ESTABILIDAD

6.1. GENERALIDADES PARA EL ESTUDIO DE ESTABILIDAD

6.1.1 Concepto de estabilidad
El concepto de estabilidad es aplicable a sistemas elctricos de corriente alterna y se
estudian tres casos:
a). Estabilidad en estos casos transitorio (comprenden un periodo de tiempo de 0-1
seg.
b) Estabilidad en estado dinmico (comprende un periodo de tiempo de 1-800).
c) Estabilidad en estado permanente (comprende un periodo de tiempo de 800 seg.).
De los casos anteriores el de mayor inters es el de estabilidad en estado transitorio.
Estabilidad: se dice que un sistema es estable cuando todas sus maquinas
permanecen en sincronismo o en paso.

En ciencias, una situacin es estable si se mantiene en estado estacionario,
es decir, igual en el tiempo y una modificacin razonablemente pequea de las
condiciones iniciales no altera significativamente el futuro de la situacin.
Dependiendo del rea en particular, estabilidad tiene significados ligeramente
diferentes. Bajo esta acepcin se recomienda consultar:
Estabilidad de partculas, referida a la fsica de partculas subatmicas,
tambin llamadas partculas elementales.
Equilibrio mecnico estable, referido a un estado de equilibrio mecnico
en el que pequeas perturbaciones del sistema no son seguidas por un
alejamiento indefinido de la situacin de equilibrio.
En filosofa: Estabilidad (filosofa).
En Informtica, se dice que un sistema es estable cuando su nivel de fallos
disminuye por debajo de un determinado umbral, que vara dependiendo de la
estabilidad que se requiera.


Polarizacin
la polarizacin de un transistor significa ( en palabras simples ) poner una red de
resistencias que '' obligue '' el transistor a trabajar en la parte de la curva de
funcionamiento que uno quiere .--
--- o sea ---
Si estoy haciendo un amplificador , polarizo el transistor al centro de la parte lineal de su''
curva '' caracterstica.
Si estoy haciendo un '' limiter '' o un '' treshold '' lo voy a polarizar de manera que cumpla
su funcin ..
Un ejemplo de '' treshold '' ---- Si en un walkietalkie hay el '' fondo '' con mucho ruido ,
mientras nadie est hablando , con el '' treshold '' puedo anular el ruido polarizando el
transistor con un ''bias'' que permita de silenciar lo que estoy recibiendo . Pero cuando
alguien habla ,el aumento de nivel ( ruido mas seal ) perfora el punto de treshold , el
transistor empieza a funcionar...
La polarizacin automtica consiste ( ejemplo ) en polarizar la base del transistor con una
resistencia entre el colector y la base. -- la resistencia tiene un valor mas o menos igual a
la resistencia de colector multiplicado el beta del transistor ( en realidad se pone el 30%
menos ) .
Con esa configuracin el transistor se pone automticamente en el centro de la parte
lineal de la curva de funcionamiento .

estable por emisor
Circuito con polarizacin de emisor

Simulacin
Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los
cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo ms
estable posible.
Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor",
que es el siguiente:

El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona
ACTIVA.
Como estamos en activa V
BE
= 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de entrada la
tensin V
C
ser de 4.3 V. Entonces la intensidad I
E
por la resistencia R
E
ser de:

La malla de salida:


Grficamente:

Que ocurre si el
cc
vara?
Si
cc
= 150 solo vara I
B
.

Vara la I
B
pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se autorregula y
hace que vare I
B
sin que nada ms vare, por lo tanto:
"El punto Q es muy estable".
Pero esto no es del todo exacto, porque algo vara, esto se ver si no se usa la
aproximacin de I
C
= I
E
. Sin esta aproximacin tenemos:

Y ahora si influye el
cc
.

Y tendramos: V
CE
= 8,77 V
Con
cc
= 150:

Con
cc
= 50:

Vara algo, pero es bastante estable, es bueno para trabajar en activa.
Simulacin
En este applet podemos ver la recta de carga en continua de un transistor npn con
polarizacin de emisor.
Cada vez que se introduzcan nuevos datos hay que pulsar el botn "Calcular".
En el rea de "Resultados" podemos ver todas las corrientes del transistor, al
igual que las tensiones.
El applet tambin nos dir si el transistor esta trabajando en la zona activa, corte
o saturacin.
Podemos variar la escala de la grfica modificando la "escala del eje y".
Para realizacin de esta simulacin se han tomado estas equivalencias:
V
BB
= V
bb
V
be
= 0,7 V R
E
= Re R
B
= Rb R
C
= Rc = Beta
V
CB
= V
cb
V
CE
= V
ce
= 0,7 V I
B
= I
b
=I
base
I
C
= I
c
=I
colector
V
CC
= V
cc


Polarizacion estabilizada de emisor
Editar 0 1
La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor
para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin
fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin
mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer
lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la malla
de colector a emisor.



Figura 4.17 Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.

Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar,
como se ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor
de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, obtendremos como
resultado la siguiente ecuacin:
VCC - IBRB - VBE - IERE = 0
Recordando que
IE = (b + 1)IB
Sustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado
VCC - IBRB - VBE - (b + 1)IBRE = 0
Agrupando trminos, nos da lo siguiente:
-IB(RB + (b + 1)RE) + VCC - VBE = 0
Multiplicando todo por (-1), obtenemos
IB(RB + (b + 1)RE) - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC - VBE)/(RB + b (RC+RE))
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la
con figuracin de polarizacin fija es el trmino (b + 1) RE. Hay un resultado
interesante que puede derivarse de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza para
trazar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el caso para la
red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB resultar la misma ecuacin
obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el
resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor (b + 1). En
otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de colector-
emisor, "parece como" (b + 1 )RE en la malla de base-emisor. Puesto que b es por
lo general 50 o ms, el resistor de emisor parece ser mucho ms grande en el
circuito de base; tanto, para la configuracin de la figura 4.20.



Figura 4.18 Malla de base-emisor




Figura 4.19



Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE

La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho,
proporciona una manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando
la ley de Ohm, sabemos que la corriente a travs de un sistema es el voltaje
dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de base-emisor, el voltaje
neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms RE reflejado por
(b + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).

Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley
de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas del
reloj, resultar que
IERE + VCE +ICRC - VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene
VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0
VCE = VCC + IC(RC + RE)
El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina
por
VE = IERE
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE
VC = VCC - ICRC

E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
VB = VCC - IBRB
VB = VBE + VE

Estabilidad de polarizacin mejorada
La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT proporciona
una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarizacin de cd se
mantienen ms cerca de los puntos donde fueron fijados por el circuito aun
cuando cambien las condiciones externas como el voltaje de alimentacin, la
temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el anlisis matemtico se
brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse cierta comparacin del mejoramiento
como lo muestra el siguiente ejemplo.

Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarizacin
de las figuras 4.7 y 4.22 para el valor de b = 50 y para un nuevo valor de b = 100.
Compare los cambios en IC. para el mismo incremento en b .
Solucin
Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo despus para
un valor de b = 100, se produce lo siguiente:



Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un
cambio de 100% en el valor de b . IB es igual y VCE

se decrementa en un 76%.

Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo despus
para el valor de b = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT
aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100% en b . Ntese que el
decremento de IB ayuda a mantener el valor de IC, o al menos a reducir el cambio
total en IC. debido al cambio en b .


Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un
diseo polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque
empleado en la configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre las
terminales colector-emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente
del colector resultante. Para la figura 4.23:
ICsat = VCC / (RC +RE)
La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo
del nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del
mismo resistor del colector.



Figura 4.23 Determinacin de ICsat para el circuito de polarizacin de
emisor.