Contenido

DIODO ZENER ............................................................................................................................................ 2

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS .................................................................................................. 3
VARACTOR ................................................................................................................................................. 7
El DIAC ........................................................................................................................................................ 8
DIODO TRIAC ............................................................................................................................................. 9
BIBLIOGRAFIA ........................................................................................................................................ 13




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DIODO ZENER
Los diodos zener, o simplemente zener, son diodos que
estn diseados para mantener un voltaje constante en
su terminales, llamado Voltaje o Tensin
Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente, es
decir cuando est el ctodo con una tensin positiva y el
nodo negativa.
Diodo zener real


Funcionamiento del Diodo Zener

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el
diodo conduce y mantiene la tensin Vz aunque la
aumentemos. La corriente que pasa por el diodo zener en
estas condiciones se llama corriente inversa (Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz.
Como ves es un regulador de voltaje o tensin.
Cuando est polarizado directamente el zener se
comporta como un diodo normal.
Pero OJO mientras la tensin inversa sea inferior a la
tensin zener, el diodo no conduce, solo conseguiremos
tener la tensin constante Vz, cuando est conectado a
una tensin igual a Vz o mayor. Aqu puedes ver una la
curva caracterstica de un zener:



Para el zener de la curva vemos que se activara para una
Vz de 5V (zona de ruptura), lgicamente polarizado
inversamente, por eso es negativa. En la curva de la
derecha vemos que sera conectado directamente, y
conduce siempre, como un diodo normal.
Sus dos caractersticas ms importantes son
su Tensin Zener y la mxima Potencia que
pueden disipar= Pz (potencia zener).

La relacin entre Vz y Pz nos determinar la
mxima corriente inversa, llamada Izmx. OJO si
sobrepasamos esta corriente inversa mxima el
diodo zener puede quemarse, ya que no ser capaz
de disipar tanta potencia.
Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y
0,5w. cual ser la mxima corriente inversa que
soportar?
Recordamos P = V x I; I =
P
V
. En nuestro caso
Izmx =
Pz
Vz
=
0.5
5.1
= 0.098
Para evitar que nunca pasemos de la corriente
inversa mxima, los diodos zener se conectan
siempre con una resistencia en serie que llamamos
"Resistencia de Drenaje".
Vamos a ver como sera la conexin bsica de un
diodo zener en un circuito:

La Rs sera la resistencia de drenaje y la Rl la Carga
a la salida del zener. Te das cuenta que la conexin
es inversa?. As se conectan siempre el zener diodo.

En el circuito anterior la tensin de salida se
mantendr constante, siempre que sea superior a la
Vz, y adems ser independiente de la tensin de
entrada Vs. Esto nos asegura que la carga siempre
estar a la misma tensin.
Si aumentamos por encima de Vz la tensin de
entrada Vs a la salida tendremos siempre la tensin
constante igual a Vz.
La Rs absorbe la diferencia de tensin entre la
entrada y la salida. Cmo se calcula la Rs?
=
(Vs Vo)/
(Il + Iz)


Siendo Vs la tensin de entrada del regulador, Vo la
tensin de salida, que ser igual a Vz, Il es la
intensidad de carga mxima e Iz la intensidad o
corriente a travs del diodo zener.
Esta ltima se escoge siempre de un valor del 10%
o del 20% de la corriente mxima.
tambin tenemos que decir que estos diodos se

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utilizan como reguladores de tensin para determinadas
tensiones y resistencias de carga, por encima de ellos el
zener puede bloquearse e incluso destruirse. Vamos a
poner un ejemplo.
Se desea disear un regulador zener de 5,1V para
alimentar una carga de 5 ohmios, a partir de una entrada
de 9V. Para ello utilizaremos un zener de 5,1V y 1w.
Calcular:
a)La resistencia necesario de drenaje, asumiendo una
corriente de zener del 10% de la corriente mxima.
b) Los lmites de variacin del voltaje de entrada dentro
de los cuales se mantiene la regulacin. Se asume que la
carga es constante.
c) La potencia nominal de la resistencia de drenaje.

