Universidad Autnoma de San Luis Potos Asignatura: Electrnica I

Facultad de Ingeniera Profesor: I. E. Alberto Barajas Ruiz

Figura 1.2 Enlace covalente de
tomos de silicio.
Si
Si
Si
Si Si
Figura 1.3 Enlace metlico en el
cobre.
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
(continuacin de 1.2 Modelo Atmico)
Existen tres tipos de enlace por el cual lo tomos pueden conformar compuestos o molculas, estos son, enlace inico,
enlace covalente y enlace metlico. En el enlace inico, las fuerzas de enlace actan cuando los electrones de valencia
de un tomo se unen con los de otro tomo para llenar la ltima capa externa. Si un tomo tiene cuatro o ms
electrones de valencia, tiene a adquirir electrones adicionales cuando se uno con otros tomos para llenar su capa
exterior. Cuando esto ocurre, la capa externa contiene ocho electrones, y las fuerzas de enlace se denominan inicas
puesto que el tomo que adquiere los electrones se convierte en un in negativo y el tomo que los pierde en un in
positivo. Un ejemplo comn de molcula con enlace inico es la sal, o cloruro de sodio, que se muestra
simblicamente en la figura 1.2. El enlace covalente ocurre cuando los
electrones de dos tomos vecinos son compartidos por stos. Un tomo que
contiene cuatro electrones de valencia puede compartir un electrn con cada
uno de cuatro tomos vecinos. Este concepto de comportamiento de
electrones debe diferenciarse de la situacin inica de ganancia o prdida de
electrones de valencia. La principal diferencia es que en un enlace covalente
no se forma iones. Las fuerzas covalentes se establecen cuando dos
electrones coordinan sus movimientos para producir una fuerza electrosttica
entre ellos. En la figura 1.3 se ilustra el enlace covalente entre tomos de
silicio. Al compartirse los electrones de valencia se producen pares de
electrones que se enlazan en forma covalente, dando un total aparente de
ocho electrones de valencia en su capa externa.
Las fuerzas de enlace metlico no son de naturaleza inica ni covalente, sino que
ms bien se considera que se presentan cuando los iones positivos flotan en una
nube de electrones. Hay una fuerza electrosttica entre los iones positivos y los
electrones que forman una nube alrededor de los iones. Puesto que en un metal los
electrones poseen una gran movilidad, no se les puede asociar con algn tomo en
particular. Los tomos son retenidos por la atraccin de estos electrones y los
iones positivos resultantes. En la figura 1.4 se muestra esto para el metal cobre,
Cu.
Cuando los tomos se enlazan para formar molculas de materia, los tomos estn
tan prximos entre s que ocurren ciertos cambios importantes en el estado de los
niveles de energa, los niveles de energa que existan solos para los tomos
aislados se dividen para formar bandas de niveles de energa. Dentro de cada banda hay an niveles discretos
permitidos de energa. En un compuesto existen muchas bandas de niveles de energa, sin embargo son las ltimas
bandas las que tienen importancia para los efectos de estudio. Las ltimas dos bandas de energa se les conoce como

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Facultad de Ingeniera Profesor: I. E. Alberto Barajas Ruiz

banda de valencia y banda de conduccin. Estas dos bandas estn separadas por una diferencial de energa definida
como banda prohibida. Dependiendo de la cantidad de energa que se necesite para traspasar la banda prohibida es
como se clasifican los materiales en conductor, semiconductor y aislante.
La banda de valencia de las energas electrnicas contiene todos los niveles de energa disponibles para los electrones
de valencia de la estructura. Estos electrones de valencia estn ms o menos unidos a los tomos individuales y no
estn libres para moverse como los electrones de la banda de conduccin.
La banda de conduccin es una banda de energas en la cual el nivel de energa de los electrones es lo suficientemente
alta para que los electrones de estos niveles no estn unidos o ligados a algn tomo, sino que son mviles y capaces de
ser influenciados por una fuerza externa. Normalmente no existen electrones en la banda de conduccin. Los electrones
que se mueven hacia la banda de conduccin son aquellos que proceden de la banda de valencia y que obtienen
suficiente energa, por medio de alguna forma de excitacin, para ascender a la banda de conduccin. Para hacer esto
deben saltar la banda prohibida entre las bandas de valencia y conduccin.
La corriente elctrica puede definirse como el movimiento de cargas. Puesto que los electrones son partculas cargadas
negativamente la capacidad de un material para conducir electricidad depende de la disponibilidad dentro de l de
electrones libre o electrones en la banda de conduccin.
Un conductor es un slido que contiene muchos electrones en la banda de conduccin a temperatura ambiente. En un
conductor las bandas de conduccin y de valencia se encuentran sobrepuestas, es decir que no necesita un incremento
de energa para liberar electrones. Un material aislante tiene una banda prohibida muy ancha, por lo que los electrones
de la banda de valencia no pueden ser liberados. Un semiconductor es un slido que tiene una banda prohibida de
energa mucho ms pequea que un aislante, pero no ausente como en un conductor. Normalmente debe considerarse
que un semiconductor no tiene electrones en la banda de conduccin. No obstante la energa proporcionada por la
temperatura del ambiente es suficiente para vencer las fuerzas atmicas de enlace en unos cuantos electrones de
valencia, de tal manera que algunos de ellos pueden saltar la brecha en la banda de conduccin.

1.3 Dispositivos Semiconductores

Los elementos semiconductores se caracterizan por tener un enlace covalente. El silicio y el germanio son elementos
pertenecen a este grupo. Existen materiales semiconductores que son compuestos, como lo es el arseniuro de galio. Las
estructuras formadas por tomos ligados en forma covalente se denominan estructuras cristalinas. Los tomos de los
cristales se arreglan en forma espontnea para compartir entre s los electrones de valencia en un patrn tridimensional
uniforme. Los materiales semiconductores se clasifican como intrnsecos y extrnsecos. Los intrnsecos son aquellos
que estn conformados por un elemento puro. Los extrnsecos son los que estn conformados por compuestos. En
general para la construccin de los dispositivos semiconductores se utilizan materiales extrnsecos debido a que poseen
caractersticas ms refinadas que los materiales intrnsecos.