Mario Alberto Espindola Pardias

UNIVERSIDAD POLITECNICA
DEL VALLE DE MEXICO














MAESTRIA EN INGENIERIA DE MANUFACTURA
INGENIERIA DE LOS MATERIALES
PROFESOR. DAVID VILLEGAS CARDENAS

Mario Alberto Espindola Pardias
ESTRUCTURA DE LOS MATERIALES
Estructuras cristalinas
La distribucin atmica en los slidos cristalinos, puede describirse mediante una red espacial donde se
especifican las posiciones atmicas por medio de una celda unitaria que se repite y que posee las propiedades
del metal correspondiente.
Existen catorce tipos de estructuras cristalinas de la celda unitaria.

En los metales, las celdas unitarias cristalinas mas comunes son:
Cubica centrada en cuerpo (BCC)
Cubica centrada en caras (FCC)
Hexagonal compacta (HCP) que es una variacin de la estructura hexagonal simple.
En estos sistemas cristalinos, las direcciones se indican por los ndices de Miller, los cuales veremos
posteriormente.

Utilizando el modelo de la esfera rgida para los tomos, se pueden calcular las densidades atmicas
volumtricas, planar y lineal en las celdillas unidad. Los planos en los que los tomos estn empaquetados tan
juntos como es posible se denominan planos compactos. Los factores de empaquetamiento atmico para
diferentes estructuras cristalinas pueden determinarse a partir del modelo atmico de esferas rgidas. Algunos
Mario Alberto Espindola Pardias
metales tienen diferentes estructuras cristalinas a diferentes rangos de presin y temperatura, este fenmeno
se denomina alotropa.
Las estructuras cristalinas de slidos cristalinos pueden determinarse mediante anlisis de difraccin de rayos
X utilizando difractmetros por el mtodo de muestra en polvo. Los rayos X son difractados por los cristales
cuando se cumplen las condiciones de la ley de Bragg.
Metales
Todos los metales son materiales cristalinos, es decir, sus tomos estn ordenados siguiendo un patrn
definido
Poseen enlace metlico, el cual es no-direccional. Esto hace que las dislocaciones se puedan desplazar en los
metales con facilidad. Por esta razn, los metales son materiales dctiles. Adems, la no- direccionalidad de los
enlaces tambin facilita la difusin de los tomos en la estructura cristalina. Por esta razn, los metales
pueden cambiar sus propiedades por medio de tratamientos trmicos. Un tratamiento trmico no es ms que
un proceso de calentamiento y enfriamiento controlado de modo que se modifique la microestructura del
metal.

Para aplicaciones de ingeniera, los metales normalmente se utilizan aleados. Debido a esto poseen varias
fases en su microestructura.
Cermicos
La gran mayora de los materiales cermicos son cristalinos y su estructura suele ser bastante compleja.

Los materiales cermicos poseen enlace inico. Este enlace cosiste en que uno de los tomos pierde uno o
varios electrones cedindolo a otro tomo diferente. El tomo que pierde el electrn queda con carga positiva
mientras que el tomo que lo gana queda con carga negativa. La cohesin del material resulta de la atraccin
electrosttica que ejercen las cargas elctricas de signo contrario. Los iones deben estar colocados de manera
ordenada en los puntos de red del material de modo que este sea elctricamente neutro.

Mario Alberto Espindola Pardias
En los materiales cermicos, el deslizamiento de las dislocaciones es muy difcil debido a que debe mantenerse
la neutralidad elctrica del material. Esto hace que los materiales cermicos no posean ductilidad. Adems, la
difusin tambin es muy difcil por la misma razn, no teniendo ningn sentido tratarlos trmicamente para
cambiar su microestructura.

Polmeros
Los polmeros son materiales formados por mo9leculas muy largas.

Los tomos que forman la molcula estn unidos entre si por enlaces covalentes. Estos enlaces son
direccionales, lo que hace que la mayora de las molculas tiendan a ser rizadas.

El material polimrico est formado por una gran cantidad de molculas de longitud diferentes y enredadas
entre si, por lo cual es muy difcil que estos materiales formen estructuras cristalinas, es por esto que la
mayora de los polmeros son amorfos o cuando mucho semicristalinos
La cohesin y resistencia del material depende en gran manera de que tan enredadas estn sus molculas.
Generalmente entre ms largas las molculas, mejor se enredan y el material posee mayor resistencia. Si las
molculas son cortas, no pueden enredarse bien y el material se deforma con facilidad.

Mario Alberto Espindola Pardias
Planos
Un plano queda perfectamente determinado con tres puntos que no sean colineales. Si cada punto est sobre
un eje cristalino diferente, el plano puede especificarse dando las coordenadas de los puntos en funcin de las
longitudes reticulares a, b y c. Sin embargo, resulta de mayor utilidad especificar la orientacin de un plano
mediante los ndices determinados por las siguientes reglas:
1. Se encuentran las intersecciones con los ejes en funcin de las constantes de la red. Si
el plano no corta a un eje, porque es paralelo a l, la interseccin se toma como .