Vamos a resolver el problema:
Para calcular la resistencia de drenaje ya sabemos que
es:

Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz); en nuestro caso:
Vs = 9V; Vo = 5,1V;
Il = Vo / Rl = 5,1/5 = 1,02A;
Iz = Il / 10 = 1,2 /10 = 0,102A (el 10%)
Si ponemos estos valores en la frmula de la Rs
tendremos:
Rs = (9V-5,1V)/(1,02A-0,102A)= 3,48.

Como este valor de resistencia no existe en la realidad
escogeremos el valor de una resistencia de 3,3 que si
existe en la realidad y se comercializa.

Apartado b). Los valores mximos y mnimos de la
tensin de entrada entre los cuales el circuito mantiene
regulada la tensin de salida, podemos despejarlos de la
frmula anterior, despejando Vs y teniendo en cuenta
que la Iz, corriente a travs del zener, no puede ser
superior a su valor mximo Izmx ni inferior a cero.
Despejamos Vs:
Vs = (Il + Iz) x Rs + Vo;
El valor mnimo para Vs ser cuando Iz es igual a cero.
Vsmnimo= Il x Rs + Vo;
El valor mximo ser cuando Iz es igual a Izmx.
Vs = (Il + Izmx) x Rs + Vo;
Los valores para nuestro ejercicio son:
Il = 1,02A; Rs = 3,3; Vo = 5,1V y la Izmx ser:
Izmxima= Pz/Vz = 1/5,1= 0,196A. Si ponemos los
valores en las frmulas anteriores, tenemos:
Vsminimo = 1,02 x 3,3 + 5,1 = 8,47V
Vmxima = (1,02 + 0,196) x 3,3 + 5,1 = 9,11V.
Qu significa esto? Pues que la tensin de entrada
puede ser entre 8,47V y 9,11V para que exista
regulacin de tensin del diodo zener.
Si el zener tiene una tensin inferior a 8,47V deja de
conducir y si es superior a 9,11V se destruye por
sobrecalentamiento. Este ser el rango del que hablamos
anteriormente y por lo que los zener no se pueden
usar para todos los casos.
En ambos casos no habr regulacin de tensin y el
circuito se comportar como un divisor de tensin
normal.
Conclusin a esto es que los diodos zener solo se
pueden utilizar para un rango limitado de tensiones
de carga o corrientes de carga.
Para manejar tensiones elevadas se debe utilizar
junto con un transistor, que se encargar de
transportar la corriente d carga sin alterar la tensin
aplicada a ella. Pero para eso tendramos que
entender el transistor.
Apartado c).
La potencia nominal mnima de la resistencia de
drenaje se calcula con la frmula:
Ps = (9,11V -5,1V)/3,3= 4,87w.
Segn esto debe escogerse como mnimo una
resistencia d 3,3 y que aguante una potencia de
5w. En la prctica, por seguridad se elegir una de
3,3 y de 10w de potencia.

Tipos de Diodos Zener
Actualmente se pueden encontrar diodos zener de
valores Vz desde 0,2V hasta 200V y de Pz hasta los
50 vatios.
Hay principalmente dos variedades de zener, los ZD
o ZDP que son los europeos y los 1N que son
americanos.
Los ZDP por ejemplo el ZPD12 significa que tienen
una tensin zener de 12V. Para el resto tendremos
que mirar sus caractersticas en la tabla de
fabricante, aunque normalmente su tensin de
ruptura viene impreso sobre el mismo diodo zener.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Hasta ahora todos los dispositivos estudiados tienen
como mecanismo bsico de su funcionamiento el
transporte de corriente por uno o dos tipos de
portadores de carga, electrones o huecos (o ambos).
Existe otros tipos de dispositivos semiconductores
cuya funcin es, en unos casos, producir luz a partir
de corrientes elctricas, en otros, generar corrientes
elctricas a partir de la incidencia de luz sobre ellos:
son los denominados Dispositivos Optoelectrnicos
Semiconductores. Aunque existen dispositivos
realizados con materiales no semiconductores que
pueden realizar esta misma funcin (por ejemplo,
los fotomultiplicadores) para nosotros, cuando
hablemos de dispositivos optoelectrnicos nos
referiremos siempre a dispositivos optoelectrnicos
realizados con semiconductores.

