MATERIALES ELECTRNICOS

Tipos de sustancias
Son sustancias inorgnicas unidas mediante enlaces covalentes altamente
direccionales.
Son bsicamente elementos del grupo 14 (Si o Ge) que pueden tener
impurezas de
Elementos de los grupos 13 (B!l " Ga) " 1# ($!s " Sb).
Clasifcacin
%os materiales electr&nicos estn 'ormados por semiconductores
'undamentalmente.
%os semiconductores se pueden clasi(car en)
Semiconductores Intrnsecos
Son aquellos materiales cu"as conductividades el*ctricas se
encuentran entre la de los metales altamente conductores " la de los
aislantes pobremente conductores. Son semiconductores puros cu"a
conductividad el*ctrica est determinada por sus propiedades conductoras
innatas. %os elementos Si " Ge puros son materiales semiconductores
intr+nsecos.
Semiconductores Extrnsecos
Son soluciones s&lidas mu" diluidas donde e,isten impurezas con
caracter+sticas de valencia distintas a las de la red que act-a como
disolvente. %a concentraci&n de las impurezas est entre 1.. " 1... partes
por mill&n.
$ueden ser de dos tipos)
/ipo n) En las redes de Si o Ge se introducen elementos del
grupo 1# los cuales debido a que tienen un electr&n mas en su
capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan
como impurezas donadoras de electrones o portadores
negativos.
/ipo p) En este caso se introducen elementos del grupo 13 que
presentan un electr&n menos en su capa de valencia por lo
que se comportan como aceptores o captadores de electrones.
Estructura Cristalina
%os semiconductores intr+nsecos presentan estructura cristalina c-bica
compacta donde los tomos de Si o Ge se unen mediante enlaces
covalentes altamente direccionales.
Propiedades Fsicas
012340/5653!3 E%70/850!
Semiconductores intrnsecos) %a conductividad el*ctrica se
produce cuando un electr&n de la banda de valencia (llena) absorbe
la su(ciente energ+a para saltar a la banda de conducci&n (vac+a)
creando dos portadores de carga un electr&n " un 9ueco positivo.
Semiconductores extrnsecos) %a conductividad el*ctrica se ve
'avorecida por la acci&n de las impurezas e,istentes en estos
materiales.
/ipo n) Se crea un nivel donor donde encontramos el electr&n
e,tra que poseen las impurezas. Este nivel energ*tico se
encuentra cerca de la banda de conducci&n 'acilitando el salto
electr&nico.
/ipo p) Se crea un nivel aceptor por la adici&n de un elemento
del grupo 13 mu" pr&,imo a la banda de valencia de 'orma
que con una peque:a cantidad de energ+a el electr&n puede
saltar al nivel aceptor. !l suceder esto se crea un 9ueco
positivo en la banda de valencia cu"a movilidad produce la
conducci&n el*ctrica.
Relacin Conductiidad!Te"peratura
Semiconductores intrnsecos
%a conductividad aumenta con la temperatura de 'orma lineal
rpidamente "a que los electrones de la banda de valencia se activan
t*rmicamente saltando a la banda de conducci&n.
Semiconductores extrnsecos
En la relaci&n conductividad;temperatura podemos di'erenciar tres
rangos)
8ango e,tr+nseco) Se da a ba<as temperaturas la conductividad no se
ve mu" a'ectada por el aumento de la temperatura.
8ango de agotamiento (tipo n) o 8ango de saturaci&n (tipo p)) donde
la conducci&n se mantiene constante debido a que los tomos donores "
aceptores se encuentran todos ionizados.
8ango intr+nseco) Se da a altas temperaturas se comporta igual que
un semiconductor intr+nseco.
012340/5653!3 /78=50!
Son malos conductores t*rmicos debido a que los tomos de la red cristalina
estn unidos mediante enlaces covalentes que impiden la movilidad de los
tomos " por lo tanto la di'usi&n del calor. Esta propiedad es importante de
cara a sus aplicaciones como componentes electr&nicos.
Propiedades Mec#nicas
Son consecuencia de las uniones covalentes altamente direccionales entre
sus tomos lo cual no permite su de'ormaci&n 9aciendo que estos
materiales sean poco d-ctiles " por tanto son 'rgiles.
Aplicaciones
/ienen multitud de aplicaciones en el campo de la electr&nica.
! partir de obleas de Si se 'abrican)
09ip de Si
=emorias digitales a gran escala (%S5) por e<emplo memorias 8!=
3iodos de Si recti(cadores que trans'orman la corriente contin-a en
corriente alterna " diodos de avalanc9a que se usan como limitadores de
tensi&n