111

UNIVERSIDAD NACIONAL DANIEL ALCIDES

CARRIN

FACULTAD DE INGENIERA

ESCUELA DE FORMACIN PROFESIONAL
DE METALURGIA








CURSO:

Metalurgia Fsica I

DOCENTE:

Ing. PALOMINO ISIDRO, Rubn Edgar


ALUMNO:


LANDA QUILCA, Lean


SEMESTRE:
VIII


07 de octubre de 2014

PASCO-PERU



-Estructuras cermicas.
-Estructuras polimricas.
-Estructuras semiconductoras.

2










DEDICATORIA
Dedico con mucho amor a mis padres
Y hermanos quienes depositan su apoyo
Y confianza.














3









AGRADECIMIENTO
Agradezco a mis padres por los momentos ms
Difciles que permanecieron en m,
A todos los maestros de una u otra manera
Hacen posible la enseanza.














4

INTRODUCCIN

Estructura es la disposicin y orden de las partes dentro de un todo. Tambin puede
entenderse como un sistema de conceptos coherentes enlazados, cuyo objetivo es
precisar la esencia del objeto de estudio, es la distribucin de las partes de un cuerpo,
aunque tambin puede usarse en sentido abstracto. El concepto, que procede del
latn estructura, hace mencin a la disposicin y el orden de las partes dentro de
un todo.

A partir de esta definicin, la nocin de estructura tiene innumerables aplicaciones.
Puede tratarse de la distribucin y el orden de las partes principales, en particular,
puede referirse a:

-Estructuras qumicas.

-estructura de categora.

-estructura de musical.

-estructura de ciencias.

-estructura estelar.

-estructura social, etc.















5

OBJETIVO GENERAL:
Definir las estructuras cermicas, polimricas y semiconductoras.
OBJETIVOS ESPECIFICOS:
Definir y clasificar los materiales cermicos y las cermicas tradicionales.
Aprender las propiedades de las cermicas.
Basndonos en la estructura cristalina de los semiconductores, y ms
Concretamente en el enlace covalente.
Desde el punto de vista energtico nos basamos en las estructuras, es decir, a
travs del modelo de bandas.


















6

NDICE
CARATULA---------------------------------------------------------------------------------------------------1
DEDICATORIA-----------------------------------------------------------------------------------------------2
AGRADECIMIENTO ---------------------------------------------------------------------------------------3
INTRODUCCION--------------------------------------------------------------------------------------------4
OBJETIVOS ALCANZADOS -------------------------------------------------------------------------------5
Objetivo general
Objetivos especficos
NDICE--------------------------------------------------------------------------------------------------------6
CAPTULO 1: ESTRUCTURA CERMICA---------------------------------------------------------------7
CAPITULO 2: ESTRUCTURA POLIMRICA----------------------------------------------------------19
CAPITULO3: ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA--------------------------------------------------29
CONCLUSIN----------------------------------------------------------------------------------------------49
BIBLIOGRAFA---------------------------------------------------------------------------------------------50












7



CAPTULO 1: ESTRUCTURA CERMICA
1.1.-RESUMEN:
Los materiales cermicos son materiales inorgnicos compuestos por elementos
metlicos y no metlicos vinculados qumicamente. Pueden ser cristalinos, no
cristalinos o una mixtura de ambos.
Poseen una alta dureza y resistencia al calentamiento, pero tienden a la fractura frgil.
Se caracterizan principalmente por su bajo peso, alta rigidez y baja tenacidad, alta
resistencia al calor y al desgaste, poca friccin y buenas propiedades aislantes.
Los materiales cermicos son baratos, pero su procesado hasta producto terminado es
normalmente lento y laborioso. Adems, la mayora de estos materiales se daa
fcilmente por impacto a causa de su baja o nula ductilidad.

1.2.-INTRODUCCIN:

Histricamente, los cermicos se cuentan entre los materiales ms antiguos hechos
por el Hombre. Si bien su invencin data del Neoltico, el primer pueblo que
desarroll tcnicas para elaborar la cermica fue el Chino, pasando el
conocimiento a Japn, la India, Medio Oriente, Egipto, Grecia y finalmente Europa.
Estas civilizaciones, en contraposicin a las culturas prehistricas que simplemente
dejaban secar las piezas de cermicas al sol o junto a una fogata, fueron
desarrollando mtodos de coccin en hornos, lo que mejor las prestaciones del
material y sus bondades estticas.

1.3.-CLASIFICACIN:
Puede ser cristalina, no cristalina, o una mezcla de ambas. Se presentan en las ms
variadas formas; de estructuras muy simples a las ms complejas mezclas de fases. Su
abundancia en la naturaleza y las diferencias que presentan en sus propiedades
respecto a las de los metales los convierte en materiales sumamente importantes.
Segn su estructura, los cermicos pueden clasificarse en dos grandes grupos, los
cristalinos o cermicos, y los no cristalinos o vidrios. A su vez, los cristalinos pueden ser
mono cristalinos o poli cristalinos. (Ver Cuadro 1)

8


Cuadro 1. Clasificacin de los cermicos segn su estructura.
Los que presentan estructura policristalina o no cristalina pueden a su vez ser
monofsicos o polifsicos.

1.3.1.-MATERIAL CERMICO CRISTALINO:

Pueden clasificarse en tres grupos. Las cermicas de silicato, cuya unidad estructural
fundamental es el SiO2, incluyen por ejemplo a la porcelana y los materiales
refractarios. Los cermicos de xido sin silicatos son compuestos a los que se les
agregan impurezas, como el Al2O3, MgO y BeO. Las cermicas sin xidos, como el ZnS,
SiC y TiC, se utilizan como material para elementos calefactores de horno, as como
material abrasivo.



Cuadro 2. Cermicas cristalinas.


1.3.2.-ESTRUCTURA NO CRISTALINA:

Los tomos se acomodan en conjuntos irregulares y aleatorios. Los slidos no
cristalinos con una composicin comparable a la de las cermicas cristalinas se
denominan vidrios. La mayor parte de los vidrios que se comercializan son silicatos.

1.4.-ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE CERMICAS SENCILLAS:
Algunos compuestos con estructuras cristalinas relativamente sencillas estn rgidos en
la tabla con sus puntos de fusin.