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Por lo tanto, tenemos que introducir un nuevo elemento
a lo ya conocido: la radiacin luminosa,
electromegnetica, y estudiaremos algunos efectos de la
interaccin de la luz con la materia, y de forma especial
con los semiconductores y su accin en los dispositivos
con ellos fabricados. La importancia actual de este tipo
de dispositivos es obvia para cualquiera que est un
poco familiarizado con los circuitos electrnicos, e
incluso con la electrnica domstica: los mandos a
distancia de los electrodomsticos habituales funcionan
(en su gran mayora) por emisin y recepcin de rayos
infrarrojos. El origen de la informacin que se transmite
por fibras pticas, propias de redes de comunicacin
avanzadas, suele estar en la emisin de luz por un
dispositivo LED o lser semiconductor. Los
optoacopladores, en circuitos de control e
instrumentacin y las clulas solares son otros
componentes en los que la interaccin de la luz con las
propiedades de uniones p-n determina el funcionamiento
de estos dispositivos.

Vamos a hacer ahora una puntualizacin en cuanto a la
nomenclatura: Por lo general, por "luz" entendemos la
parte del espectro de la radiacin electromagntica a la
que es sensible el ojo humano, esto es, que "vemos".
Con ms propiedad, a esta zona deberamos llamarla
"espectro visible". Aqu, y en un abuso de lenguaje, por
"luz" entenderemos radiacin electromagntica en
general, aunque los valores numricos los centraremos
en el espectro visible y la zona prxima del infrarrojo -
aquella que est limitando con el color rojo-. Alguna
vez, aunque muy raramente, incluiremos el ultravioleta.

La radiacin electromagntica
No se pretende aqu realizar un estudio riguroso a cerca
de la radiacin electromagntica. Simplemente se recor-
darn algunos conceptos bsicos, imprescindibles para
comprender el captulo.
La radiacin electromagntica est formada por fotones.
Cada fotn lleva asociada una energa que se caracteriza
por su longitud de onda segn la ecuacin
E=hc/ donde
E = energa del fotn
c = velocidad de la luz 3 108m/s
h = constante de Planck
= longitud de onda del fotn.

El numerador de la expresin de la energa es una cons-
tante. Por eso, la energa de un fotn
es mayor cuanto menor sea la longitud de onda ,que se
encuentra en el denominador.
La luz, tal y como la entiende la persona de a pie, no es
ms que una parte de la radiacin electromagntica que
es capaz de excitar las clulas de la retina del ojo. La
radiacin electromagntica abarca un concepto ms
general.


El espectro electromagntico
La radiacin electromagntica queda dividida segn
su longitud de onda . A continuacin se comentan
algunos aspectos relativos a estas divisiones:

Las ondas de radio son generadas por circuitos elec-
trnicos, como osciladores LC, y son utilizadas en
comunicaciones.
Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta
30 cm. Resultan adecuadas para los sistemas de
radar, navegacin area y para el estudio de las
propiedades atmicas de la materia.
Las ondas infrarrojas son llamadas tambin ondas
trmicas ya que estas ondas son producidas princi-
palmente por cuerpos calientes y son absorbidas
fcilmente por la mayora de los materiales. La
energa absorbida aparece como calor. Estas ondas
comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta
4x10-7 m.
La luz visible es la parte del espectro que puede
percibir el ojo humano. Incluye las longitudes de
onda desde 4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es
lo mismo, desde 400nm hasta 700nm. Los diferen-
tes colores corresponden a ondas de diferente longi-
tud de onda.
La luz ultravioleta (6x10-8 - 3.8x10-7) es producida
principalmente por el sol. Es la causa de que la gen-
te se ponga morena.

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Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran ener-
ga que daan la estructura de los tejidos humanos.
La optoelectrnica se centra principalmente en la parte
del espectro electromagntico correspondiente a la luz
visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible.

Dispositivos optoelectronicos bsicos
A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de
dispositivos:
Dispositivos emisores: emiten luz al ser activa-
dos por energa elctrica. Son dispositivos que transfor-
man la energa elctrica en energa luminosa. A este
nivel corresponden los diodos LED o los LSER.
Dispositivos detectores: generan una pequea
seal elctrica al ser iluminados. Transforma, pues, la
energa luminosa en energa elctrica.
Dispositivos fotoconductores: Conducen la ra-
diacin luminosa desde un emisor a un receptor. No se
producen transformaciones de energa.
Tras esta amena introduccin, nos adentramos en el ma-
ravilloso mundo de la optoelectrnica.

