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UNIVERSIDADE FEDERAL DO VALE DO SO FRANCISCO

COLEGIADO DE ENGENHARIA ELTRICA


Disciplina: Laboratrio de Circuitos Eltricos II Prtica 04
Prof.: Dr. Adeon Ceclio Pinto
Ansio Dario
Franciclei Soares
Gilson Borges
Rodolfo Nunes
RELATRIO
Circuitos Reticadores
Juazeiro BA
08 11 2010
14
SUMRIO
1. INTRODUO 22. TEORIA 32.1. SEMICONDUTORES 32.2. DIODOS 32.3.
CIRCUITOS RETIFICADORES COM DIODOS 52.3.1. Reticador de Meia
1
Onda, Carga Resistiva 52.3.2. Reticador de Meia Onda com Filtro Capacitivo
62.3.3. Reticador de Onda Completa, Carga Resistiva 82.3.4. Reticador de
Onda Completa, com Filtro Capacitivo 93. EXPERIMENTO 93.1. MATRIAS
UTILIZADAS 103.2. VALORES UTILIZADOS 103.3. CLCULOS TEORICOS
103.4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTO 113.4.1. Reticador de meia onda
113.4.2. Reticador onda completa 13CONCLUSO 15BIBLIOGRAFIA 16
2
1 INTRODUO
A energia eltrica, hoje disponvel em grande quantidade graas s extensas redes de
distribuio, apresenta-se sob a forma de Corrente Alternada Senoidal, em geral
de 220V ou 110V (valores ecazes)* e frequncia de 50 ou 60 Hz (FURLAN,
2010). A obteno de corrente contnua, a partir da corrente alternada disponvel,
indispensvel nos equipamentos eletrnicos. Para que esses equipamentos possam
operar necessrio que a tenso da rede eltrica seja reduzida, reticada e ltrada
para os valores aceitveis pelos equipamentos (DARI, 2010).
Os circuitos ou sistemas destinados a transformar corrente alternada em con-
tnua so chamados Conversores CA-CC. A reduo da tenso da rede para os valores
utilizados pelo equipamento geralmente feito com o uso de transformadores de
tenso. A etapa de reticao realizada com o uso de dispositivos chamados diodos
reticadores, e ltragem feita com ltros que utilizam capacitores (FURLAN,
2010).
3
2 TEORIA
2.1 2.1. SEMICONDUTORES
Um semicondutor um material que, dependendo da tenso eltrica aplicada, pode
ser um condutor (deixando a corrente eltrica passar) ou pode ser um isolante
(bloqueando a corrente eltrica). Os materiais mais utilizados como base na
construo do semicondutor o germnio (Ge) ou o silcio (Si), ambos possuem
quatro eltrons livres em sua camada de valncia. Com isso, eles conseguem
formar at quatro ligaes do tipo covalente (TORRES, 2002).
Quando adicionados materiais qumicos (impurezas) que possuam cinco el-
trons livres (fsforo, antimnio ou arsnio) ou que possuam trs eltrons livres (boro,
ndio ou glio) na estrutura cristalina do germnio ou silcio, haver um eltron so-
brando ou faltando (TORRES, 2002).
Nesse processo de dopagem se o material possuir eltrons sobrando em sua
estrutura chamado material do Tipo N ou Impurezas doadoras. E quando o
material tiver faltando eltrons (ou lacunas) chamado material do Tipo P ou
impurezas aceitadoras (TORRES, 2002).
2.2 2.2. DIODOS
O tipo simples de semicondutor e usual o diodo de juno, constitudo por um
pedao de material tipo P unido com um pedao do tipo N e tem a funo de
permitir a passagem de carente eltrica em um s sentido, bloqueando a corrente
em sentido oposto, como mostra a gura 1 e 2 (TORRES, 2002).
Figura 1. Estrutura interna de um diodo polarizado
Ou seja, para fazer com que eltrons livres consigam circular dentro de um
diodo necessrio vencer a barreira de potencial. Se o diodo for polarizado di-
retamente, isto , o material tipo N ligado ao negativo da fonte e o material do
tipo P ligado ao positivo da fonte, os eltrons livres repelem os eltrons presente