9


En los compuestos cermicos listados, el enlace atmico es una mezcla de los tipos
inico y covalente, valores aproximados de los porcentajes de carcter inico y
covalente para los enlaces entre tomos en estos compuestos se pueden obtener
considerando las diferencias de electronegatividad entre los diferentes tipos de
tomos en los compuestos.
La tabla Muestra la cantidad de enlace inico o covalente entre los tomos de estos
compuestos es importante porque determina, en alguna medida que tipo de
estructura cristalina se forma en el compuesto cermico.
1.5.-DISPOSICIONES INICAS SENCILLAS ENCONTRADAS EN SOLIDOS CON ENLACE
INICO
1.5.1.- el tamao relativo de los iones en el slido inico (considerado los iones como
esferas compactas de radios definidos).
1.5.2.- la necesidad de equilibrar las cargas electrnicas para mantener la neutralidad
elctrica en el slido inico.



10

1.6.-LIMITACIONES DE TAMAO PARA EL EMPAQUETAMIENTO DENSO DE AIONES
Los slidos inicos estn formados por cationes y aniones. En el enlace inico algunos
tomos pierden sus electrones ms externos para convertirse en cationes y otros
ganan electrones externos para convertirse en aniones. Por tanto los cationes son
normalmente ms pequeos que los a iones enlazados con ellos.
El nmero de aniones que se encuentran alrededor del catin en un inico solido se
llaman nmero de coordinacin (NC).


1.7.-ESTRUCTURAS CERMICAS DE SILICATOS:

Muchos materiales cermicos contienen estructuras de silicatos con tomos de silicio y
oxgenos enlazados entre s en varias distribuciones. Tambin un nmero de
formaciones naturales de tipo mineral tales como arcillas feldespatos y micas son
silicatos; ya que el silicio y el oxgeno son los dos elementos ms abundantes
encontrados en la corteza terrestre.
Se caracterizan por su bajo precio, disponibilidad y por sus propiedades especiales. Las
estructuras de silicato son particularmente importantes para materiales
de construccin en ingeniera: vidrios, cemento Portland, ladrillos y aislantes
elctricos.

1.8.-Imperfecciones en las estructuras cermicas cristalinas:

1.8.1.-Defectos atmicos puntuales:

En los materiales cristalinos cermicos los tomos existen como iones cargados. Esto
hace que la estructura de defectos debe cumplir las condiciones de electro
neutralidad. Por consiguiente los defectos en las cermicas no ocurren de forma
aislada. Un tipo de defecto est formado por una vacante catinica y 3un catin
intersticial. Esto se denomina un defecto Frenkel.
11


Puede verse como un catin que abandona su posicin normal y se mueve a una
posicin intersticial manteniendo su contribucin de carga positiva, lo que asegura la
neutralidad.

Otro tipo de defecto encontrado en materiales AX es un par vacante catinica- vacante
aninica conocido como defecto Schottky, creado por la eliminacin de un catin y un
anin desde el interior de un cristal. El hecho de que para cada vacante aninica exista
una vacante catinica asegura que la neutralidad de la carga del cristal se mantenga.
Estos dos defectos, por otra parte, no alteran las proporciones de aniones y cationes
manteniendo la estequiometria en el material.
-Impurezas en cermicas:

Los tomos de impurezas pueden formar soluciones slidas en los materiales
cermicos tanto intersticiales como sustituciones En el caso de las intersticiales, los
radios inicos de las impurezas deben ser pequeos en comparacin con los del anin.
Una impureza sustituir al tomo disolvente que sea ms similar en
el comportamiento elctrico. Para que en el estado slido haya una solubilidad
apreciable de los tomos de impurezas sustituciones, los tamaos inicos y la carga
deben ser casi iguales a los de los iones disolventes. Si una impureza tiene una carga
distinta a la del ion al cual sustituye red como los anteriormente descriptos.

-Dislocaciones:

En algunos materiales cermicos incluyendo el lif, el zafiro (Al2O3) y el MgO se
observan dislocaciones. Sin embargo estas no se mueven con facilidad debido a un
vector de Burguers grande a la presencia de relativamente pocos sistemas de
deslizamientos y a la necesidad de romper enlaces inicos fuertes para despus obligar
a los iones a deslizarse a los de carga opuesta. Como consecuencia las grietas no se
redondean por la deformacin del material que se encuentra en la punta de la grieta y
su propagacin contina. Eso es lo que hace de los cermicos, materiales frgiles.

1.8.2.-Defectos superficiales:

Los lmites de grano y las superficies de las partculas son defectos superficiales
importantes en los cermicos. Un cermico con grano de tamao fino tiene mayor
resistencia que uno de grano ms grueso. Los granos ms finos ayudan a reducir los
esfuerzos que se desarrollan en sus bordes debido a la expansin y a la contraccin
aniso trpica, Normalmente se produce un tamao de grano fino utilizando desde el
principio materias primas cermicas de partculas ms finas (en el caso de sinterizado).
Las superficies de las partculas que representan planos de uniones covalentes o
inicas rotas y no satisfechas, son reactivas. Distintas molculas pueden ser absorbidas
en la superficie para reducir la energa superficial, alterando su composicin, sus
propiedades y su confortabilidad.

-Porosidad:

12

En un material cermico los poros pueden estar interconectados o bien, cerrados. La
porosidad aparente mide los poros interconectados y determina la permeabilidad
(facilidad con la cual pasan gases y otros fluidos a travs del cermico). Se determina
pesando el material cermico seco (WD) despus de vuelve a pesar cuando est
suspendido en agua (WS) y despus de que ha sido retirado el agua (WW).



La porosidad real incluye tanto poros interconectados como cerrados



B es la densidad en masa
c es la densidad real del cermico.

Ejemplos de materiales cermicos Nitruro de silicio (Si3N4), Utilizado como polvo
abrasivo.

Carburo de silicio (SiC), empleado en hornos de microondas, en abrasivos y como
material refractario.

xido de cinc (ZnO), semiconductor.
Magnetita (Fe3O4), es utilizado en ncleos de transformadores magnticos y en
ncleos de memorias magnticas.

Esteatita, utilizada como un aislante elctrico.

Ladrillos, utilizados en construccin.

1.9.-PROPIEDADES:

1.9.1.-PROPIEDADES ELCTRICAS DE LOS CERMICOS:

Los materiales cermicos se usan ampliamente en la industria elctrica y electrnica.
Principalmente como aislantes (dielctricos) elctricos o en capacitores.
Otra aplicacin difundida es derivada de las propiedades piezoelctricas de ciertos
tipos de cermicas.

Propiedades de los componentes dielctricos:
13

La unin inica y covalente en materiales cermicos restringe la movilidad de los iones
y de los electrones (los cales se comporten entre dos tomos o son cedidos de un
tomo a otro) y esto determina que estos materiales sean buenos aislantes elctricos
Existen 3 propiedades bsicas de los componentes dielctricos.