Dispositivos emisores
Los dispositivos emisores son aquellos que varan sus
propiedades pticas con la aplicacin de un determinado
potencial. Estas propiedades pueden ser la emisin de
luz o simplemente la absorcin o reflexin de la luz
En este apartado se presentan los siguientes componen-
tes:
Diodos LED
Diodos lser
Cristales lquidos

Diodos emisores de luz (LED)
Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unin PN
que cuando se polariza directamente emite luz.
Al aplicarse una tensin directa a la unin, se inyectan
huecos en la capa P y electrones en la capa N. Como
resultado de ello, ambas capas tienen una mayor concen-
tracin de portadores (electrones y huecos) que la exis-
tente en equilibrio. Debido a esto, se produce una re-
combinacin de portadores, liberndose en dicha recom-
binacin la energa que les ha sido comunicada mediante
la aplicacin de la tensin directa.
Se pueden distinguir dos tipos de recombinacin en fun-
cin del tipo de energa que es liberada:
Recombinacin no radiante : la mayora de la
energa de recombinacin se libera al cristal como ener-
ga trmica.
Recombinacin radiante: la mayora de la ener-
ga de recombinacin se libera en forma de radiacin. La
energa liberada cumple la ecuacin:

Si se despeja la longitud de onda:

siendo E la diferencia de energa entre el electrn y
el hueco que se recombinan expresada en electrn-
voltios. Esta energa depende del material que for-
ma la unin PN.
Para caracterizar la eficacia en la generacin de
fotones se definen una serie de parmetros:
La eficacia cuntica interna (s) es la relacin entre
el nmero de fotones generados y el nmero de
portadores (electrones y huecos) que cruzan la
unin PN y se recombinan. Este parmetro debe
hacerse tan grande como sea posible. Su valor de-
pende de las probabilidades relativas de los proce-
sos de combinacin radiante y combinacin no ra-
diante, que a su vez dependen de la estructura de la
unin el tipo de impurezas, y sobre todo, del mate-
rial semiconductor.
Sin embargo, la obtencin de una alta eficacia cun-
tica interna no garantiza que la emisin de fotones
del LED sea alta. La radiacin generada en la unin
es radiada en todas las direcciones. Es esencial que
esa radiacin generada en el interior del material
pueda salir de l. A la relacin entre el nmero de
fotones emitidos y el nmero de portadores que
cruzan la unin PN se le llama eficacia cuntica
externa (ext). Las causas de que ext sea menor
que s son tres:
Slo la luz emitida en la direccin de la superficie
entre el semiconductor y el aire es til.
En la superficie entre el semiconductor y el aire se
pueden dar fenmenos de reflexin, quedando los
fotones atrapados en el interior del material.
Los fotones pueden ser absorbidos por el material
para volverse a formar un par electrn-hueco.
- Consideraciones prcticas
En la Figura se muestra el smbolo circuital ms
extendido del diodo LED.
Smbolo circuital del diodo LED

En el anlisis de un circuito, el diodo LED puede
ser tratado de manera anloga a un diodo normal.
Sin embargo conviene tener en cuenta que los dio-
dos LED no estn fabricados de silicio monocrista-
lino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de
emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polariza-

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cin directa VD depende del material con el que est
fabricado el diodo.
Cuando se utilizan LEDs con tensin alterna se suele
utilizar el esquema de la Figura :
Diodo LED en alterna

Este esquema se utiliza para que el diodo LED no se
encuentre nunca polarizado en inversa. Al situar un dio-
do normal en antiparalelo, la tensin mxima en inversa
entre las terminales del LED es de 0,7 V. Esto se realiza
as porque un diodo LED puede resultar daado ms
fcilmente que un diodo normal cuando se le aplica una
polarizacin inversa.
-Materiales utilizados
Tal y como se ha expuesto anteriormente, los diodos
LED no estn fabricados de silicio monocristalino. El
material que compone el diodo es importante ya que el
color de la luz emitida por el LED depende nicamente
del material y del proceso de fabrica-
cin (principalmente de los dopados).
En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de mate-
riales utilizados junto con los colores conseguidos:
Material Longitud de onda Color VD tpica
AsGa 904 nm IR 1 V
InGaAsP 1300 nm IR 1 V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3 V

-Una aplicacin de los LEDs: el display de 7 segmentos
Una de las aplicaciones ms populares de los LEDs es la
de sealizacin. Quizs la ms utilizada sea la de 7
LEDs colocados en forma de ocho tal y como se indica
en la figura.

