BRECHA DE ENERGA

Del ngel Gmez Octavio (tavo-ipn666@hotmail.com)

Escuela superior de fsica y matemticas, E.S.F.M. laboratorio avanzado II.
Mxico, Distrito federal. Entregado 11-septiembre-2014

Medimos las constantes

y el coeficiente de temperatura de un diodo para poder

identificar de que material semiconductor estaba hecho. Para ello polarizamos de manera directa
un diodo por medio de un fuente de voltaje Dc y medimos el voltaje y la corriente a travs del
diodo, luego graficamos () . En la segunda parte del experimento variamos la temperatura
en el diodo y graficamos . Con el anlisis de las grficas encontramos

), ,

( )
.


I. INTRODUCCIN

Semiconductores
El trmino conductor se aplica a cualquier
material que soporte un flujo generoso de
carga, cuando una fuente de voltaje de
magnitud limitada se aplica a travs de sus
terminales.
Un aislante es un material que ofrece un
nivel muy bajo de conductividad bajo la
presin de una fuente de voltaje aplicada.
Un semiconductor, por tanto, es un material
que posee un nivel de conductividad sobre
algn punto entre los extremos de un
aislante y un conductor.
Los tomos de semiconductores como el
Silicio y el Germanio forman un patrn muy
bien definido que es peridico en la
naturaleza. A un patrn completo se le llama
cristal, y al arreglo peridico de los tomos,
red cristalina.
Como se indica en la figura 1, el tomo de
Germanio tiene 32 electrones en rbita,
mientras que el Silicio tiene 14 electrones. En
cada caso existen 4 electrones en la rbita
exterior (valencia). El potencial (potencial de


Figura 1.estructura atmica: a) Germanio; b)
Silicio.

Fig.2. Unin covalente del tomo de Silicio.
muestra en la figura 2 para el silicio. Tanto el
Ge como el Si son referidos como tomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro
electrones de valencia.
Una unin de tomos fortalecida por el
compartimiento de electrones se denomina
unin covalente.
Si bien la unin covalente generar una
unin ms fuerte entre los electrones de
valencia y su tomo, an es posible para los
electrones de valencia absorber suficiente
energa cintica por causas naturales, para
romper la unin covalente y asumir su
estado libre. El trmino libre revela que su
movimiento es muy sensible a los campos
elctricos aplicados, como los establecidos
por las fuentes de voltaje. Estas causas
naturales incluyen efectos como la energa
lumnica en la forma de fotones y la energa
trmica del medio que lo rodea.
Niveles de energa
En la estructura atmica aislada existen
niveles de energa discretos asociados con
cada electrn en una rbita. Mientras ms
lejos se encuentre un electrn de su ncleo,
mayor es el estado de energa, y cualquier
electrn que haya dejado a su tomo, tiene
un estado de energa mayor que cualquier
electrn en la estructura atmica. Entre los
niveles de energa discretos existen bandas
vacas, en los cuales no pueden aparecer
electrones dentro de la estructura atmica
aislada. Cuando los tomos de un material se
unen para formar la estructura de la red
cristalina, existe una interaccin entre los
tomos que ocasiona que los electrones
dentro de una rbita en particular de un
tomo tengan ligeras diferencias en sus
diferencias de energa, respecto a los
electrones en la misma orbita de un tomo
adjunto. El resultado neto es una expansin
de la banda de los niveles discretos de
estados de energa posibles para los
electrones de valencia, como se muestra en

Fig.3. bandas en energa en un semiconductor.