Constante dielctrica Ruptura dielctrica Factores de perdida

Comportamiento dielctrico:
Este tipo de material cermico presenta una estructura bipolar (entidades de cargas (+)
y (-) a nivel atmico o molecular separadas) por lo en presencia de un campo
elctrico estos se orientan y es posible usarlos en capacitores.
Constante dielctrica:
La constante dielctrica de un medio continuo es una propiedad macroscpica.
El efecto de la constante dielctrica se manifiesta en la capacidad total de un
condensador elctrico o capacitor. Cuando entre los conductores cargados o paredes
que lo forman se inserta un material dielctrico diferente del aire la capacidad
de almacenamiento de la carga del condensador aumenta. De hecho la relacin entre
la capacidad inicial Ci y la final Cf vienen dada por la constante elctrica:



La alta constante dielctrica de ciertos tipos de cermicos permite la miniaturizacin
de capacitores.



C = (E. k . A) / d
C: capacidad
E: Permeabilidad en el vaco (ctte)
k: constante dielctrica d: distancia entre placas

14


La tabla muestra valores de constante dielctrica de algunos materiales aislantes
cermicos.


Referencia:


K Vaco 1
K Aire 1.00059


Rigidez dielctrica:
Entendemos por rigidez dielctrica el valor lmite de la intensidad del campo elctrico
en el cual un material pierde su propiedad aisladora y pasa a ser conductor (ruptura
elctrica). Tambin podemos definirla como la mxima tensin que puede soportar un
aislante sin perforarse. A esta tensin se la denomina tensin de rotura.
Si el dielctrico es sometido a una diferencia de voltaje suficientemente alta, el
esfuerzo de los electrones y los iones en su intento por pasar a travs del dielctrico
puede superar la rigidez dielctrica ocasionando que el material empiece a fallar y
finalmente se produzca el paso de electrones.
La tabla 10.7 muestra valores de rigidez dielctrica de algunos materiales aislantes
cermicos.
15


Factor de prdida:
Es una medida de la energa elctrica perdida (en forma de calor) por un capacitor en
un circuito de corriente alterna.
La tabla 10.7 muestra valores de factor de prdida de algunos materiales aislantes
cermicos.

Comportamiento piezoelctrico:
Efecto electromecnico por el cual una fuerza mecnica en un material ferro elctrico
produce una respuesta elctrica o fuerzas elctricas una respuesta mecnica.
Algunos pocos materiales cermicos como el titanato de bario los cuales son cermicos
denominados ferro elctricos que se caracterizan por ser cermicos inicos cristalinos
cuyas celdas unidad no poseen centro de simetra y por ende contienen pequeos
momentos dipolares que en su sumatoria darn un momento dipolar total.


En la figura superior vemos un esquema ilustrativo de dipolos dentro de un material
piezoelctrico.
Veamos primero que si sometemos la pieza a esfuerzos compresivos se reducir la
distancia entre dipolos y por ende el momento bipolar total por unidad de volumen del
material, lo cual modifica la densidad de carga en las caras de la muestra y as cambia
la ddp.




16

En segundo lugar veamos que si aplicamos un campo elctrico la densidad de carga en
los extremos de la muestra cambia lo que implica variacin en las dimensiones de la
muestra


1.9.2.-SEMICONDUCTORES CERMICOS:

Mediante soluciones slidas de xidos metlicos sintetizados de Mn, Ni, Fe, Co y Cu
con alta diferencia de resistividad se pueden crear semiconductores con una
conductividad intermedia por combinacin de xidos metlicos.
EJ: El compuesto cermico magnetita Fe3O4 tiene una resistividad de 10-5 O.m
La mayora de los xidos metlicos de transicin tienen una resistividad de 10 8 O .m
Si a la magnetita Fe3O4 de alta conductividad le aditamos cantidades crecientes de
MgCr2O4 de alta resistividad lograremos reducir gradualmente la conductividad de la
solucin slida.

Aplicaciones:

Circuitos integrados, transistores, microprocesadores.

17




Propiedades trmicas de los cermicos:

En general la mayora de los materiales cermicos tiene baja conductividad trmica
debido a sus fuertes enlaces inicos covalentes y son buenos aislantes trmicos. La
figura 10.49 compara conductividades trmicas de distintos materiales cermicos
en funcin de la temperatura. Debido a la resistencia al calentamiento son usados
como refractarios.
18



Conductividad trmica:
La conduccin trmica es un fenmeno por el cual el calor se transporte de una regin
de alta temperatura del material a otra de baja temperatura. La conductividad trmica
caracteriza la capacidad de un material de transferir calor
Los materiales que no poseen electrones libres son aislantes trmicos y solo existe
transporte de calor por vibraciones de la red.
El vidrio y otras cermicas amorfas tienen conductividades menores que las cermicas
cristalinas por su estructura atmica altamente desordenada e irregular.

Esfuerzos trmicos tensiones:
Las tensiones trmicas son tensiones inducidas en un cuerpo como resultado de
Cambios en la Temperatura.
Tensiones resultantes de la expansin y contraccin trmicas confinadas.
Lo cual puede producir fracturas y agrietamiento, lo cual se da por lo general en
los procesos de secado.

Choque trmico de un material frgil:
El enfriamiento rpido de un material introduce en las tensiones superficiales de
reaccin, contribuyendo a la formacin de grietas y su propagacin a partir de
defectos superficiales y pudiendo producir rotura. La capacidad de un material de
soportar esta clase de falla se llama resistencia al choque trmico. Para un cuerpo
cermico que es rpidamente enfriado, la resistencia al choque trmico depende no
solo de la magnitud del cambio de la Temperatura sino tambin de las propiedades
mecnicas y trmicas del material.

19

Porosidad:
Los poros cumplen una funcin importante, al permitir soportar shocks trmicos
(quebraduras como resultado del rpido cambio de temperatura). Cuando la porosidad
es ms baja se produce una prdida de la capacidad aislante y de la resistencia al
shock.

Punto de fusin:
En general, los cermicos tienen alto punto de fusin, debido a sus uniones inico
covalentes.

1.9.3.-PROPIEDADES MECNICAS DE LOS CERMICOS:

Considerando a los cermicos como una clase de material, podemos decir que estos
son relativamente frgiles, en estos la resistencia a la traccin (o tensin) que soportan
los materiales cermicos vara enormemente pero en ningn caso soporta los 172 Mpa
Mientras que la resistencia a la compresin es de 5 a 10 veces superior.
Por lo general los materiales cermicos son duros y tienen baja resistencia al impacto
debido a sus uniones inico covalentes.