Figura : Display de 7 segmentos. A la izquierda aparecen las dos posibles
formas de construir el circuito
Polarizando los diferentes diodos, se iluminarn los
segmentos correspondientes. De esta manera pode-
mos sealizar todos los nmeros en base 10. Por
ejemplo, si queremos representar el nmero 1 en
el display deberemos mandar seal a los diodos b y
c, y los otros diodos deben de tener tensin cero.
Esto lo podemos escribir as: 0110000(0). El primer
dgito representa al diodo a, el segundo al b, el ter-
cero al c,... y as sucesivamente. Un cero representa
que no polarizamos el diodo, es decir, no le aplica-
mos tensin. Un uno representa que el diodo est
polarizado, y por lo tanto, emite luz.

Diodos laser
LASER es un acrnimo de Light Amplification by
Stimulated Emission of Radiation. Las aplicaciones
de estos diodos son muy diversas y cubren desde el
corte de materiales con haces de gran energa hasta
la transmisin de datos por fibra ptica.
- Caractersticas: ventajas frente a los diodos LED
Los diodos lser son constructivamente diferentes a
los diodos LED normales. Las caractersticas de un
diodo lser son
1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin:
Un diodo LED emite fotones en muchas direccio-
nes. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un
guiado de la luz preferencial una sola direccin.



Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser
1.
2. La emisin de luz lser es monocromtica: Los
fotones emitidos por un lser poseen longitudes de
onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz
emitida por diodos LED, existen fotones con mayo-
res dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.



Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y
lser

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Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden
conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una
direccin determinada. Como adems tambin puede
controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispo-
sitivo ideal para aquellas operaciones en las que sea
necesario entregar energa con precisin.
Los materiales utilizados para la fabricacin de diodos
lser son prcticamente los mismos que en diodos LED.
En comunicaciones se utilizan predominantemente dio-
dos lser que emiten en el infrarrojo. Tambin se utilizan
de luz roja. Ejemplo de aplicacin: El lector de
discos compactos
Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la
de lectura de informacin digital de soportes de datos
tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos
musicales. El principio de operacin de uno y otro es
idntico.


Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superfi-
cie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha
superficie formada por zonas reflectantes y zonas absor-
bentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflec-
tante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sis-
tema ha detectado un uno digital. Si el haz no es refleja-
do, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha
detectado un cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital,
que puede ser convertida en informacin analgica en un
convertidor digital-analgico.

VARACTOR
El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad
variable o varactor, es un diodo que aprovecha determi-
nadas tcnicas constructivas para comportarse, ante va-
riaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o
condensador) variable. Polarizado en inversa, este
dispositivo electrnico presenta caractersticas que
son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-
C), donde son necesarios los cambios de capacidad.
smbolo de vactor
Operacin:
Cuando un diodo Varicap es polarizado en inversa,
la barrera de potencial o juntura que forman los
materiales N y P a partir del punto de unin de las
junturas se produce una capacitancia. Visto en for-
ma metafrica y prctica, es el equivalente a dos
placas de un capacitor que van separndose a medi-
da que la tensin de alimentacin se incrementa.
Este incremento de tensin provoca una disminu-
cin de la capacidad equivalente final en los termi-
nales del diodo (a mayor distancia entre placas,
menor capacidad final). Por este motivo queda claro
el concepto de que la mayor capacidad que puede
brindar un diodo de esta naturaleza se encuentra en
un punto de baja tensin de alimentacin (no cero),
mientras que la mnima capacidad final estar de-
terminada por cunta tensin inversa pueda soportar
entre sus terminales. Sin llegar a valores extremos,
los ms habituales suelen encontrarse entre 3 o 4
picofaradios y 50 picofaradios para ejemplos como
el diodo BB148 de NXP. Con una tensin menor a
un volt alcanza su mxima capacidad, llegando al
mnimo valor con 12 o 13V, segn podemos ver en
la grfica obtenida de su hoja de datos. Para poder
medir la capacitancia de estos diodos se puede recu-
rrir a la formula de MBR
Cd = C/[ raiz cuadrada de (1+2|Vd|)] =pF
donde C = capacitancia del diodo con polarizacin
inversa (Farads)
Vd= magnitud del voltaje de polarizacion inversa
del diodo (Volts) como esta entre barras el valor
siempre es positivo
Cd= C

Caractersticas, relacin tensin-
capacitancia
Todos los diodos cuando estn polarizados en senti-
do opuesto tienen una capacitancia que aparece
entre sus terminales.