la figura 3, observe que existe una banda
prohibida entre la banda de valencia y la de
conduccin.
En un semiconductor hay portadores tanto
de carga positiva como negativa. Cuando un
electrn se desplaza de la banda de valencia
a la de conduccin, deja atrs vacante el sitio
de un electrn de valencia, denominado
hueco, en la banda de valencia que de otra
forma estara llena. Este hueco aparece
como un portador de carga positiva, +e. el
hueco acta como un portador de carga, ya
que un electrn de valencia de un sitio
prximo puede ocupar el hueco, llenndolo y
dejando atrs un hueco en el sitio original del
electrn, as el hueco migra a travs de la
banda de valencia. En un cristal puro que
solo contiene un elemento o compuesto, hay
nmeros iguales de electrones de
conduccin y huecos. Estas combinaciones
de cargas se denominan pares electrn-
huecos, y un semiconductor puro que
contiene tales pares se le denomina
semiconductor intrnseco. En presencia de
un campo elctrico, los huecos se mueven en
la direccin del campo y los electrones de
conduccin lo hacen en sentido contrario.
Material tipo p y n.
Los semiconductores contaminados con
tomos donantes se denominan
semiconductores tipo n porque los
portadores de carga son electrones con carga
negativa. Si el semiconductor se contamina
con tomos que tienen tres electrones de
valencia, como el indio y el aluminio, los tres
electrones forman enlaces covalentes con
los tomos vecinos, dejando un hueco de un
electrn en el cuarto enlace (consulte la fig.
4). Los niveles energticos de tales impurezas
tambin estn dentro de la separacin de
energa, justo arriba de la banda de valencia
como se indica en la figura 5. Los electrones
de la banda de valencia poseen suficiente
energa trmica a temperatura ambiente
para llenar estos niveles de impureza,
dejando atrs un hueco en la banda de
valencia. Debido a que un tomo trivalente
acepta en efecto un electrn de la banda de
valencia, tales impurezas se denominan
aceptantes. Un semiconductor contaminado
con impurezas trivalentes (aceptantes) se
denomina semiconductor tipo p porque los
portadores son huecos con carga positiva.
Unin p-n
Se observa que la unin consta de tres
regiones semiconductoras distintas, como se
muestra en la figura 6, una regin tipo p, una
regin de agotamiento y una regin tipo n.
puede considerarse que la regin de
agotamiento se origina cuando las dos
mitades de la unin se acercan entre s y los
electrones donantes mviles se difunden
hacia el lado p de la unin, dejando atrs

Fig.4. representacin bidimensional de un
semiconductor que contiene un tomo
aceptantes.

Fig.5. diagrama de bandas de energa de un
semiconductor donde los niveles aceptantes
estn dentro de la separacin prohibida,
justo arriba de la parte superior de la banda
de valencia.

Fig.6. disposicin fsica de una unin p-n.
ncleos de iones positivos inmviles. La
regin que se extiende varias micras desde la
unin se denomina regin de agotamiento
porque est vaca de portadores de carga
mviles. Quiz el raso ms notable de la
unin p-n es su capacidad para pasar
corriente en una sola direccin. Es decir,
tiene comportamiento de un diodo.
La funcin de un diodo es la de permitir el
paso de la corriente elctrica en un sentido,
e impedirla en el sentido opuesto.
Posiblemente sea ste el componente ms
utilizado en la electrnica. Los ms comunes
se elaboran con pequeos cristales de silicio
conectados a alambres de cobre estaados, y
encapsulados en plstico.
La curva caracterstica real de un diodo
difiere de la ideal, y se asemeja a la de la
figura 7. En la figura no se han respetado las
escalas de tenciones y corrientes. La
conductancia inversa de un diodo esta
pequea, que la parte negativa de la curva
apenas se despega del eje horizontal.

Fig.7. 1) Corriente directa mxima admisible, 2)
Tensin inversa de avalancha, 3) la pendiente de
esta parte indica la pequea conduccin inversa,
4) tensin umbral de conduccin directa, 5) est
pendiente corresponde a la gran conduccin
directa, 6) corriente inversa mxima admisible.


II. MARCO TERICO
Si se aplica un voltaje externo al lado p de la
unin, la barrera global disminuye, lo que
genera una corriente que crece en forma
exponencial con voltaje directo o
polarizacin directa creciente. Para
polarizacin inversa (un voltaje externo
positivo aplicado al lado n de la unin), la
barrera de potencial se incrementa, lo que
resulta en una corriente inversa muy
pequea que alcanza con rapidez su valor de
saturacin,

, con polarizacin inversa

creciente. La relacin corriente-voltaje para
un diodo ideal es

[ (

) ] ()