20


CAPTULO 2: ESTRUCTURAS POLIMRICAS.

2.1.-RESUMEN:

En este tema se pretende dar una visin general de la estructura de los polmeros y de
la relacin entre la misma y las propiedades. Se profundiza especialmente en aquellas
propiedades que tienen mayor inters prctico durante la vida de servicio de los
materiales. A si mismo se estudia el comportamiento reo lgico de los polmeros y su
relacin con la estructura del material.

2.2.-INTRODUCCIN:
Son macromolculas (cadenas polimricas) formadas por la unin de molculas de
menor tamao que se conocen como monmeros.


El proceso de unin se llama polimerizacin. Las cadenas pueden ser de Carbono
(orgnicas) o de Silicio (inorgnicas, como la silicona).
Un polmero es una molcula muy grande o macromolcula constituida por la unin
repetida de muchas unidades pequeas (monmeros) a travs de enlaces covalentes.
Ejemplos de polmeros de origen natural son las protenas (seda, enzimas, colgeno),
los polisacridos (almidn, celulosa) y los cidos nucleicos, los cuales cumplen
funciones especficas en los seres vivos.
21



Dentro de los polmeros sintticos, el ms simple es el polietileno, siendo el etileno el
monmero a partir del cual se forma:



La unidad estructural que se repite a lo largo de la cadena polimrica se denomina
unidad repetitiva y la reaccin en la cual los monmeros se unen entre s para formar
el polmero se denomina reaccin de polimerizacin.
Los polmeros consisten en mezclas de molculas de distintas longitudes de cadena y
por ello se habla del peso molecular promedio (PM) de un polmero.

2.3.-ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS POLMEROS:

Las propiedades de un polmero estn relacionadas con su estructura, es decir, con el
tipo de tomos y la disposicin de stos en la macromolcula. Sin embargo, para poder
explicar las propiedades fsicas de un polmero hay que tener en cuenta no slo los
enlaces covalentes de su estructura sino tambin las interacciones o fuerzas
intermoleculares (atracciones dipolo-dipolo, uniones por puente de hidrgeno, fuerzas
de van der Waals) que mantienen juntas las cadenas polimricas.
Los polmeros lineales, los que contengan ramificaciones cortas y aqullos con alta
tecnicidad podrn disponerse en una red cristalina tridimensional, ya que el buen
empaquetamiento de las cadenas polimricas favorecer su acercamiento y la accin
de fuerzas intermoleculares intensas entre ellas. Por el contrario, cadenas laterales
voluminosas y espaciadas irregularmente impiden la cristalinidad.
En todo polmero existen zonas cristalinas y amorfas y el predominio de una zona
sobre la otra determinar el grado de grado de cristalinidad del polmero, el cual es un
factor importante en la determinacin de sus propiedades.
Las fibras sintticas (polisteres, poliacrilonitrilos, poliamidas, poliuretanos) se
caracterizan por estar formadas por macromolculas lineales y con grupos polares en
su estructura. Son estos grupos los que participan en las intensas atracciones que se
generan entre las cadenas polimricas, mantenindolas extendidas y evitando el
deslizamiento de unas sobre otras. En polisteres y poliacrilonitrilos las fuerzas
intermoleculares son del tipo dipolo-dipolo debidas a los grupos carbonilo y nitrilo,
respectivamente:

22



En las poliamidas y los poliuretanos, las intensas fuerzas intermoleculares del tipo
puente de hidrgeno mantienen unidas las cadenas polimricas:



En los polmeros estereoregulares, por ejemplo el polipropileno isosttico, la
disposicin regular de los grupos metilo permite que las cadenas polimricas se
empaquen de manera tal que las fuerzas de van der Waals sean suficientes para
mantener las cadenas unidas y alineadas.

A diferencia de las fibras sintticas, los elastmeros como el caucho (cis-1,4-
polisopreno) no presentan grupos polares en su estructura y las nicas fuerzas
intermoleculares que pueden mantener juntas las cadenas polimricas son las fuerzas
de van der Waals. Debido a la presencia de dobles enlaces cis en las cadenas, stas no
pueden acercarse lo suficiente como para que se establezcan atracciones
intermoleculares fuertes. Esta situacin es totalmente diferente en la gutapercha
(trans-1,4-poisopreno), el estereoismero trans del caucho. La disposicin trans de los
dobles enlaces en las cadenas polimricas permite que stas se dispongan en zigzag y
se acerquen para dar un producto cristalino:

23



El calentamiento de los polmeros mencionados anteriormente romper las fuerzas
que mantienen unidas las cadenas polimricas, permitiendo el deslizamiento de stas
y por consiguiente el ablandamiento del polmero. Esta es una caracterstica de los
polmeros termoplsticos, los cuales pueden ser moldeados al calentarlos. Las resinas
o polmeros entrecruzados, en cambio, estn formados por una nica molcula gigante
con uniones covalentes exclusivamente. El calentamiento de este tipo de polmeros
(termoestables) no conduce al ablandamiento sino a la formacin de ms
entrecruzamientos (nuevos enlaces covalentes) y finalmente a altas temperaturas a la
degradacin del polmero.

La accin de un solvente sobre un polmero depender de la estructura de ste y de las
caractersticas del solvente. Sern solventes apropiados para disolver un polmero
termoplstico aqullos que puedan formar fuertes enlaces secundarios (dipolo-dipolo,
puente de hidrgeno y van der Waals) con las cadenas del polmero, reemplazando las
fuerzas de atraccin entre stas.
De esta manera, solventes polares tendern a disolver polmeros polares, mientras que
los no polares se disolvern en solventes no polares. Por ejemplo, el alcohol polivinlico
es soluble en agua y el poliestireno en tolueno.
La solubilidad de un polmero en un solvente y a una temperatura dada disminuir con
el aumento del peso molecular promedio del polmero.

2.4.-REACCIONES DE POLIMERIZACION.

2.4.1.-POLIMERIZACION POR REACCIN EN CADENA (ADICIN):

En este tipo de polimerizacin se genera una especie reactiva a partir del monmero,
la cual participa en una reaccin que la consume y que a su vez genera otra especie
similar, de modo que cada reaccin depende de la formacin de una especie reactiva
en la reaccin anterior, por lo cual esta reaccin tambin se denomina reaccin en
cadena. Las especies reactivas pueden ser radicales, cationes o aniones.
Los polmeros de adicin as formados tienen pesos moleculares superiores a 100.000.