dentro do material tipo N, forando-os em direo juno, diminuendo a barreira
de potencial, at que os eltrons consigam atravessar a juno (gura 1). Esse mo-
mento ocorre normalmente quando a tenso da fonte estive na faixa de 0,3 0,7
dependendo da composio do semicondutor (TORRES, 2002).
Figura 2 Estrutura interna de um diodo inversamente polarizado
J quando o diodo est polarizado inversamente, os eltrons livres do mate-
rial tipo N tendem a ir para o polo positivo da fonte em vez de atravessarem
o diodo (gura 2). Isso faz com que a barreira de potencial aumente, conse-
quentemente, nenhuma corrente circulada no diodo (TORRES, 2002). Nos de
circuito representado pelo smbolo:
Figura 3: Simbolo diodo simples
Assim, quando o nodo (A) estiver a um potencial positivo em relao ao Ctodo
(K), o dodo conduz e a corrente ter o sentido (convencional) indicado pela
seta. Nestas condies diz-se que o dodo est diretamente polarizado. Quando o
nodo estiver a um potencial negativo em relao ao Ctodo, o dodo no conduz e a
4
corrente, que teria o sentido contrrio ao da seta, no autorizada a passar. Nestas
condies diz-se que o dodo est inversamente polarizado (MARIANO, 2010a).
Figura 4: Aplicao de didos como reticadores de tenso
Alm desta funo o diodo pode ser aplicado em vrias aplicaes importantes,
uma delas como reticador, pea fundamental na converso de tenso alternada
em tenso continua, visualizado na gura 4 (TORRES, 2002).
2.3 2.3. CIRCUITOS RETIFICADORES COM DIODOS
Analisando as curvas caractersticas de um diodo ideal e de um diodo real,
mostrados na gura 5.
Figura 5. Grco caracterstico do diodo de juno
Observa-se que, dentro de certas limitaes, as duas curvas so bem semelhantes.
O fator de escala para correntes no sentido negativo est exagerado, e a queda de
tenso no sentido direto (da ordem de 1 V) pode ser desprezada em primeira anlise
na maioria dos circuitos. J a ruptura da juno do diodo ocorre em tenses reversas
elevadas nas quais o diodo no deve ser utilizado para reticar (FURLAN, 2010).
2.3.1. Reticador de Meia Onda, Carga Resistiva No circuito mostrado
na gura 6, a corrente na resistncia de carga R s circula num sentido, embora
a tenso v(t) aplicada ao circuito seja alternada (senoidal). A corrente s circula
quando o tenso do ponto A for mais elevado que o tenso do ponto B acrescido
de v
D1
( tenso direta aplicada no diodo durante a conduo), ou seja v (t) > v
D1
,
quando o diodo se acha em plena conduo. Nesta situao, a tenso (v (t)v
D1
) ca
toda aplicada na resistncia de carga e a corrente dada por i (t) = (v (t)v
D1
)/R
. Quando v (t) < v
D1
, o diodo bloqueia completamente o uxo da corrente.
Como no h queda de potencial atravs da resistncia de carga, toda a tenso ca
aplicada no diodo (i (t) = 0) (FURLAN, 2010).
Figura 6. Circuito reticador de 1/2 onda com carga resistiva.
2.3.2. Reticador de Meia Onda com Filtro Capacitivo O circuito
mostrado na gura 7 apresenta o que chama-se de ltragem que, no caso,
consiste na eliminao de variaes bruscas na tenso v(t) sobre a carga resistiva R
graas presena do capacitor C que age como amortecedor (FURLAN, 2010).
Figura 7. Reticador de meia onda com ltro capacitivo.
Considerando que o capacitor esteja inicialmente descarregado. Ao chegar
o primeiro semicrculo positivo de v(t), o diodo D1 conduzir corrente eltrica,
colocando C e R diretamente em contato com a tenso v(t), a menos de v
D1
.
Enquanto v(t) estiver aumentando, o diodo estar conduzindo, a corrente na
resistncia ser i (t) = (v (t) v
