de tomos de
impureza pentavalentes). Los huecos en un material tipo n reciben el nombre de
portadores minoritarios.
Semiconductor tipo P
Para incrementar el nmero de huecos en silicio intrnseco, se agregan tomos de
impureza trivalentes: tomos con tres electrones de valencia tales como boro (B), indio
(In) y galio (Ga). Como el tomo trivalente puede tomar un electrn, a menudo se hace
referencia a l como tomo aceptor.
Portadores mayoritarios y minoritarios.
Como la mayora de los portadores de
corriente son huecos, el silicio (o germanio)
dopado con tomos trivalentes se llama
semiconductor tipo p. Los huecos son los portadores
mayoritarios en un material tipo p. Aunque la mayora de los
portadores de corriente en un material tipo p son huecos,
tambin existen algunos electrones de banda de conduccin que
se crean cuando trmicamente se generan pares electrn-hueco.
Estos electrones de banda de conduccin no se producen por la adicin
de tomos de impureza trivalentes. Los electrones de banda de conduccin en un material
tipo p son los portadores minoritarios.





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UNIN P-N
Si un trozo de silicio intrnseco es dopado de tal forma que una parte es tipo n y la otra
tipo p, se forma una unin pn en el lmite entre las dos regiones y se crea un diodo.
La regin p tiene muchos huecos (portadores mayoritarios) por los tomos de
impureza y slo unos cuantos electrones libres trmicamente generados (portadores
minoritarios). La regin n tiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios) por los
tomos de impureza y slo unos cuantos huecos trmicamente generados (portadores
minoritarios).
Formacin de la regin de empobrecimiento.
Los electrones libres en la regin n se mueven aleatoriamente en todas direcciones. En el
instante en que se forma la unin pn, los electrones libres que se encuentran cerca de la
unin en la regin n comienzan a difundirse a travs de la unin hacia la regin p, donde
se combinan con los huecos que se encuentran cerca de la unin.
Cuando se forma la unin pn, la regin n pierde electrones libres a medida que se
difunden a travs de la unin. Esto crea una capa de cargas positivas (iones pentavalentes)
cerca de la unin. A medida que los electrones se mueven a travs de sta, la regin p
pierde huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa de
cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unin. Estas dos capas de cargas positivas y
negativas forman la regin de empobrecimiento. El trmino empobrecimiento se refiere al
hecho de que la regin cercana a la unin pn se queda sin portadores de carga (electrones
y huecos) debido a la difusin a travs de la unin. Tenga en cuenta que la regin de
empobrecimiento se forma muy rpido y que es muy delgada en comparacin con la
regin n y la regin p.
Despus del aumento sbito inicial de electrones libres a travs de la unin pn, la
regin de empobrecimiento se expande hasta un punto donde se establece el equilibrio y
no hay ms difusin de electrones a travs de la unin. En otras palabras, la regin de
empobrecimiento acta como barrera ante el movimiento continuado de electrones a
travs de la unin.
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Potencial de barrera
En la regin de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y muchas cargas
negativas en los lados opuestos de la unin pn. Las fuerzas entre las cargas opuestas
forman un campo elctrico.
Este campo elctrico es una barrera para los electrones libres en la regin y se
debe consumir energa para mover un electrn a travs del campo elctrico; es decir, se
debe aplicar energa externa para hacer que los electrones se muevan a travs de la
barrera del campo elctrico en la regin de empobrecimiento.
La diferencia de potencial del campo elctrico a travs de la regin de
empobrecimiento es la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a travs del
campo elctrico. Esta diferencia de potencial se llama potencial de barrera y se expresa en
volts. Expresado de otra manera, se debe aplicar una cierta cantidad de voltaje igual al
potencial de barrera y con la polaridad apropiada a travs de una unin pn para que los
electrones comiencen a fluir a travs de la unin.
El potencial de barrera de una unin pn depende de varios factores, incluido el tipo
de material semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura. El potencial de
barrera tpico es aproximadamente de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para el germanio a
25C. Como los dispositivos de germanio son raros, se utiliza el silicio.

CONDICIONES DE POLARIZACIN.
Caracterstica V-I en condicin de polarizacin en directa
Cuando se aplica un voltaje de
polarizacin en directa a travs de
un diodo se produce corriente. Esta
corriente se conoce como corriente
de polarizacin en directa y se
expresa como I
F
. A medida que el
voltaje de polarizacin en directa se
incrementa positivamente desde 0V.
Se utiliza el resistor para limitar la
corriente de polarizacin en directa
a un valor que no sobrecaliente el
diodo y no provoque daos.