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Los diodos varactores o varicap han sido diseados de
manera que su funcionamiento sea similar al de
un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-
tensin dentro de lmites razonables.
En el grfico inferior se muestran las similitudes entre
un diodo y un capacitor.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo,
una zona de agotamiento se forma en la juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico
(aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo
de corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen
portadores de carga (rea semiconductor). Se puede
visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en
el diodo (dos materiales semiconductores deparados por
un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar
incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con
una fuente externa. Esto causa que se aumente la separa-
cin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras.
Este ltimo disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplica-
da al diodo.
- Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia
disminuye
- Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

Aplicaciones de diodo varactor
Diodos varactores son ampliamente utilizados en el
campo de diseo de RF. Ellos proporcionan un mtodo
de variar la capacitancia que dentro de un circuito por la
aplicacin de una tensin de control. Esto les da una
capacidad casi nico y como resultado diodos varactores
son ampliamente utilizados en la industria de RF.
Aunque diodos varactores se pueden utilizar dentro de
muchos tipos de circuitos, encuentran aplicaciones en
dos reas principales:
Osciladores controlados de tensin, VCO: osciladores
controlados por voltaje se utilizan para una variedad de
aplicaciones. Un rea importante es para el oscilador
dentro de un bucle de enganche de fase - esto se utilizan
en casi todas las radios, receptores celulares e inalmbri-
cas. Un diodo varactor es un componente clave dentro
de un VCO.
Filtros de RF: El uso de diodos varactores es
posible ajustar los filtros. Pueden ser necesarios
filtros de seguimiento en los circuitos de entrada del
receptor cuando le permitan los filtros para realizar
un seguimiento de la frecuencia de la seal recibida
entrante. De nuevo, esto puede ser controlado usan-
do una tensin de control. Tpicamente, esto podra
ser proporcionada bajo control del microprocesador
a travs de un convertidor digital a analgico.

El DIAC
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un
dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es
un diodo bidireccional simtrico (sin polaridad) con
dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno
de control. Es un componente electrnico que est
preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional,
siempre que se llegue a su tensin de cebado o de
disparo que conduce la corriente slo tras haberse
superado su tensin de disparo, y mientras la
corriente circulante no sea inferior al valor
caracterstico para ese dispositivo. El
comportamiento es fundamentalmente el mismo
para ambas direcciones de la corriente. La mayora
de los DIAC tienen una tensin de disparo de
alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lmpara de nen.

Es un diodo de disparo bidireccional, especialmente
diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un
dispositivo disparado por tensin).
Tiene dos terminales: MT1 y MT2.

El DIAC se comporta como dos diodos
zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha
superado el valor de tensin del zener que est
conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene
una pequea corriente de fuga. La conduccin
aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin
en el DIAC se reduce y entra en conduccin
dejando pasar la corriente necesaria para el disparo
del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en
aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase.

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La curva caracterstica del DIAC se muestra a
continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando
- +V o - V es menor que la tensin de disparo,
el DIAC se comporta como un circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo,
el DIAC se comporta como un cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo-
-Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con
capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan
normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales,
llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor
bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus
terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje
puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.
Existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin
conexin de base y con las regiones de colector y emisor
iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensin de
avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente
en la base que vuelve el transistor conductor,
producindose un efecto regenerativo. Al ser un
dispositivo simtrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus
funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos
Shockley conectados enantiparalelo, lo que le da la
caracterstica bidireccional.