Donde

es la corriente inversa de
saturacin, q es la carga electrnica, es la
constante de Boltzmann, T es la temperatura
absoluta, V es el voltaje a travs de la unin y
una constante cuyo valor vara entre 1 y 2
dependiendo del material.
Para voltajes directos (a favor) donde

, la ecuacin (1) se puede

escribir como

()
Se cumple adems

)()
Donde B es una constante y

es el ancho
de la brecha de energa. El valor de

depende ligeramente de la temperatura; a la
cantidad definida como

Se le llama coeficiente de temperatura de la
brecha. Sustituyendo la ecuacin (3) en la
ecuacin (2) se encuentra que V puede
expresarse como

()
La cantidad

es muy pequea
comparada con el termino

), por lo
tanto la ecuacin (4) cambia a

) ()

La ecuacin (4) permite determinar el valor
de

, si se mide la dependencia de V con la

temperatura, manteniendo fija la corriente.
Para determinar como funcin de
cantidades conocidas, se deriva la ecuacin
(4) obteniendo as

) ()
El valor tpico de es aproximadamente
- 2mV/K.
III. DESARROLLO
EXPERIMENTAL
Para la primera parte del experimento
utilizamos los siguientes materiales
Un diodo 1N4001
1 resistencia de 100
1 fuente de voltaje GW GPR-3020
1 multmetro Agilent 34405A
1 multmetro HEWLETT PACKARD
3466A
4 cables banana-caimn
1 cable banana-banana
1 termmetro con escala mnima de
1C

El diodo que usamos tena soldado la
resistencia de 100 al nodo. Por medio de
un cable banana-caimn conectamos el
extremo de la resistencia al positivo de la
fuente de voltaje, el comn de la fuente lo
conectamos al comn del multmetro
Hewlett Packard por medio de un cable
banana-banana, mediante un cable banana-
caimn conectamos el multmetro
mencionado (en su funcin de Ampermetro
para corriente DC) al ctodo del diodo.
Utilizando dos cables banana-caimn
conectamos el multmetro Agilent 34405A
(en funcin de medidor de voltaje dc) en
paralelo con el diodo. Por medio del
termmetro medimos la temperatura del
medio.
Enseguida encendimos los multmetros y la
fuente de voltaje. Por medio de la fuente
proporcionamos al circuito una pequea
cantidad de voltaje, el voltaje a travs de
diodo lo medimos con el multmetro Agilent.
Variamos poco a poco el voltaje aplicado
hasta que notamos que el voltaje a travs del
diodo era de 0.2502V y por medio del
multmetro Packard medimos en este
instante la corriente a travs del diodo.
Fuimos incrementando el voltaje aplicado a
travs del diodo en cantidades de entre
0.04V y 0.02V y fuimos midiendo la corriente
por cada incremento de voltaje hasta llegar a
0.7001V aplicados. Realizamos 26
mediciones.

Fig.8. diagrama del circuito utilizado para la
realizacin del experimento.
En la segunda parte del experimento
utilizamos los siguientes materiales
Un diodo 1N4001
1 resistencia de 100
1 fuente de voltaje GW GPR-3020
2 multmetros Agilent 34405A
4 cables banana-caimn
1 cable banana-banana
1 termmetro con escala mnima de
1C
2 soportes universales
1 tubo de ensayo
1 parrilla
Aceite para autos
1 vaso de precipitado de 1 litro.
2 pinzas
Armamos el mismo circuito que en el
experimento 1.
Enseguida vertimos agua en el vaso de
precipitado hasta aproximadamente
800ml y lo colocamos sobre la parrilla.
Vertimos aceite en el tubo de ensayo
pero sin llenarlo y en ella introducimos el
diodo, cuidando que el diodo no tocara
el fondo del recipiente. Enseguida
colocamos el tubo de ensayo dentro del
vaso de precipitado (tuvimos cuidado de
que el aceite no se derramara sobre el
agua) cuidando que el extremo abierto
quedara fuera del agua, sostuvimos el
tubo de ensayo por medio de una pinza
sostenida por un soporte universal.
Introducimos el termmetro en el tubo
de ensayo, de tal forma que el extremo
hundido del termmetro quedara a la
altura del diodo, el termmetro lo
sostuvimos en su posicin por medio de
un soporte universal y una pinza. Ahora
encendimos los multmetros y la fuente
de voltaje y empezamos a variar el
voltaje aplicado a travs del diodo, el
cual podamos medir gracias a uno de los
multmetros Agilent, cuando el voltaje a
travs del diodo fue de 0.7V medimos la
corriente, obteniendo 12.323mA, en
seguida medimos la temperatura del
diodo resultando en 20C. Encendimos la
parrilla para calentar el agua y por cada
3C que aumentaba su temperatura
medimos el voltaje a travs del diodo
cuidando siempre de mantener la
corriente constante en 12.323mA antes
de realizar la medicin, la cual pudimos
controlar por medio de la perilla de la
fuente, hicimos 24 mediciones.