D1
)/R e o capacitor vai se carregando at atingir
a tenso mxima (V
p
v
D1
). Quando v (t) atinge o mximo e comea a cair, a
carga em C tenta voltar, o que impedido pelo bloqueio do diodo. A carga do
capacitor no tem alternativa seno descarregar exponencialmente atravs de R,
5
enquanto a tenso no outro lado do diodo vai caindo at atingir o pico negativo
de v (t). Nesse instante, a tenso inversa sobre o diodo mxima, sendo igual a
aproximadamente 2 V
p
(FURLAN, 2010).
O diodo s volta a conduzir quando v (t) iguala v
R
(t) e o capacitor ento se
carrega novamente ao mximo, at que ocorra novo bloqueio.
A corrente no diodo em regime permanente, chamada de corrente de pico repet-
itivo, dada por:
i
D1
= i
C
+ i
R
Sendo que a tenso da fonte:
v (t) = V
P
sin t
A corrente no capacitor:
i
C
(t) = C
d[v (t) v
D1
]
dt
E no resistor:
i
R
(t) =
v (t) v
D1
R
Portanto,
i
D1
(t) =
V
P
R
(RCcos t + sin t )
v
D1
R
(t
2
< t < t
1
)
A tenso mdia no capacitor:
I
C
=
dQ
dt
= C
dV
T
CdV f
V
C
= RCdV f = (V
P
v
D1
)
dV
2
=
2RCf(V
P
v
D1
)
1 + 2RCf
2.3.3. Reticador de Onda Completa, Carga Resistiva O circuito da
gura 8 permite conduo em R nos dois semiciclos da senide, o que signica que
para uma mesma tenso de entrada v(t) a corrente mdia o dobro da que tnhamos
no circuito anterior.
Figura 8. Circuito reticador de onde completa com ponte de diodos.
Quando v (t) > 2 v
D
(pois agora temos dois diodos em srie), os diodos D1
e D3 conduzem, o que automaticamente bloqueia D2 e D4 . Ou seja, D1 cria
um caminho de corrente entre o terminal superior de R e a tenso em A e D3 cria
um caminho de corrente entre R e a tenso em B. Portanto, na resistncia R temos
uma tenso v
R
(t) = v (t) 2v
D
e a corrente ser dada por i (t) = (v (t) 2v
D
) /R
(FURLAN, 2010).
E quando 2v
D
< v (t) < 2v
D
, nenhum diodo conduz e portanto i (t) = 0. Em
outro caso, (t) < 2v
D
, isto , o diodo D2 conduz bloqueando D1 e o diodo D4
6
conduz tambm, bloqueando D3. A corrente passa pelo caminho formado por
D2, R e D4, passando pela resistncia no mesmo sentido que o anterior. Agora
vale a relao v
R
(t) = v (t) 2v
D
(FURLAN, 2010).
Como normalmente V
P
v
D
, a tenso reversa mxima em cada diodo aproximadamente|
V
P
|.
2.3.4. Reticador de Onda Completa, com Filtro Capacitivo O valor
mdio da tenso de sada, calculado de forma anloga ao caso de reticador de meia
onda com ltro capacitivo, :
V
S
=
4RCf(V
P
2v
D1
)
1 + 4RCf
3 3. EXPERIMENTO
Nesta prtica ser realizado um experimento, que tero como base os circuitos
abaixo:
:
Figura 9. Reticador de meia onda
Figura 10. Reticador de onda completa
Analisando o circuito da gura 1 e 2, calculando teoricamente as tenses na
carga para as situaes, com e sem capacitor de ltro. Posteriormente construir o
circuito e analisar utilizando o osciloscpio para compara com os valores encon-
trados.
3.1 3.1. MATRIAS UTILIZADAS
1. Placa de circuito analgico AB09;
2. Fonte de tenso CA de 0-5 VRMS;
3. Osciloscpio digital de 2 canais;
4. Cabos Conectores;
5. Cmara fotogrca;
3.2 3.2. VALORES UTILIZADOS
1. Circuito reticador meia onda, gura 9:
2. R = 100 k?
3. f= 60 Hz
7
4. V rms = 5 VRMS
5. C = 1F
6. Um Diodo de juno (v
d
= 1 V olts, valor abstrato);
7. Circuito reticador onda completa, gura 10:
8. R = 100 k?
9. f= 60 Hz
10. V rms = 5 VRMS
11. C = 1F
12. Quatro Diodos de juno (v
d
= 1 V olts, valor abstrato);
3.3 3.3. CLCULOS TEORICOS
1. Circuito de reticador meia onda, carga resistiva:
2. Frequncia: w = 2f = 2 60 = 377rad/s
3. Tenso de pico da fonte: V
P
= V
RMS