-Polimerizacin por radicales.

Para generar un radical a partir de un monmero se requiere el agregado de un
iniciador, es decir, de una molcula que genere radicales en condiciones suaves
(temperatura < 100 C, luz ultravioleta). De otro modo, se necesitaran temperaturas
24

muy elevadas o irradiacin con luz de onda corta para general un radical a partir de un
monmero vinlico.
Reaccin de iniciacin:




Reaccin de propagacin:

El radical formado a partir del iniciador se adiciona al doble enlace del monmero
generando un nuevo radical. En monmeros de tipo vinlicos asimtricos (RCH=CH2), el
iniciador se une al carbono menos sustituido de los alquenos para dar el radical ms
sustituido (el ms estable):



R = Cl (cloruro de vinilo), CN (acrilonitrilo), Ph (estireno), CH3 (propeno).
A continuacin se producen una serie de reacciones de adiciones cabeza-cola:



25



Reaccin de terminacin:




Por desproporcion de los radicales:




Por transferencia de cadena:

Es la reaccin de un radical polimrico con una molcula (monmera, solvente (por ej
Cl4C), un agente de transferencia) o con otro radical polimrico por transferencia de
un tomo de hidrgeno:

26



Polimerizacin inica:

La reaccin de polimerizacin en cadena puede proceder con iones en lugar de
radicales libres como partculas propagadoras de la cadena polimrica. Estas pueden
ser cationes o aniones, dependiendo del iniciador que se emplee.

-Polimerizacin catinica:

Los iniciadores son cidos (H2SO4, KHSO4) o complejos de cidos de Lewis y agua o
alcohol como catalizador. Un sistema muy usado es BF3/ROH:




El protn del cido conjugado acta como catin iniciador.
En el primer paso de la reaccin de propagacin se forma el carbonacin ms estable,
al cual se van uniendo los monmeros:



La reaccin de terminacin ocurre por agregado de compuestos polares, por ejemplo,
27

Alcoholes o agua, los cuales reaccionan con el macro catin para dar un polmero
neutro:

La polimerizacin catinica procede muy rpidamente a bajas temperaturas. Por
ejemplo, la polimerizacin del isobutileno (CH2=C(CH3)2) se lleva a cabo
comercialmente a 65C.

-Polimerizacin aninica:

Se inicia por adicin de un anin al doble enlace del monmero. Como aniones
iniciadores se utilizan HO-, NH2 - y carbaniones de compuestos organometlicos como
butillitio (BuLi: CH3CH2CH2CH2 -Li+):



En ausencia de impurezas las cadenas siguen creciendo hasta que se termina el
monmero. El extremo aninico es perfectamente estable y el tamao de las cadenas
aumentar por agregado de ms monmero. Por esta razn estos materiales fueron
llamados polmeros vivientes. Impurezas dadoras de protn (agua o cidos) terminan
la cadena:



La polimerizacin aninica tiene consecuencias prcticas importantes:
28

Polimerizacin en bloque: si se introduce un segundo monmero despus de que se
haya terminado la carga inicial del primero, las cadenas aninicas continan la
polimerizacin con el segundo, dando un copolmero en bloque.


Qu monmeros pueden polimerizarse por este mecanismo?

Aqullos que presentan sustituyentes a tractores de electrones: CH2=CHR con R = CN,
fenilo, carbonilo.

2.4.2.-POLIMERIZACION POR CONDENSACIN:

La polimerizacin por condensacin o reaccin por etapas es la forma de polmeros
por mediacin de reacciones qumicas intermoleculares que normalmente implican
ms de una especie manomtrica y generalmente se originan un subproducto de bajo
peso molecular, como el, agua que se elimina.

2.5.-ADITIVOS AGREGADOS A POLIMEROS:
AGENTES DE REFUERZO:
Incrementan las propiedades estructurales del polmero, tales como dureza, fuerza y
retencin de estas propiedades a mayor temperatura. Ej.: fibra de vidrio en nylon,
polipropileno.

FILLERS:
Son materiales articulados cuya funcin es extender el polmero y reducir su costo.
Ej.: CaCO3, mica, asbestos (incrementan adems la resistencia al calor).

ESTABILIZANTES:
Son compuestos que inhiben la degradacin del polmero por exposicin a la radiacin
ultravioleta o al oxgeno, o a altas temperaturas durante operaciones de
procesamiento. Ej.: xidos metlicos, los cuales reaccionan por ejemplo con el HCl
proveniente de la degradacin trmica del PVC. Antioxidantes (compuestos que
capturan radicales libres) se agregan en cauchos sintticos para evitar la reaccin de
dobles enlaces en el polmero con O2 uO3.

29

PIGMENTOS:
Son slidos finamente divididos que se agregan para colorear plsticos. Si el polmero
es transparente le impartirn opacidad. Ej.: TiO2, CaCO3 (tambin utilizado como
filler), carbn.

COLORANTES:
Son compuestos coloreados que se unen a travs de fuerzas intermoleculares intensas
con grupos polares del polmero o reaccionan para formar enlaces covalentes con
grupos funcionales en el polmero.

PLASTIFICANTES:
Son compuestos orgnicos de bajo peso molecular que reducen la rigidez del polmero.
Un plastificante forma uniones intermoleculares con las molculas del polmero
separndolas, proveyendo a las cadenas polimricas de mayor espacio para moverse,
dando como resultado una msa ms fcilmente deformable.
El polmero ms comnmente plastificado es el PVC, siendo un plastificante tpico de
PVC el ftalato de dioctilo, el dister del cido ftlico y el 2-etilhexanol:


El PVC no plastificado es un material rgido usado para caeras, marcos de ventanas,
etc. Las propiedades del PVC plastificado dependen del contenido de plastificante. PVC
plastificado se usa en materiales de tapizado, cobertura de alambres y cables, cortinas
de duchas y film de embalaje.

AGENTES DE CURADO:
Son aditivos cuya funcin es producir un polmero entrecruzado, termoestable a partir
de un polmero inicialmente lineal o ramificado. Un monmero vinlico como el
estireno y un iniciador de radicales libres se disuelven en un polister insaturado de
bajo peso molecular y lo entrecruzan por un mecanismo de adicin que involucra a los
dobles enlaces del polister. Perxidos orgnicos se usan como agentes de curado para
polmeros termoplsticos saturados. Por calentamiento se producen radicales libres
que tomos de hidrgeno del polmero, dejando electrones no compartidos en las
cadenas, los cuales se combinan para formar entrecruzamientos:

30







CAPITULO3: ESTRUCTURAS SEMICONDUTORAS:
3.1INTRODUCCION:
La gran mayora de los dispositivos de estado slido que actualmente hay en el
mercado se fabrican con un tipo de materiales conocidos como semiconductores. De
ah que vamos a empezar nuestro estudio examinando las propiedades fsicas de
dichos elementos. Estudiaremos las caractersticas de los materiales que nos permiten
distinguir un semiconductor de un aislante y de un conductor y veremos, adems, el
dopado de un semiconductor con impurezas para controlar su funcionamiento.

