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ResumenDiseo e implementacin de un amplificador
para radiofrecuencia a pequea seal sintonizado a una
frecuencia de trabajo y observar en la prctica de
laboratorio ganancia en voltaje respecto a la frecuencia de
trabajo con un barrido respectivo

Palabras clavesradiofrecuencia, frecuencia de trabajo,
parmetros y polarizacin, acople y desacople.

I. INTRODUCCIN
AMPLIFICADOR de RF pequea seal utilizado en
aplicaciones de transmisin y distribucin de ondas
electromagnticas en el espacio; parmetrosy usados
para caracterizar el comportamiento de un transistor en
ciertas frecuencias y puntos de polarizacin para su
eventual diseo de polarizacin respectivo (emisor
comn) [1].


II. PROCEDIMIENTO
Parmetrosy indicados por fabricante en el
datasheet del transistor (PN918) a una frecuencia
de trabajo fo = 10 MHz y corriente de colector Ic =
6mA y Fuente de alimentacin Vcc= 15V en
mmho :

Yi = 1.6 + j0.85 Yf = 106 j21
Yo = 0.11 + j0.225 Yr = -0.01 j0.08
Calculo de Estabilidad Linvill


||
()
()

()() ()
()

El Transistor es potencialmente inestable cuando C > 1
luego se procede a realizar Neutralizar el transistor
Neutralizacin

Fig.1 Circuito de Neutralizacin

Los nuevos parmetros Y (mmho) neutralizados son:

Calculo de la MAG:


|

()

() ()

Admitancia que debe ver el transistor para
max transferencia de potencia hacia la carga
(50 ):

()

()

()

Admitancia que debe ver el transistor hacia la
fuente:

()

()

()






Circuitos de acople para el transistor
.
LABORATORIO #4
AMPLIFICADOR DE RF PEQUEA SEAL
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ENTRADA

Para el circuito de acople de entrada (hacia la
fuente) se requieren los siguientes componentes:

Condensador = 94pf
Bobina = 2.6 uH
SALIDA

Para el circuito de acople de salida (hacia la carga)
se requieren los siguientes componentes:

Condensador = 27pf
Bobina = 9.7 uH

Diseo Polarizacin transistor:

Asumiendo una Vce = 9V, una corriente de colector Ic = 6mA y
un voltaje de emisor Ve = 2V se tiene lo siguiente:

Factor beta o hfe obtenido del datasheet (74)

( )
( )


Fig.2 Polarizacin Transistor (diseo)

Por ltimo se toma los diseos anteriores de
acoples, polarizacin y neutralizacin necesarios
para el funcionamiento del amplificador en RF de
pequea seal.

Fig.3 Diseo Final Amp RF




III. CONCLUSIONES
En el diseo e implementacin se deben tener en
cuenta aspectos muy importantes como las conexiones,
cargas, instrumentos de medicin; ya que se manejan
frecuencias altas y cualquier interferencia puede afectar
la salida del amplificador RF; adems de que los
componentes electrnicos usados poseen tolerancias a
las cuales aaden errores aparte de los mencionados.

Mtodos de Neutralizacin en el diseo del amplificador
a pequea seal se vuelven casi necesarios a la hora de
tomar parmetros de diseo y hacen parte primordial del
correcto funcionamiento del amplificador; ya que sin
este el transistor podra sufrir algn tipo de avera segn
conceptos de estabilidad Linvill.

BIBLIOGRAFA

[1] Cancino Hector;apuntes de clase; sep 19.

330
660 14k
3.3k
VCC
15V
R1
330
R2
660
R3
14k
R4
3.3k
C1
94pF
C2
1.27nF
C3
0.1F
C4
25pF
L1
2.6H
L2
9.7H
C5
0.1F
Q2
C7
0.1F
V1
15 V
ENTRADA
SALIDA