2 = 7, 07 V olts
4. Tenso da Fonte: v (t) = 7, 07cos 377t vots V=7, 070

5. Tenso no Resistor: V
R
= 7, 070

1 = 6, 07 V olts
6. Corrente quando a senide est no semicrculo positivo (v (t) > v
d
):
i (t) =
6, 07
100 10
3
cos 377t = 0, 6cos 377t mA
1. Circuito de reticador meia onda, com Filtro Capacitivo:
2. Transformao fasorial do capacitor: X
c
= 1/jwC = 2, 65j k?
3. Corrente em regime permanente:
I =
7, 07 1
100 10
3
2, 65j 10
3
= 0, 061, 52

mA
4. A corrente no capacitor em regime permanente:
I
R
=
(0, 061, 52

) 10
3
(100 10
3
)
100 10
3
2, 65j 10
3
= 0, 0593

mA
5. A tenso no resistor: V
R
= (0, 0593

)10
3

100 10
3

= 5, 983

V
8
6. A tenso mdia do Capacitor:
V
c
=
2 100 10
3
10
6
60 6, 07
1 + 2 100 10
3
10
6
60
= 5, 6 V olts
1. Circuito de reticador onda completa, com carga resistiva:
2. Tenso no resistor, quando v (t) > 2v
d
: V
R
= 7, 07 2 = 5, 07 V olts
3. Tenso no resistor, quando v (t) < 2v
d
: V
R
= 7, 07 2 = 9, 07 V olts
1. Circuito de reticador onda completa, com Filtro Capacitivo:
2. A tenso mdia de sada:
V
S
=
4 100 10
3
10
6
60 5, 07
1 + 4 100 10
3
10
6
60
= 4, 87 V olts
3.4 3.4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTO
3.4.1. Reticador de meia onda
1. Conecte a fonte de alimentao CA 0-5 V nos ponto m e ponto c.
2. Conecte os cabos entre os pontos e & j
3. Conecte o canal 1 do osciloscpio entre os pontos i & n e observe a forma
de onda reticada no resistor de carga.
4. Medido a tenso na resistncia de carga V
P
= 7 V olts
5. Agora conecte os pontos i & I.
6. Medido a tenso sada ltrada V
p
= 6, 58 V olts
Figura 11: Tela Osciloscpio reticador meia onda
Figura 12: Tela Osciloscpio reticador meia onda com capacitor
3.4.2. Reticador onda completa
1. Conectando a fonte de alimentao CA 0-5 V nos pontos g & c.
2. Conecte os cabos entre os pontos b & d e h & f para completar o circuito
do reticador de onda completa e tambm conecte os pontos a & m/no.
3. Conecte os cabos entre os pontos e & j
4. Conecte o canal 1 do osciloscpio entre os pontos j & n e observe a forma
de onda reticada no resistor de carga
9
5. Utilizando o prprio osciloscpio mea a tenso na resistncia de carga V
P
=
7 V olts.
6. Agora conecte os pontos i & I.
7. Medido a tenso sada ltrada V
p
= 6, 33 V olts
Figura 13: Tela Osciloscpio reticador meia onda
Figura 14: Tela Osciloscpio reticador onda Completa, com Filtro
Capacitivo
10
4 CONCLUSO
Analisando os valores tericos com os valores mostrados no osciloscpio pode-se
determinar que o circuito reticador de meia onda resistivo s condiz corrente
quando a senide est no semicrculo positivo, de modo, que a tenso de sada que
variando no intervalo de (0 - VP) Volts com uma frequncia f/2 da fonte, sendo
que a outra metade da frequncia a corrente ser zero (pulsante). J a meia o
reticar de meia onda com ltro capacitivo permite que quanto menor for a
descarga do capacitor durante o bloqueio do diodo, menor ser a queda de tenso
nos seus terminais.
No reticador com onda completa, ser sempre o semicrculo positivo da
senide, durante a frequncia da fonte de tenso. E utilizando na onda completa
um capacitor permite transforma a onda pulsante em uma tenso continua, porm
tendo uma pequena oscilao que ser menor do que o reticador de meia onda.
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5 BIBLIOGRAFIA
ALEXANDER, C. K.; SADIKU, M. N. O. Fundamentos de Circuitos El-
tricos. Traduo Gustavo Guimares Parma. 1. ed. So Paulo: Bookman, 2003.
858 p. ISBN 85-3630-249-6.
TORRES, Gabriel. Fundamentos de Eletrnica. 1. ed. Rio de Janeiro:
Axcel Books, 2002. 230 p. ISBN 85-7323-173-4.
MARIANO, Jos Fernando M. L. Introduo a Eletrnica: O Transistor Bipo-
lar. Guia de Laboratrio. A.D. de Fsica, Universidade do Algarve. Portugal,
2010. Disponvel em: <http://w3.ualg.pt/jmariano/introelec /iae transistor 1.pdf>.
6 FUNLAN, Rogrio. Capitulo 1. http://www.lsi.usp.br/roseli/www/psi2307 2004
-Teoria-1-Retif.pdf. 2010
7 DARI, Toginho Filho. http://www.uel.br/cce/sica/docentes/dari/d10 atividade
6 af117b38.pdf
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