2. Se toman los inversos de estos nmeros, y luego se reducen a tres nmeros enteros
que tengan la misma relacin, normalmente los nmeros enteros ms pequeos posibles
(La reduccin no se realiza cuando queremos referirnos a un plano concreto, y no a un
conjunto de planos paralelos entre s. Por ejemplo, aun cuando los planos (200) y (100)
sean paralelos, pueden no tener la misma distribucin atmica, de ah que sea preciso
especificar a cul de ellos nos referimos). Los tres nmeros resultantes, encerrados entre
parntesis, esto es (h k l), representan al plano.
Por ejemplo, si las intersecciones son 1, 4 y 2, los inversos sern 1/1, 1/4 y 1/2; los nmeros enteros ms
pequeos que poseen la misma relacin son 4, 1 y 2. As que el plano se designar como (4 1 2).
A continuacin se muestran los ndices de algunos planos en una celdilla cbica.

Notacin de Miller de algunos planos caractersticos de un cristal cbico.
Los planos equivalentes por razones de simetra pueden designarse de manera colectiva encerrando entre
llaves los ndices de uno cualquiera de sus miembros. Por ejemplo, {1 0 0} designa a la familia de planos
equivalentes constituida por todas las caras del cubo. El calificativo de equivalente tiene el mismo sentido
que dimos para las direcciones: dos planos sern equivalentes siempre que la distribucin atmica sobre ellos
sea la misma.



Mario Alberto Espindola Pardias
Usando esta notacin, resulta que en los sistemas cbicos, una direccin perpendicular a un plano dado, tiene
sus mismos ndices. Es decir, la direccin [h k l] es perpendicular al plano (h k l). Tambin se cumple en los
sistemas cbicos que si la arista de la celdilla es a, entonces la distancia del origen a un plano de ndices (h k l)
se calcula mediante la frmula siguiente:

sta es tambin la distancia entre planos paralelos consecutivos, si los ndices h, k y l estn reducidos a los
enteros ms pequeos.
Indices de Miller

El ndice de Miller fue presentado por primera vez por el mineralogista britnico William Hallowes Miller en
1839. Existen adems otras notaciones para los casos especiales de cristales con planos simtricos.
Para poder identificar unvocamente un sistema de planos cristalogrficos se les asigna un juego de tres
nmeros que reciben el nombre de ndices de Miller. Los ndices de un sistema de planos se indican
genricamente con las letras (h k l).
Los ndices de Miller son nmeros enteros, negativos o positivos, y son primos entre s. El signo negativo de un
ndice de Miller debe ser colocado sobre dicho nmero.
Obtencin de los ndices de Miller
Los ndices de Miller de un plano cristalogrfico estn definidos como los recprocos de las intersecciones que
el plano determina con los ejes (x, y, z) de nuestro sistema de ejes coordenados. Para obtener los ndices de
Miller de un plano primero determinamos la interseccin de este con los ejes. Una vez obtenidos los nmeros,
se hallan sus inversos y los multiplicamos por el mnimo comn mltiplo (A). Un plano queda as representado
por la forma (h, k, l):
h = A/m; k = A/n; l = A/p
Se deduce que si un plano es paralelo a uno de los ejes, lo corta en el infinito, y su ndice ser cero. Si lo
cortara en la parte negativa, el ndice ser negativo, lo cual se indicar con un guin sobre dicho ndice. Si el
plano pasa por el origen se desplazar a una posicin equivalente en la celda.
En el caso de que se tengan planos de redes equivalentes, relacionadas por la simetra del sistema cristalino, se
le llamara Familia de Planos y se encerraran entre llaves {h, k, l}.
Para determinar los ndices de una direccin cristalogrfica cualquiera, se traza por el origen una paralela a
esta. Sobre ella se toma el nudo (A) arbitrario de coordenadas (x, y, z), tal que sea mltiplo de las aristas (a, b,
c) del cubo:
x = ra; y = sb; z = tc
Una vez obtenidas (r, s, t) se dividen por su mximo comn divisor (D), con lo que resultan los nmeros:
Mario Alberto Espindola Pardias
u = r/D; v = s/D; w = t/D
La recta queda as definida por sus ndices entre corchetes [u, v, w].
Es importante la relacin que existe solo en el sistema cbico, en los que los ndices de Miller de una direccin
perpendicular a un plano son los mismos.
Para la Familia de Direcciones aqu se usa como notacin < u v w >
Nmero de coordinacin
Es el nmero de puntos de la red ms cercanos, los primeros vecinos, de un nodo de la red. Si se trata de una
estructura con empaquetamiento compacto el nmero de coordinacin ser el nmero de tomos en contacto
con otro. El mximo es 12

Demostracin de nmero de coordinacin
Demostrar que la celda unitaria cubica centrada en caras tiene 12 como numero de coordinacin, es decir, el
nmero de tomos vecinos ms cercanos a uno en particular.
Primero vemos una representacin de una celda unitaria cubica centrada en caras.