Caractersticas generales y
aplicaciones.
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un
control de fase de la corriente del triac, de forma
que solo se aplica tensin a la carga durante una
fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se
utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con
regulacin de temperatura y algunos controles de
velocidad de motores.
La forma ms simple de utilizar estos controles es
empleando el circuito representado en la
Figura 3, en que la resistencia variable R carga el
condensador C hasta que se alcanza la tensin de
disparo del DIAC, producindose a travs de l la
descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del
TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo
se produce una vez en el semiciclo positivo y otra
en el negativo. El momento del disparo podr ser
ajustado con el valor de R variando como
consecuencia el tiempo de conduccin del
TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media
aplicada a la carga, obtenindose un simple pero
eficaz control de potencia.

DIODO TRIAC
El triac es un dispositivo semiconductor de tres
terminales que se usa para controlar el flujo de
corriente promedio a una carga, con la
particularidad de que conduce en ambos sentidos y
puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al
disminuir la corriente por debajo
del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarizacin de
puerta, es decir, mediante una corriente de puerta
positiva o negativa.
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de
flujo de corriente de muy baja resistencia de una
terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo
de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando
el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye
de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a
MT2. En ambos casos el triac se comporta como un
interruptor cerrado. Cuando el triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las
terminales principales sin importar la polaridad del
voltaje externo aplicado por tanto acta como un
interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una
variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an
sin conduccin previa, el triac puede entrar en
conduccin directa.

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Construccin bsica, smbolo, diagrama
equivalente


FIG. 1 FIG. 2

La estructura contiene seis capas como se indica en la
FIG. 1, aunque funciona siempre como un tiristor de
cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de
P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de
P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con
intensidad de puerta negativa. La complicacin de su
estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto
a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre
intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos
amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000
V de tensin de pico repetitivo. Los triac son fabricados
para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para
trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores En la FIG. 2 se muestra el
smbolo esquemtico e identificacin de las terminales
de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1
(A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2
(MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
El Triac acta como dos rectificadores controlados de
silicio (SCR) en paralelo Fig. 3 , este dispositivo es
equivalente a dos latchs


FIG. 3

Caracterstica tensin corriente

FIG. 4
La FIG. 4 describe la caracterstica tensin
corriente del Triac. Muestra la corriente a travs del
Triac como una funcin de la tensin entre los
nodos MT2 y MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por
el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a
una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac,
crece con un pequeo cambio en la tensin entre los
nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la
corriente disminuye por debajo de la corriente de
mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la
disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que
el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla mas la conduccin, por esta razn se
acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta
manera se impide la disipacin de energa sobrante
en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer
cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es
negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la
caracterstica invertida. Por esto es un componente
simtrico en cuanto a conduccin y estado de
bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el
cuadrante I de la curva es igual
a la del III

Mtodos de disparo
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos
denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del
nodo 2, se miden con respecto al nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos
cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los
terminales de compuerta G y MT1 de un impulso
positivo o negativo. Esto le da una facilidad
de empleo grande y simplifica mucho el circuito de
disparo. Veamos cules son los fenmenos internos
que tienen lugar en los cuatro modos posibles de
disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado

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por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la
tensin de la compuerta son positivas con respecto al
nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de
compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta
MT1, en parte por la union P2N2 y en parte a travs de
la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones
de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la
compuerta por la caida de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada
de tensin se simboliza en la figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin
la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son
acelerados por ella inicindose la conduccin.
2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado
por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la
tensin de la compuerta son negativos con respecto al
nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota,
conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms
conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1
polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms
positivamente que la prxima a la puerta. Esta
polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en
parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado
por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es
positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al
nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de
unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar
P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor
normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la
estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y
polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta
electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin
P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conduccin.
4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado
por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es
negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al
nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de
puerta remota. Entra en conduccin la estructura
P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el
modo I(+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1
son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms
conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms
positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que
la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin
N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se
produce la entrada en conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la
corriente de compuerta necesaria para el disparo es
mnima. En el resto de los estados es necesaria una
corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de
disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo
posible.
En general, la corriente de encendido de la
compuerta, dada por el fabricante, asegura el
disparo en todos los estados.