IV. DATOS Y RESULTADOS
Para los siguientes clculos hemos usado los
siguientes valores
q=e (la carga de un electrn)

Para la primera parte del experimento
graficamos como funcin de V, de donde
obtuvimos la siguiente grfica
Grfica 1. Se muestra el ln(I) como funcin del
voltaje a medido a travs del diodo.
Realizamos un ajuste lineal de la forma
y=ax+b, de donde obtuvimos
Ln(I) =()

()(I)
Calculando el valor de las incertidumbres en
la pendiente y en la ordenada al origen se
obtuvo respectivamente

As que los valores de la pendiente y
ordenada al origen pueden expresarse como
a =( )

y b=(
)
Comparando el ajuste lineal con la ecuacin
(2) notamos que

()

Despejando la corriente de saturacin se
encuentra

Y considerando la incertidumbre en la
ordenada al origen, podemos decir que el
valor de corriente de saturacin se
encuentra entre

Ahora despejando (ntese que es una
constante adimensional) encontramos

Y considerando la incertidumbre en la
pendiente obtenemos que el valor de se
encuentra entre
[1.8334, 1.8787]
De la grfica observamos que hay un punto
que se sale del ajuste lineal, este punto no
pertenece al rgimen de Shockley, por tanto
para mejorar el ajuste podemos eliminar este
punto y entonces la grfica queda como

Grfica 2. Se muestra el ajuste lineal ln(I) vs V,
donde se ha eliminado el primero punto de la
grfica 1 por no pertenecer al rgimen de
Shockley.


Realizando un ajuste lineal a la nueva grfica
de la forma y= ax+b, encontramos
() () [

] ()
Comparando estos valores con la ecuacin
(2) y realizando el mismo proceso anterior
encontramos que

Calculando nuevamente las incertidumbres
para la pendiente y la ordenada al origen
respectivamente, encontramos

Considerando estas incertidumbres podemos
escribir el valor de la pendiente y la ordena a
la origen como
a=( )

b=( )
Y considerando las siguientes igualdades
provenientes de la ecuacin (2)

( )

Y despejando e

, podemos decir que

Obteniendo el promedio de la diferencia
de estos intervalos decimos

)


Para la segunda parte del experimento
graficamos el voltaje como funcin de la
temperatura

Grfica 3. Se muestra el voltaje a travs del diodo
como funcin de la temperatura del diodo.
Realizando un ajuste lineal de la forma
y=ax+b, encontramos
() [

] ()
Comparando estos valores para la pendiente
y la ordenada al origen con la ecuacin (5), es
fcil notar que
[

)
Y despejando , encontramos

Tambin se nota que

As que

Este mismo valor se obtiene de la ecuacin
de ajuste (III) para T=0K, por tanto,
afirmamos que este valor de

es para
T=0K.