Ahora, el tomo azul ser nuestra referencia. Los tomos de color verde son los que estn tocndolo por los
lados, mientras que los tomos rojos son los que estn tocndolo por la parte de atrs.


Mario Alberto Espindola Pardias
Al unirse con otra celda para formar la red cristalina, el tomo azul ahora toca cuatro tomos rojos por el
frente, cuatro por detrs y cuatro por los lados, demostrando que son 12 tomos en contacto con uno en
especfico, Por lo tanto su nmero de coordinacin, s es 12.


Densidad Atmica
Densidad atmica lineal:
La densidad atmica lineal (P
L
) es la relacin entre el nmero de dimetros atmicos cortados por la longitud
seleccionada de la lnea en la direccin de inters, con respecto a la longitud seleccionada de la lnea

El factor de empaquetamiento lineal (FE
L
) es la fraccin realmente ocupada por tomos en la longitud
seleccionada

Solo se consideran los tomos donde la direccin de inters pase por su centro.

Densidad atmica planar:
La densidad atmica planar (P
P
) es la relacin entre el nmero equivalente de tomos cortados por el rea
seleccionada, con respecto al rea seleccionada.

El factor de empaquetamiento planar (FE
L
) es la fraccin realmente ocupada por tomos en el rea
seleccionada

Solo se consideran los tomos donde la direccin de inters pase por su centro.
Mario Alberto Espindola Pardias
Densidad atmica volumtrica:
La densidad atmica volumtrica (P
v
) es la relacin entre la masa de la celda unitaria, con respecto volumen de
dicha celda.

El factor de empaquetamiento volumtrico o tambin conocido como factor de empaquetamiento atmico
(FEA) es la fraccin de la celda unitaria ocupada por tomos realmente ocupada por tomos en el rea
seleccionada




Solo se consideran los tomos donde la lnea de inters pase por su centro.
Preparacin para realizar metalografa.

1. Obtener un tramo de metal al que se le desea hacer la metalografa.
2. Realizar un corte recto en una de sus caras, teniendo en cuenta que la pieza resultante de este corte,
deber ser manipulada en un proceso de lijado, por lo que se aconseja que el tamao de la pieza no
sea muy pequeo como para no poder controlarlo, ni muy grande como para que no quepa en el
microscopio.
3. El siguiente proceso, es el proceso de lijado. Este proceso se deber llevar a cabo con varias lijas de
diferentes tamaos de grano.
a. Primeramente se deber seleccionar la cara a lijar y tener una superficie plana y apta para
mantener un flujo constante de agua para hacer este proceso. Se deber poner la lija en la
superficie plana y asegurara de modo que se pueda lijar correctamente.
b. Al empezar el lijado, se deber tomar la lija con mayor nmero de grano (80 100 aprox). Y
realizar los movimientos de lijado rectos en una sola direccin, evitando movimientos de
vaivn, es decir, se lija de ida, se levanta la pieza y se regresa al punto de inicio para volver a
lijar.
Se deber realizar este proceso hasta que se observe que se hicieron lneas rectas por toda la
superficie de la pieza. Se deber estar agregando agua constantemente y no dejar que se
seque para evitar ms ralladuras en la superficie y estar limpiando de residuos.







c. Dar vuelta 90 a la pieza sobre si eje vertical y volver a hacer el paso b hasta que se hayan
eliminado las rayas hechas anteriormente y ahora estn las nuevas rayas.


Mario Alberto Espindola Pardias
d. Cambiar la lija por una lija ms fina (200)y repetir los pasos b y c
e. Cambiar la lija por una lija ms fina (500)y repetir los pasos b y c
f. Cambiar la lija por una lija ms fina (800)y repetir los pasos b y c
g. Cambiar la lija por una lija ms fina (1000)y repetir los pasos b y c
h. Cambiar la lija por una lija ms fina (2000)y repetir los pasos b y c.
i. Se deber pulir la pieza en una pulidora. En este punto, el aporte de agua es an ms
importante y crtico para el buen terminado de la pieza, pues deber quedar con terminado
espejo. Para el proceso de pulido, nos valdremos de agua y una pulidora como anteriormente
lo describimos y almina de 0.05 micras de tamao de grano como agente abrasivo.
Se deber pulir hasta dejarla con terminado espejo.
Para saber el avance de la operacin, podemos usar un pedazo de algodn para secar el agua
en la superficie y ver el avance
4. Por ltimo, se deber atacar qumicamente la pieza con Nital (cido ntrico y alcohol) aplicndolo
con un cotonete. Este proceso solo dura unos segundos hasta que se opaque el terminado espejo. Se
deber enjuagar en agua para detener el ataque y poder limpiar de nuevo la superficie.
5. El ataque sirve para poder observar los diferentes granos que constituyen el material metlico y/o sus
diferentes fases como ausentita, ferrita, etc.