Circuito practico para disparo

FIG.5

En la FIG. 5 se muestra un circuito practico de
disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF
es un resistor variable que se modifica a medida que
las condiciones de carga cambian. El transformador
T1 es un transformador de aislamiento, y su
propsito es aislar elctricamente el circuito
secundario y el primario, para este caso asla el
circuito de potencia ca del circuito de disparo.
La onda senoidal de ca del secundario de T1 es
aplicada a un rectificador en puente y la salida de
este a una combinacin de resistor y diodo zener
que suministran una forma de onda de 24 v
sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda
es mostrada en la FIG. 6 (a).
Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1
comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se
dispara y crea un pulso de corriente en el devanado
primario del transformador T2. Este se acopla al
devanado secundario, y el pulso del secundario es
entregado a la compuerta del triac, encendindolo
durante el resto del semiciclo. Las formas de onda
del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 (
Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la
FIG. 6 (b), (c),(d).
La razn de carga de C1 es determinada por la
razn de RF a R1, que forman un divisor de voltaje,
entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que
alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en
relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte
de la fuente de 24 v , esto origina que
el transistorpnp Q1 conduzca, con una circulacin

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grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1
es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga
con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara
pronto y la corriente de carga promedio es alta.
Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces
el voltaje a travs de R1 ser menor que en el caso
anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a
travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual
disminuye su corriente de colector y por consiguiente la
razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva
mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el
UJT y el triac se disparan despus en el semiciclo y la
corriente de carga promedio es menor que antes.

FIG.6

Diseo del circuito practico
Para el circuito de la FIG. 5, suponga las siguientes
condiciones, R1 = 5 kW , Rf = 8 kW ,
R2=2,5kW , C1=0,5 m F, h = 0,58.
Supngase que R1 y Rf estn en
serie, , luego
, de la ecuacin

,
El capacitor debe cargarse hasta el Vp del UJT, que esta
dado por,

El tiempo requerido para cargar hasta ese punto puede
encontrarse en
, permite que simbolice el
ngulo de retardo de disparo. Dado que
360 grados representan un periodo de un ciclo, y el
periodo de una fuente de 60 HZ es de 16.67 ms, se
puede establece la proporcin
, Para un ngulo de
retardo de disparo de 120 grados, el tiempo entre
el cruce por cero y el disparo seta dado por la
proporcin
, El punto pico del
UJT es aun 14.5 V, por lo que para retardar el
disparo durante 5.55 ms, la razn de acumulacin
de voltaje debe ser,
, luego
que nos da , entonces
podemos encontrar Rf
, trabajando
con seta ecuacin y resolviendo Rf se obtiene
, por tanto, si la resistencia de
realimentacin fuera incrementada a 25K, el Angulo
de retardo de disparo se incrementa a y la
corriente de carga se reducir
Proporcionalmente

Ejemplo prctico de aplicacin.
En la FIG.9 puede verse una aplicacin prctica
de gobierno de un motor de c.a. mediante un triac
(TXAL228). La seal de control (pulso positivo)
llega desde un circuito de mando exterior a la puerta
inversora de un ULN2803 que a su salida
proporciona un 0 lgico por lo que circular
corriente a travs del diodo emisor perteneciente al
MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo emite un
haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs
de R2 tomando la tensin del nodo del triac de
potencia. Este proceso produce una tensin de
puerta suficiente para excitar al triac principal que
pasa al estado de conduccin provocando el
arranque del motor.
Debemos recordar que el triac se desactiva
automticamente cada vez que la corriente pasa por
cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es
necesario redisparar el triac en cada semionda o
bien mantenerlo con la seal de control activada
durante el tiempo que consideremos oportuno.
Como podemos apreciar, entre los terminales de
salida del triac se sita una red RC cuya misin es
proteger al semiconductor de potencia, de las

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posibles sobrecargas que se puedan producir por las
corrientes inductivas de la carga, evitando adems
cebados no deseados.
Es importante tener en cuenta que el triac debe ir
montado sobre un disipador de calor constituido a base
de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se
refrigere adecuadamente.

FIG.9


BIBLIOGRAFIA
Electrnica y Teora de Circuitos. Boylestad- Nashelsky.
Quinta Edicin
Circuitos Electrnicos. Schilling-Belove. Segunda
Edicin
Electrnica Integrada. Millman- Halkias. Novena
Edicin
www.electronicafaccil.net 24/09/2014
electronicapotsena.blogspot.mx 24/09/2014
www.radio-electronics.com 24/09/2014