Calculando el valor de las incertidumbres en
el valor de la pendiente y la ordenada al
origen, encontramos respectivamente

Usando estas valores podemos concluir que

( )

Entonces obteniendo el promedio de la
diferencia de este intervalo decimos

Evaluando la ecuacin de ajuste (III) y la
ecuacin (5) en T=300K
( )
( )

Igualndolas y despejando

obtenemos

Usando este valor para

en T=300K y el
valor de dV/dT presentado en la tabla 1 en el
apndice para el silicio (vase
conclusiones) y sustituyendo numricamente
en la ecuacin (6), obtenemos
(

()(

)
Entonces

V. CONCLUSIONES
Comparamos los valores de

( ) obtenidos en el
experimento (para

consideramos
los valores corregidos) con los valores
presentados en la tabla 1. De la tabla 1
notamos que el trmino donde hay
mayores diferencias en valores es en

,
mientras que los dems valores no
discrepan en una cantidad notable. Por
tanto para saber con qu material
trabajamos comparamos nuestro valor
de

con los valores de la tabla, notamos

as que el valor obtenido
experimentalmente para

se parece
mucho al valor de la corriente de
saturacin del silicio, por tanto podemos
asegurar que el diodo usado esta hecho
de silicio. De la grfica 3 podemos observar
que a medida que aumenta la temperatura
en el diodo el voltaje disminuye, lo cual
sucede porque a medida que aumenta la
temperatura en el diodo ms electrones en
la banda de valencia pueden ganar suficiente
energa para romper el enlace con su tomo
y por tanto saltan a la banda de conduccin,
otra forma de ver este salto de electrones de
la banda de valencia a la de conduccin es
que precisamente la brecha de energa
disminuye.
VI. APNDICE
A continuacin deducimos algunas de las
ecuaciones presentadas en el marco
terico.
De la ecuacin (1) tenemos

[ (

) ]
Si consideramos que el voltaje directo es

,
Entonces el trmino exponencial ser
mucho mayor que el trmino -1 y por
tanto este ltimo trmino puede ser
ignorado, resultado en la ecuacin

[ (

)]
Reescribiendo trminos en la ecuacin
anterior

[ (

)]
Aplicando logaritmo natural en ambos miembros
de la ecuacin anterior
(

Por propiedades de logaritmos
() (

Entonces
() (

()
La ecuacin (3) es

)()

Sustituyendo (3) en (2) obtenemos
() (

))

) ( (

))

() (

() ()

() () ()

Por tanto
(

) ()

Entonces
(

) ()

Finalmente

Que es precisamente la ecuacin (4)
Derivando con respecto a T la ecuacin
anterior obtenemos

( (

) () )
Entonces

) ()
()
Nos fijamos en el trmino
(

) ()
El cual podemos reescribir en la forma

) ()

) ()

)
()

)
()

)
()

Y usando la ecuacin (4), obtenemos

Sustituyendo esta relacin en ()

)
Que es la expresin de la ecuacin (6).
Para el clculo de las incertidumbres en
la pendiente y la ordenada al origen
hemos utilizado las siguientes ecuaciones
Para la incertidumbre en la pendiente se
usa

Donde N es el nmero de datos
experimentales y

se define como

Esta ltima ecuacin es el equivalente de
la desviacin estndar para un ajuste
lineal.
Para la incertidumbre en la ordenada al
origen hemos usado

Tabla 1. Constantes de algunos semiconductores
material
magnitud Ge Si

Gap

()

1.76 1.44 1.39 1.96

() 0.67 1.12 2.06 2.37

dV/dT(V/K) -1.87 -2.32 -2.05 -2.26






REFERENCIAS
[1 Raymond Serway, Clement J. Moses, Curt
A. Moyer. Fsica moderna 3 edicin, editorial
Thompson, ao 2006.
[2 ]Agustin Rela. Electricidad y electrnica.
Primera edicin, buenos aires, "Las Ciencias
Naturales y la Matemtica" del Ministerio de
Educacin, Instituto Nacional de Educacin
Tecnolgica INET de Argentina, Coleccin
2010.
[3] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky.
Electrnica: teora de circuitos. Sexta edicin.
Mxico, PEARSON EDUCACIN, ao 2003.
[4] J. Miranda. Evaluacin de la
Incertidumbre en Datos Experimentales
(Instituto de Fsica, UNAM, Mxico, 2000).

Para la tabla 1.
[5] A.G. Thomson, M. Cardona, K.L. Shaklee y
J.C. WQooley, Phys. Rev. 146, 601 (1966)
[6] B.E.Taylor, Am.J.Phys. 57, 1049 (1989).