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Con 0V a travs del diodo, no se produce corriente de polarizacin en directa.
A medida que se incrementa gradualmente el voltaje de polarizacin en directa, la
corriente de polarizacin y el voltaje a travs del diodo se incrementan gradualmente. Una
parte del voltaje de polarizacin en directa decae a travs del resistor limitador.
Cuando el voltaje de polarizacin en directa se incrementa a un valor en el que el voltaje a
travs del diodo alcanza aproximadamente 0.7V (potencial de barrera), la corriente de
polarizacin en directa comienza a incrementarse con rapidez.
Conforme el voltaje de polarizacin en directa se incrementa, la corriente contina
incrementndose muy rpidamente, aunque el voltaje a travs del diodo se incrementa
slo gradualmente por encima de 0.7V. Este pequeo incremento en el voltaje del diodo
por encima del potencial de barrera se debe a la cada de voltaje a travs de la resistencia
dinmica interna del material semiconductor.
Trazo de la curva V-I Si se grafican los resultados del tipo de mediciones, se obtiene la
curva de caracterstica V-I para un diodo polarizado en directa. El voltaje de polarizacin
en directa del diodo (VF) se incrementa hacia la derecha a lo largo del eje horizontal y la
corriente de polarizacin en directa (IF) se incrementa hacia arriba a lo largo del eje
vertical.
La corriente de polarizacin en directa se incrementa muy poco hasta que el
voltaje de polarizacin en directa a travs de la unin pn alcanza aproximadamente 0.7 V
en la inflexin de la curva. Despus de este punto, el voltaje de polarizacin en directa
permanece en aproximadamente 0.7V, pero IF se incrementa con rapidez. Como se
mencion, VF se incrementa un poco por encima de 0.7 a medida que la corriente
aumenta, debido principalmente a la cada de voltaje a travs de la resistencia dinmica.
La escala IF por lo general est en mA, como se indica.



A medida que el
voltaje de polarizacin
externa y la corriente
de polarizacin en
directa continan
incrementndose por
encima de la inflexin
de la curva, el voltaje
de polarizacin en directa se incrementar un poco por encima de 0.7V. En realidad, el
voltaje de polarizacin en directa puede ser aproximadamente como de 1V, segn la
corriente de polarizacin en directa.



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Caracterstica V-I para polarizacin en inversa
Cuando se aplica un voltaje de polarizacin en inversa a travs de un diodo, existe slo
una corriente en inversa extremadamente pequea (IR) a travs de la unin pn. Con 0V a
travs del diodo, no existe corriente en inversa. Amedida que se incrementa
gradualmente el voltaje de polarizacin en inversa, existe una corriente en inversa muy
pequea y el voltaje a travs del diodo se incrementa. Cuando el voltaje de polarizacin
aplicado se incrementa a un valor en el que el voltaje en inversa a travs del diodo (VR)
alcanza el valor de ruptura (VBR), la corriente en inversa comienza a incrementarse con
rapidez. A medida que contina incrementndose el voltaje de polarizacin, la corriente
contina incrementndose muy rpido, pero el voltaje a travs del diodo se incrementa
muy poco por encima de VBR. La ruptura, con excepciones, no es un modo normal de
operacin de la mayora de los dispositivos con unin pn.
Trazo de la curva V-I Si se marcan los resultados de
mediciones de polarizacin en inversa en una grfica, se obtiene la
curva de caracterstica V-I de un diodo polarizado en inversa. El
voltaje en inversa en el diodo (VR) se incrementa a la izquierda a lo
largo del eje horizontal y la corriente en inversa (IR) se incrementa
hacia abajo a lo largo del eje vertical. Existe muy poca corriente en
inversa (casi siempre mA o nA) hasta que el voltaje en inversa a travs
del diodo alcanza aproximadamente el valor de ruptura (VBR) en la
inflexin de la curva.
Despus de este punto, el voltaje en inversa permanece a aproximadamente VBR,
pero IR se incrementa muy rpido y el resultado es un sobrecalentamiento y posibles
daos si la corriente no se limita a un nivel seguro. Un diodo rectificador tpico tiene un
voltaje de ruptura de ms de 50V. Algunos diodos especializados tienen un voltaje de
ruptura de slo 5V.
La curva de caracterstica V-I
Si combinara las curvas tanto de
polarizacin en directa como de polarizacin en inversa,
obtendra la curva de caracterstica V-I de un diodo.
Efectos de la temperatura
Para un diodo polarizado en directa, a medida que se
incrementa la temperatura, la corriente de polarizacin en
directa se incrementa para un valor dado del voltaje de
polarizacin en directa. El potencial de barrera se reduce 2mV
por cada grado de incremento de la temperatura.
Para un diodo polarizado en inversa, a medida que se incrementa la temperatura la
corriente de polarizacin en inversa se incrementa. La corriente de polarizacin en inversa
por debajo de la ruptura permanece extremadamente pequea y, en trminos generales,
puede ser ignorada.