3.2.-SEMICONDUCTORES ESTRUCTURA:

En los semiconductores ms usuales, silicio y germanio, su estructura cristalina
(disposicin atmica que se repite peridicamente en tres dimensiones) es la que
aparece reflejada en la Figura y se denomina estructura diamantina.

31



Para comprenderla, hay que tener en cuenta que tanto el Si como el Ge poseen 4
electrones de valencia, esto es, 4 electrones externos. Pues bien, en la estructura
diamantina, cada tomo est rodeado de 4 tomos vecinos y, adems, cada tomo
tiende a compartir uno de sus cuatro electrones de valencia con cada uno de los
cuatro tomos vecinos de los que toma otro electrn en proceso anlogo (Figura Las
barras de conexin de la Figura pueden considerarse como pistas a lo largo de cada
una de las cuales se mueven dos electrones en uno y otro sentido entre los tomos
asociados. Esta disposicin de pares de electrones compartidos entre tomos vecinos
es lo que se denomina enlace covalente.

La Figura es una representacin en dos dimensiones de la estructura diamantina para
un semiconductor puro (sin defectos ni elementos extraos) a una temperatura muy
baja, esto es, cuando todos los electrones de valencia permanecen ligados en los
enlaces covalentes no disponindose, por lo tanto, de cargas libres que puedan
moverse por el cristal bajo la presencia de un campo elctrico externo aplicado.
En este caso, el material se comporta como un aislante.



Sin embargo, a temperaturas superiores, la vibracin trmica de los tomos de la red
cristalina da lugar a sacudidas en las que se rompen algunos enlaces covalentes
disponindose, en tal caso, de cargas libres que pueden moverse por todo el cristal.
Esta situacin queda reflejada en la Figura. La energa necesaria para romper un enlace
32

covalente ha de ser igual o mayor que EG (el significado fsico de este parmetro
energtico lo veremos posteriormente en el modelo de las bandas de energa). EG es,
en esencia, una energa de ionizacin, pero mucho menor que las energas de
ionizacin de los tomos aislados ya que muchos tomos del cristal influyen sobre el
movimiento de cada electrn ligado. Algunos datos: EG (Si) 1,12 eV y EG (Ge) 0,7
eV a Ta = 300 K.

La peculiaridad ms destacable de la vacante dejada en el enlace covalente es que se
comporta como si fuera una nueva partcula libre de carga positiva +q
(q =1,610-19 C) y de masa comparable a la del electrn. Esta partcula aparente recibe
el nombre de hueco.


El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conduccin de corriente elctrica
puede explicarse cualitativamente como sigue: cuando un enlace est incompleto, de
forma que hay un hueco, es relativamente fcil que un electrn ligado de un tomo
vecino abandone el enlace covalente para llenar el hueco.

Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja, a su vez, otro hueco en su
posicin inicial. Por tanto, el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al
electrn ligado.

Es decir, el movimiento del hueco puede considerarse como la transferencia de la
ionizacin de un tomo a otro efectuada por el movimiento de los electrones ligados
entre sus enlaces covalentes. El electrn liberado inicialmente por la vibracin trmica
no interviene en este proceso y puede desplazarse de manera totalmente
independiente.

Se ha convertido en un electrn de conduccin.
33


Por lo tanto, en un semiconductor intrnseco (entendiendo como tal un
semiconductor en el que los tomos extraos se encuentran en una proporcin no
mayor de un tomo por cada 109 tomos del propio semiconductor) los electrones de
conduccin y los huecos se encuentran siempre en igual nmero, ya que al romper un
enlace covalente se crean simultneamente un electrn de conduccin y un hueco que
pueden moverse con independencia uno del otro.

Adems, se ha visto, que el nmero de portadores presentes en un semiconductor
intrnseco es funcin de la temperatura de trabajo, T (ver Figura).



Siendo ni la concentracin intrnseca del material. En el caso del Si, a temperatura
ambiente (300K):

34



3.3.-ESTRUCTURA ATMICA DE LOS CONDUCTORES:

Una propiedad comn a prcticamente todos los materiales, es la de permitir, en algn
grado, la conduccin de la corriente elctrica, pero as como algunos materiales son
buenos conductores, otros son malos conductores de dicha corriente.
35

Desde este punto de vista, los materiales pueden clasificarse
en conductores y conductores. Un material es conductor cuando puede desempear
esa funcin en un circuito, independiente del valor de su conductividad.
Los conductores en general pueden clasificarse en: metlicos, electrolticos y gaseosos.
En los conductores metlicos la conduccin es electrnica, es decir, los portadores de
cargas son electrones libres. Pertenecen a este grupo los metales y aleaciones. Se
suele hablar en estos casos de conduccin metlica.
En los conductores electrolticos la conduccin es inica; pertenecen a este grupo los
llamados electrolitos, es decir, los cidos (bases o sales, disueltos o fundidos). Las
molculas de estas sustancias, cuando se disuelven o funden, de disocian total o
parcialmente formando iones positivos o negativos, y estos iones son portadores de
cargas. En estos casos, el paso de la corriente elctrica corresponde a un
desplazamiento de material, y viene acompaada de una reaccin qumica.
En los conductores metlicos la electricidad circula a travs de la materia, mientras
que en los conductores electrolitos circula con la materia.
Los gases pertenecen a un tercer grupo de conductores, los conductores gaseosos; en
estado normal, los gases no son conductores, pero pueden convertirse relativamente
en buenos conductores cuando estn ionizados. Normalmente no se utilizan los gases
para conducir corriente, salvo en casos muy especiales. La conduccin a travs de los
gases no cumple con la Ley de Ohm.
La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de
semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se
insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los
componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las
propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales. Si los
conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen
de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la
temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de
energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms
cercano al de los conductores.
Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el
silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la
tabla peridica, o bien combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos
ellos, el ms empleado actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema
va a estar centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu
expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.

36

3.3.1- ESTRUCTURA DEL SILICIO:
El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo
elemento ms abundante en la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un
porcentaje en peso del 25,7%. Est presente en multitud de materiales, tan diversos
como la arena, la arcilla, el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la
naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de
estructuras mono cristalinas. En stas los tomos se disponen segn una red tipo
diamante con simetra cbica, en donde cada tomo forma enlaces covalentes con
otros cuatro adyacentes. As todos los tomos tienen la ltima rbita completa con
ocho electrones (Figura 1).

Figura 1: Estructura cristalina del silicio puro
En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia estn asociados a un enlace
covalente. Por tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y mono cristalino a 0
K se comporta como un material aislante.
3.3.2.- PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRON Y EL HUECO:
En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la
existencia de electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones los
responsables de la corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de un
enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es ms complejo, y para
su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco.
3.3.2.1.- GENERACION TERMICA DE PORTADORES. EL ELECTRON Y EL HUECO:
Si se eleva la temperatura del mono cristal de silicio por encima de 0 K, parte de la
energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:
37

Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de un
campo elctrico. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de
carga negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco.
Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni
perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor
nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales,
porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un
semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco.
Recapitulando, los semiconductores se diferencian:
De los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el semiconductor que
en el aislante. As a temperatura ambiente el primero dispone ya de portadores libres.
De los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de carga: el
electrn y el hueco.
En el caso del silicio puro mono cristalino, el nmero de portadores libres a
temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta
resistividad.
3.3.2.2.- RECOMBINACION DE PARES ELECTRON-HUECO:
Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente no satisfecho. Si un
electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en
l. A este fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un
electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene
su neutralidad elctrica.
3.3.2.3.- IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES:
En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden
alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos
llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina. Como veremos a lo largo
de este curso, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la
existencia de circuitos electrnicos integrados.
La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0 K
consideramos la presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que sustituimos un
tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V),
pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes
con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre.
Teniendo en cuenta esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un
tomo de silicio por otro de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por
38

ejemplo: evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres
electrones de valencia. Las dos situaciones se clarifican en la Figura 2.

Figura 2: Introduccin de impurezas en el silicio
Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse
las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de dopado
tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o electrones
respectivamente.
Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero
este material estar formado por:
-Huecos procedentes del dopado.
-Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
-Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e-/h+.
-Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.
Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos
procedentes de l superan en varios rdenes de magnitud al resto de portadores. Ello
confiere el carcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que
existen electrones.
En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y los electrones
los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores mayoritarios sern
39

los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla siguiente se pretende
rematar estos conceptos.

Material
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global
del material.
3.4.- INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES:
Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una
hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de
portadores provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los
dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la
tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la
temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare
a los portadores presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el
semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es
de tipo N o P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar
correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.
3.4.1.- CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES
Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos
tipos de corrientes:
-Corrientes por arrastre de campo
-Corrientes por difusin
En los siguientes sub apartados se explica cada uno de estos tipos de conduccin.
CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO
40

Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto nmero de
electrones y de huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos
que sucede con los portadores de carga:

Electrones libres:
Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el
movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se
originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de
cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la
fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la facilidad con que
estos se mueven por la red, es decir:
Je = en(qE)
En donde:
Je = Densidad de corriente de electrones
e = Movilidad de los electrones en el material
n = Concentracin de electrones
q = Carga elctrica
E = Campo elctrico aplicado

La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de
movimiento del electrn a travs de la red cristalina.
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn
perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el
hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se
repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por
los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo
por los enlaces. Este ltimo prrafo se entiende a la perfeccin con Figura 3.
41


Figura 3: Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones
La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco
como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese
que los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los
espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a
gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el
proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la
direccin opuesta al campo elctrico.
Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos
viene dada por:
Jh = hp(qE)
En donde:
Jh = Densidad de corriente de huecos
h = Movilidad de los huecos en el material
p = Concentracin de huecos
q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn
E = Campo elctrico aplicado

La movilidad h es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de
movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La facilidad de
desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.
Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y
electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los
electrones se movern en el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los
huecos lo harn en segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en
42

el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido
contrario. En definitiva, se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es
la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:
J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)
CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES:
Antes de entrar en el fenmeno de conduccin por difusin vamos a explicar el
concepto de difusin.
Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4) que tenemos una
caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento
introducimos un gas A, y en el otro un gas B.

Figura 4: Difusin de dos gases a travs de una membrana porosa

Si en un momento determinado se abre una comunicacin entre las dos estancias
parte del gas A atravesar la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El
resultado final es que en ambas estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La
difusin de partculas es un mecanismo de transporte puramente estadstico, que lleva
partculas de donde hay ms, a donde hay menos, siempre que no haya ninguna
fuerza externa que sea capaz de frenar dicho proceso. Matemticamente puede
expresarse esta idea mediante la primera ley de Fick, que establece que el flujo de
partculas que atraviesa una superficie (J partculas/s/m2) es proporcional al gradiente
de concentracin (c partculas/m3) de dichas partculas:


43


A la constante de proporcionalidad se le denomina difusividad, y tiene dimensiones de
m2/s.
Qu aplicacin tiene esto a la conduccin en los semiconductores? Pensad en lo qu
sucedera si, por las razones que sean, tuviramos un semiconductor tipo P cuya
concentracin de huecos no fuera constante, sino variable segn la direccin x. Los
huecos tendern a emigrar de la regin de alta concentracin a la de baja
concentracin. Esta migracin de portadores, que se muestra en la Figura 5, es un
proceso puramente estadstico, originado por el movimiento trmico aleatorio de los
portadores.
No est relacionado con la carga de los mismos o con la presencia de ningn campo
elctrico.

Figura 5: Densidad de corriente de difusin de huecos
La difusin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino de
solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente.
En los metales, la difusin no es un proceso de importancia, porque no existe un
mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que un
metal nicamente hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de
portadores que se pudiera formar desequilibrara la neutralidad de la carga. El campo
elctrico resultante creara una corriente de arrastre, que de manera instantnea
anulara el gradiente antes de que pudiera darse la difusin. Por contra, en un
semiconductor hay portadores positivos y negativos de carga, por lo que es posible la
existencia de un gradiente de densidad de huecos y de electrones, mientras se
mantiene la neutralidad de la carga.
En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusin pueden
expresarse de forma unidimensional mediante la ecuacin:
44


En donde:
J difusin = Densidad de corriente de difusin
q = Carga del electrn
De, Dh = Difusividad de los electrones y de los huecos
n = Concentracin de electrones
p = Concentracin de huecos

El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente negativa
de los huecos da lugar a una corriente de los huecos.
Calcular el nmero de portadores generados debido a la temperatura a 300K para
silicio y el arseniuro de galio.
Apoyndose en el apartado anterior, estimar la resistividad del Silicio y el arseniuro de
galio a 300K. Datos: La movilidad de los electrones y huecos en el arseniuro de galio a
300K es de 8600 cm2/s y 250cm2/s respectivamente.
Explique porqu, segn la grfica de densidad de dopado resistividad, para una
misma densidad de dopado la resistividad es mayor cuando se utiliza el boro y no el
fsforo.
Si se desea obtener silicio tipo P con una resistividad de 1 Wcm a 300K, indicar con que
material y concentracin de dopante que se debe emplear. y si se deseara obtener
silicio N de idntica resistividad?
Se define la resistencia por cuadrado de un material como el cociente entre la
resistividad y el espesor, tal y como se indica en la figura


45


La resistencia por cuadrado representa la resistencia entre dos caras opuestas
verticales.
Si se considera que t vale 0.8mm, calcular la densidad de dopado tipo P para que la
resistencia por cuadrado valga 1kW.
Se quiere realizar en un proceso de fabricacin estndar una resistencia de 375kW. Si
el proceso se realiza con tecnologa de 0.8mm y en las que t=0.4mm y el dopado
ND=1015 at/cm3. Calcular
La resistencia por cuadrado
Las dimensiones de la resistencia
El nmero de cuadrados que forman la resistencia de 375kW.
Si los coeficientes de difusin De y Dh de los electrones y huecos en el silicio estn
relacionados mediante con las movilidades e y h con la expresin

K= constante de Boltzman =1.381023J/K
q=carga del electrn = 1.610-19c.
T= temperatura en Kelvin

Comprese los coeficientes de difusin para silicio tipo N con una densidad de dopado
de 1014 at/cm3 para 25C y 100C.
Si la concentracin de electrones a lo largo de la direccin x en un material
semiconductor tipo N es la que aparece en la figura, calcular la densidad de corriente
debido a la difusin. Indicar el sentido del movimiento de los electrones. Datos:
T=300K; ND=1015at/cm3.
46


3.5.-ESTRUCTURA ATMICA DE LOS AISLANTES:
El cmo un material responde a las fuerzas elctricas depende de cmo se hallen
dispuestos sus tomos. Cuando los tomos se hallan unidos juntos para formar slidos,
lquidos o gases, la forma en que se hallan dispuestos los electrones depende de los
detalles finos de las fuerzas entre los tomos.

En particular, determinan si los electrones son capaces de moverse en torno al
material en respuesta a fuerzas elctricas externas, o lo que es lo mismo, si la corriente
elctrica puede moverse a travs del material.
47


Un conductor es un material a travs del cual puede fluir la corriente elctrica. Para ser
un conductor, un material debe contener cargas elctricas libres. Hay muchos tipos de
conductores, y difieren en el tipo de cargas libres disponibles y en cmo son creadas.

En materiales como los metales, algunos electrones no se hallan ligados a sus tomos
individuales, sino que son libres de moverse a travs del material: en efecto son
compartidos por todos los tomos.

Esas partculas sueltas reciben el nombre de electrones de conduccin. En un metal
como el cobre, aproximadamente un electrn por tomo es de ese tipo. Los metales
son los conductores ms comnmente usados.
48


Sin embargo no hace falta que un material sea un metal para que conduzca la
electricidad. Cuando encendemos una luz fluorescente, algunos de los tomos en el
gas se ionizan y pierden electrones.



Esos electrones libres pueden moverse cuando es aplicado un voltaje. Del mismo
modo, si disolvemos sal en agua, habr iones cargados flotando en el agua.
Esos iones son libres de moverse, y en consecuencia pueden constituir una corriente
elctrica. Tanto el agua salada como los gases ionizados son ejemplos de conductores
no metlicos.

49



Para que un material que transporte electricidad sea asequible, debe ser barato y buen
conductor elctrico, por lo cual el cobre es ideal ya que rene esas dos caractersticas.
Por ello es el conductor ms usado, como por ejemplo en los cables elctricos de las
casas.



El aluminio es tambin usado ocasionalmente con esa finalidad, pero no es tan buen
conductor como el cobre. En situaciones en las que el coste no es una objecin, como
en los satlites espaciales, en los circuitos elctricos se usa el oro y la plata porque son
ligeramente mejores conductores que el cobre, aunque son mucho ms caros.
50


En un aislante, los electrones se hallan fuertemente ligados a sus tomos. Un aislante
es un material que no transporta la corriente elctrica. Las fuerzas elctricas externas
no son lo bastante fuertes como para apartar los electrones de sus molculas madre
en un material as.
En consecuencia, los electrones no se mueven cuando es aplicado un voltaje, y no
fluye ninguna corriente. La madera, el plstico, el caucho y el cristal son ejemplos de
aislantes.
3.6.-PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES:
Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero
peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la
corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las
propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el
aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante
o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los
semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas,
mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los
semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles
cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en
la fsica del estado slido.





51



CONCLUSION:
Estructura cermica:
Los materiales cermicos son materiales inorgnicos, no metlicos formados
por elementos metlicos y no metlicos unidos primariamente mediante
enlaces inicos y/o covalentes.

En general, la mayora de los materiales cermicos son tpicamente duros y
quebradizos con poca resistencia a los impactos y a la ductilidad.
Los cermicos cuentan con importantes propiedades elctricas y trmicas con
importantes aplicaciones en la industria.

Los vidrios son productos inorgnicos cermicos de fusin que se han enfriado
hasta un slido rgido sin cristalizacin.


Tienen propiedades especiales como transparencia dureza a la temperatura
ambiente y excelente resistencia a la mayora de los ambientes.
Estructuras polimricas:
Los cristales fibrilares pueden producirse en los procesos de inyeccin o de
extrusin, o durante el proceso de estirado de algunos materiales que se
emplean en la industria textil.

Los cristalino polimricos tambin pueden agruparse de otras maneras,
generando fibrillas.

Estructuras semiconductoras:
Estudiamos las caractersticas de los materiales y la estructura atmicas de los
materiales semiconductores.




52



BIBLIOGRAFA:
http://www.monografias.com/trabajos-pdf5/materiales-ceramicos/materiales-
ceramicos.shtml#ixzz3FV94tPLB
https://sites.google.com/site/materialesceramicoseq6/estructuras-de-silicatos
http://www.monografias.com.-.materiales-ceramicos/materiales-ceramicos.shtml